FI72410C - Laddningskopplad anordning och förfarande för dess drivande. - Google Patents
Laddningskopplad anordning och förfarande för dess drivande. Download PDFInfo
- Publication number
- FI72410C FI72410C FI780012A FI780012A FI72410C FI 72410 C FI72410 C FI 72410C FI 780012 A FI780012 A FI 780012A FI 780012 A FI780012 A FI 780012A FI 72410 C FI72410 C FI 72410C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- charge
- potential
- input signal
- ccd
- input
- Prior art date
Links
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
- G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76808—Input structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Claims (5)
1. Förfarande för drivande av en sadan av halvledarelement ut~ formad laddningskopplad anordning (CCD) vars överföringsfunktion av en ingängspotentialgrop för ett antal alstrade laddningsbärare i beroende av ingängssignalspänning är relativt olineär i ett första ingängssignalomräde mellan en första signalnivä och en andra signalnivä V2 och relativt lineär i ett andra ingängssignalomräde mel-lan nämnda andra niva V2 och en tredje signalnivä , varvid den första, andra och tredje nivan har successivt högre värden och varvid ett antal laddningsbärare, vilkas antal motsvarar ingängssignalen, leds in i potentialgropen och varvid laddningen som ingär i potentialgropen dras ut och överförs in i potentialgroparna av CCD-halvledarelementens fortsättningskanal längs elementens längd, kännetecknat av följande steg: a) placering av en förladdning i potentialgropen pä en niva som motsvarar antalet laddningsbärare, som skulle alstras som svar pä en ingängssignal som är väsentligen pä nämnda andra signalnivä V2, b) addering av en mängd av laddningsbärare tili förladdningen i potentialgropen, vilka laddningsbärare motsvarar en ingängssignal vars amplitud ligger i omrädet 0. . . (V^-^) , c) förskjutning frän potentialgropen av den laddningsdel som överskrider förladdningssignalen, och d) överföring av nämnda förskjutna laddning längs CCD-halvledar-elementets längd genom att förflytta laddningen i potentialgropar, vilkas kapacitet är väsentligen mindre än ingängspotentialgropens kapacitet, men vilkas kapacitet ändä är tillräcklig för lagring av en laddning som motsvarar den maximala ingängssignalnivän V3“V2*
2. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat därav, att steget, i vilket en mängd av laddningsbärare motsvarar ingängssignalen adderas tili förladdningen, omfattar först addering av en större mängd sädana dylika laddningsbärare tili ingängspotential-gropen och sedan, som svar pä ingängssignalen, förskjutning av ett till-räckligt antal av laddningsbärare frän ingängspotentialgropen, för att lämna i potentialgropen ett antal som motsvarar summan av förladd-ningen och ett tili ingängssignalen proportionellt antal.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US75818477A | 1977-01-10 | 1977-01-10 | |
| US75818477 | 1977-01-10 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI780012A FI780012A (fi) | 1978-07-11 |
| FI72410B FI72410B (fi) | 1987-01-30 |
| FI72410C true FI72410C (sv) | 1987-05-11 |
Family
ID=25050832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI780012A FI72410C (sv) | 1977-01-10 | 1978-01-03 | Laddningskopplad anordning och förfarande för dess drivande. |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5387675A (sv) |
| AU (1) | AU511885B2 (sv) |
| BE (1) | BE862760A (sv) |
| CA (1) | CA1101994A (sv) |
| DE (1) | DE2800893C2 (sv) |
| DK (1) | DK149674C (sv) |
| ES (1) | ES465682A1 (sv) |
| FI (1) | FI72410C (sv) |
| FR (1) | FR2377127A1 (sv) |
| GB (1) | GB1579033A (sv) |
| IT (1) | IT1089179B (sv) |
| NL (1) | NL7800272A (sv) |
| NZ (1) | NZ186177A (sv) |
| PL (1) | PL120630B1 (sv) |
| SE (1) | SE437438B (sv) |
| ZA (1) | ZA7810B (sv) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4158209A (en) * | 1977-08-02 | 1979-06-12 | Rca Corporation | CCD comb filters |
| US4139784A (en) * | 1977-08-02 | 1979-02-13 | Rca Corporation | CCD Input circuits |
| US4217605A (en) * | 1978-08-02 | 1980-08-12 | Rca Corporation | Comb filter employing a charge transfer device with plural mutually proportioned signal charge inputs |
| JPS5528523A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-29 | Toshiba Corp | Signal charge input system for charge transfer element |
| DE2836473A1 (de) * | 1978-08-21 | 1980-03-06 | Siemens Ag | Ccd-eingangsschaltung nach dem fill and spill-prinzip |
| DE3138946A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3986198A (en) * | 1973-06-13 | 1976-10-12 | Rca Corporation | Introducing signal at low noise level to charge-coupled circuit |
| JPS5416838B2 (sv) * | 1973-11-29 | 1979-06-25 |
-
1977
- 1977-01-04 AU AU32166/78A patent/AU511885B2/en not_active Expired
- 1977-12-21 IT IT31058/77A patent/IT1089179B/it active
- 1977-12-28 CA CA293,993A patent/CA1101994A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-01-03 ES ES465682A patent/ES465682A1/es not_active Expired
- 1978-01-03 ZA ZA00780010A patent/ZA7810B/xx unknown
- 1978-01-03 FI FI780012A patent/FI72410C/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-01-04 SE SE7800104A patent/SE437438B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-01-05 GB GB342/78A patent/GB1579033A/en not_active Expired
- 1978-01-09 DK DK8878A patent/DK149674C/da not_active IP Right Cessation
- 1978-01-09 NL NL7800272A patent/NL7800272A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-01-09 JP JP106078A patent/JPS5387675A/ja active Granted
- 1978-01-09 NZ NZ186177A patent/NZ186177A/xx unknown
- 1978-01-09 BE BE184205A patent/BE862760A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-01-10 DE DE2800893A patent/DE2800893C2/de not_active Expired
- 1978-01-10 FR FR7800570A patent/FR2377127A1/fr active Granted
- 1978-01-10 PL PL1978203913A patent/PL120630B1/pl unknown
-
1980
- 1980-10-01 JP JP55138199A patent/JPS5829634B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI780012A (fi) | 1978-07-11 |
| ES465682A1 (es) | 1978-10-01 |
| CA1101994A (en) | 1981-05-26 |
| JPS5387675A (en) | 1978-08-02 |
| PL120630B1 (en) | 1982-03-31 |
| GB1579033A (en) | 1980-11-12 |
| AU511885B2 (en) | 1980-09-11 |
| DE2800893A1 (de) | 1978-07-13 |
| AU3216678A (en) | 1979-07-12 |
| NL7800272A (nl) | 1978-07-12 |
| IT1089179B (it) | 1985-06-18 |
| DK8878A (da) | 1978-07-11 |
| JPS5829634B2 (ja) | 1983-06-23 |
| DE2800893C2 (de) | 1982-10-14 |
| SE7800104L (sv) | 1978-07-11 |
| FI72410B (fi) | 1987-01-30 |
| JPS56142670A (en) | 1981-11-07 |
| DK149674B (da) | 1986-09-01 |
| FR2377127A1 (fr) | 1978-08-04 |
| NZ186177A (en) | 1981-03-16 |
| JPS5649460B2 (sv) | 1981-11-21 |
| DK149674C (da) | 1987-04-13 |
| FR2377127B1 (sv) | 1982-04-30 |
| SE437438B (sv) | 1985-02-25 |
| BE862760A (fr) | 1978-05-02 |
| ZA7810B (en) | 1978-10-25 |
| PL203913A1 (pl) | 1978-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4074302A (en) | Bulk channel charge coupled semiconductor devices | |
| FI72410C (sv) | Laddningskopplad anordning och förfarande för dess drivande. | |
| KR100261347B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그의 구동방법 | |
| CA1090453A (en) | Surface-channel ccd image sensor with buried-channel output register | |
| EP0377959B1 (en) | A method of driving a charge detection circuit | |
| US4903284A (en) | Accordion-type charge-coupled devices | |
| US4819072A (en) | Anti dazzle device for a charge transfer image sensor and an image sensor including such a device | |
| KR910007841B1 (ko) | 전하전송소자 | |
| KR100391890B1 (ko) | 전하전송장치및그구동방법 | |
| US4144526A (en) | Circuit arrangement and operating process for converting an analogue signal into a digital signal | |
| US4377755A (en) | Signal compressor apparatus | |
| US4796071A (en) | Charge coupled device delay line | |
| US4272693A (en) | Analysis circuit for a charge coupled device | |
| KR910006247B1 (ko) | 전하전송소자 | |
| KR100249412B1 (ko) | 전하 결합 장치 | |
| JPS60206382A (ja) | アナログ・アキユムレータ | |
| US5146480A (en) | Sampling an analog signal voltage using fill and spill input in charge transfer device | |
| US5612554A (en) | Charge detection device and driver thereof | |
| US5055931A (en) | Image sensor with high storage capacity per pixel | |
| KR810001711B1 (ko) | 선형 전하 결합소자의 동작방법 | |
| US4891826A (en) | Method of operating a charge-coupled device to reduce spillback | |
| EP0406890B1 (en) | Charge transfer device and its driving method | |
| JP2870046B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| US5204989A (en) | Charge sensing device | |
| US3939364A (en) | Delay line for analogous signals |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed | ||
| MM | Patent lapsed |
Owner name: RCA CORPORATION |