KR970000428B1 - 박막 전기 발광(el)소자 및 그 제조방법 - Google Patents

박막 전기 발광(el)소자 및 그 제조방법

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KR970000428B1
KR970000428B1 KR1019950034085A KR19950034085A KR970000428B1 KR 970000428 B1 KR970000428 B1 KR 970000428B1 KR 1019950034085 A KR1019950034085 A KR 1019950034085A KR 19950034085 A KR19950034085 A KR 19950034085A KR 970000428 B1 KR970000428 B1 KR 970000428B1
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다카시 니레
다케히토 와타나베
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가부시끼가이샤 고마쮸 세이사쿠쇼
노가와 쇼지
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Abstract

내용 없음.

Description

박막 전기 발광(EL)소자 및 그 제조방법
제1도는 본 발명의 구체적 실시예를 나타내는 박막 EL(Electroluminescent : 전기발광) 소자의 발광층의 결정 구조를 나타낸다.
제2도는 본 발명에 따른 발광층을 형성하는 방법의 원리를 나타내는 다이아그램이다.
제3도는 본 발명에 따른 박막 EL소자의 한 구체적 실시예를 나타내는 측면도이다.
제4도는 제3도에 나타낸 소자의 등가 회로를 나타낸다.
제5a-5e도는 제3도에 나타낸 소자를 제조하는 연속적인 단계를 나타내는 측면도이다.
제6a-6b도는 본 발명에 따른 박막 EL소자와 종래 기술의 EL소자의 발광층의 X-레이 회절결과를 나타내는 그래프이다.
제7도는 본 발명와 종래기술의 박막 EL소자의 전압-휘도 특성을 비교한 그래프이다.
제8도는 본 발명의 변경된 또 다른 구체적 실시예를 나타내는 측면도이다.
제9도는 제10도에 나타낸 박막 EL소자와 종래 기술의 박막 EL소자의 휘도-전압 특성을 비교한 그래프이다.
제10도는 종래 기술의 박막 EL소자의 발광층을 제조하는 방법의 원리를 나타낸다.
제11도는 종래 기술의 발광층의 결정구조를 나타내는 것이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11 : 진공챔버 2 : 펠레트(pellet)
3 : 전자총 4 : 전자빔
5,15,31 : 기판 12,13,14 : 도가니
21 : 발광층 22 : 유리기판
22,32 : 투명 전극 24,34 : 제 1 절연층
25,36 : 제 2 절연층 26 : 배면(back)전극
33 : 제 3 절연층
본 발명은 박막 EL(Electroluminescent : 전기 발광)소자, 특히 고휘광도의 저압 구동 박막 EL소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 황화아연(ZnS)형태의 형광물질의 파우다를 사용하는 종래기술의 분산형 전기 발광소자는 낮은 휘도 때문에 조명원으로 사용될 수가 없었다.
따라서 최근에는 박막 EL소자가 높은 휘도 때문에 각광을 받게 되었다. 박막 EL소자는 외부로부터 입사되는 빛 또는 내부 발광층에 의해 방출되는 빛의 산란을 방지하여 분산이나 흐림(blur)을 줄이고 명암이 정확히 분리되는 정확한 상을 제공해 주는 투명한 필름으로 제조된 발광층을 포함하기 때문에 차량, 컴퓨터 단말기등의 표시장치 및 조명원으로 널리 사용되고 있다.
예를 들어, Mn을 ZnS중의 발광중심으로서 사용한 박막 EL소자의 기본구조는 투광성의 기판위에 이산화주석(SnO2)층으로된 투명 전극과, 제 1 절연층, ZnS를 주물질로 이용하고 발광중심 불순물을 Mn으로 한 결정박막 즉, ZnS : Mn박막으로된 발광층, 제 2 절연층, 및 알루미늄 또는 그와 유사한 것으로된 배면전극(back electrode)이 투명기판위에 차례로 입혀져있다.
발광과정은 다음과 같다. 상기 투명 전극 및 배면 전극 사이에 전압을 인가하면 발광층 내에 유기된 전계에 의해서 계면준위에 트랩되어 있던 전자가 방출되고 가속되어 충분한 에너지를 얻고 이 전자가 Mn(발광중심)의 궤도전자에 충돌해서 이것을 여기한다. 그리고 여기된 발광 중심이 기저상태로 돌아올 때 빛이 방출된다.
일본특허공보 제10358/1978 및 8080/1979에 나타나 있는 것처럼 종래 박막 EL소자에서는 통상 전술한 바와 같이 ZnS : Mn등의 발광층을 형성할 때 전자빔 증착법을 이용하였다. 이것은 제10도에 나타낸 바와 같이 진공챔버(1)내에서 ZnS와 0.1-1at.%의 Mn을 서로 혼합하고 소결시켜 형성된 펠레트(2)를 전자층(3)에서 방출되는 전자빔(4)으로 조사함으로써 그 펠레트를 가열시키고 증발시켜서 이것을 기판(5)위에 퇴적시키는 것이다.
그러나 이 방법으로는 발광층의 주물질의 증기압, 주물질을 구성하는 원소의 증기압 및 발광중심 불순물의 증기압 (예를 들어, PZnS, PZn, PS, PMn)이 크게 다르기 때문에(PZnS＜PMn＜PZn＜PS) 증발의 방법이 균일하지 않다거나 일단 기판에 부착한 원소가 재증발 함으로써 필름이 형성된 발광층의 주물질이 화학양론적 조성에서 벗어나 결정성이 나빠지거나 발광중심 불순물의 분포가 균일하지 않게 되는 등의 불편한 점이 있었다. 상기 내용중 PZnS, PMn, PZn, PS는 각각 ZnS, Mn, Zn, S의 증기압을 나타낸다. 따라서 제11도에 나타낸 것처럼, 전자빔 증착방법에 의해 생성된 발광층은 미세한 입자상태의 다결정 구조를 가지고 있거나 또는 성장의 초기단계에서 많은 작은 결정입자가 형성되는 즉, 소위 데드레이어(dead layer)가 존재하는 구조였다.
그러한 발광층을 이용하는 박막 EL소자에서는, 외부로부터 인가된 전계에 의해 가속된 발광층에 있는 전자(E)가 발광중심 불순물(Im)에 충돌하여 발광에 기여하기전에 결정성 입자의 경계면(B)에서 전자가 산란된다. 따라서, 외부로부터 인가된 전계는 효과적으로 발광에 기여할 수 없게 된다. 발광층에 의해 방출되는 빛을 효과적으로 유도하는 것은 발광 효율을 높이는데 중요한다. 발과층으로부터 빛을 효과적으로 유도해 내기 위하여, 제1유전체의 굴절율 및 필름두께를 조절하는 방법이 예를 들어 일본특허공보 제55635/1983에 제시되어 있다. 그런데 이러한 박막 EL소자의 회로는 제 1 절연층(24), 발광층(21) 및 제 2 절연층(25)으로 구성된 세개의 직렬로 연결된 캐패시터(제4도 참조)로 나타낼 수 있다.
따라서, 제1 및 제 2 절연층의 유전상수 εr1과 εr2가 발광층의 유전상수 ε1보다 충분히 클 때 즉, εr1, εr2 ≫ε1일 때 용량(capacitance) Cr1, Cr2 및 C1이 Cr1, Cr2≫C1의 관계가 되므로 외부로부터 인가된 전압의 거의 대부분이 발광층에 걸리게 되어 낮은 구동 전압으로 높은 휘도를 얻을 수 있다. 구동 전압을 감소시키기 위해, 큰 유전상수를 가진 물질로 제 1 절연층을 만드는 것이 좋다. 그러나 유전상수가 큰 물질이 사용되는 경우, 제 1 유전체층 및 투명 전극과의 경계면에서의 반사율이 크게 되어 발광층으로 부터의 빛을 효과적으로 유도해 낼 수 없다는 것이 곤란하였다. 이러한 이유 때문에 20ft-L의 실용적인 휘도를 얻기 위하여 이러한 구조의 박막 EL소자에서는 200V정도의 고압을 가해주는 것이 필요하다.
따라서 본 발명의 목적은 고휘도를 얻을 수 있고 저압으로 구동될 수 있는 새로운 박막 EL소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 투명 전극, 절연층, 주상(柱狀)결정으로된 발광층 및 배면 전극이 적층된 박막 EL소자가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광층의 주물질 즉 주물질의 원소와 발광층의 발광중심 불순물을 복수개의 분리된 증발원으로부터 증발시키고, 증발된 주물질 즉 원소 그 자체와 증발된 발광중심의 불순물 또는 그 원소가 기판상에서 결합되도록 퇴적시키는 단계로 구성되고 기판, 투명 전극, 절연층, 발광층 및 배면 전극을 적층시키는 것을 포함하는 박막 EL소자의 제작 방법을 제공한다.
간단히 말해, 본 발명에서는 주상 다결정성막(column polycry stalline film)이 박막 EL소자의 발광층에 사용된다. 또한 발광층의 주물질, 즉 주물질의 구성원소와 발광중심의 불순물을 각각 별개의 증발원으로부터 증발시키고 그 증발된 물질은 기판에서 결합된다. 제1도에 나타낸 바와 같이, 주상 다결정을 발광층으로 사용함으로써 발광층에 있는 전자(E)는 외부로부터 걸려진 전장에 의해 가속되고 발광중심 불순물(Im)과 충돌하게 되고 그에 의해 효과적인 발광을 할 수 있게 된다.
제2도에서는 발광층을 형성하기 위하여, 예를 들어 Mn, S 및 Zn같은 주물질 및 발광중심 불순물들이 진공챔버(11)에 있는 별도의 도가니(12)(13)(14)에 넣어지며 상기 진공챔버(11)는 10-3-10-7Torr의 진공으로 유지되고 도가니의 온도는 발광층이 화학양론적 조성을 가질 수 있도록 온도가 조절되도록 각각 독립적으로 콘트롤 된다. 그렇게 하여 발광중심 불순물의 분포가 균일한 주상결정을 다음의 단계에 따라 기판(15)에 석출시킬 수 있다.
예를 들어, 물질 A와 물질 B를 도가니에 넣고 독립된 증발원으로한 다원증착법으로 기판위에 물질 A와 B를 형성하는 경우를 가정하기로 한다.
주어진 온도 TA에서 물질 A의 증기압을 PA라고 하면, 진공챔버에서의 진공도 PO가 PO＞PA일 때, PAS가 기판온도 TS에서 물질 A의 증기압을 나타낼 때 TA가 PAS＞PA의 관계를 만족시키면서 TS＞TA인 TS를 선택함으로써 물질 A가 증발한다 하더라도 기판위에 증착되지 않는다. 반면에, 물질 B가 기판위에 있을 때(PBS＜PO조건하) 온도 TS에서 물질 A, B의 화합물 AB의 증기압 PABS가 PABS＜PO가 도도록 선택될 때 물질 A, B는 기판위에서 서로 반응하여 화합물 AB의 결정이 성장하게 된다. 이때, 기판위에 있는 원소 B(또는 A)가 기판에 입혀지는 원소 A(또는 B)와 결합할 때, 그 원소들은 가장 낮은 포텐셜(potential)을 가진 위치에서 증착하게 되어 단지 어떤 결정 표면만이 성정하고 그에 의해 주상결정을 형성하게 된다.
발광중심 불순물이 화합물로 구성되어 있는 곳에서는 각각 독립된 도가니에 있는 화합물의 각각의 원소를 증발시키고 각각의 원소의 증발양을 독립적으로 조절함으로써 더 효과적인 발광층이 형성될 수 있다. 예를 들면, 발광층의 주물질로 사용된 ZnS의 각각의 구성원소 Zn과 S와 발광중심 불순물 TbF3의 구성원소 Tb 및 F가 독립된 도가니(Zn,S,Tb,TbF3)에 넣어진다. 생성된 발광층이 화학양론적 조성을 가지도록 증발양을 조절하기 위해 도가니들의 온도가 독립적으로 조절될 때, 기판위에 균일한 발광중심 불순물의 분포를 가지는 주상결정을 증착시키는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 따른 투명 전극, 제 1 절연층, 발광층, 제 2 절연층 및 배면 전극을 기판위에 차례로 적층시켜 형성된 박막 EL소자에서는 제 3 절연층이 투명 전극과 제 1 절연층 사이에 끼워 넣어질 수 있고 제 3 절연층은 투명 전극과 제 1 절연층의 굴절율의 중간의 굴절율을 가진다.
이러한 구조에서는, 제 1 절연층의 유전상수를 감소시키지 않고 제 1 절연층과 투명 전극 사이의 경계면에서 굴절율을 감소 시킬수 있다. 결과적으로 반사를 감소시킬수 있고 그에 의해 발광층으로부터 빛을 효과적으로 유도해 낼 수 있게 된다.
예를 들면, 투명 전극의 굴절율을 n0=2, 제 1 절연층의 굴절율을 n2=1로 나타내고 굴절율 n1=3을 가지는 제 3 절연층을 투명 전극과 제 1 절연층 사이에 끼워 넣을 때, 투명 전극과 제 3 절연층 사이의 반사율 R1는 플레즈넬 법칙에 따라 다음과 같이 표현된다.
제 3 절연층 및 제 1 절연층 사이의 반사율은 다음과 같이 나타내어진다.
결과적으로 총 반사율은 6%가 되고 투과율(transmission efficiency)은 94%가 된다. 반면에 제 3 절연층이 없으면, 투명 전극과 제 1 절연층 사이의 반사율은 다음과 같이 나타내어진다.
따라서 투과율은 89%가 된다. 상기 투과율들을 비교해 보면 투과율이 제 3 절연층을 넣음으로서 크게 향상된다는 것을 알 수 있다.
제3도의 구체적 실시예는 라미네이트로된 구조를 나타내며 여기에는 발광층(21)이 발광중심 불순물로써 작용하는 0.4at.%의 Mn을 포함하는 주물질 ZnS(이후는 단지 ZnS : 0.4at.% Mn으로 나타낸다)로 만들어진 주상 다결정 구조로 되어 있는 5000Å의 두께의 얇은층으로 만들어져 있다.
좀더 자세히 보면 1미크론의 두께를 가진 투명한 유기 기판(22)위에 0.3미크론의 두께를 가지고 이산화주석(SnO2)으로 만들어진 투명 전극(23), 0.5미크론의 두께를 가지고 오산화탄탈(Ta2O5)로 만들어진 제 1 절연층(24), 0.5미크론의 두께를 가지고 Ta2O5로 만들어진 제 2 절연층(25), 및 0.5미크론의 두께를 가지고 알루미늄 필름으로된 배면전극(26)이 차례로 적층되어 있다. 제4도에 나타낸 바와 같이, 이 박막 EL소자의 등가회로는 제 1 절연층(24), 발광층(21) 및 제 2 절연층(25)으로 각각 구성된 세개의 직렬연결된 캐패시터로 나타내어 질 수 있다.
이하 박막 EL소자의 제조방법을 서술한다. 제5a도에 나타낸 바와 같이, SnO2로 구성된 투명 전극(23)이 투명한 유리기판에 스퍼터링에 의해 형성된다. 그 다음 제5b도에 나타낸 바와 같이, Ta2O5로 구성된 제 1 절연층(24)이 투명 전극(23)위에 스퍼터링에 의해 형성된다.
그 다음 제2도에 나타낸 것과 같은 증착장치를 사용하여 Zn, S, Mn를 분리된 도가니에 넣고 진공챔버에서의 진공도를 10-5Torr로 유지한다. 그 다음 세개의 도가니(12)(13)(14)의 온도를 형성되는 발광층이 화학양론적 조성이 되도록 독립적으로 온도조정을 하면서 전술한 Zn, S, Mn을 가열, 증발 시키는 동시에 그 유리기판(15)의 온도 TS를 100-1000℃의 적절한 범위에서 설정함으로써 발광중심 불순물(Mn)이 균일하게 분포하는 ZnS성분의 주상다결정으로된 발광층이 석출된다(제5c도 참조).
그 후 제5d도에서 나타낸 바와 같이 스퍼터링법으로 Ta2O5로 구성된 제 2 절연층이 발광층(21)에 증착된다.
마지막으로 제5e에 나타낸 것처럼 알루미늄 필름을 진공 증착법으로 증착시키고 석판광부식공정(lithophoto-ething process)으로 모형을 만들어 배면전극(26)을 형성한다.
이상과 같이 형성된 박막 EL소자의 발광층은 제6a도에 나타낸 X-레이 회절의 결과로 알 수 있는 것처럼 우수한 결정성 성질을 가지고 있다. 비교를 위해 종전기술의 전자빔 증착방법에 의해 형성된 ZnS : Mn층의 X-레이 회절결과를 제6b도에 나타내었다. 제6a도 및 제6b도에 나타낸 특성을 비교해 보면 본 발명의 방법에 의해 형성된 발광층이 더 좋은 결정성을 가진다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 의한 박막 EL소자는 전극 및 배면 전극을 가로질러 AC전계 걸어줌으로서 작동되며 제7도에 그 전압-휘도 특성곡선(a)을 종전기술의 박막 EL소자의 전압-휘도 특성곡선(b)과 같이 나타내었다. 이 특성곡선을 비교해 보면 본 발명의 박막 EL소자가 종전기술의 박막 EL소자에 필요한 전압의 절반의 전압으로 같은 휘도를 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 소자에 의해 저압으로 고휘도를 얻을 수 있다는 것이다.
발광층(21)의 유전상수보다 훨씬 큰 유전율을 가진 절연필름, 예를 들어 산화티탄 바륨(BaTiO3)이 제 1 절연층(24)과 제 2 절연층(25)용으로 사용되면 전압-휘도 특성곡선이 제7도의 c로 나타내어지는데 이는 본 발명의 EL소자가 제7도에 있는 곡선 b로 나타낸 종전기술의 얇은 필름으로된 EL소자에 필요한 전압의 1/3 또는 1/4의 전압으로 작동될 수 있다는 것을 보여준다. 제 1 절연층(24), 제 2 절연층(25), 발광층(21)의 비유전율을 각각 εr1, εr2, ε1로 나타내면 이들의 관계는 εr1, εr2≫ε1이 된다(제4도 참조). 따라서 Cr1, Cr2, C1로 나타내어지는 그들의 캐패시턴스의 관계는 Cr1, Cr2≫C1이 되어 외부로부터 EL장치에 갛진 거의 모든 전압은 발광층에만 걸리게 된다. 상기 설명된 바와 같이 본 발명의 박막 EL소자로는 실제 사용에 필요한 20ft-1(foot-Lambert)의 광도를 얻기 위하여는 100V보다 낮은 전압으로 충분하며 매우 실용적이다.
상기 구체적 실시예에서 발광층으로써 ZnS : Mn필름이 사용되었지만 본 발명은 그러한 특정물질로 꼭 국한되지는 않는다. 예를 들면 ZnS : 0.1-1at.% TbF3또는 Zns : 0.1-1at.% SmF3과 같은 다른 주상 다결정물이 사용될수 있으며 여기서 ZnS가 주물질로 사용되고 단지 발광중심 불순물만을 불화텔븀(TbF3) 또는 불화사마륨(SmF3)으로 대치한 것이고, 또 황화칼슘(CaS) : 0.1-1at.% 유로퓸(europium : EU)이나 황화스트론튬(SrS) : 0.1-1at.% 불화세륨(CeF3)과 같은 다른 주상 다결정물도 역시 사용될 수도 있다.
상기 구체적 실시예에서, ZnS : Mn의 주상 다결정 막을 형성하기 위하여 각각 Zn, S, Mn을 넣은 세 개의 도가니가 증착물질 공급원으로써 사용되었지만 ZnS, S, Mn 또는 Zn, S, MnS 또는 등과 같이 그 어떠한 조합도 사용될 수 있다.
TbF3와 같은 화합물이 발광중심 불순물로 사용되는 경우, 주물질의 구성원소 및 발광중심 불순물의 구성원소 및 Zn, S, Tb, TbF3의 화합물이, 발광층의 주물질 및 반응중심 불순물이 화학양론적 조성을 가지고 불순물 농도가 사전 정해진 값을 갖도록 도가니의 온도를 독립적으로 조절함으로써 Zn, S, Tb 및 TbF3를 증발시키기 위해, 독립된 도가니에 넣어질 수 있다. 동시에 기판의 온도는 100-1000℃ 범위에서 적합한 온도로 선택된다(Tb 및 TbF3를 포함하는 도가니의 경우는 100-110℃가 바람직하다). 그러면 활성제 TbF3의 분포가 균일한 ZnS성분의 주상 다결정물로 구성된 발광층이 형성될 수 있으며, 상기 도가니는 개폐될 수 있는 셔터를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 방법으로 일정하고 안정한 농도 분포를 가지는 발광층을 얻을 수 있다.
또한 본 박막 EL소자는 투명 전극 및 배면 전극을 사이에 교류전장을 걸어줌으로서 구동될 수 있으며 종전기술의 EL소자에 필요한 전압의 1/2의 전압으로 같은 밝기를 얻을 수 있다. 즉, 저압으로 고휘도를 얻을 수 있다. 이렇게 하여 에너지 절약형 박막 EL소자가 처음으로 본 발명에 따라 얻어질 수 있다.
제 1 절연층(24)과 투명 전극(23)의 중간 굴절율을 가진 산화이트륨(Y2O3)을 제 3 절연층으로 작용하도록 끼워넣음으로서 제 1 절연층과 투명 전극 사이의 경계면에서의 굴절율의 차이를 줄일 수 있고 따라서 반사도 역시 감소시킬 수 있다. 그에 의해 발광층에 의해 방출되는 빛을 효과적으로 유도해 낼 수 있으며, 따라서 구동전압을 더 감소시킬 수가 있다.
발광중심 불순물은 TbF3로 국한되지 않고 SmF3, Sm2F3, Tb2S3와 같은 다른 화합물도 역시 사용될 수가 있다. 또한 ZnS의 다른 물질도 주물질로 사용될 수가 있다.
상기 구체적 실시예에서 ZnS : TbF3의 주상 다결정막을 제조하기 위하여 각각 Zn, S, Tb, TbF3를 포함하는 네개의 도가니가 증착할 물질의 공급원으로 사용되었지만, 각각 Zn, TbS, TbF3, S를 포함하는 네개의 도가니도 역시 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 박막 EL소자는 광 기록매체로의 입출력 신호의 디스플레이, 조명, 쓰기, 읽기 및 지우기를 위한 광 공급원으로 사용될 수 있다.
제8도에 나타낸 또다른 구체적 실시예에서의 박막 EL소자는 1미크론 두께를 가지는 투명유리기판(31), 3미크론의 두께를 가진 산화주석(SnO2)으로 된 투명 전극(32), 1미크론의 두께를 가진 산화이트륨(Y2O3)으로 된 제 3 절연층(33), 0.1미크론의 두께를 가진 오산화탄탈(Ta2O5)로 된 제 1 절연층(34), 0.5미크론의 두께를 가진 황화아연(ZnS) : 망간(Mn)으로 된 발광층(35), 0.5미크론의 두께를 가진 Ta2O5으로 된 제 2 절연층(36), 및 0.5미크론의 두께를 가진 알루미늄 막으로 된 배면 전극이 적층되어 있다.
상기 박막 EL소자는 투명 전극 및 배면 전극 사이에 인가된 AC전장(electric field)에 의해 구동되며 그 전압-휘도 특성곡선(a)이 제 3 절연층이 없는 종전기술의 박막 EL소자의 전압-휘도 특성곡선(b)과 같이 제9도에 나타나 있다. 이 특성곡선들을 비교해 보면 본 발명의 박막 EL소자가 종전기술의 EL소자보다 고휘도를 가진다는 것을 명백히 알 수 있다. 제9도에는 세로축이 휘도를 나타내고 가로축이 가해진 전압(V)을 나타낸다.
상기한 바와 같이, 제 3 절연층을 끼워넣음으로서 제 1 절연층의 유전상수를 감소시키지 않고 첫 절연층과 투명한 전극 사이의 경계면에서의 굴절율차이를 줄일 수가 있으며 그에 의해 발광층에 의해 방출되는 빛을 효과적으로 유도해 낼 수 있도록 빛 반사가 줄여진다.
상기 구체적 실시예에서는, 제 3 절연층이 단일층 구조로 되어 있지만, 굴절율을 점차적으로 변화시키기 위하여 굴절율이 투명 전극쪽으로부터 제2전극쪽으로 점차적으로 증가하도록 된 다층 구조로 될 수도 있다. 또한 여러 가지층 및 필름을 제조하기 위한 물질도 그에 따라 바뀔수 있다는 것은 자명하다.

Claims (6)

  1. 투명 전극, 절연층, 발광층 및 배면 전극을 구비한 박막 EL소자의 제조 방법에 있어서, 발광층의 형성공정이, 발광층의 모재 또는 모재의 구성 원소와 발광 중심 불순물을, 고체 유황으로 이루어진 증발원을 포함하는 각각 다른 고체로 이루어진 복수의 증발원을 이용하여 증발량을 독립적으로 제어하면서 증발시켜 기판위에서 결합시키는 다원 증착 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광층의 형성공정이, 유황 분자선의 충돌 횟수를 높여 유황 분자가 잔류하여 성장에 기여하도록 10-3Torr 내지 10-7Torr의 진공중에서 발광층의 모재 또는 모재의 구성 원소와 발광중심 불순물을, 고체 유황으로 이루어진 증발원을 포함하는 여러 가지 다른 고체로 이루어진 복수의 증발원으로부터 증발시켜 기판위에서 결합시키는 다원 증착 공정인 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다원 증착 공정이 상기 증발원이 황화아연(ZnS), 황(S) 및 망간(Mn)으로 이루어진 3개의 증발원으로 구성되어 ZnS : Mn발광층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 다원 증착 공정은 상기 증발원이 Zn, S, Mn으로 이루어진 3개의 증발원으로 구성되어 ZnS : Mn발광층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 다원 증착 공정은 상기 증발원이 Zn, S, 황화 망간(MnS)으로 이루어진 3개의 증발원으로 구성되어 ZnS : Mn발광층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조 방법.
  6. 투명 전극, 제 1 절연층과 배면 전극으로 구성된 박막 EL소자에 있어서, 상기 제 1 절연층과 투명 전극사이에, 상기 제 1 절연층과 투명 전극의 중간 굴절률을 가지는 제 3 절연층을 개재시켜 구성된 것을 특징으로 하는 박막 EL소자.
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