FI83013B - Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. - Google Patents

Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. Download PDF

Info

Publication number
FI83013B
FI83013B FI870066A FI870066A FI83013B FI 83013 B FI83013 B FI 83013B FI 870066 A FI870066 A FI 870066A FI 870066 A FI870066 A FI 870066A FI 83013 B FI83013 B FI 83013B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
thin film
activator
luminescent layer
forming
host material
Prior art date
Application number
FI870066A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI870066A (fi
FI870066A0 (fi
FI83013C (sv
Inventor
Takashi Nire
Takehito Watanabe
Original Assignee
Komatsu Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP61001883A external-priority patent/JPH0668999B2/ja
Priority claimed from JP61013472A external-priority patent/JPH0766856B2/ja
Application filed by Komatsu Mfg Co Ltd filed Critical Komatsu Mfg Co Ltd
Publication of FI870066A0 publication Critical patent/FI870066A0/fi
Publication of FI870066A publication Critical patent/FI870066A/fi
Publication of FI83013B publication Critical patent/FI83013B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI83013C publication Critical patent/FI83013C/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
    • C09K11/572—Chalcogenides
    • C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7716—Chalcogenides
    • C09K11/7717—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7744—Chalcogenides
    • C09K11/7745—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7759—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing samarium
    • C09K11/776—Chalcogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Claims (17)

1. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat, vilken bestär av en transparent elektrod (23), ett isoleringsskikt 5 (24), ett luminescerande skikt (21) bestäende av ett värd- material med tillsatt aktivator, och där värdmaterialet och aktivatorn är närvarande i väsentligen deras stökiometriska sammansättning, samt av en bakgrundselektrod (26), k ä n-netecknad därav, att det nämnda luminescerande 10 sklktet (21) bestär av kolumnpolykristaller.
2. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att det omfattar ytterligare ett andra isoleringsskikt (25) mellan nämnda bakgrundselektrod (26) och nämnda luminescerande 15 skikt (21).
3. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 1 eller 2, kännetecknad därav, att det luminescerande sklktet (21) är gjort av ett material, som bestär av en II-IV- förening som värdmaterial och 20 av en aktivator (Im), som är tillsatt i värdmaterialet.
4. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 3, kännetecknad därav, att aktivatorn bestär av ett grundämne.
5. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt 25 patentkravet 3, kännetecknad därav, att akti vatorn bestär av en förening.
6. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 3, kännetecknad därav, att det luminescerande värdmaterialet är ZnS.
7. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att aktivatorn bestär av Mn.
8. Tunnfilm-elektroluminescens (EL) -apparat enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att akti-35 vatorn väljs ur en grupp, tili vilken hör terbiumfluorid ie 8301 3 (TbF3), samariumfluorid (SmF3) och ceriumfluorid (CeF3).
9. Förfarande för framställning av en tunnfilm-EL-apparat enligt patentkravet 1, omfattande följande skeden: - bildande av en transparent elektrod (23); 5. bildande av ett isoleringsskikt (24); - bildande av ett lumlnescerande skikt (21) pd nämn-da Isoleringsskikt medelst ett förfarande, som utnyttjar flera vaporiserlngskällor, varvid värdmaterial och aktiva-tor vaporiseras frdn respektlve separata vaporiseringskäl- 10 lor sd, att aktivatorn blandas jämnt fördelad 1 värdmate-rialet; och - bildande av en bakgrundselektrod (26), kännetecknat därav, att - det lumlnescerande sklktet (21) blldas genom vapo-15 risera grundämnen som bildar vdrdmaterialet frdn respektlve separata vaporlserlngskällor (12,13,14) sd, att de komblne-ras 1 det lumlnescerande sklktet 1 en stökiometrisk samman-söttning och bildar kolumnpolykrlstaller.
10. Förfarande enligt patentkravet 9 för framställ-20 ning av en tunnfilm-EL-apparat, kännetecknat därav, att det omfattar tilläggsskedet: - bildande av ett andra Isoleringsskikt (25) mellan nämnda lumlnescerande skikt (21) och nämnda bakgrundselektrod (26). 25
11. Förfarande enligt patentkravet 9 eller 10, kännetecknat därav, att nämnda förfarande som utnyttjar flera vaporlserlngskällor utförs i ett vakuum om 10*3 - 10'7 Torr.
12. Förfarande enligt patentkravet 9, 10 eller 11, 30 kännetecknat därav, att värdmaterialets stö-kiometriska sammansättning och aktivatorns koncentration 1 värdmaterialet bestäms genom att oberoende kontrollera mängderna av grundämnen som bildar värdmaterialet och mäng-den av det grundämne som bildar aktivatorn, vilka vapo-35 riseras frän de nämnda vaporiseringskällorna (12,13,14). I) i9 8 ό 01 3
13. Förfarande för att framställa en tunnfilms-EL-apparat enligt patentkravet 9 eller 10, känneteck- n a t därav, att det nämnda skedet att bilda ett lumines-cerande skikt (21), medelst ett förfarande som utnyttjar 5 flera vaporiseringskällor, omfattar stegen att ästadkomma vaporisering av ett första antal grundämnen som bildar värdmaterialet frän respektive separata vaporiseringskäl-lor, och att ästadkomma ett andra grundämne som bildar aktivatorn, och deposition av de första grundämnena och det 10 andra grundämnet sä, att de nämnda första grundämnena kom-bineras och det nämnda andra grundämnet blandas med de kom-binerade första grundämnena pä den nämnda transparenta elektroden (23).
14. Förfarande enligt patentkravet 13, känne- 15 tecknat därav, att nämnda förfarande som utnyttjar flera vaporiseringskällor utförs i ett vakuum om 10'3 -10*7 Torr.
15. Förfarande enligt patentkravet 13, känne-tecknat därav, att värdmaterialets stökiometriska 20 sammansättning och aktivatorns koncentration i värdmaterialet bestäms genom att oberoende kont roller a mängderna av de första grundämnena och det andra grundämnet vilka vapo-riseras frän de nämnda vaporiseringskällorna.
16. Förfarande enligt patentkravet 13, känne- 25 tecknat därav, att det nämnda andra grundämnet vaporiseras separat frän en separat vaporiseringskälla.
17. Förfarande enligt patentkravet 13, känne-tecknat därav, att det luminescerande skiktet bil- das tili ett skikt omfattande kolumnpolykristaller. 30
FI870066A 1986-01-08 1987-01-08 Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och förfarande för dess frams tällning FI83013C (sv)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP188386 1980-12-26
JP61001883A JPH0668999B2 (ja) 1986-01-08 1986-01-08 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法
JP61013472A JPH0766856B2 (ja) 1986-01-24 1986-01-24 薄膜ｅｌ素子
JP1347286 1986-01-24

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI870066A0 FI870066A0 (fi) 1987-01-08
FI870066A FI870066A (fi) 1987-07-09
FI83013B true FI83013B (fi) 1991-01-31
FI83013C FI83013C (sv) 1991-05-10

Family

ID=26335173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI870066A FI83013C (sv) 1986-01-08 1987-01-08 Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och förfarande för dess frams tällning

Country Status (5)

Country Link
US (3) US4794302A (sv)
EP (2) EP0421494B1 (sv)
KR (1) KR0132785B1 (sv)
DE (2) DE3777664D1 (sv)
FI (1) FI83013C (sv)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1221924B (it) * 1987-07-01 1990-08-23 Eniricerche Spa Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione
US5194290A (en) * 1987-12-31 1993-03-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of making a single layer multi-color luminescent display
US5372839A (en) * 1988-05-13 1994-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Process for preparing an electroluminescent film
US4929841A (en) * 1988-09-26 1990-05-29 Hughes Aircraft Company Dynamic infrared target
JPH0793193B2 (ja) * 1990-05-30 1995-10-09 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子の製造方法
JP2833282B2 (ja) * 1991-08-20 1998-12-09 富士電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法
US5300316A (en) * 1991-12-11 1994-04-05 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method of forming thin oxysulfide film
JPH05315075A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5569486A (en) * 1992-12-25 1996-10-29 Nippondenso Co., Ltd Electroluminescence element and process for fabricating same
US6358632B1 (en) 1998-11-10 2002-03-19 Planar Systems, Inc. TFEL devices having insulating layers
JP4252665B2 (ja) * 1999-04-08 2009-04-08 アイファイヤー アイピー コーポレイション Ｅｌ素子
US6771019B1 (en) * 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
AU2001259187A1 (en) 2000-04-27 2001-11-07 Add-Vision, Inc. Screen printing light-emitting polymer patterned devices
US6963168B2 (en) 2000-08-23 2005-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices
KR100353540B1 (ko) * 2000-12-11 2002-09-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
US6610352B2 (en) * 2000-12-22 2003-08-26 Ifire Technology, Inc. Multiple source deposition process
TW534878B (en) * 2002-06-07 2003-06-01 Exon Science Inc Thin-film character display
AUPS327002A0 (en) * 2002-06-28 2002-07-18 Kabay & Company Pty Ltd An electroluminescent light emitting device
EP1863324A1 (en) 2006-06-02 2007-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
TWI386106B (zh) * 2007-08-06 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 電激發光元件
TWI477824B (zh) 2011-12-27 2015-03-21 Asahi Kasei E Materials Corp Optical substrate and light emitting device
KR20140138886A (ko) 2012-04-13 2014-12-04 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 반도체 발광 소자용 광추출체 및 발광 소자
JP5889730B2 (ja) 2012-06-27 2016-03-22 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
KR101750398B1 (ko) 2014-01-02 2017-06-23 삼성전자주식회사 광산란층 제조 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB129254A (en) * 1918-07-03 1920-02-26 Benjamin Electric Ltd Improvements in or relating to Electric Switches.
SE348216B (sv) * 1968-08-12 1972-08-28 Western Electric Co
JPS5210358A (en) * 1975-07-15 1977-01-26 Matsushita Electric Works Ltd Method of producing floor tile
US4020389A (en) * 1976-04-05 1977-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrode construction for flexible electroluminescent lamp
JPS548080A (en) * 1977-06-17 1979-01-22 Kiyookura Kk Food container made of synthetic resin and method of packing food by container made of synthetic resin
JPS5910033B2 (ja) * 1980-05-19 1984-03-06 日本電信電話株式会社 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法
FI61983C (fi) * 1981-02-23 1982-10-11 Lohja Ab Oy Tunnfilm-elektroluminensstruktur
FI62448C (fi) * 1981-04-22 1982-12-10 Lohja Ab Oy Elektroluminensstruktur
US4455506A (en) * 1981-05-11 1984-06-19 Gte Products Corporation Contrast enhanced electroluminescent device
JPS5855635A (ja) * 1981-09-30 1983-04-02 Matsushita Electric Works Ltd 換気扇用煙検知器
JPS5871589A (ja) * 1981-10-22 1983-04-28 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
US4602189A (en) * 1983-10-13 1986-07-22 Sigmatron Nova, Inc. Light sink layer for a thin-film EL display panel
EP0141116B1 (en) * 1983-10-25 1989-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film light emitting element
JPS60124397A (ja) * 1983-12-08 1985-07-03 コーア株式会社 エレクトロルミネツセンス素子
US4508610A (en) * 1984-02-27 1985-04-02 Gte Laboratories Incorporated Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors
US4617195A (en) * 1984-03-26 1986-10-14 Microlite, Inc. Shielded electroluminescent lamp
US4775549A (en) * 1984-12-19 1988-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing a substrate structure for a large size display panel and an apparatus for producing the substrate structure
US4693906A (en) * 1985-12-27 1987-09-15 Quantex Corporation Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making

Also Published As

Publication number Publication date
US5006365A (en) 1991-04-09
DE3751206D1 (de) 1995-05-04
EP0421494A2 (en) 1991-04-10
FI870066A (fi) 1987-07-09
FI870066A0 (fi) 1987-01-08
EP0421494B1 (en) 1995-03-29
EP0229627B1 (en) 1992-03-25
EP0421494A3 (en) 1991-12-18
US5133988A (en) 1992-07-28
EP0229627A2 (en) 1987-07-22
US4794302A (en) 1988-12-27
KR870007578A (ko) 1987-08-20
EP0229627A3 (en) 1988-04-13
KR0132785B1 (ko) 1998-04-20
FI83013C (sv) 1991-05-10
DE3777664D1 (de) 1992-04-30
DE3751206T2 (de) 1995-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI83013B (fi) Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning.
US6090434A (en) Method for fabricating electroluminescent device
EP0111568A1 (en) Thin film electric field light-emitting device
CA2447626C (en) Single source sputtering of thioaluminate phosphor films
US4877994A (en) Electroluminescent device and process for producing the same
EP0239120A2 (en) Method of producing thin film electroluminescent structures
US5200277A (en) Electroluminescent device
US4508610A (en) Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors
GB2271022A (en) A method for manufacturing a thin-film el device
KR970000428B1 (ko) 박막 전기 발광(el)소자 및 그 제조방법
JPH01206594A (ja) 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法
US5300316A (en) Method of forming thin oxysulfide film
JP3590986B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPH01263188A (ja) タングステン酸カルシウム発光薄膜およびその製造方法
JP3543414B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
EP0489156A1 (en) Thin-film el element
JPS6388787A (ja) 薄膜ｅｌ素子の製造方法
JP3941126B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH0668999B2 (ja) 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法
JPH0845666A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JPH0812970A (ja) Ｅｌ素子の製造方法
Takata et al. Crystallinity of emitting layer andelectroluminescence characteristics in multicolour ZnS Thin film electroluminescent device with a thick dielectric ceramic insulating layer
JPS62108496A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JPH0845664A (ja) 薄膜ｅｌ素子の製造方法
Kim et al. ZnS: TbOF thin films sputter deposited from a single versus separate ZnS and TbOF targets

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO