Przedmiotem wynalazku jest sposób sterowania przy¬ rzadem o sprzezeniu ladunkowym i uklad sterowania przyrzadem o sprzezeniu ladunkowym, zwlaszcza uklad wejsciowy tego przyizadu.Znane przyrzady o sprzezeniu ladunkowym (typu CCD) zawieraja podloze i elektrody odizolowane od podloza.Napiecie wielofazowe jest doprowadzane do elektrod z ob¬ szarów dolów potencjalu w podlozu dla magazynowania i rozchodzenia sie sygnalów ladunkowych wzdluz dlugosci kanalu. Przyrzad o sprzezeniu ladunkowym zawiera takze elektrode zródla w podlozu. Elektrody odizolowane od podloza i umieszczone pomiedzy zródlem i kanalem przy¬ rzadu o sprzezeniu ladunkowym sa czule na sygnal wejs¬ ciowy dla sterowania wprowadzaniem ladunku ze zródla Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych nr 3 986 198 z 12.10.1978 uklad do sterowania przyrzadem typu CCD w zasadzie pozbawiony szumów, stosowany do wprowadzania sygnalu ladunkowego do rejestru typu CCD. _Zastosowana technika jest znana jako praca z „napelnia¬ niem i rozplywaniem". Sygnal ladunkowy jest doprowa¬ dzony z elektrody zródla do obszaru, W którym wystepuje pierwszy dól potencjalu, co stanowi czesc cyklu, nazywana jiapelnianiem. Nastepnie dól potencjalu jest czesciowo iikwidowany, na przyklad przez sterowanie zródlem jak -drenem. Podczas tego procesu potencjal wejsciowy jest utrzymywany pomiedzy elektroda, pod która wystepuje -dól potencjalu, i druga elektroda pomiedzy ta elektroda .a zródlem. Ladunek, który pozostaje w obszarze pierwszego 10 15 30 dolu potencjalu, jest funkcja amplitudy sygnalu wejscio¬ wego i jest W zasadzie pozbawiony szumów.Znane jest, ze gdy przyrzad typu CCD jest przyrzadem typu CCD z zagrzebanym kanalem, opisane powyzej dzialanie przyrzadu pomimo, ze pozbawione w zasadzie szumów, powoduje bardziej nieliniowe przetwarzanie sygnalu wejsciowego w ladunek w porównaniu z przetwo¬ rzeniem sygnalu w przypadku przyrzadu typu CCD z ka¬ nalem powierzchniowym.W pewnych zastosowaniach, jak na przyklad w liniach opózniajacych typu CCD, stosowanych do opózniania sygnalów analogowych, takich jak sygnaly wizyjne tele¬ wizji, nieliniowa praca jest bardzo niekorzystna. Pozadane jest, aby linia opózniajaca typu CCD wprowadzala jak najmniejsze zaklócenia do sygnalu analogowego i w tym celu uklad wejsciowy przyrzadu typu CCD powinien pracowac w sposób liniowy.Wazne jest takze, zeby linie opózniajace typu CCD nie zajmowaly obszaru o nadmiarowym ladunku w podlozu pólprzewodnikowym. Przyrzad typu CCD jest zaprojek¬ towany tak, by kanal mial taka szerokosc, a elektrody mialy taka powierzchnie, ze doly potencjalu, które sa wytworzone w odpowiedzi na napiecia wielofazowe, umozliwiaja maga¬ zynowanie w ich obszarach jedynie tyle ladunku, ile moze byc wytworzonego w wyniku doprowadzania sygnalu wejsciowego o najwiekszej spodziewanej amplitudzie (przy zalozeniu kilku praktycznych wartosci wielofazowego napiecia, jak na przyklad 10—12 woltów). Jezeli powierz¬ chnie elektrod przyrzadu typu CCD sa wieksze, oznacza to» ze kazda linia opózniajaca typu CCD jest wieksza a to 120 630wm % kolei oznacza, ze z jednej plytki moze byc uzyskanych mniej takich linii opózniajacych typu CCD (w praktyce w tym samym czasie, na tej samej plytce jest wytwarzanych wiele linii opózniajacych, nastepnie rozdzielanych od siebie w inny sposób). Jest to marnotrastwem i zwieksza koszt 5 kazdej linii. Poza tym linie opózniajace o wiekszej powierz¬ chni maja wieksza pojemnosc i to sprawia, ze sterowanie ich przy wiekszych czestoljiwosciach (za pomoca wielo¬ fazowych napiec o wielkich czestotliwosciach) jest trud¬ niejsze i wymaga wiekszego odprowadzania energii z ob- 10 wodów sterujacych przyrza Technika napelniania i rozplywania jest przedstawiona takze -w biezacych zgloszeniach Stanów Zjednoczonych nr 708-351 % 26.WA97fi oraz nr 708 397 z 26.07.1976..Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze umieszcza 15 sie ladunek polaryzacji w obszarze wejsciowego dolu po¬ tencjalu o poziomie odpowiadajacym liczbie nosników tódtmkurktóre bylyby wytworzone w odpowiedzi na sygnal wejsciowy o drugim poziomie, dodaje sie do ladunku po¬ laryzacji w obszarze wejsciowego dolu potencjalu pewna 20 liczbe nosników ladunku, proporcjonalna do sygnalu wejsciowego, którego amplituda jest w zakresie 0$ aera do róznicy pomiedzy trzecim i drugim poziomem sygnalu, odprowadza sie z obszaru wejsciowego dolu potencjalu jedynie te ozesc ladunku, która jest nadmiarowa wzgledem 25 polaryzacji i przenosi sie odprowadzony ladunek wzdluz dlugosci przyrzadu o sprzezeniu ladunkowym przez roz¬ chodzenie sie ladunku w obszarach dolów potencjalu o pojemnosciach w zasadzie mniejszych niz pojemnosc obszaru wejsciowego dolu potencjalu lecz jeszcze o pojem- 30 nosci wystarczajacej do magazynowanialadunku odpowiada¬ jacego maksymalnemu poziomowi róznicy sygnalów o po¬ ziomie trzecim i drugim.Podczas dodawania do ladunku polaryzacji pewnej liczby nosników ladunku, proporcjonalnej do sygnalu 35 wejsciowego, po pierwsze dodaje sie wieksza liczbe takich nosników ladunku do dolu obszaru wejsciowego potencjalu i nastepnie, w odpowiedzi na sygnal wejsciowy, usuwa sie z obszaru wejsciowego dolu potencjalu wystarczajaca liczbe nosników ladunku dla pozostawienia zmagazynowanej 40 w obszarze dolu potencjalu liczby nosników odpowiadajacej ladunkowi polaryzacji plus liczba z nosników proporcjo¬ nalna do sy&ialu wejsciowego.W ukladzie wedlug wynalazku w czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe obejmuje kanal o szerokosci wiekszej 45 niz dana szerokosc ciaglego kanalu tak, ze pojemnosc ladunkowa obszaru wejsciowego dolu potencjalu jest wieksza niz pojemnosci ladunkowe obszarów poszcze¬ gólnych dolów potencjalu kanalu.W czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe kanal ma 50 szerokosc korzystnie dwukrotnie wieksza od danej szero¬ kosci. Kanal ma szerokosc stopniowo zmniejszajaca sie od czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe do danej szerokosci.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie 55 wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia wykres obrazujacy wytwarzane nosniki ladunku W funkcji wejs¬ ciowego sygnalu napieciowego przy zastosowaniu kon¬ wencjonalnego ukladu do sterowania przyrzadem typu CCD z zagrzebanym (tzn. lezacym w objetosci podloza) 60 kanalem, fig. 2 — widok z góry ukladu do sterowania przyrzadem typu CCD wedlug wynalazku, fig. 3 — prze¬ krój wzdluz linii 3—3 z fig. 2, fig. 4 — przebiegi potencjalu przykladanego do podloza dla wyjasnienia dzialania ukladu z fig. 2 i 3, fig. 5 — przebiegi w czasie, wykorzystywane 65 podczas pracy ukladu z fig. 2 i 3 oraz 6a i 6b — wykresy pomocne w wyjasnieniu dzialania ukladu z fig. 2 i 3.Charakterystyka obrazujaca liczbe wytwarzanych nos¬ ników ladunku w funkcji sygnalu napieciowego w typowym przyrzadzie typu CCD z zagrzebanym kanalem typu n jest pokazana na fig. 1. Plaslp zakres 11 na górze reprezen¬ tuje pojemnosc ladunkowa obszaru wejsciowego dolu potencjalu, przy czym moze wystepowac nieznacznie wiekszy zakres dla kazdego dolu potencjalu wzdluz glów¬ nej czesci kanalu przyrzadu typu CCD. Pojemnosc takiego obszaru dolu potencjalu jest reprezentowana przez prze¬ rywana linie 13.Krzywa na fig. 1 posiada W zasadzie nieliniowy zakres przy stosunkowo niskich poziomach sygnalu (pomiedzy Vz i Vx) oraz w zasadzie liniowy zakres przy stosunkowo wysokich poziomach sygnalu (pomiedzy Vx i Vy). Zmiana poziomu sygnalu wejsciowego ^Vini przy stosunkowo niskim poziomie sygnalu wejsciowego jest przetwarzana nieliniowo w sygnal ladunkowy w obszarze wejsciowego dolu potencjalu, zmiana sygnalu wejsciowego ^Vin2 P?zy stosunkowo wysokim poziomie sygnalu wejsciowego jest przetwarzana liniowo w sygnal ladunkowy w obszarze wejsciowego dolu potencjalu.Nieliniowy zakres charakterystyki przyrzadu z zagrze¬ banym kanalem powoduje, ze pojemnosc zagrzebanego kanalu zmienia sie w funkcji ladunku bardziej przy mniej¬ szych wartosciach ladunku niz przy wiekszych wartosciach ladunku. Wystepuja tutaj bardzo zlozone zjawiska, które wplywaja na stopien nieliniowosci.Fig, 2 i 3 przedstawiaja uklad do Sterowania przyrzadem typu CCD wedlug wynalazku. Przyrzad typu CCD za- wisra podloze krzemowe 10 typu p i zródlo S przy po¬ wierzchni podloza. Zródlo moze byc utworzone w wyniku dyfuzji domieszki typu n W podlozu typu p. Warstwa B stanowi cienka warstwe krzemu typu n na powierzchni podloza i tworzy zlacze p-n 12 z podlozem. Warstwa B, jak wiadomo ze stanu techniki, jest mniej domieszkowana niz zródlo S. Elektrody wejsciowe przyrzadu CCD sta¬ nowia kolejno trzy bramki Gi, G2 i Ga, za którymi leza elektrody wielofazowe 14, 16, 18 i 20 i tak dalej. Dla przy¬ kladu!, elektrody te rnoga byc wykonane z krzemu pohV krystalicznego i moga byc wykonane z zachodzacych na siebie dwóch warstw.Oczywiscie mozliwe sa do zastosowania inne materialy i inne konstrukcje mieszczace sie w zakresie wynalazku.Kanal przyrzadu typu CCD, który moze byc wykonany w wyniku dyfuzji (nie pokazano), jest stosunkowo szeroki ponizej elektrod wejsciowych Gi, G2, G3 i zweza sie w glów¬ nej czesci przyrzadu typu CCP, co oznaczono przerywa¬ nymi liniami. Ta glówna czesc przyrzadu typu CCD (nie pokazana) moze zawierac kilkaset stopni typu CCD (wiecej niz 500 w jednym z praktycznych wykonan, z czterema elektrodami na stopien). W przedstawionym wykonaniu szersza czesc kanalu przyrzadu typu CCD moze byc dwu¬ krotnie szersza niz glówna czesc kanalu przyrzadu typu CCD, co oznaczono na fig. 2 odpowiednio przez szerokosc 2w i w.Dzialanie przyrzadu typu CCD jest przedstawione na fig. 4 i 5. Zalozono w celu ilustracji, ze w chwili to nie wy¬ stepuje zaden ladunek w obszarze dolu potencjalu 26 pod elektroda G2. W tej chwili potencjal 0i jest niski tak, ze pod elektroda 14 wystepuje bariera potencjalu 20 a pod elektroda 16 — niewielki dól potencjalu 22. Ten niewielki dól potencjalu wystepuje, gdyz elektroda 16 jest utrzymy¬ wana na stalym potencjale, który jest dodatni wzgledem120 630 5 potencjalu elektrody 14. Jest to oznaczone schematycznie za pomoca baterii 15. Potencjal Vajest utrzymywany w tym czasie na stosunkowo niskim poziomic, tak ze pod elektroda Gi wystepuje bariera potencjalu 24. Potencjal V2 jest utrzymywany w sposób ciagly na stosunkowo wysokim, stalym poziomie, tak ze pod elektroda G2 wystepuje dól potencjalu 26. Ten dól potencjalu moze byc rozpatrywany jako „wejsciowy" dól potencjalu. Potencjal Vi jest takze utrzymywany na stalym poziomie lecz jest on mniej do¬ datni niz potencjal V2; Potencjal ten i napieciowy sygnal wejsciowy Vnf sa doprowadzone do elektrody Gj. W zwiaz¬ ku z tym pod elektroda Gi wystepuje stale bariera poten¬ cjalu, której wartosc jest funkcja stalego poziomu Vi plus poziom sygnalu Vm- Napiecie V3 jest w odniesieniu do¬ datnie w chwili t<» tak ze dyfundowany obszar S dziala jako dren dla nosników ladunku.W chwili ti napiecia Vt jest w odniesieniu ujemne tak, ze dyfundowany obszar S dziala jako zródlo nosników ladunku, Te nosniki ladunku (elektrony) wypelniaja teraz obszar dolu potencjalu 26, przesuwajac go do poziomu 30.W chwili fc napiecie Vt ma bardziej dodatnia wartosc, powodujac, ze dyfundowany obszar S dziala jako dren.Teraz pewna ilosc ladunku wystepujaca w obszarze dolu 26 rozplywa sie przez bariere 28 do obszaru S. Jedna czesc ladunku pozostalego w obszarze dolu potencjalu 26 jest proporcjonalna do sygnalu i druga — proporcjonalna do róznicy stalych potencjalów Vi i V2, Na rysunku, ladunek w obszarze dolu potencjalu 26 jest oznaczony przez za- kreskowanic na dwa rózne sposoby. Jedna czesc ladunku 32 pozostaje staje W tym obszarze i jest oznaczonejako „pola¬ ryzacje". Pozostala czesc ladunku 34 oznaczona jako „sy¬ gnal" bedzie „odprowadzana" z obszaru w kierunku do dolu rejestru typu CCD, co bedzie krótko wyjasnione.W chwili t3, potencjal V3 jest w odniesieniu dodatni, tak ze wartosc bariery 24 jest W zasadzie mniejsza niz byla w chwili t2. Potencjal V2 doprowadzany do elektrody pa¬ mieciowej G2 pozostaje taki, jak juz omówiono. Równiez w chwili tj, potencjal 0i jest na wysokim poziomie tak, ze pod elektrodami 14 i 16 wystepuja odpowiednio doly potencjalu 36 i 38. Jezeli elektroda 16 jest spolaryzowana bardziej dodatnio niz elektroda 14, dól potencjalu 38 pod elektroda 16 jest wiekszy niz dól potencjalu 36 pod elek¬ troda 14.Podczas gdy w celu mniejszej dyskusji pokazane sa elementy 15 dostarczajace napiecia pomiedzy dwoma elek¬ trodami dla wytworzenia symetrycznego dolu potencjalu, mozliwe sa takze inne konstrukcje. Jedna to zastosowanie pojedynczej elektrody w miejsce dwóch elektrod 14, 16 i zastosowanie wlasciwej implantacji jonów pod jedna z nich.Znaczenie pracy opisywanej w ten sposób mozna lepiej zrozumiec w oparciu o fig. 6a. Wykres ten narysowany w mniejszej skali niz fig. 1 (przy zalozeniu, ze przerywana linia 13 reprezentuje ten sam poziom ladunku na obu fi¬ gurach, nalezy zauwazyc, ze ta przerywana linia lezy dwa razy dalej od poziomu ladunku zerowego niz ta sama linia na fig. 6a), lecz do opisania podobnych czesci wykresu zostaly zastosowane te same oznaczenia. Dól potencjalu 26 (fig. 4) powoduje utrzymanie w sposób ciagly ladunku polaryzacji 32 na fig. 4, co oznaczono przerywana linia 15 na fig. 6.Przerywana linia 15 okresla poczatek w zasadzie linio¬ wego zakresu charakterystyki przenoszenia. Jakikolwiek ladunek dodany do tego obszaru dolu potencjalu w od¬ powiedzi na sygnal wejsciowy Vin powoduje w zasadzie 6 liniowe przetwarzanie tego sygnalu wejsciowego w ladunek 34 na fig. 4, poniewaz praca zachodzi w zakresie liniowym charakterystyki. Ponadto struktura jest taka, ze jest uzyski¬ wany pelny zakres dynamiki. Innymi slowy, ze wzgledu na 0 to, ze wejsciowy dól potencjalu (dól pod elektroda G2) jest w obszarze, gdzie kanal jest szeroki, pojemnosc jest stosunkowo duza — w przyblizeniu dwukrotnie wieksza niz w przypadku dolów potencjalu w glównej czesci przy¬ rzadu typu CCD (wejsciowy obszar dolu potencjalu pod 10 elektroda G2 ma W przyblizeniu dwukrotnie wieksza pojem¬ nosc niz obszar dolu potencjalu pod elektroda 42 z fig. 2 i 3). Oznacza to, ze nawet jezeli obszar dolu potencjalu 26 pod elektroda pamieciowa Gi jest zdolny do przyjmo¬ wania wywolanego sygnalu ladunku tylko do jednej czesci 15 jego pojemnosci (przy zalozeniu, ze jezeli sygnal wejsciowy ma maksymalna wartosc, ladunek zajmuje jedynie polowe dolu potencjalu, a ladunek polaryzacji zajmuje pozostala czesc dolu), sygnal ladunkowy odprowadzany od obszaru dolu potencjalu 26 moze jeszcze spowodowac napelnienie 20 obszaru dolu potencjalu pod elektroda 42 dla w zasadzie calej pojemnosci przy maksymalnym poziomie sygnalu wejsciowego. W zwiazku z tym opisany przyrzad typu CCD pracuje w sposób liniowy dla. w zasadzie calej pojemnosci obszarów dolów potencjalu przenoszenia w podlozu przy- 2$ rzadu typu CCD i dzieki temu ma szerszy, uzyteczny zakres dynamiki.. Funkcja przenoszenia dla typowego dolu potencjalu przenoszenia, takiego jak pod elektroda 42 z fig. 2 i 3 W odniesieniu do sygnalu wejsciowego Vjn doprowadzanego 30 do elektrody G jest przedstawiane na fig. 6b. Calkowita pojemnosc dla potencjalu przenoszeniajestoznaczona przez 13. Zauwazamy, ze praca jest calkowicie liniowa dla prawie calej charakterystyki.Wpraktyce okazalo sie, zeprzyskrajnieniskichpoziomach 35 sygnalu wejsciowego Vin» wprowadzana jest pewna nie¬ znaczna nieliniowosc, jak pokazano przez 17, lecz przyczyna jeszcze nie jest w pelni zrozumiala.Opisana powyzej w zasadzie liniowa praca jest uzyski¬ wana bez koniecznosci wprowadzania nadmiarowych 40 nosników ladunku do obszaru podloza. W jednym praktycz¬ nym wykonaniu glówna czesc przyrzadu typu CCD za¬ wiera ponad 500 stopni (ponad 2000 elektrod), przy czym szerokosc kanalu, powierzchnie elektrod i powierzchnie podloza wszystkich stopni oprócz pierwszego pozostaja 45 bez zmian. Elektrody 14,16,18, 20 tego pierwszego stopnia maja zwiekszona powierzchnie, zastosowana jest jedna dodatkowa bramka Gs i zródlo oraz dwie pierwsze bramki maja zwiekszona powierzchnie. Calkowity wzrost wymiarów przyrzadu typu CCD nie jest znaczny — jedynie o czesc 50 procentu.Pomimo zalozenia przykladowo pracy dwufazowej, oczywiste jest, ze wynalazek jest mozliwy równiez do za¬ stosowania, do pracy trój- cztero- lub wiecej fazowej. Jest takze zrozumiale, ze pomimo zastosowania podloza typu p 55 na przyrzad typu CCD, wynalazek jest równiez mozliwy do zastosowania w przypadku przyrzadów z podlozem typu n, posiadajacym warstwy powierzchniowe typu p i obszar zródla typu p. Oczywiscie konieczne sa wlasciwe zmiany napiec roboczych. Ponadto, pomimo tego, ze sa przedsta- io wione typowe przebiegi, mozliwe sa modyfikacje. Dla przykladu pokazane jest napiecie V3 o takim samym ksztal¬ cie jak przebieg 0i. Jednakze nadal moze byc uzyskiwana wlasciwa praca przy zastosowaniu napiecia V3 o innym ksztalcie niz napiecie Vi. Napiecie V3 powinno byc na 65 niskim poziomie w czasie, gdy napiecie V8 jest na niskim120 630 poziomie, jednakze napiecie Vj moze wzrosnac przed wzrostem 0i.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób sterowania przyrzadem o sprzezeniu ladunko¬ wym, w którym do obszaru dolu potencjalu wejsciowego wprowadza sie pewna liczbe nosników ladunku, propor¬ cjonalna do sygnalu wejsciowego i w którym ladunek w ob¬ szarze dolu potencjalu wyprowadza sie i przenosi do dolów potencjalu ciaglego kanalu przyrzadu o sprzezeniu ladun¬ kowym wzdluz jego dlugosci, znamienny tym, ze umiesz¬ cza sie ladunek polaryzacji w obszarze wejsciowego dolu potencjalu o poziomie odpowiadajacym liczbie nosników ladunku, które bylyby wytworzone w odpowiedzi na sygnal wejsciowy o drugim poziomie, dodaje sie do ladunku po¬ laryzacji w obszarze wejsciowego dolu potencjalu pewna liczbe nosników ladunku, proporcjonalna do sygnalu wejsciowego, którego amplituda jest w zakresie od zera do róznicy pomiedzy trzecim i drugim poziomem sygnalu, odprowadza sie z obszaru wejsciowego dolu potencjalu jedynie te czesc ladunku, która jest nadmiarowa wzgledem ladunku polaryzacji i przenosi sie odprowadzony ladunek wzdluz dlugosci przyrzadu o sprzezeniu ladunkowym przez rozchodzenie sie ladunku w obszarach dolów potencjalu o pojemnosciach w zasadzie mniejszych niz pojemnosc obszaru wejsciowego dolu potencjalu lecz jeszcze o pojem¬ nosci wystarczajacej do magazynowania ladunku odpowia¬ dajacego maksymalnemu poziomowi róznicy sygnalów o poziomie trzecim i drugim. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas dodawania do ladunku polaryzacji pewnej liczby nosników ladunku, proporcjonalnej do sygnalu wejsciowego, po 10 15 25 8 pierwsze dodaje sie wieksza liczbe takich nosników ladunku do dolu obszaru wejsciowego potencjalu i nastepnie, w od¬ powiedzi na sygnal wejsciowy, usuwa sie z obszaru wejs¬ ciowego dolu potencjalu wystarczajaca liczbe nosników ladunku dla pozostawienia zmagazynowanej w obszarze dolu potencjalu liczby nosników, odpowiadajacej ladunkowi polaryzacji plus liczba nosników proporcjonalna do sy¬ gnalu wejsciowego. 3. Uklad do sterowania przyrzadem o sprzezeniu ladun¬ kowym, posiadajacym ciagly kanal typu CCD o danej szerokosci w podlozu, zawierajacym elektrody odizolowane od podloza dla odbioru wielofazowych napiec i tworzenia w podlozu dolów potencjalu kanalu, elektrode zródla w podlozu i elektrody wejsciowe usytuowane miedzy elek¬ troda zródla i elektrodami kanalu, przy czym elektrody wejsciowe zawieraja elektrode magazynujaca do tworzenia wejsciowego dolu potencjalu, znamienny tym, ze w czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe (Gi, G2, Gs) obej¬ muje kanal o szerokosci wiekszej niz dana szerokosc (w) ciaglego kanalu tak, ze pojemnosc ladunkowa obszaru wejsciowego dolu potencjalu (26) jest wieksza niz pojem¬ nosci ladunkowe obszarów poszczególnych dolów poten¬ cjalu kanalu. 4. Uklad wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze w czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe (Gi, G2, Ga) kanal ma szerokosc (2w) dwukrotnie wieksza od danej sze¬ rokosci (w). 5. Uklad wedlug zastrz. 3 albo 4, znamienny tym, ze kanal ma szerokosc stopniowo zmniejszajaca sie od czesci sterowanej przez elektrody wejsciowe (Gi, G2, G3) do danej szerokosci (w) .Fig 2 Fig. 3120 630 4 LW_M nur to li -|_r~ i_r tr£ll /% £A ^V£. 5<7 zr^ez TE^ ,21 ?o' *" EZ2Z22 H5 fi v//JAa 4(a) 4(b) 4(c) \TWi 24 26 r30 _r24| -26 nziM <28| 126' _£?«j '32 4(d) H 1 f2a' H 1 i N/361 ^2 W^ 34^ (22 Fig. 4 PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL