FR2584534A1 - Boitier comportant un puits thermique pour substrat en ceramique - Google Patents

Boitier comportant un puits thermique pour substrat en ceramique Download PDF

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Abstract

LE BOITIER DE L'INVENTION COMPREND UN SUBSTRAT 1 EN MATERIAU CERAMIQUE, AU MOINS UN COMPOSANT DEGAGEANT DE LA CHALEUR 6 MONTE SUR UNE PREMIERE SURFACE DU SUBSTRAT; ET AU MOINS UN PUITS THERMIQUE 10 FIXE SUR UNE SECONDE SURFACE DU SUBSTRAT, OPPOSEE A LA PREMIERE SURFACE ET CONSTITUE D'UN ALLIAGE D'ALUMINIUM-SILICIUM. APPLICATION AUX BOITIERS POUR PUCES DE CIRCUITS INTEGRES.

Description

1.
La présente invention concerne un boîtier compor-
tant un puits thermique pouvant être utilisé pour un substrat
en céramique.
Un exemple de bottier classique est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 398 208. En liaison
avec la figure 2 de ce brevet, ce bottier comprend un subs-
trat 21 en alumine-céramique, une multitude de puces 24 à circuits intégrés (CI) montées sur la surface supérieure du substrat 21, une multitude de couvercles 22 recouvrant les
puces 24 et des puits thermiques 40 fixés à la surface infé-
rieure du substrat 21. Chaque puits thermique 40 utilisé pour
le boîtier est en aluminium ou en cuivre. Cependant, les coef-
ficients de dilatation thermique de l'aluminium et du cuivre sont d'environ 24 x 106 (1/ C) et d'environ 17 x 10-6 (1/ C),
respectivement, lesquels sont tous deux considérablement supé-
rieurs au coefficient de dilatation thermique de la céramique (7 x 10-6 (1/ C)). Pour cette raison, le boîtier classique a l'inconvénient que les puits thermiques peuvent se détacher du substrat et que des fendillements risquent de se produire
dans le substrat.
2. Un autre exemple de boîtier classique est décrit
dans la demande de modèle d'utilité japonais n 91742/19a4.
Un puits thermique 5 utilisé dans le boîtier est en alliage de cuivretungstène ou en alliage de cuivre-molybdène. Comme les deux coefficients de dilatation thermique des alliages sont approximativement égaux à celui de la céramique, le bottier n'est pas affecté par la différence des coefficients de dilatation. Cependant, le boîtier a l'autre inconvénient que le poids de l'ensemble devient très élevé car la masse
spécifique de l'alliage cuivre-tungstène et celle de l'allia-
ge cuivre-molybdène ne sont pas moins que 16 et 9 g/cm3, respectivement. De plus, le tungstène et le molybdène sont extrêmement chers, ce qui se traduit par un boîtier d'un coût élevé. Par conséquent, la présente invention a pour objet un boîtier qui soit exempt des inconvénients des boîtiers
classiques exposés ci-dessus.
Selon un aspect de la présente invention on prévoit un boîtier qui comprend: un substrat en céramique, au moins un composant dégageant de la chaleur fixé sur une première surface du substrat; et au moins un puits thermique fixé sur
une seconde surface du substrat opposée à la première et réali-
sé enalliage d'aluminium-silicium.
La présente invention sera bien comprise lors de la
description suivante faite en liaison avec les dessins ci-
joints dans lesquels: La figure 1 est une vue en perspective d'un mode de réalisation de la présente invention; et La figure 2 est une vue en coupe prise le long de
la ligne A-A de la figure 1.
Dans les figures, les mêmes références représentent
des éléments structurels identiques.
En liaison avec les figures 1 et 2, un mode de réali-
sation de la présente invention comprend un puits thermique 10, un substrat 1 en alumine-céramique tel que celui décrit dans 3. le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 398 208 cité ci--dessus,
et un adhésif 11 pour fixer le puits thermique 10 à une premiè-
re surface du substrat 1. Sur une seconde surface du substrat 1,
opposée à la première, on a prévu un composant 6 en semi-con-
ducteur, une multitude de cosses de connexion 3 placées à proxi- mité du composant 6, des motifs 4 de conducteurs imprimés qui
sont connectés aux cosses 3, une multitude de broches de raccor--
dement d'entrée/sortie 5 reliées aux motifs 4, des fils de liai-
son 8 pour relier des cosses de liaison (non représentées) for-
mées sur le composant 6 aux cosses 3, et un chapeau 9 de pro-
tection du composant 6 contre les forces mécaniques extérieures et recouvrant la périphérie du composant 6 de manière à l'isoler
de l'air extérieur. Le composant 6 est fixé à la seconde surfa-
ce du substrat par un adhésif 7. D'une manière similaire, le
chapeau 9 est fixé à la seconde surface du substrat 1.
Un adhésif du type résine ayant une conductibilité thermique élevée, par exemple, obtenu en mélangeant une poudre ayant une conductibilité thermique élevée telle qu'une poudre d'argent et une résine époxy, peut être utilisé comme adhésif pour fixer sur le substrat 1 le puits thermique 10 qui comporte
des ailettes de rayonnement de la chaleur 10a en forme de pei-
gne, ainsi que pour fixer le composant 6 au substrat 1. Dans ce mode de réalisation, après avoir revêtu la totalité de la première surface du substrat 1 avec l'adhésif 11, on place le puits thermique 10 sur l'adhésif 11, et maintient alors le substrat 1 dans une atmosphère à une température supérieure à environ 100 C pendant une durée de 30 minutes de manière à durcir la colle 11. Il en résulte que le puits thermique 10 et le substrat 1 sont fixés. On notera que le composant 6
peut être monté sur le substrat 1 soit avant soit après fixa-
tion du puits thermique 10 sur le substrat.
Le puits thermique 10 est constitué d'un alliage
d'aluminium-silicium dont le coefficient de dilatation thermi-
que est quelque peu supérieur à celui du matériau en alumine-
céramique formant le substrat 1. Le coefficient de dilatation 4. thermique de l'alliage d'aluminium-silicium est (10 à 15) x
-6 (1/ C), l'alliage contenant du silicium ayant un pour-
centage en poids compris entre 40 et 30, et est quel que peu supérieur à celui du matériau constitué d'alumine-céramique (7 x 10-6 (1/ C). Il en résulte qu'une contrainte thermique
correspondant à une légère différence de coefficients de dila-
tation thermique se produit dans une mesure telle qu'aucun pro-
blème pratique ne peut être remarqué. La masse spécifique de l'al--
liage d'aluminium-silicium est comprise entre 2,5 et 3 g/cm3
et représente le 1/5 et le 1/3 de celles de l'alliage classi-
que de cuivre-tungstène et de l'alliage cuivre-molybdène, respec-
tivement. Comme le puits thermique utilisé dans le mode de réali-
sation est extrêmement léger, le poids de l'ensemble du bottier
se trouve réduit. En outre, comme l'alliage d'aluminium-sili-
cium contient de l'aluminium peu coûteux comme composant prin-
cipal, on peut fabriquer le bottier suivant un coût moins élevé. Dans le boîtier, ayant la structure exposée ci-dessus la chaleur dégagée par le composant 6 est transférée au puits
thermique 10 par l'intermédiaire de l'adhésif 7, puis du subs-
trat 1, et est rayonnée par la surface des ailettes lOa du
puits thermique 10. Par conséquent, l'augmentation de la term-
pérature du composant 6 peut être supprimée. Dans ce cas, les températures du substrat 1 et du puits thermique 10
s'élèvent naturellement. Cependant, comme la différence en-
tre le coefficient de dilatation thermique du puits thermi-
que 10 et celui du substrat 1 est faible, le puits thermi-
que 10 ne se détache pas du substrat 1 et aucun fendillement ne se développe non plus dans le substrat. Il en résulte qu'on
améliore la fiabilité du boîtier.
Bien que le puits thermique 10 soit lié au subs-
trat 1 par un adhésif du type résine dans le mode de réalisa-
tion décrit ci-dessus, la présente invention n'est pas limi-
tée à ce cas particulier. Par exemple, le puits thermique 10 peut être brasé sur le substrat 1 en utilisant un matériau de 5. brasage. Dans ce cas, de l'étain ou de la soudure est formé à l'avance sur la première surface du substrat 1 en faisant appel au procédé d'impression à couche épaisse bien connu, à un procédé de pulvérisation bien connu ou un procédé de placage bien connu, et le brasage est alors effectué en utili--
sant de la soudure ou analogue.
Bien que l'alumine-céramique soit utilisée pour cons-
tituer le matériau du substrat dans ce mode de réalisation, on peut employer d'autres céramiques telles que la céramique
de verre.
En outre, bien qu'un composant 6 et un puits thermi-
que 10 soient montés sur le substrat 1 dans ce mode de réali-
sation, on peut également monter une multitude de composants
électroniques et une multitude de puits thermiques.
La présente invention n'est pas limitée aux exem-
ples de réalisation qui viennent d'être décrits,elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes
qui apparaîtront à l'homme de l'art.
6.

Claims (4)

REVENDICATIONS
1 - Boîtier, caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat (1) en matériau céramique, - au moins un composant dégageant de la chaleur (6) monté sur une première surface du substrat; et - au moins un puits thermique (10) fixé sur une seconde surface du substrat opposée à la première surface, et
constitué d'un alliage d'aluminium-silicium.
2 - Boitier selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'alliage d'aluminium-silicium contient du silicium
ayant un pourcentage en poids compris entre 30 et 40.
3 - Boitier selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat et le puits thermique sont fixes par un
adhésif (11).
4 - Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat et le puits thermique sont fixes par brasage.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3573137D1 (en) * 1984-10-03 1989-10-26 Sumitomo Electric Industries Material for a semiconductor device and process for its manufacture
JPS62194652A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Hitachi Ltd 半導体装置
US5013948A (en) * 1987-05-04 1991-05-07 Allied-Signal Inc. High power rotating rectifier assembly
US5184211A (en) * 1988-03-01 1993-02-02 Digital Equipment Corporation Apparatus for packaging and cooling integrated circuit chips
US4907067A (en) * 1988-05-11 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Thermally efficient power device package
US5039335A (en) * 1988-10-21 1991-08-13 Texas Instruments Incorporated Composite material for a circuit system and method of making
US5008213A (en) * 1988-12-09 1991-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
US4989063A (en) * 1988-12-09 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
US5057903A (en) * 1989-07-17 1991-10-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermal heat sink encapsulated integrated circuit
JP2748629B2 (ja) * 1990-01-22 1998-05-13 住友電気工業株式会社 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法
JPH03120715U (fr) * 1990-03-23 1991-12-11
JPH0548000A (ja) * 1991-08-13 1993-02-26 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE9114268U1 (fr) * 1991-11-15 1992-01-09 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5305186A (en) * 1993-01-27 1994-04-19 International Business Machines Corporation Power carrier with selective thermal performance
US5427984A (en) * 1993-03-01 1995-06-27 At&T Global Information Solutions Method of making a cooling package for a semiconductor chip
US5352991A (en) * 1993-08-12 1994-10-04 Motorola, Inc. Power amplifier assembly
JPH0846098A (ja) * 1994-07-22 1996-02-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 直接的熱伝導路を形成する装置および方法
US5805427A (en) * 1996-02-14 1998-09-08 Olin Corporation Ball grid array electronic package standoff design
US6705388B1 (en) 1997-11-10 2004-03-16 Parker-Hannifin Corporation Non-electrically conductive thermal dissipator for electronic components
JPH11186003A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Yazaki Corp Ｐｔｃ素子の放熱構造
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
KR100902766B1 (ko) * 2002-09-27 2009-06-15 페어차일드코리아반도체 주식회사 절연성 세라믹 히트 싱크를 갖는 디스크리트 패키지
US6919504B2 (en) * 2002-12-19 2005-07-19 3M Innovative Properties Company Flexible heat sink
US7019394B2 (en) * 2003-09-30 2006-03-28 Intel Corporation Circuit package and method of plating the same
US20150305192A1 (en) * 2014-04-16 2015-10-22 Tesla Motors, Inc. Dielectric thermal pad using dual-sided thermally conductive adhesive on ceramic
US10629513B2 (en) * 2015-06-04 2020-04-21 Eaton Intelligent Power Limited Ceramic plated materials for electrical isolation and thermal transfer
AT520072B1 (de) * 2017-07-28 2019-01-15 Zkw Group Gmbh Kühlkörper und Fahrzeugscheinwerfer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB404463A (en) * 1932-06-02 1934-01-18 Aluminium Ltd Improvements in or relating to aluminium silicon alloys and methods of manufacturingthe same
US4002541A (en) * 1972-11-03 1977-01-11 Design Systems, Inc. Solar energy absorbing article and method of making same
JPS57122551A (en) * 1981-01-10 1982-07-30 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Manufacture of heat sink for semiconductor device
EP0183016A1 (fr) * 1984-10-03 1986-06-04 Sumitomo Electric Industries Limited Matériau pour dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB582732A (en) * 1944-03-10 1946-11-26 Horace Campbell Hall Aluminium alloy having low coefficient of expansion
US3117175A (en) * 1959-12-11 1964-01-07 Aluminum Ind Aktien Ges Apparatus for making aluminum silicon alloys
US3480411A (en) * 1967-01-23 1969-11-25 Olin Mathieson Composite fin stock material
US3536123A (en) * 1968-05-14 1970-10-27 Izumi Automotive Ind Co Method of making internal combustion engine cylinder made of an aluminum alloy enriched with a wear-resistant component on the inside surface
US3980537A (en) * 1975-10-03 1976-09-14 Reynolds Metals Company Production of aluminum-silicon alloys in an electrolytic cell
FR2344358A2 (fr) * 1976-03-19 1977-10-14 Pechiney Aluminium Ebauches nouvelles pour filage par choc
GB1556397A (en) * 1978-05-06 1979-11-21 Aei Semiconductors Ltd High power semiconductor devices
EP0065686A3 (fr) * 1981-05-21 1984-10-10 General Electric Company Module à dispositif de puissance
US4611238A (en) * 1982-05-05 1986-09-09 Burroughs Corporation Integrated circuit package incorporating low-stress omnidirectional heat sink
JPS5935649A (ja) * 1982-08-18 1984-02-27 Showa Alum Corp 耐食性に優れたアルミニウム合金製熱交換器
JPS5991742A (ja) * 1982-11-17 1984-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ選択装置
US4734130A (en) * 1984-08-10 1988-03-29 Allied Corporation Method of producing rapidly solidified aluminum-transition metal-silicon alloys

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB404463A (en) * 1932-06-02 1934-01-18 Aluminium Ltd Improvements in or relating to aluminium silicon alloys and methods of manufacturingthe same
US4002541A (en) * 1972-11-03 1977-01-11 Design Systems, Inc. Solar energy absorbing article and method of making same
JPS57122551A (en) * 1981-01-10 1982-07-30 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Manufacture of heat sink for semiconductor device
EP0183016A1 (fr) * 1984-10-03 1986-06-04 Sumitomo Electric Industries Limited Matériau pour dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 218 (E-139)[1096], 2 novembre 1982; & JP - A - 57 122 551 (SUMITOMO KEIKINZOKU KOGYO K.K.) 30-07-1982 *

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JPS629649A (ja) 1987-01-17
US4703339A (en) 1987-10-27

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