FR2559953A1 - Mandrin de serrage pour plaquette semi-conductrice - Google Patents

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Abstract

LA PLAQUETTE 11 EST SERREE PAR SON BORD CONTRE LA FACE BOMBEE 15 D'UNE PLAQUE D'APPUI 13 CIRCULAIRE, LAQUELLE EST PERCEE DE CANAUX 23, 27-31 ET COMPORTE UNE GORGE ANNULAIRE 25, QUI PERMETTENT DE FAIRE PASSER UN GAZ SOUS UNE PRESSION DETERMINEE DANS L'INTERSTICE SUBSISTANT ENTRE CETTE PLAQUETTE 11 ET CETTE FACE BOMBEE 15. UNE GORGE ANNULAIRE 37 DE LA PERIPHERIE DE LADITE FACE BOMBEE COMMUNIQUE AVEC UNE POMPE A VIDE, QUI ASPIRE LE GAZ EN MINIMISANT LES FUITES DE CE GAZ VERS L'ENCEINTE. APPLICATION NOTAMMENT AU TRAITEMENT SOUS VIDE APPLIQUANT ET DEGAGEANT BEAUCOUP D'ENERGIE, DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES A CIRCUITS INTEGRES.

Description

La présente invention se rapporte à un mandrin destiné
à maintenir une plaquette semi-conductrice et, plus préci-
sément, à un mandrin destiné à maintenir une plaquette pen-
dant un traitement sous vide appliquant et dégageant une grande quantité d'énergie et/ou de chaleur.
Dans la fabrication des circuits intégrés semi-conduc-
teurs, divers traitements de la plaquette semi-conductrice de base sont effectués sous vide et impliquent d'appliquer des quantités d'énergie appréciables sur la face de la plaquette. La gravure par ions réactifs et l'implantation d'ions sont des exemples de traitements de ce genre. Par ailleurs, pendant ces traitements, la surface de la plaquette peut être recouverte d'une couche de réserve photosensible,
qui ne doit pas être soumise à des températures excessives.
Le vide ambiant complique le dégagement de la chaleur de
la plaquette par transmission, puisque,dans le vide, l'éner-
gie est transmise surtout par rayonnement et que ce processus de transmission de chaleur est très limité,même s'il existe une source froide, par exemple une plaque métallique froide,
tout près du dos de la plaquette.
Il a été proposé antérieurement de faire passer un gaz, tel que l'hydrogène ou l'hélium, dans un insterstice ménagé entre la plaquette et une plaque sous dépression, en utilisant un joint annulaire afin d'empêcher une trop forte fuite de ce gaz dans le vide ambiant. Mais il a été constaté en pratique que la déformation indéterminée de la plaquette, créée par la dépression ou la contre-pression, rendait irrégulière la transmission de la chaleur. On a constaté par ailleurs que des joints élastomères étaient
inopportuns à cause de leur dégénérescence et de leur décom-
position dans l'ambiance d'un traitement impliquant une grande
quantité d'énergie.
L'invention concerne notamment un mandrin,qui est destiné à maintenir une plaquette semi-conductrice pendant un traitement sous vide dégageant une grande quantité d'énergie, qui assure une très bonne transmission de la
chaleur dégagée par la plaquette traitée, permet une trans-
mission uniforme de la chaleur sur toute la largeur de la plaquette, minimise les fuites de gaz vers le vide ambiant, et peut être fabriqué de manière relativement simple et
peu coûteuse, sans introduire ni propager d'impuretés.
Dans un mandrin selon la présente invention, une plaquette semiconductrice est serrée contre une plaque d'appui circulaire présentant une face bombée. Cette plaquette est bridée sur son pourtour, de manière à être déformée et venir très près de cette face bombée. La plaque est percée de plusieurs canaux d'alimentation en gaz, et
comporte avantageusement une gorge annulaire disposée légè-
rement en retrait du bord de la plaquette et maintenant une pression déterminée uniforme dans l'interstice compris entre cette plaquette et la face bombée, tandis qu'autour de la périphérie de cette plaquette la plaque comporte une gorge annulaire qui communique avec une source de vide, de façon à empêcher le gaz en circulation de fuir de manière appréciable vers le vide ambiant régnant dans l'enceinte
de traitement.
L'invention sera décrite de manière plus détaillée, à titre d'exemple nullement limitatif, en regard du dessin annexé, sur lequel la figure 1 est une coupe verticale d'un mandrin selon l'invention; et la figure 2 est un plan de la plaque d'appui utilisée
dans ce mandrin.
Sur la figure 1, une plaquette semi-conductrice destinée à être traitée est désignée dans son ensemble par le nombre de référence 11. Une plaque d'appui 13 circulaire, se trouve sous cette plaquette et comporte une face bombée
, qui est celle située directement sous ladite plaquette.
Cette dernière est bridée sur cette face bombée par une bague 17 de serrage annulaire, qui n'est en contact qu'avec la périphérie de la plaquette 11. Cette plaquette est bridée sur la plaque d'appui de façon à être déformée et à venir très près de la face bombée 15. La courbure de cette face bombée de la plaque 13 est déterminée de façon à correspondre à celle d'une plaquette circulaire soutenue librement et
soumise à une compression uniforme prédéterminée.
Sur la figure, la convexité de la face 15 et la déformation de la plaquette sont exagérées dans un but illustratif. En pratique, il a été constaté qu'une surface convexe sphérique ayant un rayon de 5,87 m environ convenait pour les plaquettes semi-conductrices normalisées de 100 mm et une pression de 10 Torrs (1,33 kPa). Bien entendu, ce rayon devrait augmenter à peu près proportionnellement pour
des plaquettes plus grandes et/ou des pressions plus élevées.
En d'autres termes, la convexité correspond à un arc d'envi-
ron 45 minutes.
Un gaz est envoyé, dans l'interstice compris entre la plaquette et la plaque d'appui 13, au moyen d'un canal
central 23 et d'une gorge annulaire 25 qui est formée légè-
rement en retrait de la périphérie de cette plaquette. Ce canal central 23 et cette gorge 25 communiquent avec un conduit d'alimentation 31 par des canaux intérieurs 27, 28 et 29. Le conduit 31 communique par l'intermédiaire d'un robinet de réglage 33 avec une source appropriée de gaz, tel que l'hydrogène ou l'hélium. Comme les spécialistes le comprendront, il faut/pour choisir le gaz-particulier
que l'on fait circuler, tenir compte du traitement particu-
lier effectué, de façon que les fuites qui risquent de se
produire ne nuisent pas à ce traitement.
Une seconde gorge annulaire un peu plus grande, désignée par 37, est formée un peu plus près du bord de la plaque 13 que la gorge 25. Cette gorge 37 communique par des canaux intérieurs 39, 40 et 41 avec un conduit 43,
qui communique lui-même avec une pompe à vide appropriée.
Le rayon-de cette gorge 37 est de préférence juste inférieur à celui de la surface de rayon minimum avec laquelle une surface plane de la plaquette peut venir en contact, ces surfaces planes étant formées de manière connue sur des
plaquettes semi-conductrices dans le but de les orienter.
La gorge annulaire 37 a pour rôle d'évacuer le gaz suscepti-
ble de fuir radialement vers l'extérieur de l'interstice compris entre la plaquette 11il et la face bombée 15 de la
plaque d'appui 13.
Par rapport aux réalisations antérieures, on voit que le mandrin selon l'invention établit un contact étroit et très intime entre la plaquette et la plaque d'appui, grâce à la forme bombée de la face de cette plaque et au bridage
de cette plaquette sur son pourtour. Par ailleurs, l'inters-
tice qui subsiste est rempli d'un gaz en circulation, ce qui améliiore beaucoup la conductibilité thermique entre plaquette et plaque d'appui. Il est donc possible d'utiliser des puissances plus élevées pour traiter la surface de la plaquette sans atteindre les températures élevées susceptibles de dégrader son revêtement de réserve. Par ailleurs, en raison de l'ajustement serré entre la plaquette et la plaque d'appui, la gorge annulaire 37 sous dépression peut pratiquement supprimer les fuites du gaz vers le vide ambiant régnant dans l'enceinte pendant le traitement, sans que l'on ait à utiliser de joint élastomère susceptible d'être dégradé
par ce traitement.
Il va de soi qu'il est possible, sans s'écarter du domaine de l'invention, d'apporter diverses modifications
au mandrin de serrage de plaquettes semi-conductrices, repré-
senté et décrit.

Claims (4)

  1. REVENDICATIONS
    ]. Mandrin destiné à maintenir une plaquette semi-
    conductrice pendant un traitement sous vide appliquant et dégageant une grande quantité d'énergie, mandrin caractérisé en ce qu'il comprend une plaque circulaire (13) présentant une face bombée (15); un organe (17) destiné à brider une plaquette (11) centrée sur cette plaque de manière à déformer cette plaquette (11) et à la rapprocher étroitement de cette face bombée (15); des passages (23; 27,28,29) formés dans cette plaque (13) et comprenant un canal central (23) ainsi qu'une gorge
    annulaire (25), destinés à faire passer un gaz dans l'inters-
    tice compris entre la plaquette (11) et la face bombée (15)
    de ladite plaque, dans la zone intérieure à cette gorge annu-
    laire (25); une seconde gorge annulaire (37) sur la périphérie de cette face bombée (15); et d'autres canaux (39,40,41) formés dans-la plaque (13) et destinés à relier cette seconde gorge annulaire (37) à une pompe à vide, de façon à minimiser les fuites du gaz
    vers le vide ambiant.
  2. 2. Mandrin selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'organe de bridage (17) est destiné à venir en
    contact avec le pourtour de la plaquette (11) et à la serrer.
  3. 3. Mandrin selon la revendication 1, caractérisé en ce que la face bombée (15) de la plaque (13) sous-tend
    un arc d'environ 45 minutes.
  4. 4. Procédé ce traitement sous vide d'une plaquette semi-conductrice, caractérisé en ce que l'on bride le pourtour de la plaquette (11) sur une
    plaque circulaire ayant une surface bombée, de manière à déformer cette pla-
    quette et à la placer tout près de cette face bombée;
    on fait passer un gaz sous une pression déterminée dans l'inters-
    tice compris entre la plaquette (il1) et ladite face bombée (15) et on aspire, par une gorge (37) de la périphérie de la face bombée (15) de la plaque (13), le gaz qui s'échappe
    de cet interstice.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244137A2 (fr) * 1986-04-28 1987-11-04 AT&T Corp. Traitement d'une plaquette semi-conductrice
EP0323620A2 (fr) * 1987-12-25 1989-07-12 Tokyo Electron Limited Procédé et appareil de gravure
EP0325243A2 (fr) * 1988-01-20 1989-07-26 Tokyo Electron Limited Appareil de gravure
EP0339580A2 (fr) * 1988-04-25 1989-11-02 Applied Materials, Inc. Réacteur de traitement sous vide
EP0342940A2 (fr) * 1988-05-18 1989-11-23 Veeco Instruments Inc. Appareil et méthode de refroidissement de substrats
EP0396923A1 (fr) * 1989-05-08 1990-11-14 Balzers Aktiengesellschaft Table élévatrice et méthode de transportation
EP0467623A2 (fr) * 1990-07-16 1992-01-22 Novellus Systems, Inc. Appareillage et méthode de protection pendant le traitement de substrats
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775003A (en) * 1987-03-27 1988-10-04 Koh John K Laboratory materials and apparatus support and laminar flow thermal transfer device
US5262029A (en) * 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
ATE208961T1 (de) * 1988-05-24 2001-11-15 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage
US5180000A (en) * 1989-05-08 1993-01-19 Balzers Aktiengesellschaft Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece
JP2911997B2 (ja) * 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5074456A (en) 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
USH1145H (en) 1990-09-25 1993-03-02 Sematech, Inc. Rapid temperature response wafer chuck
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
DE4116392C2 (de) * 1991-05-18 2001-05-03 Micronas Gmbh Halterung zur einseitigen Naßätzung von Halbleiterscheiben
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JPH05121543A (ja) * 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
US5343012A (en) * 1992-10-06 1994-08-30 Hardy Walter N Differentially pumped temperature controller for low pressure thin film fabrication process
EP0635870A1 (fr) * 1993-07-20 1995-01-25 Applied Materials, Inc. Un support électrostatique ayant une surface rayée
US5509464A (en) * 1993-07-30 1996-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling rectangular substrates
US5749999A (en) * 1994-02-04 1998-05-12 Lsi Logic Corporation Method for making a surface-mount technology plastic-package ball-grid array integrated circuit
US5435482A (en) * 1994-02-04 1995-07-25 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having a coplanar solder ball contact array
US5883778A (en) * 1994-02-28 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with fluid flow regulator
DE69530801T2 (de) * 1994-10-17 2004-03-11 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc., Gloucester Montageelement und methode zum klemmen eines flachen, dünnen und leitfähigen werkstückes
US5609148A (en) * 1995-03-31 1997-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for dicing semiconductor wafers
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6053982A (en) * 1995-09-01 2000-04-25 Asm America, Inc. Wafer support system
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
US5656093A (en) * 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5980194A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Wafer position error detection and correction system
US6033478A (en) * 1996-11-05 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer support with improved temperature control
AT407312B (de) * 1996-11-20 2001-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Rotierbarer träger für kreisrunde, scheibenförmige gegenstände, insbesondere halbleiterwafer oder -substrate
US5769692A (en) * 1996-12-23 1998-06-23 Lsi Logic Corporation On the use of non-spherical carriers for substrate chemi-mechanical polishing
US5748435A (en) * 1996-12-30 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling backside gas pressure beneath a semiconductor wafer
US5936829A (en) * 1997-01-02 1999-08-10 Cvc Products, Inc. Thermally conductive chuck for vacuum processor
DE19781631T1 (de) * 1997-01-02 1999-04-01 Cvc Products Inc Wärmeleitendes Spannfutter für Vakuumbearbeitungsvorrichtung
US5856906A (en) * 1997-05-12 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Backside gas quick dump apparatus for a semiconductor wafer processing system
TW524873B (en) 1997-07-11 2003-03-21 Applied Materials Inc Improved substrate supporting apparatus and processing chamber
JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
US6138745A (en) * 1997-09-26 2000-10-31 Cvc Products, Inc. Two-stage sealing system for thermally conductive chuck
US6205870B1 (en) 1997-10-10 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing systems and methods
US6073576A (en) 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US5948986A (en) * 1997-12-26 1999-09-07 Applied Materials, Inc. Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations
US6168697B1 (en) * 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6030275A (en) * 1998-03-17 2000-02-29 International Business Machines Corporation Variable control of carrier curvature with direct feedback loop
US5969934A (en) * 1998-04-10 1999-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US6051067A (en) * 1998-04-23 2000-04-18 Microjet Technology Co., Ltd. Wafer securing device and method
US6572814B2 (en) 1998-09-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Method of fabricating a semiconductor wafer support chuck apparatus having small diameter gas distribution ports for distributing a heat transfer gas
US6639783B1 (en) 1998-09-08 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Multi-layer ceramic electrostatic chuck with integrated channel
US6112735A (en) 1999-03-02 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Complete blade and wafer handling and support system without tape
US6241005B1 (en) 1999-03-30 2001-06-05 Veeco Instruments, Inc. Thermal interface member
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US6362946B1 (en) 1999-11-02 2002-03-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
US6538873B1 (en) 1999-11-02 2003-03-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump
GB0002837D0 (en) * 2000-02-08 2000-03-29 British Aerospace Assembling composite structures
US20010035403A1 (en) 2000-05-18 2001-11-01 Albert Wang Method and structure for producing flat wafer chucks
AT411856B (de) * 2000-10-16 2004-06-25 Datacon Semiconductor Equip Verfahren zur herstellung einer klebeverbindung von einem scheibenförmigen halbleitersubstrat auf einen flexiblen adhäsiven transportträger sowie einrichtung zur durchführung dieses verfahrens
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
JP2003174077A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Lintec Corp 吸着保持装置
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7055229B2 (en) * 2003-12-31 2006-06-06 Intel Corporation Support system for semiconductor wafers and methods thereof
CN100553866C (zh) * 2006-01-05 2009-10-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 滚圆治具组及滚圆方法
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
DE102009005182A1 (de) * 2009-01-15 2010-07-29 Suss Microtec Test Systems Gmbh Chuck und Verfahren zur Aufnahme und Halterung dünner Testsubstrate
EP3137407B1 (fr) 2014-04-28 2023-07-19 Liftra IP ApS Procédé et dispositif de commande automatique de la position d'une charge suspendue à un câble principal sur une grue
US10468290B2 (en) 2016-11-02 2019-11-05 Ultratech, Inc. Wafer chuck apparatus with micro-channel regions
US11802340B2 (en) * 2016-12-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. UHV in-situ cryo-cool chamber

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282924A (en) * 1979-03-16 1981-08-11 Varian Associates, Inc. Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface
FR2527838A1 (fr) * 1982-05-25 1983-12-02 Varian Associates Dispositif et procede de transfert thermique entre solides, avec assistance par un gaz, pour une tranche de semi-conducteur

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3566960A (en) * 1969-08-18 1971-03-02 Robley V Stuart Cooling apparatus for vacuum chamber
US4261762A (en) * 1979-09-14 1981-04-14 Eaton Corporation Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum
JPS5877043U (ja) * 1981-11-20 1983-05-24 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4508161A (en) * 1982-05-25 1985-04-02 Varian Associates, Inc. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282924A (en) * 1979-03-16 1981-08-11 Varian Associates, Inc. Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface
FR2527838A1 (fr) * 1982-05-25 1983-12-02 Varian Associates Dispositif et procede de transfert thermique entre solides, avec assistance par un gaz, pour une tranche de semi-conducteur

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244137A2 (fr) * 1986-04-28 1987-11-04 AT&T Corp. Traitement d'une plaquette semi-conductrice
EP0244137A3 (en) * 1986-04-28 1989-05-03 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor wafer processing
US5871811A (en) * 1986-12-19 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
EP0323620A2 (fr) * 1987-12-25 1989-07-12 Tokyo Electron Limited Procédé et appareil de gravure
EP0323620A3 (en) * 1987-12-25 1990-04-11 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
EP0325243A2 (fr) * 1988-01-20 1989-07-26 Tokyo Electron Limited Appareil de gravure
EP0325243A3 (en) * 1988-01-20 1990-09-26 Tokyo Electron Limited Etching apparatus
EP0339580A2 (fr) * 1988-04-25 1989-11-02 Applied Materials, Inc. Réacteur de traitement sous vide
EP0339580A3 (en) * 1988-04-25 1990-11-22 Applied Materials Inc. A vacuum processing reactor
EP0342940A3 (fr) * 1988-05-18 1991-05-08 Veeco Instruments Inc. Appareil et méthode de refroidissement de substrats
EP0342940A2 (fr) * 1988-05-18 1989-11-23 Veeco Instruments Inc. Appareil et méthode de refroidissement de substrats
EP0396923A1 (fr) * 1989-05-08 1990-11-14 Balzers Aktiengesellschaft Table élévatrice et méthode de transportation
EP0467623A2 (fr) * 1990-07-16 1992-01-22 Novellus Systems, Inc. Appareillage et méthode de protection pendant le traitement de substrats
EP0467623A3 (en) * 1990-07-16 1992-05-13 Novellus Systems, Inc. Apparatus for and method of protection during substrate processing
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5374594A (en) * 1990-07-16 1994-12-20 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5882417A (en) * 1990-07-16 1999-03-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus for preventing deposition on frontside peripheral region and edge of wafer in chemical vapor deposition apparatus
US5925411A (en) * 1990-07-16 1999-07-20 Siliconix Incorporated Gas-based substrate deposition protection

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Publication number Publication date
JPS60239039A (ja) 1985-11-27
US4603466A (en) 1986-08-05
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GB8503509D0 (en) 1985-03-13
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JPH0543185B2 (fr) 1993-06-30
DE3505178A1 (de) 1985-08-22

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