FI83013B - Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. - Google Patents
Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. Download PDFInfo
- Publication number
- FI83013B FI83013B FI870066A FI870066A FI83013B FI 83013 B FI83013 B FI 83013B FI 870066 A FI870066 A FI 870066A FI 870066 A FI870066 A FI 870066A FI 83013 B FI83013 B FI 83013B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- thin film
- activator
- luminescent layer
- forming
- host material
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7716—Chalcogenides
- C09K11/7717—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
- C09K11/7744—Chalcogenides
- C09K11/7745—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7759—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing samarium
- C09K11/776—Chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
1 83013
Ohutkalvotyyppinen elektroluminenssilaite ja menetelmä sen valmistamiseksi Tämä keksintö liittyy ohutkalvo-elektroluminenssi 5 (EL) -elimeen ja erityisemmin parannettuun suuren kirkkauden matalalla jännitteellä ohjattavaan ohutkalvo-EL-laitteeseen ja menetelmään sen valmistamiseksi.
Aikaisemman toteutuksen mukaista dispersiotyyp-pistä EL-laitetta, joka käyttää sinkkisulfidi (ZnS) -pullo verin tyyppistä fluoresoivaa ainetta, ei voida käyttää valaistuksen valolähteenä sen alhaisen kirkkauden vuoksi. Viime vuosina ohutkalvotyyppinen EL-laite, joka käyttää fluoresoivan aineen ohutkalvoa, on tullut merkittävästi suuren kirkkautensa ansiosta.
15 Ohutkalvo-EL-laitetta käytetään nykyään laajasti ajoneuvoissa, tietokonepäätteiden näyttölaitteissa tai vastaavissa ja valaistuslähteenä, koska ohutkalvo-EL-laite sisältää valoa emittoivan kalvon, joka on tehty läpinäkyvästä kalvosta, joka estää ulkoa tulevan valon tai 20 sisäisen luminoivan kerroksen emittoiman valon dispersion vähentäen näin halaatiota ja epätarkkuutta ja antaen selkeän näytön suurella kontrastilla.
Esimerkiksi ohutkalvo-EL-laitteella, joka käyttää Mn:ää aktivaattorina ZnSrssä, on kaksoisdielektrinen ra-25 kenne, jossa tinaoksidikalvosta (SnC>2) tehty läpinäkyvä elektrodi, ensimmäinen eristävä kerros, kidemäinen kalvo, jossa ZnS on isäntäaineena ja Mn toimii aktivaattorina, eli MnS:Mn luminoiva kerros, toinen luminoiva kerros ja alumiinista tai vastaavasta valmistettu tausta-30 elektrodi ovat peräkkäin laminoitu läpinäkyvälle substraatille .
Valo emittoituu seuraavasti. Kun jännite tuodaan läpinäkyvän elektrodin ja taustaelektrodin välille, elektronit, jotka luminoivassa kerroksessa syntynyt 35 sähkökenttä on loukkuunnuttanut rajapintatasolle, vapautuvat ja saavat tarpeeksi energiaa kiihtyäkseen 2 83013 niin, että nämä elektronit törmäävät Mn:n (luminoiva (keskus) kehäelektroneihin. Valoa emittoituu, kun virittynyt aktivaattori palaa perustilaansa.
Kuten on esitetty JP-patenttihakemuksissa nro 5 10358/1978 ja 8080/1979, elektronisädehöyrykerrostusme- netelmää on käytetty luminoivan kerroksen, kuten ZnS:Mn, muodostamiseen ohutkalvo-EL-laitteeseen.
Tällainen ohutkalvo-EL-laite on muodostettu tyhjö-kammiossa 1 säteilyttämällä pellettiä 2, joka on muodos-10 tettu sintraamalla ZnS:n ja 0,1 - 1 atomi-% Mn:n seosta, elektronitykin 3 lähettämällä elektronisäteellä 4, kuvio 10, niin että pelletti kuumenee ja höyrystyy ja höyrystynyt pelletti kerrostuu substraatille 5.
Tässä menetelmässä kuitenkin, koska luminoivan 15 kerroksen muodostavan isäntäaineen höyrynpaine, isäntä-aineen muodostavan alkuaineen höyrynpaine ja aktivaatto-rin höyrynpaine (esimerkiksi PZnS, Pzn, PS, PMn) eroavat suuresti (PZnS < PMn < PZn < PS), esiintyy ongelmia, kuten että laminoidun luminoivan kerroksen isäntäaine poik-20 keaa stökiometrisestä koostumuksesta näin huonontaen kiderakennetta ja tehden aktivaattorin jakautumisen epätasaiseksi substraatille kerran kerrostettujen alkuaineiden höyrystyessä ja uudelleen höyrystyessä epätasaisesti. Edellisessä kuvauksessa PZnS, PMn, PZn ja PS ovat 25 vastaavat aineiden ZnS, Mn, Zn ja S höyrynpaineet.
Näin ollen, kuten kuviossa 11 on esitetty, elek-tronisädehöyrykerrostusmenetelmällä muodostetulla lumi-noivalla kerroksella on partikkelimainen monikiteinen rakenne eli kasvatuksen alkuvaiheessa muodostuu monia 30 pieniä kidepartikkeleita, jolloin rakenteessa on nk. kuolleita kerroksia.
Tällaista luminoivaa kerrosta käyttävässä ohut-kalvo-EL-laitteessa ulkopuolisen sähkökentän luminoi-vassa kerroksessa kiihdyttämät elektronit E törmäävät 35 aktivaattoriin Im sillä seurauksella, että elektronit dispergoituvt kidepartikkeleiden rajapinnoilla B
3 83013 ennen kuin ne vaikuttavat luminenssiin. Näin ollen ulkopuolinen sähkökenttä ei vaikuta tehokkaasti luminesens-siin.
Luminoivan kerroksen emittoivan valon tehokas saan-5 ti on tärkeää luminesenssitehokkuuden lisäämiseksi. Valon saamiseksi tehokkaasti luminoivasta kerroksesta on esitetty menetelmää ensimmäisen eristävän kerroksen kalvon paksuuden ja taitekertoimen säätämiseksi, esimerkiksi JP-patenttihakemus 55635/1983.
10 Tällaisen ohutkalvo-EL-laitteen sijaiskytkentä voidaan esittää kolmella sarjaan kytketyllä kondensaattorilla (kuvio 4), jotka muodostavat ensimmäisen eristävän kerroksen 21, luminoivan kerroksen 24 ja toisen eristävän kerroksen 25. Kun ensimmäisen ja toisen eristävän 15 kerroksen ominaisdielektrisyysvakiot Eri ja Er2 ovat riittävän paljon suurempia kuin luminoivan kerroksen ominaisdielektrisyysvakio El, eli Eri, Er2 >> 61, ohuita kapasitansseja Crl, Cr2 ja Cl yhdistää relaatio Crl,
Cr2 >> Cl, joten ulkopuolelta elimeen kohdistettu jänni-20 te tulee lähes kokonaan luminoivan kerroksen yli sillä seurauksella, että on mahdotonta saavuttaa suurta kirkkautta pienellä käyttöjännitteellä.
Käyttöjännitteen pienentämiseksi on edullista tehdä ensimmäinen eristävä kerros aineesta, jolla on suuri 25 dielektrisyysvakio. Kuitenkin, käytettäessä ainetta, jolla on suuri dielektrisyysvakio, taitekerroin läpinäkyvän elektrodin ja ensimmäisen kerroksen välillä tulee suureksi estäen näin tehokkaasti valon saannin luminoivasta kerroksesta.
30 Tästä syystä, jotta saataisiin käytännön kirkkaus n 20 ft-L, on välttämätöntä kohdistaa ohutkalvo-EL-laitteeseen suuruusluokkaa 200 V oleva suurjännite.
Keksinnön päämääränä on siis uusi ohutkalvo-EL-laite, joka pystyy synnyttämään suuren kirkkauden ja 35 jota voidaan käyttää alhaisella jännitteellä ja 4 83013 menetelmä tällaisen ohutkalvo-EL-laitteen valmistamiseksi.
Keksinnön erään piirteen mukaan ohutkalvo-EL-laite muodostuu läpinäkyvästä elektrodista, eristävästä kerroksesta, luminoivasta kerroksesta ja taustaelektrodista, lu-5 minoivan kerroksen muodostuessa jonomonikiteistä.
Keksinnön toisen piirteen mukaan ohutkalvo-EL-laitteen valmistusmenetelmä sisältää substraatin, läpinäkyvän elektrodin, eristävän kerroksen, luminoivan kerroksen ja taustaelektrodin laminoinnin, joka muodostuu askeleista 10 luminoivan kerroksen isäntämateriaalin tai isäntämateri-aalin alkuaineen ja luminoivan kerroksen aktivaattorin höyrystyksen joukosta erillisiä höyrystyslähteitä ja höy-rystetyn isäntämateriaalin tai sen alkuaineen ja höyrys-tetyn aktivaattorin tai sen alkuaineen kerrostamisen nii-15 den yhdistämiseksi substraatilla.
Keksinnölle on tarkemmin ottaen tunnusomaista, se mitä jäljempänä olevissa patenttivaatimuksissa on esitetty.
Oheisissa piirroksissa:
Kuvio 1 esittää keksinnön toteuttavan ohutkalvo-20 EL-laitteen luminoivan kerroksen kiderakennetta;
Kuvio 2 on kaavio, joka esittää keksinnön mukaisen menetelmän periaatteen luminoivan kerroksen muodostamiseksi;
Kuvio 3 on sivukuva, joka esittää yhtä tämän kek-”· 25 sinnön mukaisen ohutkalvo-EL-laitteen toteutusta;
Kuvio 4 on kuviossa 3 esitetyn elimen sijaiskyt- kentä;
Kuviot 5a-5e ovat sivukuvia, jotka esittävät kuvion 3 elimen valmistuksen peräkkäisiä vaiheita; 30 Kuviot 6a ja 6b ovat käyriä, jotka esittävät tä män keksinnön ja aikaisemman toteutuksen kalvo-EL-elimen luminoivan kerroksen röntgendifraktiota;
Kuvio 7 on käyrä tämän keksinnön ja aiemman toteutuksen ohutkalvo-EL-laitteiden jännite-kirkkaus-ominai-35 suuksien vertailemiseksi;
Kuvio 8 on sivukuva, joka esittää tämän keksinnön - - muunnettua toteutusta; li 5 83013
Kuvio 9 on käyrä kuviossa 8 esitetyn ohutkalvo-EL-laitteen ja aikaisemman toteutuksen ohutkalvo-EL-lait-teen kirkkaus-jännite-ominaisuuksien vertailemiseksi;
Kuvio 10 esittää periaatteen menetelmästä, jolla 5 aikaisemman toteutuksen ohutkalvo-EL-laitteen luminoiva kerros valmistettiin; ja
Kuvio 11 esittää aikaisemman toteutuksen luminoi-van kerroksen kiderakennetta.
Lyhyesti, tämän keksinnön mukaan jonomonikidekal- 10 voa käytetään ohutkalvo-EL-laitteen luminoivana kerroksena. Edelleen, luminoivan kerroksen isäntämateriaali tai kantamateriaalin muodostavat alkuaineet ja aktivaattori höyrystetään itsenäisistä lähteistä ja höyrystetyt aineet yhdistetään sitten substraatilla.
15 Näin ollen, kuten kuviossa 1, jossa jonomoniki- teitä käytetään luminoivana kerroksena, elektronit E lu-minoivassa kerroksessa kiihdyttää ulkopuolinen sähkökenttä ja ne törmäävät aktivaattoriin Im mahdollistaen näin tehokkaan luminesenssin.
20 Tarkastellaan kuviota 2, luminoivan kerroksen muo dostamiseksi isäntämateriaalin ja aktivaattorin muodostavat alkuaineet, esimerkiksi Mn, S ja Zn, pannaan erillisiin upokkaisiin 12, 13 ja 14 tyhjökammiossa 11, jota pi- -3-7 detään paineessa 10 - 10 , upokkaiden lämpötiloja sää- 25 dellään toisistaan riippumatta niin, että luminoivalle kerrokselle tulee stökiometrinen kokoonpano. Näin ollen jonomonikiteet, joilla on aktivaattorin tasoinen jakautuma, voidaan kerrostaa substraatille 15 seuraavien askelien mukaan.
30 Oletetaan, että aineet A ja B muodostetaan sub straatille monilähteisellä höyrykerrostusprosessilla, jossa käytetään toisistaan riippumattomista upokkaista, jotka sisältävät vastaavasti ainetta A ja B, muodostuvia riippumattomia höyrystyslähteitä.
35 Olkoon aineen A höyrynpaine annetussa lämpötilas sa TA PA. Tällöin, kun tyhjöaste PO (paine) 6 83013 tyhjökammiossa on PO < PA, valitsemalla TS, niin että TS > TA ja niin että aineelle A on voimassa PAS > PA, missä PAS on aineen A höyrynpaine substraatin lämpötilassa TS, ei ainetta A kerrostu substraatille, vaikka sitä 5 höyrystyykin.
Toisaalta, kun aineiden A ja B yhdisteen höyrynpaine PABS lämpötilassa TS valitaan, niin että PABS > PO, missä aine B on substraatilla (PBS < PO), aineet A ja B reagoivat toistensa kanssa substraatilla, jolloin kasvaa 10 yhdisteen AB kiteitä. Tällä hetkellä, kun alkuaine B
(tai A), joka on substraatilla, yhtyy saapuvan alkuaineen A (tai B) kanssa, alkuaineet kerrostuvat paikkaan, jossa on alhaisin potentiaali sillä seurauksella, että vain kidepintoja kasvaa muodostaen jonokiteitä.
15 Kun aktivaattorin muodostaa yhdiste, tehokkaampi luminoiva kerros voidaan muodostaa höyrystämällä yhdisteen alkuaineita erillisissä upokkaissa ja näin riippumattomasti säätämällä alkuaineiden höyrystymisen määrää.
Esimerkiksi luminoivan kerroksen isäntämateriaa-20 Iin muodostavan ZnS:n alkuaineita Zn ja S sekä aktivaattorin TbF^ muodostavia alkuaineita Tb ja F pannaan erillisiin upokkaisiin (Zn, S, Tb, TbF^). Kun upokkaiden lämpötiloja säädetään toisistaan riippumatta höyrystysmäärien - säätämiseksi siten, että saatavalla luminoivalla kerrok- 25 sella on stökiometrinen rakenne, on mahdollista kerrostaa substraatille jonokiteitä, joilla on tasainen aktivaattorin jakauma.
Ohutkalvo-EL-laitteessa, joka on muodostettu la-minoimalla peräkkäin substraatille läpinäkyvä elektrodi, 30 ensimmäinen eristävä kerros, luminoiva kerros, toinen eristävä kerros ja taustaelektrodi, voidaan, keksinnön mukaan, kolmas dielektrinen kerros sijoittaa läpinäkyvän elektrodin ja ensimmäisen eristävän kerroksen väliin, jonka kolmannen eristävän kerroksen taitekerroin 35 on läpinäkyvän elektrodin ja ensimmäisen eristävän kerroksen taitekertoimien välissä.
I: 7 83013 Tällä rakenteella on mahdollista vähentää ensimmäisen eristävän kerroksen ja läpinäkyvän elektrodin rajapinnan taitekerrointa ilman, että ensimmäisen kerroksen dielektrisyysvakiota pienennetään. Tämän ansiosta on mah-5 dollista pienentää heijastusta ja näin mahdollistaa valon tehokas saanti luminoivasta kerroksesta.
Esimerkiksi olkoon läpinäkyvän elektrodin taitekerroin n^ = 2, ensimmäisen eristävän kerroksen n2 = 1 ja kun kolmas eristävä kerros, jonka taitekerroin on 10 n^ = 3, asetetaan läpinäkyvän elektrodin ja ensimmäisen eristävän kerroksen väliin, läpinäkyvän elektrodin ja kolmannen eristävän kerroksen välinen heijastuskerroin voidaan esittää seuraavan lain avulla n0 - nl 2 15 R1 = <n 4- n '> = 2 % 1 n0 + nl
Heijastuskerroin kolmannen eristävän kerroksen ja ensimmäisen eristävän kerroksen välillä on nl "* n2 2 20 R9 = + n ) = 4 % 2 nl + n2 Näin ollen kokonaisheijastuskertoimeksi tulee 6 %, joten läpäisytehokkuudeksi saadaan 94 %.
Sitä vastoin, kun kolmatta eristävää kerrosta ei 25 ole, hei jastuskerroin läpinäkyvän elektrodin ja ensimmäisen eristävän kerroksen välillä on n0 - n2 2 R, = (—--) = 11 % 3 n0 - n2 30 jolloin läpäisytehokkuudeksi saadaan 89 %.
Näiden läpäisykertoimien vertailu osoittaa, että läpäisytehokkuutta voidaan suuresti parantaa lisäämällä kolmas dielektrinen kerros.
Kuviossa 3 esitetyllä toteutuksella on laminoitu 35 rakenne, missä luminoiva kerros 21 ohuesta, paksuudel-: taan 5 000 A olevasta jonomonikiderakenteesta, joka on β 83013 tehty ZnS-isäntämateriaalista, joka sisältää 0,4 atomi-% aktivaattorina toimivaa Mn:a (tästä lähtien ZnS: 0,4 at.
% Mn) .
Tarkemmin sanoen, läpinäkyvälle paksuudeltaan 5 1 mikron olevalle lasisubstraatille 22 laminoidaan peräk käin paksuudeltaan 0,3 mikronia oleva ja tinaoksidista (Sn02) tai vastaavasta oleva läpinäkyvä elektrodi 23, paksuudeltaan 0,5 mikronia ja tantaalioksidista (Ta20,-) tehty ensimmäinen eristävä kerros 24, luminoiva kerros 25, 10 paksuudeltaan 0,5 mikronia oleva ja Ta20^:stä tehty toinen eristävä kerros ja taustaelektrodi 26, joka on tehty 0,5 mikronin paksuisesta alumiinikalvosta.
Kuten kuviossa 4 on esitetty, tämän ohutkalvo-EL-laitteen sijaiskytkentä voidaan esittää kolmen sarjaan-15 kytketyn kondensaattorin avulla, jotka muodostuvat ensimmäisestä eristävästä kerroksesta 24, luminoivasta kerroksesta 21 ja toisesta eristävästä kerroksesta 25.
Seuraavaksi kuvataan menetelmä ohutkalvo-EL-lait-teen valmistamiseksi.
20 Kuten kuviossa 5a on esitetty, Sn02:sta muodostuva läpinäkyvä elektrodi 23 muodostetaan läpinäkyvälle lasisubstraatille sputteroimalla.
Sitten, kuten kuviossa 5b, tantaalioksidista muodostuva eristävä kerros 24, oksidikerros muodostetaan 25 lasikerrokselle 23 sputteroimalla.
Tämän jälkeen käytetään höyrykerrostuslaitetta kuvion 2 tapaan ja Zn, S ja Mn pannaan erillisiin upok- -5 kaisiin ja tyhjökammion tyhjöksi valitaan 10 torria. Sitten upokkaiden 12, 13 ja 14 lämpötilaa säädetään 30 erillisesti Zn:n, S:n ja Mn:n höyrystymisen säätämiseksi niin, että luminoivalla kerroksella on stökiometri-nen koostumus, kun samanaikaisesti lasisubstraatin 15 lämpötila valitaan sopivaan arvoon väliltä 100 -1 000°C niin, että muodostuu luminoiva kerros 21 (ku-.35 vio 5c), joka muodostuu ZnS-jonomonikiteistä ja jolla on aktivaattorin Mn tasainen jakauma.
h 9 83013 Tämän jälkeen, kuten kuviossa 5d, tantaalioksidis-ta muodostuva toinen eristävä kerros 25 muodostetaan lu-minoivalle kerrokselle 21 sputteroimalla.
Lopuksi, kuten kuviossa 5e, taustaelektrodit 26 5 muodostetaan muodostamalla alumiinikalvo tyhjöhöyrystys-tekniikalla, jonka jälkeen suoritetaan kuviointi litofo-toetsausprosessilla.
Ohutkalvo-EL-laitteen luminoivalla kerroksella on erinomainen kideluonne, mitä todistaa kuviossa 6a esitet-10 ty röntgendifraktion tulos. Vertailun vuoksi aiemman toteutuksen mukaisen elektronisädehöyrykerrostusmenetel-mällä valmistetun Zn:Mn-kerroksen röntgendifraktion tulos on esitetty kuviossa 6b. Kuvioissa 6a ja 6b esitettyjen piirteiden vertailu osoittaa, että tämän keksinnön 15 mukaisella menetelmällä saadaan parempi kiderakenne.
Tämän keksinnön ohutkalvo-EL-laitetta käytetään viemällä vaihtovirtasähkökenttä läpinäkyvän elektrodin ja taustaelektrodin välille ja kuviossa 7 on esitetty sen jännite-kirkkaus-ominaisuudet a yhdessä aikaisemman toteu-20 tuksen ohutkalvo-EL-laitteen ominaisuuksien b kanssa.
Näiden ominaisuuksien vertailu osoittaa, että tämän keksinnön ohutkalvo-EL-laite voi tuottaa saman kirkkauden jännitteellä, joka on n puolet jännitteestä, jonka aikaisemman toteutuksen mukainen ohutkalvo-EL-laite vaatii.
25 Toisin sanoen, tämän keksinnön elin voi tuottaa suuren kirkkauden alhaisella jännitteellä.
Kun käytetään eristävää kalvoa, jonka dielektri-syysvakio on paljon suurempi kuin luminoivan kerroksen 21 dielektrisyysvakio, esimerkiksi bariumtitanaatti 30 BaTiO^, ensimmäisenä eristävänä kerroksena 24 ja toisena eristävänä kerroksena 25, on jännite-kirkkaus-omi-naisuus kuvion 7 käyrän c mukainen, mikä osoittaa, että elintä voidaan käyttää jännitteellä, joka on 1/3 tai 1/4 jännitteestä, joka oli välttämätön aikaisemman toteu-'35 tuksen ohutkalvo-EL-laitteelle, kuvio 7, käyrä b. Merkitsemällä ensimmäisen ja toisen dielektrisen kerroksen 10 8301 3 24 ja 25 ja luminoivan kerroksen 21 dielektrisyysvakioita vastaavasti £rl, £e2 ja £1, näiden dielektrisyysvakioi-den väliseksi relaatioksi tulee £rl, fr 2 >> Cl (kuvio 4). Näin ollen niiden kapasitanssien Crl, Cr2 ja Cl väliseksi 5 relaatioksi tulee Crl, Cr2 >> Cl, joten laitteeseen ulkoapäin tuotu jännite kohdistuu lähes kokonaan luminoivaan kerrokseen.
Kuten edellä on kuvattu, tämän keksinnön EL-eli-mellä alle 100 V:n alhainen jännite on riittävä, jotta 10 päästään n 20 ft-L:n (jalka-Lambert) kirkkauteen, mikä on käytännössä erittäin arvokas ominaisuus.
Vaikka edellä kuvatussa toteutuksessa käytettiin ZnStMn kalvoa luminoivana kerroksena, on ymmärrettävä, ettei keksintö ole rajoittunut erityisiin aineisiin.
15 Esimerkiksi voidaan käyttää jonomonikiteitä, kuten ZnS: 0,01 - 1 at.% TbF3, ZnS: 0,01 - 1 at.% SmF, missä isän-tämateriaalina on ZnS ja vain aktivaattori on korvattu terbiumfluoridilla (TbF^) tai samariumfluoridilla (SmF^) ja myös muita jonomonikiteitä, kuten kalsiumsulfidi 20 (CaS): 0,01 - 1 at.% europium (Eu), strontiumsulfidi (SrS): 0,01 - 1 at.% ceriumfluoridia (CeF^) voidaan käyttää.
Edellä kuvatussa toteutuksessa ZnS:Mn jonomoniki-dekalvon muodostamiseksi käytettiin kolmea upokasta, jot-25 ka sisälsivät joko Zn, S tai Mn, höyrykerrostuksen lähteinä, mitä tahansa ZnS:n S:n Mn:n; Zn:n, S:n, MnS:n ja Zn:n, X:n ZnS:n Mn:n yhdistelmää voidaan käyttää.
Käytettäessä yhdistettä, kuten TbF^ aktivaatto-lrina, isäntäaineen muodostavat alkuaineet ja aktivaatto-30 rin muodostavat alkuaineet sekä muodostavien alkuaineiden yhdisteet Zn, S, Tb ja TbF^ voidaan panna erillisiin upokkaisiin Zn:n, S:n, Tb:n ja TbF3:n höyrystämi-seksi toisistaan riippumattomasti säätämällä lämpötilaa niin, että luminoivan kerroksen isäntäaineelle ja .35 aktivaattorille tulee stökiometrinen koostumus ja että epäpuhtauskonsentraatiolle saadaan ennalta määrätty 11 8301 3 arvo. Samanaikaisesti substraatin lämpötila valitaan sopivaan arvoon alueella 100 - 1 000°C (upokkaille, joissa on Tb ja TbF^, sopivin lämpötila on 100-110°C). Näin voidaan muodostaa luminoiva kerros, joka muodostuu ZnS jono-5 nomikiteistä ja jolla on tasainen aktivaattorin TbF^ jakauma. Upokkaissa on mielellään suljin, joka voidaan sulkea ja avata.
Tällaisella menetelmällä on mahdollista saada luminoiva kerros, jonka konsentraatiojakauma on vakio ja 10 tasainen.
Edelleen, ohutkalvo-EL-laitetta voidaan käyttää viemällä vaihtovirtasähkökenttä läpinäkyvän elektrodin ja taustaelektrodin välille, mutta se voi tuottaa saman kirkkauden jännitteellä, joka on puolet aikaisemman toteutuk-15 sen ohutkalvo-EL-laitteen tarvitsemasta jännitteestä. Toisin sanoen, suurempi kirkkaus saadaan pienemmällä jännitteellä. Näin ollen vihreä ohutkalvo-EL-laite saadaan ensimmäistä kertaa tämän keksinnön avulla.
Asettamalla kolmantena eristävänä kerroksena toi-20 miva ytrium (Y203) , jolla on välissä oleva taitekerroin, ensimmäisen eristävän kerroksen 24 ja läpinäkyvän elektrodin väliin, ensimmäisen eristävän kerroksen ja läpinäkyvän elektrodin välisen rajapinnan taitekerrointa voidaan pienentää ja myös heijastusta voidaan vähentää. Täl-25 löin mahdollistetaan luminoivan kerroksen emittoiman valon tehokas saanti. Näin ollen on edelleen mahdollista pienentää käyttöjännitettä.
Aktivaattorin ei välttämättä tarvitse ollaTbF^ ja yhdisteitä, kuten SmF3, Sm2, S3 ja Tb2, S3 voidaan 30 myös käyttää. Edelleen, isäntämateriaaleina voidaan käyttää muita aineita kuin ZnS.
Vaikka edellä kuvatussa toteutuksessa jonomoni-kidekalvon ZnS:TbF3 valmistamiseksi käytettiin neljää upokasta, joista kukin sisälsi joko Zn, S, Tb tai TbF3, .35 höyurykerrostuslähteinä, voidaan myös käyttää neljää upokasta, joista kukin sisältää joko Zn, TbS, TbF3 ja S.
i2 8301 3
Edelleen, tämän keksinnön ohutkalvo-EL-laitetta voidaan käyttää valolähteenä näytöissä, valaistuksessa ja signaalien kirjoittamiseen, lukuun ja poistoon valotallen-nusvälineissä.
5 Toisessa toteutuksessa, kuvio 8, ohutkalvo-EL-lai- te muodostuu laminoinnista, jossa on paksuudelta 1 mikron oleva läpinäkyvä lasiaines 31, paksuudeltaan 3 mikronia oleva ja tinaoksidista (SnC^) valmistettu läpinäkyvä elektrodi 32, ytriumoksidista (YjO^) oleva 1,0 mikro-10 nia paksu kolmas eristävä kerros 33, tantaalipentaoksi-dista (Ta20^) tehty 0,1 mikronia paksu ensimmäinen eristävä kerros 35, sinkkisulfidi (ZnS):mangaani (Mn) lumi-noiva kerros 35, jonka paksuus on 0,5 mikronia, tantaa-lipentaoksidista tehty 0,5 mikronia paksu toinen eristä-15 vä kerros ja alumiinikalvosta tehty taustaelektrodi, paksuudeltaan 0,5 mikronia.
Tätä ohutkalvo-EL-laitetta käyttää vaihtovirtasäh-kökenttä, joka tuodaan läpinäkyvän elektrodin ja tausta-elektrodin välille ja jännite-kirkkaus-ominaisuudet a on 20 esittty kuviossa 9 yhdessä aikaisemman toteutuksen, jossa ei ole kolmatta eristävää kerrosta, ominaisuuksien kanssa. Näiden ominaisuuksien vertailu osoittaa selvästi, että tämän keksinnön ohutkalvo-EL-laitteella on suurempi kirkkaus kuin aikaisemman toteutuksen ohutkalvo-25 EL-laitteella. Kuviossa 9 ordinaatalla on kirkkaus ja abskissalla käyttöjännite voltteina.
Kuten edellä on kuvattu, asettamalla kolmas eristävä kerros taitekertoimien ensimmäisen eristävän kerroksen ja läpinäkyvän elektrodin välillä voidaan pienen-30 tää näiden välistä taitekerrointa pienentämättä ensimmäisen eristävän kerroksen dielektrisyysvakiota, jolloin valon heijastuminen pienenee ja luminoivan kerroksen emittoima valo saadaan tehokkaasti ulos.
Edellä kuvatussa toteutuksessa kolmas eristävä .35 kerros oli rakenteeltaan yksikerroksinen, mutta se li i3 8301 3 voidaan valmistaa useista kerroksista, joiden taiteker-toimia kasvatetaan asteittain läpinäkyvän elektrodin puolelta toisen elektrodin puolelle taitekertoimen asteittaiseksi muuntamiseksi.
5 On myös selvää, että eri kerrosten ja kalvojen val mistukseen käytettäviä materiaaleja voidaan vaihdella tilanteen mukaan.
Claims (17)
1. Ohutkalvo-elektroluminenssi (EL) -laite, joka muodostuu läpinäkyvästä elektrodista (23), eristekerrokses- 5 ta (24), luminoivasta kerroksesta (21), joka muodostuu isäntämateriaalista sekä siihen lisätystä aktivaattorista ja jossa isäntämateriaali ja aktivaattori ovat läsnä niiden olennaisesti stökiometrisessä koostumuksessa, ja tausta-elektrodista (26), tunnettu siitä, että mainittu 10 luminoiva kerros (21) muodostuu jonomonikiteistä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen ohutkalvo-elektroluminenssi (EL) -laite, tunnettu siitä, että se edelleen käsittää toisen eristävän kerroksen (25) mainitun taustaelektrodin (26) ja mainitun luminoivan kerroksen (21) 15 välissä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen ohutkalvo-EL-laite, tunnettu siitä, että luminoiva kerros (21) on tehty materiaalista, joka muodostuu II-IV yhdisteestä isäntämateriaalina ja aktivaattorista (Im), joka on 20 lisätty isäntämateriaaliin.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen ohutkalvo-EL-laite, tunnettu siitä, että aktivaattori muodostuu yhdestä alkuaineesta.
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen ohutkalvo-EL-lai- 25 te, tunnettu siitä, että aktivaattori muodostuu yhdisteestä.
6. Patenttivaatimuksen 3 mukainen ohutkalvo-EL-lai-te, tunnettu siitä, että luminoiva isäntämateriaali on ZnS.
7. Patenttivaatimuksen 4 mukainen ohutkalvo-EL-lai- te, tunnettu siitä, että aktivaattori on Mn.
8. Patenttivaatimuksen 5 mukainen ohutkalvo-EL-lai-te, tunnettu siitä, että aktivaattori valitaan ryhmästä, johon kuuluu terbiumfluoridi (TbF3), samarium-.35 fluoridi (SmF3) ja ceriumfluridi (CeF3). i. is 8 3 01 3
9. Menetelmä patenttivaatimuksen 1 mukaisen ohutkal-vo-EL-laitteen valmistamiseksi, joka käsittää seuraavat vaiheet: - läpinäkyvän elektrodin (23) muodostaminen; 5. eristekerroksen (24) muodostaminen; - luminoivan kerroksen (21) muodostaminen mainitun eristekerroksen päälle menetelmällä, joka käyttää useampia höyrystyslähteitä, jolloin isäntämateriaali ja aktivaattori höyrystyvät vastaavasti erillisistä höyrystyslähteistä 10 siten, että aktivaattori seostuu isäntämateriaaliin jakautuen tasaisesti siihen; ja - taustaelektrodin (26) muodostaminen, tunnettu siitä, että - luminoiva kerros (21) muodostetaan höyrystämällä 15 isäntämateriaalin muodostavia alkuaineita vastaavasti erillisistä höyrystyslähteistä (12,13,14) siten, että ne yhdistyvät luminoivassa kerroksessa stökiometrisessä koostumuksessa ja muodostavat jonomonikiteitä.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä ohut- 20 kalvo-EL-laitteen valmistamiseksi, tunnettu sii tä, että se käsittää lisävaiheen: - toisen eristekerroksen (25) muodostaminen mainitun luminoivan kerroksen (21) ja mainitun taustaelektrodin (26) väliin.
11. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu menetelmä joka käyttää useampia höyrystyslähteitä suoritetaan 10'3 - 10'7 Torr-in tyhjiössä.
12. Patenttivaatimuksen 9, 10 tai 11 mukainen mene-30 telmä, tunnettu siitä, että isäntämateriaalin stökiometrinen koostumus ja aktivaattorin konsentraatio isäntäaineessa määritetään kontrolloimalla riippumattomasti isäntäaineen muodostavien alkuaineiden määriä ja aktivaattorin muodostavan alkuaineen määrää, jotka höyrystyvät 35 mainituista höyrystyslähteistä (12,13,14). ie 8301 3
13. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen menetelmä valmistaa ohutkalvo-EL-laite, tunnettu siitä, että mainittu vaihe muodostaa luminoivan kerroksen (21) menetelmällä joka käyttää useampia höyrystyslähteitä käsittää 5 vaiheet aikaansaada luminoivan kerroksen isäntäaineen muodostavia ensimmäisten alkuaineiden höyrystymisen vastaavasti erillisistä höyrystyslähteistä, ja aktivaattorin muodostavan toisen alkuaineen tuottamisen, ja ensimmäisten ja toisen alkuaineiden laskeutumisen siten, että mainitut 10 ensimmäiset alkuaineet yhdistyvät ja mainittu toinen alkuaine seostuu yhdistettyihin ensimmäisiin alkuaineisiin mainitun läpinäkyvän elektrodin (23) pinnalle.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu menetelmä joka käyt- 15 tää useampia höyrystyslähteitä suoritetaan 10'3 - 10"7 Torr-in tyhjiössä.
14 83013
15. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että isäntämateriaalin stökiometri-nen koostumus ja aktivaattorin konsentraatio isäntäaineessa 20 määritetään kontrolloimalla riippumattomasti mainituista höyrystyslähteistä höyrystyvien mainittujen ensimmäisten ja toisen alkuaineiden määrää.
16. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu toinen alkuaine höy- 25 rystetään erikseen erillisestä höyrystyslähteestä.
17. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että luminoiva kerros muodostetaan jonomonikiteitä käsittäväksi kerrokseksi. li 17 83013
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001883A JPH0668999B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP188386 | 1986-01-08 | ||
| JP61013472A JPH0766856B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP1347286 | 1986-01-24 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI870066A0 FI870066A0 (fi) | 1987-01-08 |
| FI870066A FI870066A (fi) | 1987-07-09 |
| FI83013B true FI83013B (fi) | 1991-01-31 |
| FI83013C FI83013C (fi) | 1991-05-10 |
Family
ID=26335173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI870066A FI83013C (fi) | 1986-01-08 | 1987-01-08 | Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US4794302A (fi) |
| EP (2) | EP0421494B1 (fi) |
| KR (1) | KR0132785B1 (fi) |
| DE (2) | DE3751206T2 (fi) |
| FI (1) | FI83013C (fi) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1221924B (it) * | 1987-07-01 | 1990-08-23 | Eniricerche Spa | Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione |
| US5194290A (en) * | 1987-12-31 | 1993-03-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of making a single layer multi-color luminescent display |
| US5372839A (en) * | 1988-05-13 | 1994-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electroluminescent film |
| US4929841A (en) * | 1988-09-26 | 1990-05-29 | Hughes Aircraft Company | Dynamic infrared target |
| JPH0793193B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1995-10-09 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2833282B2 (ja) * | 1991-08-20 | 1998-12-09 | 富士電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 |
| US5300316A (en) * | 1991-12-11 | 1994-04-05 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of forming thin oxysulfide film |
| JPH05315075A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法 |
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| US5569486A (en) * | 1992-12-25 | 1996-10-29 | Nippondenso Co., Ltd | Electroluminescence element and process for fabricating same |
| US6358632B1 (en) | 1998-11-10 | 2002-03-19 | Planar Systems, Inc. | TFEL devices having insulating layers |
| JP4252665B2 (ja) | 1999-04-08 | 2009-04-08 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | Ｅｌ素子 |
| US6771019B1 (en) * | 1999-05-14 | 2004-08-03 | Ifire Technology, Inc. | Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties |
| WO2001081012A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-01 | Add-Vision, Inc. | Screen printing light-emitting polymer patterned devices |
| WO2002017689A1 (fr) | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Afficheur electroluminescent organique |
| KR100353540B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2002-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
| US6610352B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-08-26 | Ifire Technology, Inc. | Multiple source deposition process |
| TW534878B (en) * | 2002-06-07 | 2003-06-01 | Exon Science Inc | Thin-film character display |
| AUPS327002A0 (en) * | 2002-06-28 | 2002-07-18 | Kabay & Company Pty Ltd | An electroluminescent light emitting device |
| EP1863324A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| TWI386106B (zh) * | 2007-08-06 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 電激發光元件 |
| TWI477824B (zh) | 2011-12-27 | 2015-03-21 | Asahi Kasei E Materials Corp | Optical substrate and light emitting device |
| JPWO2013154150A1 (ja) | 2012-04-13 | 2015-12-17 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光素子用光抽出体及び発光素子 |
| JP5889730B2 (ja) | 2012-06-27 | 2016-03-22 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| KR101750398B1 (ko) | 2014-01-02 | 2017-06-23 | 삼성전자주식회사 | 광산란층 제조 방법 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB129254A (en) * | 1918-07-03 | 1920-02-26 | Benjamin Electric Ltd | Improvements in or relating to Electric Switches. |
| SE348216B (fi) * | 1968-08-12 | 1972-08-28 | Western Electric Co | |
| JPS5210358A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-26 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of producing floor tile |
| US4020389A (en) * | 1976-04-05 | 1977-04-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrode construction for flexible electroluminescent lamp |
| JPS548080A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-22 | Kiyookura Kk | Food container made of synthetic resin and method of packing food by container made of synthetic resin |
| JPS5910033B2 (ja) * | 1980-05-19 | 1984-03-06 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| FI61983C (fi) * | 1981-02-23 | 1982-10-11 | Lohja Ab Oy | Tunnfilm-elektroluminensstruktur |
| FI62448C (fi) * | 1981-04-22 | 1982-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminensstruktur |
| US4455506A (en) * | 1981-05-11 | 1984-06-19 | Gte Products Corporation | Contrast enhanced electroluminescent device |
| JPS5855635A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 換気扇用煙検知器 |
| JPS5871589A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| FI64878C (fi) * | 1982-05-10 | 1984-01-10 | Lohja Ab Oy | Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer |
| US4602189A (en) * | 1983-10-13 | 1986-07-22 | Sigmatron Nova, Inc. | Light sink layer for a thin-film EL display panel |
| DE3476624D1 (en) * | 1983-10-25 | 1989-03-09 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS60124397A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | コーア株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
| US4508610A (en) * | 1984-02-27 | 1985-04-02 | Gte Laboratories Incorporated | Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors |
| US4617195A (en) * | 1984-03-26 | 1986-10-14 | Microlite, Inc. | Shielded electroluminescent lamp |
| US4775549A (en) * | 1984-12-19 | 1988-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing a substrate structure for a large size display panel and an apparatus for producing the substrate structure |
| US4693906A (en) * | 1985-12-27 | 1987-09-15 | Quantex Corporation | Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making |
-
1986
- 1986-12-30 US US06/947,782 patent/US4794302A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-01-07 EP EP90125792A patent/EP0421494B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-07 EP EP87100094A patent/EP0229627B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-07 DE DE3751206T patent/DE3751206T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-07 DE DE8787100094T patent/DE3777664D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-08 FI FI870066A patent/FI83013C/fi not_active IP Right Cessation
- 1987-01-08 KR KR1019870000081A patent/KR0132785B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-10-28 US US07/269,930 patent/US5006365A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-31 US US07/648,111 patent/US5133988A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4794302A (en) | 1988-12-27 |
| DE3751206D1 (de) | 1995-05-04 |
| FI870066A (fi) | 1987-07-09 |
| US5133988A (en) | 1992-07-28 |
| FI870066A0 (fi) | 1987-01-08 |
| US5006365A (en) | 1991-04-09 |
| KR0132785B1 (ko) | 1998-04-20 |
| EP0421494A2 (en) | 1991-04-10 |
| EP0421494A3 (en) | 1991-12-18 |
| KR870007578A (ko) | 1987-08-20 |
| EP0421494B1 (en) | 1995-03-29 |
| DE3777664D1 (de) | 1992-04-30 |
| DE3751206T2 (de) | 1995-08-10 |
| FI83013C (fi) | 1991-05-10 |
| EP0229627A3 (en) | 1988-04-13 |
| EP0229627A2 (en) | 1987-07-22 |
| EP0229627B1 (en) | 1992-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI83013B (fi) | Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. | |
| US6090434A (en) | Method for fabricating electroluminescent device | |
| EP0111568A1 (en) | Thin film electric field light-emitting device | |
| CA2447626C (en) | Single source sputtering of thioaluminate phosphor films | |
| EP0239120A2 (en) | Method of producing thin film electroluminescent structures | |
| US5200277A (en) | Electroluminescent device | |
| US4508610A (en) | Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors | |
| GB2271022A (en) | A method for manufacturing a thin-film el device | |
| KR20040088035A (ko) | 전계 발광 인광체의 스퍼터 증착 방법 | |
| KR970000428B1 (ko) | 박막 전기 발광(el)소자 및 그 제조방법 | |
| JPH01206594A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| US5300316A (en) | Method of forming thin oxysulfide film | |
| JP3590986B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH01263188A (ja) | タングステン酸カルシウム発光薄膜およびその製造方法 | |
| JP3543414B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| EP0489156A1 (en) | Thin-film el element | |
| JPS6388787A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3941126B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH0668999B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH0845666A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0812970A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| Takata et al. | Crystallinity of emitting layer andelectroluminescence characteristics in multicolour ZnS Thin film electroluminescent device with a thick dielectric ceramic insulating layer | |
| JPS62108496A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0845664A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| Kim et al. | ZnS: TbOF thin films sputter deposited from a single versus separate ZnS and TbOF targets |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO |