FR2593016A1

FR2593016A1 - Procede pour former des circuits electriques sur une plaquette de base

Info

Publication number: FR2593016A1
Application number: FR8700274A
Authority: FR
Inventors: Yamahiro Iwasa
Original assignee: Asahi Chemical Research Laboratory Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Research Laboratory Co Ltd
Priority date: 1986-01-14
Filing date: 1987-01-13
Publication date: 1987-07-17
Anticipated expiration: 2007-01-13
Also published as: FR2593016B1; US4735676A; DE3700910A1; DE3700910C2; NL8700078A; KR900003152B1; KR870007646A

Abstract

Pour former des circuits conducteurs C1, C2 sur une plaquette de base doublée de cuivre 1, 3, 8, on perce (en quatre) la plaquette, on la soumet à un traitement catalytique, on corrode ses deux faces en formant des circuits C1, on dépose une réserve 6 sur les circuits C1, puis une pâte de cuivre 9 sur les deux faces pour raccorder les circuits C1, on applique un placage chimique de cuivre à la surface de la pâte 9 pour former un circuit C2 sur chaque face, on dépose la réserve 6 sur les deux faces de la plaquette hormis dans la zone du circuit C1 entourant le trou 4, et on applique un traitement d'activation et un placage non-électrolytique de cuivre à la périphérie 4a du trou pour raccorder les circuits C1 de la première couche des deux faces. Application notamment à la fabrication de plaquettes très minces à circuits imprimés. (CF DESSIN DANS BOPI)

Description

Procédé pour former des circuits électriques sur une plaquet-

te de base

La présente invention concerne un procédé pour for-

mer des circuits électriquement conducteurs sur une plaquet-

te de base et concerne plus particulièrement un procédé pour former au moins quatre couches superposées de circuits sur

la plaquette de base, et selon lequel on utilise d'une maniè-

re efficace une pâte de cuivre électriquement conductrice nouvellement développée, qui est adaptée de façon spécifique

pour le placage métallique, pour former un aussi grand nom-

bre de couches superposées de circuits sur une seule plaquet-

te de base, ce nombre aussi important de couches superposées de circuits comprenant un circuit à résistance réalisé au moyen d'une pâte résistive, ou bien un circuit de stockagede

l'électricité, constitué par une pâte diélectrique. La pla-

quette à circuits imprimés terminée est extrêmement mince

grâce à l'utilisation de tels éléments.

Jusqu'à présent, pour former un circuit à résis-

tance ou un circuit de stockage de l'électricité sur une pla-

quette de base doublée de cuivre, on soudait en général un conducteur ou une résistance en forme de tranche ou un condensateur sur la plaquette de base doublée de cuivre. Le produit fini est de ce fait volumineux, outre le fait de requérir un nombre élevé correspondant de phases opératoires et d'impliquerun coût élevé résultant incluant le coût de la résistance ou d'un condensateur. En outre, conformément

au procédé classique, la densité d'entassement sur la pla-

quette à circuits imprimés de base est plus faible et il est

difficile de réduire le poids du produit et l'ampleur du pro-

cessus de fabrication. En outre, étant donné qu'ilétait né-

cessaire d'exécuter l'opération de soudage,il se produisait souvent une perturbation dans la disposition des conducteurs

et une insertion défectueuse de la résistance ou du conden-

sateur. En outre dans le cas de la formation de circuits très complexes sur la plaquette de base doublée de cuivre,

il devient nécessaire de raccorder électriquement les cir-

cuits les uns aux autres. Conformément à l'art antérieur,

on aménageaitun trou traversant destiné & raccorder électrique-

ment les circuits situés sur les deux faces de la plaquette

de base étant donné qu'il était impossible de former les cir-

cuits comprenant plus de deux couches superposées sur une

face de la plaquette de base. Même dans le cas de l'aménage-

ment de ces trous traversants, ilétait impossible de former plus de deux couches superposées de circuits, à savoir une couche situéesuruneface de la plaquette de base et l'autre

située sur l'autre face de cette plaquette.

Il a été proposé de former plus de deux couches

superposées de circuits sur une face d'une plaquette de ba-

se en céramique. Par exemple, dans le cas du circuit intégré hybride, il est usuel d'employer une pâte d'un métal précieux,

formée par exemple de platine-palladium ou d'argent-palla-

dium pour former les circuits et les bornes de ces derniers,

et d'utiliser une pâte à base d'oxyde de ruthénium pour for-

mer une résistance, puis de faire cuire la plaquette de base à une température élevée (700 C-1000 C). En outre il a été

proposé de former plus de deux couches superposées de cir-

cuits sur une face d'une plaquette de base en insérant par

impression une pâte de tungstène (pâte W) et une pâte iso-

lante en alternance sur une feuille à vert d'alumine, puis

en faisant cuire la feuille à vert d'alumine à une tempéra-

ture d'environ 1600 C. Cependant, conformément à de tels pro-

cédés qui requièrent un traitement de cuisson à haute tem-

pérature, les ingrédients servant à réaliser la structure de circuitetdevantêtre utilisés sont limités et l'équipement devant être requis est onéreux. C'est pourquoi ces procédés ne conviennent pas pour fabriquer les plaquettes à circuits

imprimés devant être utilisées d'une manière générale en com-

binaison avec les appareils électroniques.

C'est pourquoi il est souhaitable de mettre au point, au niveau industriel, un procédé pour former plus de

deux couches superposées de circuits sur une face d'une pla-

que de base polymère, que l'on puisse traiter à une tempé-

rature inférieure. Dans ce cas il devient nécessaire de dé-

velopper sur la pâte de cuivre électriquement conductrice,

qui possède la propriété de conduire extrêmement bien le cou-

rant électrique et est spécifiquement adaptée pour le pla-

cage métallique, en particulier pour le placage avec du

cuivre et que l'on peut obtenir à un coût inférieur. Cepen-

dant il était difficile d'utiliser dans la pratique la pâte électriquement conductrice étant donné que les particules

de cuivre situées dans la pâte peuvent aisément s'oxyder lors-

que l'on fait chauffer la pâte pour la durcir à une tempé-

rature d'environ 150C, et la pâte possède une résistance élec-

trique élevée et réduit la propriété d'aptitude-au soudage.

D'une manière générale la pâte de cuivre électriquement con-

ductrice classique s'oxyde aisément sous l'action d'une cha-

leur destinée à durcir la pâte, contrairement au métal pré-

cieux tel que l'argent. L'oxydation de la poudre de cuivre dans la pâte augmente la résistance électrique et réduit la propriété d'aptitude au soudage. Ces défauts peuvent rendre inutilisabledans lapratique la pâte électriquement conductrice classique. En outre il était nécessaire d'activer la surface de la pâte de cuivre électriquement conductrice, durcie au moyen d'un catalyseur de manière à mettre à nu la poudre de cuivre à partir de la pâte formée de la résine de manière que la poudre de cuivre à nu puisse agir en tant que liant,

c'est-à-dire pour que l'on obtienne un nombre élevé de no-

yaux pour le placage métallique ultérieur. Ainsi la pâte élec-

triquement conductrice classique nécessitait un nombre très

important de phases opératoires.

La demande de modèle d'utilité japonais N 50-932 (N de publication 5542460) décrit un procédé spécifique, selon lequel on utilise une réservede polybutadiène de haute valeur diélectrique en tant que revêtement diélectrique, une

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pâte adhésive, par exemple constituée par 20 % de résine phénolique, 63 % de poudre de cuivre et 17 % de solvant,

pour former des circuits structurés, on épaissit la pâte adhé-

sive pour l'amener à au moins une épaisseur allant jusqu'à 20 Fm au moyen d'un placage non électrolytique, puis on re- couvre la pâte adhésive formée par placage, avec du cuivre

de manière à former le circuit électriquement conducteur for-

mé de plus de deux couches sur une face d'une plaquette de base. Le procédé spécifique mentionné n'a jamais été mis en

oeuvre industriellement.

Le déposant de la présente demande s'est lancé de-

puis de nombreuses années dans l'étude de nouvelles pâtes de cuivre électriquement conductrices, afin d'éliminer les défauts de l'art antérieur tels que mentionnés précédemment

et a réussi à obtenir l'application industrielle de nouvel-

les pâtes de cuivre électriquement conductrices de ce type.

Les pâtes de cuivre électriquement conductrices nouvellement

développées incluent les pâtes de cuivre électriquement con-

ductrices connues sous les sigles ACP-020, ACP-030 et ACP-

007P, fabriquées par la société dite Asahi Chemical Research

Laboratory Co., Ltd. La pâte de cuivre électriquement con-

ductrice ACP-020 est constituée essentiellement par 80 % en

poids de poudre de cuivre et 20 % en poids. de résine synthé-

tique, et présente une conductivité électrique tout à fait excellente, mais présente une aptitude au soudage plus ou moins réduite. La pâte de cuivre électriquement conductrice ACP-030 est constituée essentiellement par 80 % en poids de poudre de cuivre et de 15 % en poids de résine synthétique et possède une conductivité électrique légèrement inférieure à celle de la pâte ACP-020, mais une excellente aptitude au soudage. Enfin la pâte de cuivre électriquement conductrice ACP-007P est un perfectionnement de la pâte ACP-030 et peut recevoir un placage métallique, comme par exemple un placage chimique de cuivre, sans l'utilisation d'un catalyseur. En effet la pâte de cuivre présente une aptitude tout à fait

excellente pour le placage métallique.

L'invention a pour but de supprimer les défauts et les inconvénients de l'art antérieur. C'est pourquii un but de l'invention est d'utiliser d'une manière efficace la nouvelle pâte de cuivre électriquement conductrice nouwel- lement développée, présentant une aptitude particulièrement excellente pour le placage métallique, de manière à fbrmer des circuits électriquement conducteurs possédant plus de

deux couches superposées sur une face d'une plaquette de ba-

se doublée de cuivre, c'est-à-dire} former tout d'abord une première couche de circuits sur la couche de cuivre de

la plaquette de base, puis à déposer la pâte de cuivre élec-

triquement conductrice mentionnée et présentant une excel-

lente aptitude pour le placage métallique, sur les parties

des circuits de la première couche, qui doivent être raccor-

dées à une seconde couche de circuits devant être formée sur

la première couche de circuits, puis à chauffer la pâte élec-

triquement conductrice de manière à la faire durcir, à réa-

liser ensuite un placage métallique sur la pâte de cuivre électriquement conductrice déposée en vue d' accroître la conductivité électrique de la pâte de cuivre, de manière à lui donner la valeur de celle de la couche de cuivre, afin de former de ce fait la seconde couche de circuits sur la

première couche de circuits.

De cette manière, on peut former des circuits d'au moins deux couches superposées sur une face de la plaque de base doublée de cuivre, et par conséquent on peut former, sur les deux faces de la plaquette de base, des circuits d'au

moins quatre couches superposées, qui sont raccordées élec-

triquement les unes aux autres au moyen d'un trou traversant.

De ce fait le produit fini peut être réalisé à un coût égal

presque à la moitié du coût nécessaire pour fabriquer le pro-

duit classique.

Un autre but de l'invention est de fabriquer des circuits constitués d'au moins quatre couches superposées

sur les deux faces de la plaquette de base doublée de cui-

vre et comprenant un circuit à résistance sur chaque face

de cette plaquette, en déposant une pâte résistive possé-

dant une résistance électrique prédéterminée sur une réser-

ve résistant au placage, sur les deux faces de la plaque

de base, puis en chauffant cette pâte pour la faire durcir.

On dépose ensuite une pâte électriquement conductrice sur

les deux faces de la plaquette de base de manière à raccor-

der électriquement la pâte résistive d'au moins deux cir-

cioïts de la première couche, situés sur les deux faces de la pâte résistive ou bien au- circuit de la seconde couche situé sur une face de la pâte résistive. Puis on chauffe

la pâte électriquement conductrice devant être durcie de ma-

nière à former un circuit à résistance sur chaque face de

la plaque de base. On met en oeuvre un traitement d'activa-

tion sur le pourtour inférieur du trou traversant, puis on

réalise un placage non électrolytique de cuivre sur le pour-

tour du trou traversant de manière à former dans ce dernier

une couche de placage en cuivre servant à raccorder électri-

quement lescircuits de la première couche situés sur les deux faces de la plaquette de base. Ainsi les circuits d'au moins quatre couches superposées sont formés sur les deux faces

de la plaquette de base, y compris les circuits à résistance.

Dans ce cas aucune opération n'est nécessaire pour insérer un élément formant résistance dans la plaquette de base, ni

pour fixer et souder l'élément formant résistance à la pla-

quette de base. Ainsi on obtient un circuit à résistance ex-

trêmement mince.

Un autre but de l'invention est de fabriquer des circuits constitués par au moins quatre couches superposées sur les deux faces de la plaquette de base doublée de cuivre

et incluant un circuit de stockage de l'électricité, en dé-

posant une pâte diélectrique possédant la propriété de stoc-

ker l'électricité, sur une partie du circuit de la première

et de la seconde couches situées sur chaque face de la pla-

quette de base, et en chauffant cette pâte pour la faire dur-

cir. On dépose ensuite une pâte électriquement conductrice

sur les deux faces de la plaquette de base de manière à rac-

corder électriquement la pâte diélectrique d'un autre cir-

cuit de la première et de la seconde couches situées sur cha- que face de la plaquette de base. Puis on fait chauffer la pâte

electriquementconductrice,devant être durcie, de manière à for-

mer avec cette pâte un circuit de stockage de l'électricité sur chaque face de la plaquette de base. On applique alors

un traitement d'activation au pourtour intérieur du trou tra-

versant, puis on réalise un placage non électrique de cuivre sur le pourtour intérieur du trou traversant de manière à

former dans ce dernier une couche de placage de cuivre ser-

vant à raccorder électriquement les circuits de la première

couche situés sur les deux faces de la plaquette de base.

Ainsi on forme des circuits formés d'au moins quatre couches

de base sur les deux faces de la plaquette de base, y com-

pris le circuit de stockage de l'électricité sur chaque face de la plaquette de base. Dans ce cas aucune opération n'est nécessaire pour insérer un condensateur dans la plaquette

de base, ni pour fixer et souder le condensateur à la pla-

quette de base. Ainsi il est possible d'obtenir un circuit

de stockage de l'électricité, extrêmement mince.

Un autre but de la présente invention est de four-

nir une plaquette à circuits imprimés fiable contenant le circuit constitué d'au moins quatre couches et formé sur les deux faces de la plaquette et incluant un circuit formant résistance ou un circuit de stockage de l'électricité sur

chaque face de cette plaquette, la plaquette à circuits im-

primés possédant une densité d'entassement élevée et un poids réduit et étant fabriquée en un nombre de phases opératoires

extrêmement réduit sans risque d'une perturbation de l'agen-

cement des conducteurs ou de l'insertion défectueuse d'un

élément formant résistance ou d'un condensateur.

Selon un premier aspect, l'invention inclut les

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phases opératoires consistant à: a) fixer des couches de cuivre sur les deux faces de ladite plaquette de base de manière à former une plaquette de base doublée de cuivre; b) traiter ladite plaquette de base doublée de cui- vre de manière à former un trou traversant s'étendant sur

toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre; -

d) laver ladite plaquette de base doublée de cuivre; e) corroder les deux faces de ladite plaquette de

base doublée de cuivre de manière à former sur cette derniè-

re une pluralité de circuits faisant partie d'une première

couche et incluant un circuit formé autour dudit trou tra-

versantet situé sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; f) déposer uneréserve résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre,

hormis au niveau des circuits appartenant à la première cou-

che;

g) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite réserve résistant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre, de manière à raccorder électriquement au moins deux circuits appartenant à la première couche sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

i) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte de cuivre électri-

quement conductrice; j) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base doublée de cuivre;

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre de manière à former en cet

endroit un circuit appartenant àune seconde couche, sur cha-

que face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; 1) déposer]. adibréserverésistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre,

hormis dans une partie desdits circuits de la première cou-

che formés autour dudit trou traversant;

m) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir laditeréserve résistant au pla-

cage; n) appliquer un traitement d'activation à la périphérie intérieur dudit trou traversant; et o) mettre en oeuvre un placage non électrolytique de

cuivre sur ladite périphérie intérieure dudit trou traver-

sant de manière à former dans ce dernier une couche de pla-

cage en cuivre servant à raccorder électriquement lesdits circuits de la première couche sur les deux faces de ladite

plaquette de base doublée de cuivre.

Selon un autre aspect, l'invention inclut les pha-

ses opératoires consistant à: a) fixer des couches de cuivre sur les deux faces de ladite p]aquette de base de manière à former une plaquette de base doublée de cuivre;

b) traiter ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à former un trou traversant s'étendant sur

toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre; d) laver ladite plaquette de base doublée de cuivre; e) corroder les deux faces de ladite plaquette de

base doublée de cuivre de manière à former sur cette derniè-

re une pluralité de circuits faisant partie d'une première

couche et incluant un circuit formé autour dudit trou tra-

versantet situé sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; f) déposer une réserve résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre, hormis au niveau des circuits appartenant à la première cou- che;

g) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite réserve résistant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

i) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte de cuivre électri-

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre de manière à former en cet

endroit un circuit appartenant àune seconde couche, sur cha-

que face de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

1) déposer une pâte r&sistive sur ladite réser-

ve résistant au placage, possédant une valeur de résistan-

ce électrique prédéterminée, sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

m) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui--

vre de manière à faire durcir ladite pâte résistive; n) déposer une pâte électriquement conductrice sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre

de manière à raccorder électriquement à ladite pâte résis-

tive au moins deux desdits circuits appartenant à la premié-

re couche situéssurlesdeux faces de ladite pâte résistive ou au moins ledit circuit appartenant à la seconde couche et situé sur une face de ladite pâte résistive, sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

o) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte électriquement con- ductrice de manière à former avec cette dernière un circuit formant résistance sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; p) déposer ladite réserverésistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre,

hormis au niveau d'une partie desdits circuits faisant par-

tie de la première couche formés autour dudit trou traver-

sant;

q) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir laditeréserve résistant au pla-

cage; r) appliquer un traitement d'activation à la périphérie intérieuredudit trou traversant; et s) exécuter un placage non électrolytique de cuivre

sur ladite périphérie dudit trou traversant de manière à for-

mer dans ce dernier une couche de placage en cuivre servant à raccorder électriquement lesdits circuits appartenant à

la première couche situés sur les deux faces de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre.

Selon un autre aspect, l'invention inclut les pha-

ses opératoires consistant à: a) fixer des couches de cuivre sur les deux faces de ladite pl]aquette de base de manière à former une plaquette de base doublée de cuivre;

b) traiter ladite plaquette de base doublée de cui-

* vre de manière à former un trou traversant s'étendant sur

toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

base doublée de cuivre de manière à former sur cette derniè-

re une pluralité de circuits faisant partie d'une première couche et incluant un circuit formé autour dudit trou tra- versant situé sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; f) déposer une réserve résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre,

hormis au niveau des circuits appartenant à la première cou-

che;

g) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite réserve résistant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

i) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte de cuivre électri-

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice à ladite pla-

quette de base doublée de cuivre de manière à former en cet

endroit un circuit appartenant àune seconde couche, sur cha-

que face de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

1) déposer une pâte diélectrique possédant la pro-

priété de stocker l'électricité, sur une partie de l'un des-

dits circuits appartenant à la première couche ou à la se-

conde couche sur chaque face de ladite plaquette de base dou-

blée de cuivre;

m) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte diélectrique; n) déposer une pâte électriquement conductrice sur

les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à raccorder électricuement ladite pâte dié-

lectrique de l'un desdits circuits appartenant à la premiè-

re couche, situé au voisinage de cette pâte, ou dudit cir-

cuit appartenant à la seconde couche, sur chaque face de la-

dite plaquette de base doublée de cuivre;

o) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre afin de faire durcir ladite pâte électriquement conduc-

trice de manière à former avec cette dernière un circuit

de stockage de l'électricité, sur chaque face de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre; p) déposer ladite réserverésistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base doublée de cuivre, hormis au niveau d'une partie desdits circuits appartenant à la première couche, formés autour dudit trou traversant;

q) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre afin de faire durcir ladite réserve résistant au placage;

r) appliquer un traitement d'activation à la péri-

phérie intérieure dudit trou traversant; et s) mettre en oeuvre un placage non électrolytique de

cuivre sur ladite périphérie intérieure dudit trou traver-

sant de manière à former en cet endroit une couche de pla-

cage en cuivre servant à raccorder électriquement lesdits circuits de la première couche, sur les deux faces

de ladite plaquette de base doublée de cuivre.

Selon un autre aspect, l'invention inclut les pha-

ses opératoires consistant à:

a) appliquer un adhésif sur les deux faces de ladi-

te plaquette de base de manière à former une plaquette de base revêtue de l'adhésif;

b) traiter ladite plaquette de base revêtue de l'adhé-

sif de manière à former un trou traversant s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base;

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de la-

dite plaquette de base; d) déposer une réserve résistant au placage sur des parties prédéterminées situées sur les deux faces de ladite plaquette de base;

e) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite réserve résistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre

sur les parties qui ne sont pas revêtues par laréserve ré-

sistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquette

de base, et sur la périphérie intérieure dudit trou traver-

sant, de manière à former en ces emplacements une couche de placage en cuivre servant à former une pluralité de circuits

appartenant à une première couche et qui sont raccordés élec-

triquement entre eux sur les deux facesdeladiiBplaquette de base; g) déposer ladite réserverésistant au placage sur les

parties non recouvertes par ladite réserve résistant au pla- cage et/ou sur les parties desdits circuits appartenant à la première

couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base;

h) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite réserverésistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice sur lesdites parties qui ont été recouvertes de façon répétée par ladite réserve résistant au placage;

j) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite pâte de cuivre électriquement conductrice; k) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base; et

1) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice de

manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits appartenant à une seconde couche, sur les deux faces

de ladite plaquette de base.

Selon un autre aspect, l'invention inclut les pha-

ses opératoires consistant à:

a) appliquer un adhésif sur les deux faces de ladi-

b) traiter ladite plaquette de base revêtue de l'adhé-

sif de manière à former un trou traversant s'étendant sur toute l'épaisseur-de ladite plaquette de base;

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de la-

e) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite réserverésistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre

sur les parties qui ne sont pas revêtues par laréserve ré-

sistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquette

de base, et sur la périphérie intérieure dudit trou traver-

appartenant à une première couche et qui sont raccordés élec-

triquement entre eux sur les deux facesde ladite plaquette de base; g) déposer laditeréserve résistant au placage sur les

parties non recouvertes par laditeréserve résistant au pla-

cage et/ou sur les parties desdits circuits appartenant à la première couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base;

h) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite réserverésistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice sur lesdites parties qui ont été recouvertes de façon répétée par ladite réserverésistant au placage;

j) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

1) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice de

manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits appartenant àune seconde couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base; m) déposer une pâte résistive possédant une valeur de résistance électrique prédéterminée, sur au moins l'une des parties qui ont été recouvertes par ladite

réserve résistant au placage, sur chaque face de ladite pla-

quette de base;

n) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite pâte résistive; o) déposer une pâte électriquement conductrice sur

les deux faces de ladite plaquette de base de manière à rac-

corder électriquement à ladite pâte résistive le circuit ap-

partenant à la première couche ou à la seconde couche située sur les deux faces de ladite pâte résistive, sur chaque face de ladite plaquette de base; et

p) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite pâte électriquement conductrice de manière à former un circuit à résistance sur chaque face de ladite

plaquette de base.

Selon un autre aspect, l'invention inclut les pha-

ses opératoires consistant à:

a) appliquer un adhésif sur les deux faces de ladi-

b) traiter ladite plaquette de base revêtue de l'adhé-

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de la-

e) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir laditeréserve résistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre

sur les parties qui ne sont pas revêtues par laréserve ré-

sistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquette

de base, et sur la périphérie intérieure dudit trou traver-

appartenant à une première couche et qui sont raccordés élec-

triquement entre eux sur les deux faces de Jadite plaquette de base; g) déposer laditeréserverésistant au placage sur les

parties non recouvertes par ladite réserve résistant au pla-

h) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite réserve résistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

j) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

1) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice de

manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits appartenant à une seconde couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base;

m) déposer une pâte diélectrique possédant la pro-

priété de stocker l'électricité sur une partie de l'un des-

dits circuits appartenant à la première ou & la seconde cou-

che, sur chaque face de ladite plaquette de base;

n) chauffer ladite plaquette de base de manière à fai-

re durcir ladite pâte diélectrique; o) déposer une pâte électriquement conductrice sur

les deux faces de ladite plaquette de base de manière à rac-

corder électriquement à ladite pâte diélectrique au moins

l'un desdits circuits appartenant à la première ou à la se-

conde couche,adjacents à ladite pâte diélectrique; et p) chauffer ladite plaque de base pour faire durcir ladite pâte électriquement conductrice, de manière à former avec cette dernière un circuit de stockage de l'électricité, sur

chaque face de ladite plaquette de base. -

D'autres caractéristiques et avantages de la pré-

sente invention ressortiront de la description donnée ci-

après prise en référence en référence aux dessins annexés, sur lesquels:

Les figures 1-11 montrent un premier mode d'exé-

cution de l'invention, et parmi ces figures: - la figure 1 représente une coupe verticale d'une plaquette de base doublée de cuivre; - la figure 2 représente la coupe transversale de la plaquette de base doublée de cuivre, dans laquelle on a ménagé un trou traversant; - la figure 3 représente une coupe verticale de

la plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a ap-

pliqué un traitement avec un catalyseur; - la figure 4 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, que l'on a lavée et fait sécher; - la figure 5 représente la coupe verticale de la

plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a dépo-

sé uneréserve résistant à la corrosion; - la figure 6 représente la coupe verticale de la

plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a appli-

qué un traitement de corrosion de manière à y former les cir-

cuits appartenant à la première couche; - la figure 7 représente la coupe verticale de la

plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a dé-

posé une réserverésistant au placage; - la figure 8 représente la coupe verticale de la

plaquette de base doublée de cuivre et sur laquelle on a dé-

posé une pâte de cuivre électriquement conductrice; - la figure 9 représente la coupe verticale de la

plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a appli-

qué un placage chimique de cuivre; - la figure 10 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a déposé une réserverésistant au placage; - la figure 11 représente la coupe transversale de la plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a appliqué un placage non électrolytique de cuivre au niveau de la périphérie intérieure du trou traversant; - les figures 12 à 15 illustrent un second mode d'exécution de l'invention, et parmi ces figures:

- la figure 12 représente la plaquette de base dou-

blée de cuivre de la figure 9, mais sur laquelle on a déposé une pâte résistive; - la figure 13 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a déposé une pâte électriquement conductrice; - la figure 14 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a déposé une réserve résistant au placage; - la figure 15 représente la coupe verticale de

la plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a ap-

pliqué un placage non électrolytique de cuivre au niveau de la périphérie intérieure du trou traversant; Les figures 16 à 19 illustrent un premier mode d'exécution de l'invention, et parmi ces figures:

- la figure 16 représente la plaquette de base dou-

blée de cuivre telle que représentée sur la figure 9, sur laquelle on a déposé une pâte diélectrique; - la figure 17 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, sur laquelle on a déposé une pâte électriquement conductrice; - la figure 18 représente la coupe verticale de la plaquette de base doublée de cuivre, dans laquelle on a déposé une réserverésistant au placage; - la figure 19 représente la coupe verticale de

la plaquette de base doublée de cuivre, à laquelle on a ap-

pliqué un placage non électrolytique de cuivre au niveau de la périphérie intérieure du trou traversant;

- les figures 20 à 28 illustrent un quatrième mo-

de d'exécution de l'invention, et parmi ces figures: - la figure 20 représente la coupe verticale d'une plaquette de cuivre recouverte d'un adhésif; - la figure 21 représente la coupe verticale de

la plaquette de base recouverte de l'adhésif et dans laquel-

le on a ménagé un trou traversant; - la figure 22 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte d'adhésif et à laquelle on a appliqué un traitement à l'aide d'un catalyseur; - la figure 23 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et sur laquelle on a déposé une réserverésistant au placage; - la figure 24 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et à laquelle

on a appliqué un placage non électrolytique de cuivre de ma-

nière à y former les circuits appartenant à la première cou-

che; - la figure 25 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte dé l'adhésif et que l'on a recouverte d'une réserverésistant au placage; - la figure 26 représente la coupe verticale de -21 la plaquette de base recouverte de l'adhésif et sur laquelle on a déposé une pâte de cuivre électriquement conductrice - la figure 27 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et à laquelle on a appliqué un placage chimique de cuivre; - la figure 28 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et que l'on a recouverte d'un revêtement;

- les figures 29 à 31 illustrent un cinquième mo-

de d'exécution de l'invention, et parmi ces figures:

- la figure 29 représente la plaquette de base re-

couverte de l'adhésif telle que représentée sur la figure 27, et sur laquelle on a déposé une pâte résistive; - la figure 30 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et sur laquelle on a déposé une pâte électriquement conductrice; - la figure 31 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif sur laquelle on a déposé un revêtement; - les figures 32 à 34 illustrent un sixième mode d'exécution de la présente invention, et parmi ces figures:

- la figure 32 représente la plaquette de base re-

couverte de l'adhésif tel que représenté sur la figure 27, mais sur laquelle on a déposé une pâte diélectrique; - la figure 33 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et sur laquelle on a déposé une pâte électriquement conductrice; et - la figure 34 représente la coupe verticale de la plaquette de base recouverte de l'adhésif et sur laquelle

on a déposé un revêtement.

En se référant aux figures 1 à 11, une plaquette

de base 1 réalisée en un polymère comporte des couches su-

perposées de cuivre 8 fixées sur ses faces de base, et cons-

tituant ainsi une plaquette de base 3 doublée de cuivre tel-

le que représentée sur la figure 1. On traite ensuite la pla-

quette de base doublée de cuivre de manière qu'un passage

traversant 4 s'étende verticalement à travers cette plaquet-

te comme représenté sur la figure 2. On traite ensuite la plaquette de base 3 doublée de cuivre avec un catalyseur de manière à lui appliquer des particules métalliques 5 telles

que repérées par des points sur ses deux faces et sur la pé-

riphérie intérieure 4a du trou traversant 4 comme représenté

sur la figure 3.

Le traitement de la plaquette de base 3 doublée

de cuivre au moyen d'un catalyseur est réalisé avec un ca-

talyseur formé de chlorure de palladium (PdCl2) et de chloru-

re d'étain (SnCl2) ou avec une solution de palladium seul formant catalyseur alcalin, puis on fixe les particules métalliques 5 de palladium sur les faces de la plaquette de

base 3 doublée de cuivre, de la manière mentionnée ci-dessus.

Les particules métalliques 5 sont utilisée en tant que noyaux,

autour desquels on peut mettre à nu le cuivre lors du placa-

ge non électrolytique de cuivre effectué ultérieurement.

Etant donné qu'à la fois le palladium et le cuivre sont des métaux et qu'une faible énergie est requise pour établir une

surface entre ces substances et qu'ils possèdent des arran-

gements atomiques possédant essentiellement la même période

(tous les deux sont constitués par des résaux cubiques à fa-

ces centrées et les constantes de réseau sont approximati-

vement égales respectivement à 0,38898 mm et 0,35150 mm), le cuivre étant progressivement mis à nu sur le palladium colloidal dans le placage non électrolytique du cuivre et par conséquent le placage de cuivre peut être appliqué sur

les particules métalliques 5.

Ci-après, dans la description, on notera que le

procédé pour réaliser le placage chimique du cuivre pour la mise en oeuvre du traitement à l'aide d'un catalyseur, est désigné ici sous l'expression "placage non- électrolytique du cuivre,' et le procédé pour réaliser le placage chimique du cuivre sur une pâte de cuivre électriquement conductrice sans appliquer à cette dernière un traitement à l'aide d'un catalyseur, est désigné sous le terme de "placage chimique

de cuivre".

Une fois que le traitement à l'aide du catalyseur est terminé, on lave la plaquette de base 3 doublée de cui- vre puis on la fait sécher comme représenté sur la figure 4. Par conséquent les particules métalliques sont supprimées

de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, hormis les par-

ticules métalliques fixées sur la périphérie intérieure 4a du trou traversant 4. On dépose uneréserve 7 résistant à la

corrosion sur les deux faces de la plaquette de base 3 dou-

blée de cuivre, hormis au niveau des parties prédéterminées 3a de cette plaquette, qui subsistent sans recevoir aucun

circuit électriquement conducteur C1 appartenant à la premiè-

re couche, comme représenté sur la figure 5. Ensuite on trai-

te la plaquette de base 3 doublée de cuivre en lui faisant subir une corrosion de manière à former, sur ses deux faces,

une pluralité de circuits électriquement conducteurs C1 ap-

partenant à la première couche, au moyen des couches de cui-

vre 8 comme cela est représenté sur la figure 6. Dans ce cas

l'un des circuits C1 de la première couche est agencé de ma-

nière à être formé autour du trou traversant 4, sur chaque

face de la plaquette de base 3 doublée de cuivre.

Ensuite on dépose une réserve 6 résistant au pla-

cage sur les parties 3a de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, lorsqu'aucun circuit C1 de la première couche n'est formé, comme représenté sur la figure 7, la réserve 6 étant constituée par exemple par laréserve résistant au placage CR-2001 fabriquée par la société dite Asahi Chemical Research Laboratory Co., Ltd. On chauffe ensuite la plaquette de base

3 doublée de cuivre à la température de 150 C à titre d'exem-

ple pendant environ 30 minutes de manière à la faire durcir.

Ensuite, comme représenté sur la figure 8, on dépose sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, une pâte de cuivre électriquement conductrice, par exemple

la pâte de cuivre électriquement conductrice ACP-007P déve-

loppée par la société dite Asahi Chemical Research Laborato-

ry Co.,Ltd, au moyen de la sérigraphie, de telle manière qu'au moins deux des circuits électriquement conducteurs C1 peuvent être raccordés électriquement l'un à l'autre, sur les deux

faces de la plaquette de base 3, puis on chauffe la plaquet-

te de base doublée de cuivre à la température de 150 C pen-

* dant 30-60 minutes de manière à la faire durcir.

Ensuite on fait subir à la plaquette de base 3 dou-

blée de cuivre un traitement de pré-placage. En effet on la-

ve la plaquette de base 3 pendant plusieurs minutes avec une solution aqueuse contenant 4-5 % en poids de soude caustique (NaOH) à titre d'exemple, puis on lui applique un traitement

de surface pendant plusieurs minutes en utilisant une solu-

tion aqueuse contenant 5-10 % en poids d'acide chlorhydrique (HC1). Sous l'effet de ce traitement de surface, un grand

nombre de particules de cuivre sont mises à nu sur la sur-

face de la pâte de cuivre électriquement conductrice 9, par rapport au liant de cette pâte, lesdites particules pouvant

être utilisées en tant que noyaux lors du traitement immé-

diatement suivant consistant en un placage de cuivre. Dans ce cas, on notera qu'il n'est pas nécessaire de mettre en oeuvre le traitement utilisant un catalyseur, qui pourrait

par ailleurs être nécessaire dans le placage non électroly-

tique de cuivre, normal.

Ensuite on immerge la plaquette de base 3 doublée

de cuivre dans un bain de placage chimique de cuivre de ma-

nière a former un placage chimique de cuivre sur la surface

de la pâte de cuivre électriquement conductrice 9, comme ce-

la est représenté sur la figure 9. Il en résulte que l'on obtient les couches de placage en cuivre 10 servant à former les circuits électriquement conducteurs C2 faisant partie de la seconde couche qui est prévue sur les deux faces de

la plaquette de base 3 doublée de cuivre, ladite couche si-

tuée sur chacune de ces faces étant raccordée électriquement à au moins deux circuits électriquement conducteurs C1 de la

première couche qui en est voisine. Ce bain de placage chi-

mique de cuivre possède un pH compris entre 11 et 13, se si-

tue à une température comprise entre 65 C et 75 C, et l'épais-

seur de la couche de placage de cuivre 10 est supérieure à pm, la vitesse de placage étant comprise entre 1,5 m et

3 Pm à l'heure.

Ultérieurement, on dépose la réserve 6 résistant au placage, sur les deux faces de la plaquette de base 3,

hormis au niveau du trou traversant 4 et des circuits C1 fai-

sant partie de la première couche et formés autour du trou traversant 4, puis on fait chauffer la plaquette de base de manière à provoquer le. durcissement de la réserve6. Ensuite

on applique un traitement d'activation à la périphérie in-

térieure 4a du trou traversant 4, comme représenté sur la figure 10, puis on applique un placage non électrolytique de cuivre à la périphérie intérieure 4a de manière à former

en cet emplacement une couche de placage en cuivre 10 ser-

vant à raccorder électriquement les circuits C1 de la pre-

mitre couche qui sont situés chacun autour du trou traver-

sant 4, sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre. De cette manière, on forme au moins des circuits à quatre couches superposées C1 et C2 sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, comme représenté sur la figure 11. Dans ce cas les circuits C1 formés autour du trou traversant 4 sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre sont raccordés électriquement les uns aux autres au moyen de la couche 10 de placage en cuivre formée sur la périphérie intérieure 4a du trou traversant 4.

Par conséquent les circuits électriquement con-

ducteurs C2 de cette seconde couche sont constitués par la

couche de placage en cuivre 10 et par la pâte de cuivre élec-

tiquement conductrice 9 sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, et les circuits C1,C2 comprenant au moins quatre couche superposées sont formés sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, et l'on

obtient par conséquent une plaquette de base à circuits im -

primés 12 terminée, comme représenté sur la figure 11.

Conformément à la présente invention, on compren- dra que l'on combine correctement un procédé soustractif et un procédé additif pour former aisément les circuits CiC2 comportant au moins quatre couches sur les deux faces de la

plaquette de base 3 doublée de cuivre.

Ci-après, en référence aux figures 1 à 9 et aux figures 12 à 15, on va expliquer un second mode d'exécution de l'invention en utilisant les mêmes chiffres de référence que pour le premier mode d'exécution mentionné précédemment en ce qui concerne les éléments communs à ces deux modes d'exécution. Dans le second mode d'exécution, les opérations sont les mêmes que dans le premier mode d'exécution, jusqu'à ce que les circuits C1,C2 des première et seconde couches soient formés sur les deux faces de la plaquette de base 3

doublée de cuivre de la figure 9. C'est pourquoi on ne don-

nera pas ici l'explication de ces opérations, et l'on va don-

ner ci-après l'explication des opérations illustrées sur les

figures 12 à 15 et servant à réaliser un circuit à résistan-

ce. Comme représenté sur la figure 12, on dépose une

pâte résistive 14 possédant une résistance électrique prédé-

terminée sur la réserve6 résistant au placage, qui est éven-

tuellement prévue, sur les deux faces de la plaquette de ba-

se 3 doublée de cuivre, puis on chauffe la plaquette de base 3 de manière à faire durcir la pâte résistive 14. Ensuite,

comme représenté sur la figure 13, on dépose une pâte élec-

triquement conductrice 15, comme par exemple une pâte d'ar-

gent, sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre de manière à raccorder électriquement les circuits

C1 de la première couche situés, sur les deux faces, laté-

ralement par rapport à chaque pâte résistive 14, et on fait

259301-6

chauffer cette dernière de manière à la faire durcir pour former des circuits à résistance 13 sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre. Ainsi la plaquette

de base 3 doublée de cuivre comporte les circuits C1,C2 com-

prenant au moins quatre couches superposées incluant le cir-

cuit à résistance 13 formé sur les deux faces de cette pla-

quette.

Ultérieurement, comme cela est illustré sur la fi-

gure 14, on dépose la réserve 6 résistant au placage sur les deux faces de la plaquette de base doublée de cuivre, hormis

au niveau du trou traversant 4 et des circuits C1 de la pre-

mière couche qui sont disposés autour du trou traversant 4,

de la même manière que sur la figure 10 concernant le pre-

mier mode d'exécution, puis on chauffe cetteréserve de ma-

nière a la faire durcir. Lors de la phase de traitement ul-

térieur, on applique un traitement d'activation a la péri-

phérie intérieure 4a du trou traversant 4, puis on met en oeuvre un placage non électrolytique de cuivre de manière

à déposer dans ce trou la couche 10 de placage en cuivre ser-

vant à raccorder électriquement les circuits C1 de la premiè-

re couche situés chacun autour du trou traversant 4 sur les deux faces de la plaque de base 3 doublée de cuivre, comme représenté sur la figure 15. De cette manière, on forme les

circuits C1,C2 comportant au moins quatre couches superpo-

sées et incluant le circuit à résistance 13, sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, et l'on

achève la fabrication de la plaquette de base à circuits im-

primés 12. Ainsi, conformément à ce second mode d'exécution,

les circuits C1,C2 comprenant au moins quatre couches super-

posées incluant le circuit à résistance 13 sont formés sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre,

au moyen de la combinaison appropriée du procédé soustrac-

tif et du procédé additif.

Ci-après, en se référant aux figures 1 à 9 et aux

figures 16 à 19, on va expliquer une troisième forme de réa-

lisation de l'invention en utilisant les mêmes chiffres de référence que ceux utilisés pour les premier et second modes

d'exécution mentionnés ci-dessus, en rapport avec les élé-

ments communs à ces trois modes d'exécution. Dans le troi-

sième mode d'exécution, les opérations sont les mêmes que

dans les premier et second modes d'exécution, jusqu'au mo-

ment o les circuits C1,C2 des première et seconde couches

sont formés sur les deux faces de la plaquette de base 3 dou-

blée de cuivre de la figure 9. C'est pourquoi on ne donnera

pas ici l'explication de ces opérations et l'on donnera ci-

après l'explication des opérations intervenant des figures

16 à 19 en vue de former un circuit de stockage de l'élec- tricité. En référence à la figure 16, on dépose une pâte diélectrique 18

sur une partie d'un circuit C1 de la première couche ou d'un circuit C2 de la seconde couche sur chaque face de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, puis on la chauffe pour la faire durcir. Ensuite, comme représenté

sur la figure 17, on dépose une pâte électriquement conduc-

trice 19, comme par exemple une pâte d'argent, sur les deux

faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, de maniè-

re à raccorder électriquement la pâte diélectrique 18 à un

autre circuit C1 séparé du circuit C1 sur lequel la pâte dié-

lectrique 18 est déposée, à la réserve 6 résistant au pla-

cage, qui est située entre ces circuits, puis on chauffe la

pâte électriquement conductrice 19 de manière à la faire dur-

cir. Ainsi on forme un circuit 16 de stockage de l'électri-

cité, sur chaque face de la plaquette de base 3 doublée de

cuivre. Ensuite, comme représenté sur la figure 18, on dé-

pose la réserve6 résistant au placage sur les deux faces de la plaquette de base 3 doublée de cuivre, hormis au niveau du trou traversant 4 et des circuits de la première couche situés autour du trou traversant 4, puis on la fait chauffer

pour la durcir. On applique ensuite un traitement d'activa-

tion à la périphérie intérieure 4a du trou traversant 4,

puis on applique un placage non électrolytique à la périphé-

rie intérieure 4a de manière à former en cet emplacement la

couche de placage en cuivre 10 de manière à raccorder élec-

triquement les circuits C1 qui sont situés chacun autour du trou traversant 4 sur les deux faces de la plaque de base

3 doublée de cuivre, comme représenté sur la figure 19. Ain-

si on forme les circuits C1,C2 comportant au moins quatre couches superposées et incluant le circuit 16 de stockage de l'électricité, sur les deux faces de la plaquette de base

3 doublée de cuivre.

Sur la figure 17, on a raccordé la pâte électri-

quement conductrice 19 uniquement au circuit C1 situé à droi-

te de la réserve 6 résistant au placage, sur chaque face de la plaquette de base 3. Cependant la pâte électriquement

conductrice 19 peut être raccordée au circuit C2 de la secon-

de couche.

De cette manière, on combine correctement le pro-

cédé soustractif et le procédé additif de manière à former les circuits électriquement conducteurs C1,C2 comportant au moins quatre couches superposées et incluant le circuit 19

de stockage de l'électricité, sur les deux faces de la pla-

quette de base 3 doublée de cuivre, et l'on achève ainsi la fabrication d'une plaquette de base à circuits imprimés 32,

comme représenté sur la figure 19.

Dans ce mode d'exécution, les circuits C1,C2 des première et seconde couche sont formés l'un sur l'autre sur

chaque face de la plaquette de base 3 doublée de cuivre. Ce-

pendant les circuits ne sont pas limités aux deux couches situées sur chaque face de la plaquette de base 3. On peut mettre en oeuvre de façon répétée les mêmes opérations sur

laréserve 6 résistant au placage, de chaque côté de la pla-

quette de base 3 de manière à former plus de trois couches superposées de circuits, c'est-à-dire plus de six couches superposées de circuits sur l'ensemble des deux faces de la

plaquette de base 3 doublée de cuivre.

Ci-après on va expliquer un quatrième mode d'exé-

cution de l'invention en référence aux figures 20 à 28. On applique un adhésif 20 sur les deux faces d'une plaquette de base 10 formée d'un matériau polymère, et l'on obtient par conséquent une plaquette de base 3 recouverte d'un adhé-

sif, tel que représenté sur la figure 20. On traite la pla-

quette de base 30 recouverte de l'adhésif de manière à y amé-

nager un trou traversant 40 possédant une périphérie inté-

rieure 40a et s'étendantsur toute l'épaisseur de la plaquette,

comme représenté sur la figure 21. Puis on soumet la plaquet-

te de base 30 recouverte de l'adhésif, à un traitement uti-

lisant un catalyseur, puis on fixe des particules métalli-

ques 50 sur les deux faces de la plaquette de base et sur la périphérie intérieure 40a du trou traversant 40, comme représenté sur la figure 22. Les particules métalliques 50 peuvent être réalisées par exemple par du palladium (Pd),

qui peut être utilisé de manière à former ainsi un grand nom-

bre de noyaux pour le placage non électrolytique de cuivre,

mis en oeuvre ultérieurement.

Le traitement de la plaquette de base 3 munie de

l'adhésif, au moyen d'un catalyseur, est réalisé avec un ca-

talyseur formé d'oxyde de palladium (PdC12) et de chlorure d'étain (SnC12) ou d'une solution de palladium seul,

constituant le catalyseur alcalin, puis on fixe les parti-

cules métalliques 50 de palladium sur les surfaces de la pla-

quette de base 30 recouverte de l'adhésif.Les particules mé-

talliques 50 sont utilisées en tant que noyaux que l'on uti-

lise pour dégager, autour d'eux, le cuivre lors du placage non électrolytique de cuivre, effectué ultérieurement. Etant donné qu'à la fois le palladium et le cuivre sont des métaux

et qu'une faible énergie est nécessaire pour ménager une sur-

face entre les deux substrats et qu'ils possèdent une struc-

ture atomique possédant essentiellement la même période (tous les deux sont des réseaux cubiques à faces centrées et les pas de réseau sont respectivement égaux approximativement à 0,38898 nm et 0,36150 nm), le cuivre est progressivement

mis à nu sur le palladium colloidal lors du placage non élec-

trolytique de cuivre, et par conséquent le placage du cuivre

peut être appliqué sur les particules métalliques 50.

Une fois terminé le traitement avec un catalyseur,

on dépose une réserve60 résistant au placage, comme par exem-

ple la réserve CR-2001,fabriquée par la société dite Asahi Chemical Research Laboratories Co.,Ltd.,sur les deux faces de la plaquette de base 30 recouverte par l'adhésif,sur les parties

a o aucun circuit n'est formé,comme représenté sur la figu -

re 23. Puis on chauffe la réserve 60 résistant au placage,à

environ 150 C pendant environ 30 minutes de manière à la fai-

re durcir.On exécute un placage non-électrolytique de cuivre sur les deux faces de la plaquette de base recouverte de l'adhésif,hormis sur les parties recouvertes de la réserve ,et sur la périphérie intérieure 40a du trou traversant

40,représenté sur la figure 24.Avec le placage non-électro-

lytique de cuivre,on obtient une couche de placage en cuivre atteignant une épaisseur de 1 pm-3 pm au bout d'une heure dans un bain de placage en cuivre situé à une température

d'environ 70 C et possédant un pH égal à 12,bien que les va-

leurs mentionnées puissent être plus ou moins modifiées en fonction de la composition du bain de placage de cuivre.Dans la pratique,la couche de placage en cuivre doit posséder l'épaisseur minimale de 5 um et la durée de placage est égale a 1,7-5 heures.Ainsi avec la couche de placage en cuivre 80 on réalise la formation du circuit C10 de la première couche sur les deux faces de la plaquette de base 80 revêtue de l'adhésif.On raccorde électriquement entre eux les circuits C10 de la première couche sur les deux faces de la plaquette

de base 10 au moyen d'une couche de placage en cuivre 80 dis-

posée sur la périphérie intérieure 40a du troutraversant 40.

On dépose à nouveau la réserve60 résistant au pla-

cage sur les deux faces de la plaquette de base 30 revêtue de l'adhésif, sur les parties o la réserve 60 résistant au

placage était recouverte précédemment ou bien sur les par-

ties du circuit C10 de la première couche, qui ne sont pas raccordées électriquement aux circuits de la seconde couche,

qui seront mentionnés plus loin, comme représenté sur la fi-

gure 25, et l'on fait chauffer laréserve 60 de manière à la

faire durcir.

Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 26, on dépose une pâte de cuivre électriquement conductrice 90 telle que la pâte ACP-007P fabriquée par la société dite

Asahi Chemical Research Laboratories Co. Ltd., qui est adap-

tée de façon spécifique pour un placage de cuivre, en uti-

lisant la sérigraphie sur les parties sur lesquelles la ré-

serve 60 résistant au placage a été déposée de façon répétée, sur les deux faces de la plaquette de base recouverte de l'adhésif, puis on fait chauffer cette pâte en l'amenant à

la température d'environ 150 C pendant 30-60 minutes de ma-

nière à la faire durcir.

Puis on traite la plaquette de base 30 recouverte

par l'adhésif en mettant en oeuvre un traitement de pré-pla-

cage. En effet on lave la plaquette de base 30 pendant plu-

sieurs minutes avec une solution aqueuse contenant 4-5 % en poids de soude caustique (NaOH) à titre d'exemple, puis on

lui applique un traitement de surface pendant plusieurs mi-

nutes en utilisant une solution aqueuse contenant 5-10 % en

poids d'acide chlorhydrique (HCl). Sous l'effet de ce trai-

tement de surface, de nombreuses particules de cuivre sont

mises à nu sur la surface de la pâte de cuivre électrique-

ment conductrice 90, par rapport au liant de cette pâte, particules que l'on peut utiliser en tant que noyaux lors du processus ultérieur de placage de cuivre. Dans ce cas, on notera qu'il n'est pas nécessaire de mettre en oeuvre le traitement utilisant un catalyseur et qui, sinon, pourrait

être nécessaire lors du placage non électrolytique de cui-

vre, normal.

Comme cela est illustré sur la figure 27, on im-

merge la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif dans un bain de placage chimique de cuivre afin d'exécuter un

placage chimique de cuivre sur la surface de la pâte élec-

triquement conductrice 90. Il en résulte que l'on obtient des couches de placage en cuivre 100 servant à former les circuits C1 de la seconde couche sur les deux faces de la plaquette de base recouverte de l'adhésif. Ainsi les circuits C1 de la seconde couche sont raccordés électriquement aux circuits voisins C10 de la première couche. Ce bain de pla- cage chimique de cuivre possède un pH compris entre 11 et

13 et une température comprise entre 65 C et 75 C, et l'épais-

seur de la couche de placage en cuivre 100 est supérieure à 5 um, la vitesse de placage étant comprise entre 1,5 Pm

et 3 um à l'heure.

De cette manière les circuits C1 de la seconde cou-

che peuvent être formés au moyen de la couche de placage en cuivre 100 et au moyen de la pâte de cuivre électriquement conductrice 90 sur les deux faces de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif, et par conséquent les circuits C10,C20 d'au moins quatre couches peuvent être formés sur

les deux faces de la plaquette de base 30.

Finalement comme cela est représenté sur la figu-

re 28, on dépose un revêtement 110 comme par exemple la ré-

serve résistant au placage CR-2001 fabriquée par la société dite Asahi Chemical Research Laboratories Co. Ltd., sur les

deux faces de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhé-

sif, et on achève ainsi la fabrication d'une plaquette de

base à circuits imprimés 120.

Conformément à ce mode d'exécution, on peut fabri-

quer les circuits C10,C20 comportant au moins quatre couches sur une seule plaquette de base 30, uniquement au moyen du

procédé d'addition.

Ci-après, en référence aux figures 27 et 29 à 31,

on va expliquer un cinquième mode d'exécution de l'invention.

Etant donné que ce mode d'exécution se déroule de la même manière que le quatrième mode d'exécution jusqu'à ce que la phase opératoire illustrée sur la figure 27 soit atteinte, on ne donnera pas ici les explications qui y sont relatives,

et l'on ne va expliquer que les phases opératoires des figu-

res 28 à 31, en utilisant les mêmes chiffres de référence que ceux utilisés pour les éléments qui sont communs aux deux

modes d'exécution.

En référence à la figure 29, on voit que l'on dé-

pose une pâte résistive 140 possédant une résistance élec- trique de valeur prédéterminée sur les parties de la réserve résistant au placage, qui ne sont pas recouvertes par une pâte de cuivre électriquement conductrice 90, sur les deux faces de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif, puis on chauffe la pâte résistive 140 de manière à la faire

durcir. On dépose ensuite une pâte électriquement conductri-

ce 150 telle qu'une pâte d'argent sur les deux faces de la plaquette de base 30 de manière à raccorder électriquement

à la pâte résistive 140 au moins deux circuits C1 de la pre-

mitre couche présents sur les deux faces de la pâte résis-

tive 140, puis on chauffe la pâte électriquement conductrice de manière à la faire durcir, comme cela est illustré sur la figure 30. On obtient ainsi un circuit à résistance sur chaque face de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif, en plus des circuits C10,C20 des première et

seconde couches, qui constituent au moins quatre couches su-

perposées. Puis on dépose le revêtement 110 sur les deux fa-

ces de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif. Ain-

si on achève la réalisation d'une plaquette à circuits im-

primés 220 telle que représentée sur la figure 31, moyennant

l'utilisation du seul procédé d'addition.

Ci-après, en référence aux figures 27 et 32 à 34,

on va expliquer un sixième mode d'exécution de l'invention.

Etant donné que ce mode d'exécution se déroule de la même manière que le cinquième mode d'exécution jusqu'à ce que la

phase opératoire de la figure 27 soit atteinte, on ne donne-

ra pas ici l'explication qui y est associée, et on ne don-

nera l'explication que des phases opératoires des figures 32 à 34 en utilisant les mêmes chiffres de référence que ceux utilisés pour les éléments qui sont communs avec les deux

25930 16

modes d'exécution.

En référence à la figure 32, on dépose une pâte

* diélectrique 180 possédant la propriété de stocker l'électri-

cité, sur une partie de l'un des circuits C10,C20 des premiè-

re et seconde couches situées sur les deux faces de la pla- quette de base 30 recouverte par de l'adhésif, puis on fait chauffer cette pâte de manière à la faire durcir. On dépose une pâte électriquement conductrice 180 telle qu'une pâte

d'argent sur les deux faces de la plaquette de base 30 recou-

verte de l'adhésif, de manière à raccorder électriquement

à la pâte diélectrique 180 un autre circuit C10 de la premiè-

re couche sur chaque face de la plaquette de base 30, puis on chauffe la pâte électriquement conductrice 126 de manière a la faire durcir. De cette manière on forme un circuit 160

de stockage de l'électricité, sur chaque face de la plaquet-

te de base 30 recouverte de l'adhésif, en plus des circuits

C10,C20 constitués d'au moins quatre couches superposées si-

tuées sur les deux faces de la plaquette de base 30 recouver-

te de l'adhésif.

Dans ce mode d'exécution, on utilise la pâte élec-

triquement conductrice 190 pour raccorder électriquement la pâte diélectrique 180 aux circuits C10 et C20 des première et seconde couches situées sur le côté droit de la réserve résistant au placage. Cependant il va sans dire que l'un des circuits C10 et C20 des première et seconde couches peut

être raccordé à la pâte diélectrique 180.

Enfin, comme représenté sur la figure 34, on dé-

pose un revêtement 110 sur les deux faces de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif, puis on la fait chauffer

de manière à la durcir. On obtient ainsi une plaquette à cir-

cuits imprimés 320 à l'état terminé.

Dans ce mode d'exécution, les circuits C10,C20 sont formés sur deux couches sur chaque face de la plaquette de base 30 recouverte de l'adhésif. Cependant il va sans dire que l'on peut répéter les mêmes phases opératoires sur le revêtement 110 de manière à augmenter le nombre des couches

superposées de circuits, par exemple pour obtenir globale-

ment plus de six couches superposées de circuits.

Par ailleurs il est nécessaire de donner briève-

ment quelques explications concernant la pâte de cuivre élec- triquement conductrice, la pâte résistive du point de vue

électrique, la pâte résistant au placage et la pâte diélec-

trique, que l'on utilise dans la présente invention.

En ce qui concerne la pâte en CP-007P fabriquée par la société dite Asahi Chemical Research Laboratories Co.

Ltd. à titre d'exemple pour une pâte de cuivre électrique-

ment conductrice qui est adaptée de façon spécifique pour un placage de cuivre, on sait d'une manière générale que les cuivres s'oxydent aisément, et plus particulièrement que le cuivre sous forme de particules de poudre peut être plus facilement oxydé étant donné que la surface extérieure à nu est accrue. Contrairement à la pâte non oxydable de métaux

précieux, il devient nécessaire defabriquer une pâte possé-

dant des constituants aptes à supprimer la pellicule oxydée

des particules de la poudre de cuivre et d'empêcher égale-

ment la réoxydation des particules de cuivre. Afin d'obtenir une pâte de cuivre électriquement conductrice, qui puisse être aisément utilisée et aisément fixée à un matériau de

base, il est important de choisir correctement et de mélan-

ger correctement les constituants tels que la poudre de cui-

vre, le liant, l'additif spécial (par exemple de l'anthra-

cène, de l'acide anthracène-carboxylique, de l'anthradyne,

de l'acide anthranylique), un agent dispersant et un solvant.

La configuration des particules de cuivre diffère en fonction de leur procédé de fabrication. Avec le procédé électrolytique, on obtient le dépôt de particules de cuivre de grande pureté, c'est-à-dire avec une forme ramifiée. Avec

le procédé de réduction, selon lequel les oxydes sont ré-

duits au moyen d'un gaz réducteur, on obtient des particules

de cuivre possédant des formes en éponges et des formes po-

reuses.

On exige de la pâte de cuivre électriquement con-

ductrice devant être utilisée dans le cadre de la présente invention, qu'elle présente les propriétés suivantes: 1. Pouvoir être aisément déposée au moyen de la

sérigraphie pour la formation de structures fines.

2. Etre fixée fermement à la plaquette de base.

3. Résister à un bain alcalin à haute température

utilisé pour le placage chimique de cuivre.

4. Etre fixée fermement au placage de cuivre.

5. Posséder une viscosité variable au cours du

temps afin de maintenir une aptitude stable pour l'impres-

sion.

Afin de satisfaire aux exigences mentionnées ci-

dessus, il est nécessaire que la pâte de cuivre-électrique-

ment conductrice contienne des particules de cuivre de gran-

de pureté sous forme ramifiée, telles qu'on les obtient au

moyen de l'électrolyse, et/ou qu'elles contiennent des par-

ticules de cuivre en forme d'éponge poreuse, telle que celle

fournie par la réduction des oxydes métalliques. Les parti-

cules de cuivre peuvent être amenées par traitement sous la

forme de particules plates.

En outre afin d'accroître le pourcentage de par-

ticules de cuivre dans la pâte, il est nécessaire d'introdui-

re les particules de cuivre possédant des tailles et des for-

mes différentes de manière qu'elles fournissent une densité maximale. En ce qui concerne le liant de la pâte de cuivre électriquement conductrice, il est nécessaire que ce dernier

résiste en tant que véhicule pour une telle quantité impor-

tante de particules de cuivre et en tant qu'adhésif effica-

ce destiné à adhérer sur la plaquette de base. En outre le liant doit résister au bain alcalin d'un placage chimique

de cuivre.

Il s'est avéré que la meilleure pâte de cuivre électriquement conductrice était celle contenant une résine

époxy qui possède un pourcentage très important de particu-

les de cuivre et augmente la vitesse de dépôt lors du pla-

cage et en outre améliore la propriété d'adhérence de la pel-

licule plaquée.

En ce qui concerne la propriété du placage en cui-

vre déposé sur la pâte de cuivre électriquement conductrice

ACP-007P, le placage en cuivre possède une couleur brun rou-

geâtre et ressemble à une pâte possédant une viscosité de

300-500Pa.sà la température de 25 C. La propriété d'adhéren-

ce à une plaquette de base doublée de cuivre et à une pla-

quette de base en résine a été confirmée au moyen d'un essai

de placage. En outre la propriété d'adhérence à la pâte élec-

triquement conductrice a été confirmée par l'essai de pla-

cage. L'aptitude au soudage est supérieure à 96 % en ce qui concerne le degré d'extension et est supérieure à 3 kg en

ce qui concerne la force de traction (3 x 3 mm2).

Les composants de la pâte de cuivre électriquement conductrice et leur conductivité sont mentionnés de façon détaillée dans les demandes de brevets japonais déposées par le même déposant 55-6609 (mise à l'inspection publique sous le N 56-103260 et correspondant au brevet US N 4 353 816) et 60-216041 (qui correspond à la demande de brevet US N de série 06/895 716), et par conséquent on n'en donnera pas

ici la description.

En ce qui concerne la pâte résistant du point de

vue électrique, elle contient une poudre raffinée de carbo-

ne ou graphite ou analogue, de grande pureté, constituant

l'élément électriquement conducteur et une résine thermodur-

cissable telle qu'une résine époxy, une résine phénolique, une résine de mélamine, une résine acrylique ou analogue en

tant que liant, et contient en outre, en tant qu'agent modi-

fiant la viscosité, un solvant qui s'évapore lentement à une

température élevée.

Les composants de la pâte électriquement résistan-

te doivent présenter une propriété spécifique. Par exemple,

en ce qui concerne la poudre utilisable, il faut que les par-

ticules soient fines et uniformes et présentent en outre une

grande pureté ainsi qu'une haute qualité. En outre les par-

ticules peuvent présenter des valeurs de résistance électri-

que présentant de faibles différences, et doivent être com-

patibles avec la résine, avec laquelle elles doivent être mélangées. En ce qui concerne la propriété de polymère, il est préférable que la pâte soit aisément dissoute avec Jes

particules et ne forme pas une pellicule lorsqu'elle est sou-

mise pendant un long intervalle de temps à une température normale. Il est requis en outre que la pâte ne durcisse pas à la température normale et durcisse rapidement lorsqu'elle est chauffée. Le volume de la pâte durcie ne doit pas varier

et cette pâte doit être légèrement flexible et en outre adhé-

rer aisément à la plaquette de base. En outre la pâte doit

résister à la chaleur et à l'humidité et doit également adhé-

rer aisément au revêtement sous-jacent ainsi qu'au revête-

ment sur-jacent.

En ce qui concerne la propriété de solvant, la pâ-

te doit être stabilisée lors des opérations successives de sérigraphie, c'est-à-dire qu'elle ne doit pas remplir les empreintes, ni détériorer la pellicule d'émulsion. La pâte doit en outre présenter une faible vitesse d'évaporation à

une température normale et doit être peu disposée à absor-

ber l'eau, et ne pas présenter une variation brusque de vis-

cosité à la température de + 10 C et ne comporter aucun poi-

son et/ou odeur irritante à la température normale, et ce

non plus à l'état de vapeur au moment du chauffage.

La pâte électriquement résistante telle que la pâ-

te TU-1K a été fabriquée par la société dite Asahi Chemical

Research Laboratories Co. Ltd. de manière à satisfaire plei-

nement aux exigences mentionnées ci-dessus. La pâte électri-

quement résistante conserve une résistance très stable, c'est-

à-dire que la vitesse de variation de la résistance est seu-

lement d'environ 0,5 % aux températures de soudage à 240 C.

En outre la pâte n'absorbe pas brutalement la chaleur et n'est

pas modifiée sous l'effet de la chaleur avant que la tempé-

rature de soudage soit atteinte, comme cela est indiqué d'une

manière effective par la courbe d'analyse de différence ther-

mique, et par conséquent la variation de volume de la résis-

tance est extrêmement faible.

En ce qui concerne laréserverésistant au placage, telle que la résine CR2001 fabriquée par la société dite Asahi Chemical Research Laboratories Co..,Ltd., qui doit être utilisée conformément à la présente invention, cette réserve est déposée sur un premier circuit qui n'est pas raccordé électriquement à un second circuit qui doit être formé sur le premier circuit. C'est pourquoi la réserve doit posséder une propriété d'isolation et simultanément la propriété d'être résistante aux alcalis. En réalité laréserve a été développée de manière à conserver l'acidité pendant plus de 4 jours

dans un bain alcalin à 70 C, présentant un pH égal à 12, pré-

cisément tel que le bain de placage chimique de cuivre.

Comme la pâte de cuivre électriquement conductri-

ce ACP-007P, la réserve contient comme constituant principal

une résine époxy et est imprimée au moyen d'un écran de po-

lyester à mailles 280, puis est chauffée pendant 30 minutes

à la température de 150 C de manière à être durcie. La pel-

licule de sérigraphie possède une épaisseur comprise de pré-

férence entre 15 et 30 Pm de manière à résister aux produits chimiques et aux tensions. Les caractéristiques principales sont les suivantes: la réserveadhère aisément à la base sur laquelle elle est déposée, et à une couche de cuivre et en outre n'est pas détériorée lorsqu'elle est immergée dans le

bain alcalin possédant un pH égal à 12 pendant un long inter-

valle de temps. Cette réserveest d'une utilisation pratique

très sûre étant donné que l'agent durcissant devant être uti-

lisé est un alcali contenant une faible quantité de poison.

La réserve est déposée au moyen de la sérigraphie et contient g d'un agent durcisseur mélangé à 100 g de son constituant principal, et durcit en une durée de durcissement de 15-30

minutes à la température de 150-200 C.

La réserve résistant au placage est verte à l'état

d'encre et possède une capacité d'adhérence 100-100 ( trans-

versale) sur une couche de cuivre, une dureté superficielle

de plus de 8 H mesurée selon la méthode du crayon, une pro- priété de résistance aux solvants (dans le trichloréthylène) de plus de 15

s, une propriété de résistance à la chaleur

de soudure (260 C) de plus de 5 cycles, une valeur de résis-

tance d'isolation superficielle de plus de 5 x 10 1, une

valeur de résistance volumique de 1 x 101fL.cm, une proprié-

té de rigidité diélectrique (15 Pm) de plus de 3,5 kV et

une tangente de l'angle de perte diélectrique (1 MHz) infé-

rieure à 0,03.

La pâte diélectrique devant être utilisée confor-

mément à l'invention a été fabriquée de manière à correspon-

dre aux types 1 et 2 des normes des condensateurs à pastil-

les et la capacité électrostatique est égale à 100 pF-1000 pF. On forme la pâte diélectrique à partir du titanate de baryum (BaTiO3), que l'on transforme par combustion sous la

forme de pellicules plates ou bien sous la forme d'une pla-

que et que l'on meule pour former des pellicules d'une tail-

le de 2 rm-10 jm, que l'on mélange ensuite à un liant, le mélange contenant plus de 50 % en poids de particules, et que l'on mélange ensuite à un solvant organique et que l'on amène par pétrissage sous la forme d'une pâte. Comme liant, on peut utiliser une résine telle qu'une résine phénolique,

une résine époxy, une résine de mélamine, etc. En ce qui con-

cerne le solvant, on peut utiliser du butylcarbitol ou de

la butyl cellosolve.

Exemple 1:

On a apposé directement la pâte de cuivre électri-

quement conductrice ACP-007P sur une plaquette de base for-

mée d'un papier phénolique et on l'a fait chauffer & la tem-

pérature de 150 C pendant un intervalle de temps prédétermi-

né de manière à la faire durcir. Puis on a appliqué un trai-

tement alcalin et un traitement acide à la plaquette de base et on a ensuite exécuté le placage chimique de cuivre de ma- nière à obtenir une couche de placage chimique en cuivre d'une

épaisseur de 6 um. On a raccordé par soudage un fil conduc-

teur (non recouvert d'étain i 0,5 mm) (en moins de 3 secon-

des) à la borne de mesure. Dans ce cas, on a trouvé que la résistance à la traction de la soudure (kg/3 x 3 mm2) était de 5,1 kg lorsque la pâte durcissait en 30 minutes, et de ,9 kg lorsque la pâte durcissait en 60 minutes.

Dans le cas o l'on a utilisé dans les mêmes con-

ditions une plaquette de base formée par une résine époxy

contenant du verre, on a trouvé que la résistance à la trac-

tion est égale à 5,9 kg lorsque la pâte durcissait en 30 mi-

nutes et à 6,2 kg lorsque la pâte durcissait en 60 minutes.

Exemple 2:

On a appliqué la réserve résistant au placage CR-

2001 sur une plaquette de base formée d'une résine phéno-

lique et on l'a chauffée à la température de 150 C pendant

minutes de manière à la faire durcir. Ensuite on a appli-

qué la pâte de cuivre électriquement conductrice ACP-007P

et on l'a chauffée à la température de 150 C pendant un in-

tervalle de temps prédéterminé de manière à la faire durcir.

Ensuite on a mis en oeuvre le traitement alcalin et le trai-

tement acide,:puis on a exécuté le placage chimique de cui-

vre de manière à obtenir une couche de placage en cuivre d'une épaisseur de 6 pm. On a soudé (en l'espace de 3 secondes) un fil conducteur (non recouvert d'étain S 0,5 mm) sur la borne de mesure. Dans ce cas on a trouvé que la résistance à la traction (kg/3 x 3 mm2) de la soudure était égale à 5,9

kg lorsque la pâte durcissait en 30 minutes et à 6,1 kg lors-

que la pâte durcissait en 60 minutes.

Dans le cas o l'on a utilisé dans les mêmes con-

ditions une plaquette de base en résine époxy contenant du

verre, on a trouvé que la résistance à la traction de la sou-

dure était égale à 6,1 kg lorsque la pâte durcissait en 30

minutes et à 6,9 kg lorsque la pâte durcissait en 60 minutes.

Claims

REVENDICATIONS

1. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteurs sur une plaquette de base (1), caractérisé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à: a) fixer des couches de cuivre (8) sur les deux fa- ces de ladite plaquette de base (1) de manière à former une plaquette de base (3) doublée de cuivre; b) traiter ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière a former un trou traversant (4) s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

quette de base (3) doublée de cuivre;

d) laver ladite plaquette de base (3) doublée de cui-

vre;

e) corroder les deux faces de ladite plaquette de ba-

se (3) doublée de cuivre de manière à former sur cette der-

nière une pluralité de circuits (C1) faisant partie d'une première couche et incluant un circuit formé autour dudit

trou traversant (4) et situé sur chaque face de ladite pla-

quette de base (3) doublée de cuivre; f) déposer une réserve (6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de

cuivre, hormis au niveau des circuits(Cl) de la première cou-

che; g) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite réserve (6) résistant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (9) sur les deux faces de ladite plaquette de base dou-

blée de cuivre, de manière à raccorder électriquement au moins deux circuits (C1) de la première couche sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre; i) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre;

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice (9) de ladi-

te plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à for-

mer en cet endroit un circuit (C2) appartenant à une seconde couche, sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; 1) déposer ladite réserve (6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre, hormis dans une partie desdits circuits (C1) de la O10 première couche formés autour dudit trou traversant (4); m) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite réserve(6) résistant au placage;

n) appliquer un traitement d'activation à la péri-

phérie intérieure (4a) dudit trou traversant (4); et o) mettre en oeuvre un placage non électrolytique de

cuivre sur ladite périphérie intérieure (4a) dudit trou tra-

versant (4) de manière à former dans ce dernier une couche de placage en cuivre (10) servant à raccorder électriquement

lesdits circuits (C1) de la première couche sur les deux fa-

ces de ladite plaquette de base doublée de cuivre.

2. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteurs sur une plaquette de base (3), caractérisé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à:

a) fixer des couches de cuivre (8) sur les deux fa-

ces de ladite plaque de base (1) de manière à former une pla-

quette de base (3) doublée de cuivre; b) traiter ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à former un trou traversant (4) s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

quette de base (3) doublée de cuivre;

d) laver ladite plaquette de base (3) doublée de cui-

vre;

e) corroder les deux faces de ladite plaquette de ba-

se (3) doublée de cuivre de manière à former sur cette der-

nière une pluralité de circuits (C1) faisant partie d'une première couche et incluant un circuit formé autour dudit trou traversant (4) et situé sur chaque face de ladite pla- quette de base doublée de cuivre; f) déposer une réserve (6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre, hormis au niveau des circuits (C1) de la première couche; g) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite réserve(6) résistant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (9) sur les deux faces de ladite plaquette de base dou-

blée de cuivre, de manière à raccorder électriquement mau moins deux circuits (C1) de la première couche sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre; i) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de

cuivre de manière à faire durcir ladite pâte de cuivre élec-

triquement conductrice (9); j) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre;

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice (9) de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à former

en cet endroit un circuit (C2) appartenant à une seconde cou-

che, sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre;

1) déposer une pâte résistive (14) sur ladite réser-

ve (6) résistant au placage, possédant une valeur de résis-

tance électrique prédéterminée, sur les deux faces de ladi-

te plaquette de base (3) doublée de cuivre; m) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite pâte résistive (14); n) déposer une pâte électriquement conductrice (15) sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée

de cuivre de manière à raccorder électriquement ladite pâ-

te résistive (14) au moins deux desdits circuits C1) de la première couche situé sur les deux faces de ladite pâte ré- sistive (14) ou au moins ledit circuit (C2) de la seconde couche, situé sur une face de ladite pâte résistive (14-),

sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre; O) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite pâte électriquement conductrice (15) de manière à former avec cette dernière un

circuit formant résistance sur chaque face de ladite pla-

quette de base doublée de cuivre; p) déposer ladite réserve(6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre, hormis au niveau d'une partie desdits circuits (C1) de la première couche, formés autour dudit trou traversant (4); q) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite réserve (6) résistant au placage;

r) appliquer un traitement d'activation à la péri-

phérie intérieure (4a) dudit trou traversant (4); et s) exécuter un placage non électrolytique de cuivre

sur ladite périphérie (4a) dudit trou traversant (4) de ma-

nière à former dans -ce dernier une couche de placage en cui-

vre (10) servant à raccorder électriquement lesdits circuits

(C1) de la première couche situés sur les deux faces de la-

dite plaquette de base doublée de cuivre.

3. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteur sur une plaquette de base (3), caractérisé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à:

a) fixer des couches de cuivre (8) sur les deux fa-

ces de ladite plaquette de base (1) de manière à former une plaquette de base (3) doublée de cuivre; b) traiter ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à former un trou traversant s'étendant sur

toute l'épaisseur de ladite plaquette de base doublée de cui-

vre;

c) réaliser un traitement catalytique de ladite pla-

quette de base (3) doublée de cuivre;

d) laver ladite plaquette de base (3) doublée de cui-

vre;

e) corroder les deux faces de ladite plaquette de ba-

se (3) doublée de cuivre de manière à former sur cette der-

nière une pluralité de circuits (C1) faisant partie d'uoepre-

mière couche et incluant un circuit formé autour dudit trou traversant (4) situé sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; f) déposer une réserve (6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre, hormis au niveau des circuits (Cl) de la première couche; g) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de

cuivre de manière à faire durcir ladite réserve (6) résis-

tant tant au placage;

h) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (9) sur les deux faces de ladite plaquette de base:dou-

blée de cuivre, de manière à raccorder électriquement au moins deux circuits (C1) de la première couche sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre;

i) chauffer ladite plaquette de base doublée de cui-

vre de manière à faire durcir ladite pâte de cuivre électi-

quement conductrice; j) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre;

k) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte électriquement conductrice (9) & ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à former

en cet endroit un circuit (C2) appartenant à une seconde cou-

che, sur chaque face de ladite plaquette de base doublée de cuivre; 1) déposer une pâte électriquement (18) possédant la propriété de stocker l'électricité, sur une partie de l'un

desdits circuits (C1;C2) de la première couche ou de la se-

conde couche sur chaque face de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre.; m) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à faire durcir ladite pâte électrique (18); n) déposer une pâte électriquement conductrice (19) sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre de manière à raccorder électriquement ladite pâte

diélectrique (18) de l'un desdits circuits (C1) de la premie-

re couche, situé au voisinage de cette pâte, sur chaque fa-

ce de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre; o) chauffer ladite plaquette de base (3) doublée de

cuivre afin de faire durcir ladite pâte électriquement con-

ductrice (19) de manière à former avec cette dernière un cir-

cuit de stockage de l'électricité, sur chaque face de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre; p) déposer ladite réserve(6) résistant au placage sur les deux faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre, hormis au niveau d'une partie desdits circuits (C1) de la première couche, formés autour dudit trou traversant (4); q) chauffer ladite plaquette de -base (3) doublée de cuivre afin de faire durcir ladite réserve (6) résistant au placage;

r) appliquer un traitement d'activation à la péri-

phérie intérieure (4a) dudit trou traversant (4); et s) mettre en oeuvre un placage non électrolytique de

cuivre sur ladite périphérie intérieure (4a) dudit trou tra-

versant (4) de manière à former en cet endroit une couche de placage en cuivre (10) servant à raccorder électriquement lesdits circuits (C1) de la première couche, sur les deux

faces de ladite plaquette de base (3) doublée de cuivre.

4. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteurs sur une plaquette de base (10), caractérisé en ce qu'il comprend les phases opératoires consistant à: a) appliquer un adhésif (10) sur les deux faces de

ladite plaquette de base (10) de manière à former une pla-

quette de base (20) revêtue de l'adhésif; b) traiter ladite plaquette de base (30) revêtue de

l'adhésif de manière à former un trou traversant (40) s'éten-

dant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base;

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de la-

dite plaquette de base (30); d) déposer une réserve (60) résistant au placage sur

des parties prédéterminées situées sur les deux faces de la-

dite plaquette de base; e) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve (60) résistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre sur les parties qui ne sont pas revêtues par la réserve(60)

résistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquet-

te de base (30), et sur la périphérie intérieure (40a) dudit trou traversant (40), de manière à former en ces emplacements

une couche de placage en cuivre servant à former une plura-

lité de circuits (C10) appartenant à une première couche et sont raccordés électriquement entre eux sur les deux faces de ladite plaquette de base; g) déposer ladite réserve(60) résistant au placage sur les parties non recouvertes par ladite réserverésistant au placage et/ou sur les parties desdits circuits (Clo) de la première couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base (30); h) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve (60) résistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (90) sur lesdites parties qui ont été recouvertes de façon répétée par ladite réserve (60) résistant au placage; j) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière

à faire durcir ladite pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (90); k) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base (30);

1) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice (90)

de manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits (C20) appartenant à une seconde couche, sur les deux

faces de ladite plaquette de base.

5. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteurs sur une plaquette de base (10), caractérisé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à: a) appliquer un adhésif (20) sur les deux faces de

ladite plaquette de base (10) de manière à former une pla-

quette de base (30) revêtue de l'adhésif; b) traiter ladite plaquette de base (30) revêtue de

l'adhésif de manière à former un trou traversant (40) s'éten-

dant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base;

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de -la-

dite plaquette de base (30); d) déposer une réserve (60) résistant au placage sur des parties prédéterminées situées sur les deux faces de ladite plaquette de base (30); e) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve(60) résistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre sur les parties qui ne sont pas revêtues par la réserve(60) résistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquette de base (30), et sur la périphérie intérieure (40a) dudit trou traversant (40), de manière à former en ces emplacements

une couche de placage en cuivre servant à former une plura-

lité de circuits (C10) appartenant à une première couche et qui sont raccordés électriquement entre eux sur les faces de ladite plaquette de base; g) déposer ladite réserve (60) résistant au placage sur les parties non recouvertes par ladite réserverésistant au placage et/ou sur les parties desdits circuits (C10) de la première couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base (30); h) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve(60) résistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (90) sur lesdites parties qui ont été recouvertes de façon répétée par ladite réserve (60) résistant au placage j) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière

à faire durcir ladite pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (90); k) appliquer un traitement de pré-placage à ladite plaquette de base (30); et

1) appliquer unplacage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice (90)

de manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits (C20) appartenant à une seconde couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base (30);

m) déposer une pâte résistive (140) possédant une va-

leur de résistance électrique prédéterminée, sur au moins l'une des parties qui ont été recouvertes par ladite réserve

(60) résistant au placage, sur chaque face de ladite pla-

quette de base (30); n) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir la pâte résistive (140); o) déposer une pâte électriquement conductrice (150)

suru les deux faces de ladite plaquette de base (30) de ma-

nière à raccorder électriquement à ladite pâte résistive (140) le circuit (C10,C20) de la première couche ou de la seconde couche située sur les deux faces de ladite pâte résistive, sur chaque face de ladite plaquette de base; et p) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite pâte électriquement conductrice (150)

de manière à former un circuit à résistance (130) sur cha-

que face de ladite plaquette de base.

6. Procédé pour former des circuits électrique-

ment conducteurs sur une plaquette de base (10), caractéri-

sé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à a) appliquer un adhésif (20) sur les deux faces de

ladite plaquette de base (10) de manière à former une pla-

l'adhésif de manière à former un trou traversant (40) s'éten-

dant sur toute l'épaisseur de ladite plaquette de base;

c) mettre en oeuvre un traitement catalytique de la-

des parties prédéterminées situées sur les deux faces de la-

dite plaquette de base; e) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve(60) résistant au placage; f) exécuter un placage non électrolytique de cuivre sur les parties qui ne sont pas revêtues par laréserve (60)

résistant au placage, sur les deux faces de ladite plaquet-

une couche de placage en cuivre servant à former une plura-

lité de circuits (C10) appartenant à une première couche et

qui sont raccordés électriquement entre eux sur les deux fa-

ces de ladite plaquette de base;; g) déposer ladite réserve (60) résistant au placage sur les parties non recouvertes par ladite réserverésistant au placage et/ou sur les parties desdits circuits (C10) de la première couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base; h) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière à faire durcir ladite réserve (60) résistant au placage;

i) déposer une pâte de cuivre électriquement conduc-

trice (90) sur lesdites parties qui ont été recouvertes de façon répétée par ladite réserve(60) résistant au placage; j) chauffer ladite plaquette de base (30) de manière

à faire durcir ladite pâte de cuivre électriquement conduc-

1) appliquer un placage chimique de cuivre à la sur-

face de ladite pâte de cuivre électriquement conductrice (90)

de manière à former en cet emplacement une pluralité de cir-

cuits (C20) appartenant à une seconde couche, sur les deux faces de ladite plaquette de base (30) m) déposer une pâte diélectrique (180) possédant la propriété de stocker l'électricité sur unepartie de l'un desdits circuits (C10,C20) de la première ou de la seconde couche, sur chaque face de ladite plaquette de base (30)

n) chauffer ladite plaquette de base (30) de maniè-

re à faire durcir ladite pâte diélectrique (180); o) déposer une pâte électriquement conductrice (90) sur les deux faces de ladite plaquette de base de manière à raccorder électriquement à ladite pâte diélectrique (180) au moins l'un desdits circuits (C10;C20) de la première ou de la seconde couche, adjacents à ladite pâte diélectrique (80); et

p) chauffer ladite plaque de base (30) pour faire dur-

cir ladite pâte électriquement conductrice (180) de manière à former avec cette dernière un circuit (160) de stockage

de l'électricité, sur chaque face de ladite plaquette de ba-

se.