DE2455798A1 - Speichervorrichtung mit strahlungs- ladungsuebertragung - Google Patents

Speichervorrichtung mit strahlungs- ladungsuebertragung

Info

Publication number
DE2455798A1
DE2455798A1 DE19742455798 DE2455798A DE2455798A1 DE 2455798 A1 DE2455798 A1 DE 2455798A1 DE 19742455798 DE19742455798 DE 19742455798 DE 2455798 A DE2455798 A DE 2455798A DE 2455798 A1 DE2455798 A1 DE 2455798A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
storage device
junction
substrate
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19742455798
Other languages
English (en)
Inventor
James Ronald Cricchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CBS Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of DE2455798A1 publication Critical patent/DE2455798A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
    • G11C13/048—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using other optical storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

DiPLMNG. KLAUS NEUBECKER
Patentanwalt
4 Düsseldorf 1 . · Sch-adowplatz 9
•Düsseldorf, 26.11.1974 74170
Westinghouse Electric Corporation,
Pittsburgh, Pennsylvania, V.St.A.
Speichervorrichtung mit Strahlungs-Ladungsübertragung
Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf Metallnitridoxid-Halbleiter (MNOS) Vorrichtungen und insbesondere auf solche mit Strahlungs-Ladungsübertragung.
Es ist bekannt, daß Speicherelemente entwickelt worden sind, welche die Hysteresiseffekte ausnutzen, die in bestimmten Isolatoren bei Metall/Isolator/Halbleiter (MIS) Feldeffekttransistoren beobachtet worden sind. Bei den herkömmlichen Versuchen, Transistoren zur Informationsspeicherung heranzuziehen, werden einer oder mehrere Transistoren, welche keine' Hysteresis aufweisen, zu einem Schaltkreis zusammengefügt, welcher mit Hysteresis behaftet ist. Die Speicherfunktion ist dann eine Eigenschaft des Schaltkreises, welche viele Elemente erforderlich macht, um einen Speicher für ein einziges Bit zu schaffen.
Die übliche Form eines Transistorspeichereleraentes besteht aus einer herkömmlichen Feldeffekttransistorstruktur mit isolierter Steuerelektrode, wobei der Isolator aus Siliziumdioxid für die Steuerelektrode durch einen Doppelisolator ersetzt ist. Dieser besteht typischerweise aus einer Schicht aus Siliziumdioxid, die sehr nahe an dem Siliziumsubstrat liegt und aus einer Schicht
. 509825/0923
Telefon (0211) 320858 Telegramme Custopat
«Ν Ο ·»
aus Siliziurcinitrid über dem Siliziumdioxid. Diese Struktur wird allgemein Metallnitridoxid-Halbleiter (MNOS) Speichertransistor genannt. Die Hysteresis in einer Anordnung dieser Art hängt mit der Existenz von Fängstellen (elektronischen Zuständen) an oder nahe bei der Grenzfläche zwischen Siliziumdioxid und Siliziumnitrid zusammen. Die Schwellwertspannung des Feldeffekttransistors wird durch den Ladungszustand der Fangstellen beeinflußt.
Es gibt verschiedene mögliche Betriebsarten, durch welche die Fangstellen geladen und entladen werden können. Am häufigsten erfolgt dieses mittels direkter Durchtunnelung zwischen den Fangstellen und dem Silizium, Fowler-Nordeim-Durentunnelung durch die Sperrschicht aus Siliziumdioxid, Masseleitung in dem Siliziumnitrid, welche durch mehrere verschiedene Mechanismen bewirkt werden kann und mittels direkter Trägerinjektion über die Schockley-Sperrschicht zwischen Silizium und Siliziumdioxid. In allen Fällen existieren Fangstellen bei oder nahe der Grenzfläche zwischen den Schichten aus Siliziumdioxid und Siliziumnitrid. Diese Fangstellen werden üblicherweise durch eine ausreichend große Spannung geeigneter Polarität gegenüber der Steuerelektrode geladen und entladen, während Information aus der Vorrichtung über die "source11 und "drain" Elektroden des Feldeffekttransistors ausgelesen wird.
Die Hauptaufgabe dieser Erfindung ist es, daß eine einzelne, integrierte Vorrichtung zur Informationsspeicherung geschaffen wird.
Ausgehend von einer Speichervorrichtung aus Metallnitridoxid mit Strahlungs-Ladungsübertragung wird diese Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch ein Substrat aus Halbleitermaterial vom einen Leitfähigkeitstyp, wenigstens zwei Bereichen vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, die neben dem Substrat und in Kontakt mit diesem ausgebildet sind, eine Einrichtung zur Bildung eines PN-überganges mit dem Substrat und wenigstens eine Schicht aus dielektrischem Material, die sich zwischen der Einrichtung zur BiI-
509825/0923
dung eines PN-überganges und wenigstens einem der Bereiche von wenigstens einer Schicht aus Siliziumnitrid befindet* welche diese oder jede Schicht aus dielektrischem Material bedeckt. Demgemäß wird . eine verbesserte Speichervorrichtung aus Metallnitridoxid-Halbleitermaterial mit Strahlungserfassung und Ladungsübertragung geschaffen. Die Strahlung speichert eine Ladungsmenge an einer Isolierfläche aus Nitridoxid, welche proportional der Ladung ist, die durch einen PN-Übergang während derjenigen Zeit verteilt wird, in welcher dieser Halbleiterübergang der Strahlung ausgesetzt ist. Die an der Nitridoxidgrenzfläche gespeicherte Ladung ändert die Schwellwertspannung der MNÖS-Vorrichtung und ermöglicht es, daß ein Oberflächen-Inversionsschichtstrom ausgelesen wird, der proportional zu dem durch die Strahlung induzierten Strom ist. Nach der Auslesung kann der Strahlungs-Ladungsübertragungsspeicher durch eine an die Steuerelektrode angelegte Spannung auf den Dunkelstromwert zurückgestellt und der Halbleiterübergang für die nächste Periode geladen werden.
Eine bevorzugte Ausfuhrungsform der Erfindung wird beispielsweise anhand der Zeichnungen erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer typi
schen MNOS-Speichervorrichtung mit Strfchlungs-Ladungsübertragung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ein Ersatzschaltbild der Vorrichtung
nach Fig. 1;
Fig. 3A, 3B und 3C Ladungen an der Nitridoxidgrenzfläche
und die Bildung einer Inversionsschicht unter veränderlichen Bedingungen;
Fig. 4 Spannungen an verschiedenen Punkten
in den Schaltungen der Fig. 1 und 2 und
509825/0923
Fig. 5 eine andere Ausführungsform gemäß der
Erfindung, welche derjenigen der Fig. ähnelt.
Wie sich insbesondere aus Fig. 1 und 2 ergibt, enthält die dargestellte Vorrichtung ein Substrat 10 aus Silizium vom N-Leitfähigkeitstyp mit P+ Bereichen 12, 14 und 16, die in dessen Oberfläche eindiffundiert sind. Eine Schicht 18 aus Siliziumdioxid bedeckt die P+ Diffusionsbereiche 12 bis 16. über der Schicht aus Siliziumdioxid befindet sich eine Schicht 20 aus Siliziumnitrid, öffnungen 22, 24 und 26 sind in den Oxidschichten ausgebildet und können durch herkömmliche Ätztechnik hergestellt werden. Die öffnung 26 erstreckt sich insgesamt zu dem P+ Diffusionsbereich 16, während die öffnungen 22 und 24 sich nur teilweise durch die Schicht 18 aus Siliziumdioxid erstrecken und jeweils an der Unterseite Schichten 28 und 30 aus Siliziumnitrid aufweisen, über den Schichten 28 und 30 aus Siliziumnitrid befinden sich metallische Elektroden 32 und 34, welche den größten Teil des durch die öffnungen 22 und 24 vorgesehenen Raumes ausfüllen.
Fig. 1 ist aus Darstellungsgründen verzerrt. Typischerweise beträgt der Abstand zwischen der unteren Fläche der Schichten und 30 aus Siliziumnitrid und der oberen Fläche des Substrates etwa 50 8, während die Schicht 18 aus Siliziumdioxid typischerweise eine Dicke von etwa 10 000 Ä aufweist. Die Schicht 20 aus Siliziumnitrid hat eine Dicke von etwa 1000 8. Die Diffusionsbereiche 12 und 14 bilden zusammen mit der Schicht 28 aus Siliziumnitrid einen ersten Transistor, welcher als MNOS-Speichervorrichtung arbeitet und in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen 36 versehen ist. Die Diffusionsbereiche 14 und 16 bilden mit der Schicht 30 aus Siliziumnitrid einen zweiten Transistor, welcher als MNOS-Zugriffsschalter dient und mit dem Bezugszeichen 38 in Fig. 2 versehen ist. Der P+ Diffusionsbereich 12 bildet einen PN-Übergang mit dem Substrat 10 und ist in Fig. 2 als Diode 40 dargestellt. Mit dem Substrat und den Steuerelektroden 32 und
509825/0923
der Vorrichtungen 36 und 38 ist ein geeigneter Pulsgenerator verbunden, um die erforderlichen Vorspannungs- und Steuerspannungen zu erzeugen, über die Metallisierungsschicht 25 ist mit dem P+ Diffusionsbereich 16 des Transistorschalters 38 ein Strommeßfühler 35 verbunden. Vorzugsweise ist der Strommeßfühler 35 mit dem Zugriffsschalter 38 durch eine Abfühlleitung
verbunden, welche ebenfalls mit anderen MNOS Speichervorrichtungen, ähnlich wie in Fig. 1, verbunden sein kann, wie am Beispiel des Transistors 38' gezeigt ist. Der Meßfühler 35 kann naturgemäß ein beliebiger Typ einer Abfühl- oder Ausleseeinrichtung sein. Die Abfühlleitung 37 kann mit einer Spannungsquelle durch eine geeignete Einrichtung verbunden sein, die als externer Transistorschalter 44 dargestellt ist,
Die an der Ni tridoxidgrenz.f lache gespeicherten Ladungen unter den Metallisationsschichten 32 und 34 sind unter veränderlichen Bedingungen in Fig. 3A bis 3C dargestellt. In Fig. 3A sind die Bedingungen für den Fall dargestellt, daß eine positive Vorspannung an die Isolationsschicht aus Siliziumdioxid angelegt ist, da£" Substrat auf einem negativen Potential liegt und an der Steuerelektrode Null V anliegen. Unter diesen Umständen hängt die an der Grenzfläche aus Nitridoxid gespeicherte Ladung O^ bei einer positiven Vorspannung nur von der angelegten Spannung ab, die an der gesamten Isolationsschicht der Steuerelektrode erscheint. Bei negativen Spannungen an der Steuerelektrode wird eine Inversionsschicht gemäß Fig. 3B gebildet, welche mit dem die Strahlung erfassenden Diffusionsübergang 40 verbunden wird, (d.h. mit dem durch den Bereich 12 und das Substrat 10 gebildeten PN Übergang). Im Dunkelζustand, d.h. ohne Strahlung, gemäß Fig. 3B ist der Strom durch die drei Stromerzeuger J , J und J., welche die Stromdichten in der Nitridschicht, der Oxidschicht und dem Halbleiterübergang darstellen, sehr klein, da der im Dunkelzustand entstehende Strom klein ist und an den Isolatoren" nur eine sehr kleine Spannung anl'egt. In der Gegenwart von Strahlung wird der übergang durch den strahlungsempfindlichen Stromerzeuger (Fig. 3C) entladen, und es muß ein äquivalenter Strom durch die Isolatoren
"509 82 5/0 92 3
fließen. Die Menge der zu der Grenzfläche aus Oxidnitrid übertragenen und an dieser gespeicherten Ladung ist dann eine Funktion des durch Strahlung erzeugten Stromes, der über die Strahlungsperiode integriert ist. Da die Schwellwertspannung des Nitridoxidtransistors 36 linear auf die an der Grenzfläche aus Nitridoxid gespeicherte Ladung bezogen ist, wird eine zerstörungsfreie Auslesung der gespeicherten Ladung ermöglicht.
Eine vereinfachte Bemessungsgleichung für die Anordnung lautet
Jj = Jox = dVdt + Jn
Diese Gleichung beruht auf der Annahme, daß eine vernachlässigbare Ladung an der Halbleiteroxidgrenzfläche während derjenigen Zeit gespeichert ist, in welcher der übergang belichtet und der Speieherimpuls angelegt ist. Die an der Grenzfläche aus Nitridoxid gespeicherte Ladung beträgt:
Q1. - /ir. dt ■ f (J v = JJdt
es bedeutet:
j. = f (Erzeugungsrate S, A-);
Jox - f(VA-VFB-Vj' Xox' V Cok' En.' V
ClEox2 ex* - C2/Eox?
Jn " f(VA+VFB-V Xox' V Γ οχ' £n> C3En exP C4En 1/2 .
Die Ausdrücke sind folgendermaßen definiert:
509825/0923
Q = an der Grenzfläche aus Nitridoxid pro Flächeneinheit gespeicherte Ladung;
J. = Stromdichte am Halbleiterübergang; J = Oxidstromdichte;
J = Nitridstromdichte;
η
V. = Spannung an der Steuerelektrode;
V_B =» Spannung über flachen Bandbereich - x n/£n °Ί'
V. = Spannung am Halbleiterübergang;
X β Dicke der Oxidschicht;
X = Dicke der Nitridschicht; η
= die Elektrizitätskonstante der Oxidschicht; = die Elektrizitatskonstante der Nitridschicht;
* Fläche der Steuerelektrode der Nitridoxidspeichervorrichtung;
= Obergangsbereich des lichtempfindlichen Halbleiterübergangs;
Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit; elektrisches Feld an der Oxidschicht; elektrisches Feld der Nitridschicht;
empirisch abgeleitete Konstanten. 5098 2 5/09 23
Die Anordnung hat ein Verhältnis von gespeicherter Ladung (Q,) zur Verstärkung (CU), d.h. Ladung pro Fläche von:
Vqg - Vaj
Dieser Ausdruck ist proportional dem Verhältnis des die Strahlung abfühlenden Übergangsbereichs zu dem Nitridoxidsteuerelektrodenbereich. Ein gespeicherter Ladungsbereich kann leicht über eine Zehnerpotenz als Verschiebung der Schwellwertspannung von 10 V erfaßt werden. Wenn beispielsweise eine Ladungsdichte von
11 2
10 /cm gespeichert ist, ergäbe sich eine Verschiebung V_ von 1 V in der Schwellwertspannung der Anordnung 36. Bei einer
12 2
Ladungsdichte von 10 /cm ergäbe sich eine Schwellwertverschiebung von 10 V. Die Anordnung arbeitet einwandfrei, wenn die Gleichgewichtsbedingungen gestört sind. Sie muß periodisch auf den Dunkelstromzustand zurückgestellt werden, um die Wirkungen der normalen Übergangsleckströme minimal zu machen, welche über einen längeren Zeitraum hinweg eine Entladung gegenüber den voreingestellten Werten bewirken würden.
Fig. 4 dient zur Erläuterung des Betriebs der Speichervorrichtung gemäß Fig. 1. Die Vorrichtung wird zum Zeitpunkt t, durch Änderung der Spannung V des Substrates 10 von Null auf -30 V
SS
zurückgestellt, und die Spannungen VQ und V, der Vorrichtungen 36 bzw. 38 sind Null. Es ergeben sich dann die Bedingungen gemäß Fig. 3A, d.h. der Übergang 40 ist in Durchlaßrichtung mit einer Spannung Vj von -30 V vorgespannt / und die Vorrichtung ist beispielsweise innerhalb einer Zeitspanne zurückgestellt, die in der Größenordnung von eins bis zehn jus liegt.
Im Zeitpunkt t2 befindet sich die Vorrichtung somit in dem Zustand, daß sie die Strahlung abfühlt und die entsprechende Ladung in der vorbeschriebenen Weise speichert. Hierzu wird die an dem Substrat anliegende Spannung V__ auf Null zurückgestellt und
SS
eine Spannung VQ von -30 V an die Steuerelektrode 32 der Vorrichtung 36 angelegt. Falls der Übergang unbeleuchtet ist,
509825/0923
d.h. wenn keine abzufühlende Strahlung vorhanden ist, ergeben sich die Bedingungen gemäß Fig. 3B, und die Spannung Vj am gang bleibt bei -30 V. Falls der übergang jedoch einer Strahlung ausgesetzt ist, ergeben sich die Bedingungen gemäß Fig. 3C, und der Halbleiterübergang entlädt sich auf Massepotential und die Spannung V, nimmt exponentiell bis auf Null V ab. Die entsprechende positive Ladung wird gleichzeitig an der Nitridoxidgrenzfläche der Vorrichtung 36 in der vorbeschriebenen Weise gespeichert. Diese Ladung ist proportional dem über die gleiche Zeitspanne integrierten Entladestrom, wobei diese Zeitspanne beispielsweise 1 fus bis 1 s betragen kann.
Es können lange Integrationszeiten erreicht werden, indem der abfühlende Halbleiterübergang 40 wieder aufgeladen wird, ohne die Vorrichtung zurückzustellen. Dieses kann im Zeitpunkt t., erfolgen, indem eine Steuerelektrodenspannung V- von -30 V an die Vorrichtung 38 und eine Lese/Rückspeicherungsspannung VR an die externe-Schalteinrichtung 44 angelegt wird. Diese Vorrichtungen werden daher leitend und arbeiten als Schalter, welche den Halblei te rübe rgang 40 über die Abfühileitung 37 mit einer Spannungsquelle von -30 V verbinden. Der Halbleiterübergang wird wieder auf eine Spannung Vj von -30 V in einer Zeitspanne aufgeladen, die in der Größenordnung von 1 |is liegen kann.
Im Zeitpunkt t* erscheint die AusIesespannung auf der Abfühileitung 37 und kann durch den Strommeßfühler 35 oder eine "... andere Ausleseeinrichtung abgeführt werden. Wie vorher erläutert wurde, ist die Schweilwertspannung VT der Anordnung 36 proportional zu der gespeicherten Ladung. Die Auslesespannung auf der Leitung 37 ist gleich der Differenz zwischen der Steuerelektrodenspannung und der Schwellwertspannung (Vq -.V_,):. und stellt daher ein direktes Maß für die gespeicherte Ladung und für den durch den Halbleiterübergang 40 abgefühlten Strahiungspegel dar. Die Ausleseperiode kann ebenfalls in der Größenordnung von 1 jfis liegen, wonach die Vorrichtung für eine andere Periode.wie zum Zeitpunkt t-. zurückgestellt werden kann.
509825/0923 .
In Fig. 5 ist eine andere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei welcher die Fig. 1 entsprechenden Elemente mit
gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind. In diesem Fall gelangt die Strahlung jedoch durch eine transparente Elektrode 50, die vorzugsweise aus einem Material wie Zinnoxid oder anderem transparenten Leitermaterial besteht. Die Elektrode 50 ist mit einer Ladungsklemme 51 verbunden, die bei negativer Ladung einen
Licht abfühlenden übergang 52 bildet. Der Betrieb dieser Vorrichtung gleicht im wesentlichen demjenigen, wie er vorstehend beschrieben wurde, mit der Ausnahme, daß der Licht abfühlende
übergang durch ein Feld induziert ist und nicht durch einen
diffundierten Bereich in dem Substrat gebildet wird.
Es versteht sich, daß der Schutzumfang der Erfindung nicht auf die speziellen Ausführungsformen begrenzt ist.
Patentansprüche
50 9825/0923

Claims (8)

  1. Speichervorrichtung aus Metallnitridoxid mit Strahlungs-Ladungsübertragung, gekennzeichnet durch ein Substrat (10) aus Halbleitermaterial vom einen Leitfähigkeitstyp, wenigstens zwei Bereiche (12, 14, 16) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, die neben dem Substrat und im Kontakt mit diesem ausgebildet sind, eine Einrichtung (12) zur Bildung eines PN-Überganges mit dem Substrat und wenigstens eine Schicht (18) aus dielektrischem Material, die sich zwischen der Einrichtung zur Bildung eines PN-überganges und wenigstens einem der Bereiche von wenigstens einer Schicht aus Siliziumnitrid (20) befindet, welche diese oder jede Schicht aus dielektrischem Material bedeckt.
  2. 2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Bildung eines PN-Überganges einen Bereich (12) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp (P+) in dem Substrat (10) ausbildet.
  3. 3. Speichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zur Bildung eines PN-Überganges eine Einrichtung mit einer transparenten Elektrode (50) aufweist, die sich über dem Bereich 20 aus Siliziumnitrid befindet und einen feldinduzierten Lichtabfühlübergang in dem Substrat bildet.
  4. 4. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht aus dielektrischem Material Siliziumdioxid aufweist.
  5. 5. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Schaltung zur übertragung der an dem PN-Übergang erzeugten Ladung eine MNOS Schalteinrichtung (38, 38') aufweist,
    509825/0923
    die aus einem der beiden Bereiche und wenigstens einer oder jeder Schicht aus darüber befindlichem dielektrischen Material gebildet ist.
  6. 6. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schaltkreis zur übertragung der an dem PN-Übergang erzeugten Ladung durch wenigstens eine oder jede dielektrische Schicht zu deren Grenzfläche mit der Schicht aus Siliziumnitrid zu Speicherzwecken vorgesehen ist.
  7. 7. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß ein Schaltkreis ein Ausgangssignal erzeugt, welches proportional der gespeicherten Ladung ist.
  8. 8. Speichervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Metallisationsschichten (25) jede der Schichten aus Siliziumnitrid bedecken und eine Metallisationsschicht sich im Kontakt mit einem der beiden Bereiche mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp befindet und ein Impulsgenerator mit dem Substrat (10) und den Metallisationsschichten verbanden ist.
    509825/0923
    /te.
    L e e r s e i t e
DE19742455798 1973-12-13 1974-11-26 Speichervorrichtung mit strahlungs- ladungsuebertragung Withdrawn DE2455798A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US424530A US3877058A (en) 1973-12-13 1973-12-13 Radiation charge transfer memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2455798A1 true DE2455798A1 (de) 1975-06-19

Family

ID=23682948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742455798 Withdrawn DE2455798A1 (de) 1973-12-13 1974-11-26 Speichervorrichtung mit strahlungs- ladungsuebertragung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3877058A (de)
JP (1) JPS5240198B2 (de)
DE (1) DE2455798A1 (de)
FR (1) FR2254856A1 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037243A (en) * 1974-07-01 1977-07-19 Motorola, Inc. Semi conductor memory cell utilizing sensing of variations in PN junction current conrolled by stored data
JPS598072B2 (ja) * 1974-10-18 1984-02-22 日本電気株式会社 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ回路
US3987474A (en) * 1975-01-23 1976-10-19 Massachusetts Institute Of Technology Non-volatile charge storage elements and an information storage apparatus employing such elements
US4041519A (en) * 1975-02-10 1977-08-09 Melen Roger D Low transient effect switching device and method
US3979613A (en) * 1975-06-18 1976-09-07 Sperry Rand Corporation Multi-terminal controlled-inversion semiconductor devices
US4019199A (en) * 1975-12-22 1977-04-19 International Business Machines Corporation Highly sensitive charge-coupled photodetector including an electrically isolated reversed biased diffusion region for eliminating an inversion layer
US4131488A (en) * 1975-12-31 1978-12-26 Motorola, Inc. Method of semiconductor solar energy device fabrication
US4070689A (en) * 1975-12-31 1978-01-24 Motorola Inc. Semiconductor solar energy device
JPS5323224A (en) * 1976-08-16 1978-03-03 Hitachi Ltd Solid pickup unit
US4139858A (en) * 1977-12-12 1979-02-13 Rca Corporation Solar cell with a gallium nitride electrode
US4237472A (en) * 1979-03-12 1980-12-02 Rca Corporation High performance electrically alterable read only memory (EAROM)
JPS6044867B2 (ja) * 1980-04-17 1985-10-05 株式会社東芝 固体撮像装置
EP0289642B1 (de) * 1987-05-08 1991-12-04 International Business Machines Corporation Löschbare elektrooptische Speicherplatte
US7692134B2 (en) * 2008-03-24 2010-04-06 Omnivision Technologies, Inc. Variable transfer gate oxide thickness for image sensor
MY174333A (en) * 2015-10-14 2020-04-08 Hoon Kim Image sensor with solar cell function
JP7140495B2 (ja) 2017-12-28 2022-09-21 株式会社ミツトヨ スケールおよびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657614A (en) * 1970-06-15 1972-04-18 Westinghouse Electric Corp Mis array utilizing field induced junctions
US3702465A (en) * 1971-08-04 1972-11-07 Westinghouse Electric Corp Electro-optic mass memory
US3795806A (en) * 1973-03-02 1974-03-05 Gen Electric Method and apparatus for sensing radiation and providing electrical readout

Also Published As

Publication number Publication date
US3877058A (en) 1975-04-08
JPS5093084A (de) 1975-07-24
FR2254856A1 (de) 1975-07-11
JPS5240198B2 (de) 1977-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2409472C3 (de) Elektrisch löschbares Halbleiterspeicherelement mit einem Doppelgate-Isolierschicht-FET
DE2455798A1 (de) Speichervorrichtung mit strahlungs- ladungsuebertragung
DE2600337C2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE2745290A1 (de) Integriertes speicherfeld
DE2736878C2 (de) Photoelektrisches Element fpr eine monolithische Bildaufnahmeeinrichtung
DE3413829C2 (de)
DE19651247C2 (de) Eingabe/Ausgabeschutzschaltung
DE3203516A1 (de) Nicht fluechtige, elektrisch umprogrammierbare floating-gate-speicheranordnung
DE2107022C3 (de)
DE2657643A1 (de) Halbleiteranordnung fuer ein speicherelement
DE2745046B2 (de) Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung
DE2553203A1 (de) Festkoerper-bildabtaster mit zerstoerungsfreiem, wahlfreiem zugriff
DE3345239C2 (de)
DE1803035B2 (de) Permanentspeicherzelle
DE2624157A1 (de) Halbleiterspeicher
DE2358672A1 (de) Halbleiter-anordnung zur abbildung eines bestimmten gebietes und verfahren zur herstellung einer solchen anordnung
DE2707843B2 (de) Schutzschaltungsanordnung für einen Feldeffekttransistor
DE2736734A1 (de) Schaltung mit photoempfindlicher anordnung
DE19548060A1 (de) Durch Feldeffekt steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement mit Temperatursensor
DE1930748A1 (de) Optisch-elektrischer Bildumsetzer
DE2432352C3 (de) MNOS-Halbleiterspeicherelement
DE2235465C3 (de) Feldeffekttransistor-Speicherelement
DE2727147A1 (de) Halbleiterspeicher
DE3244488A1 (de) Elektrisch programmierbarer permanenter speicher
DE2201028B2 (de) Verfahren zum Betrieb eines Feldeffekttransistors und Feldeffekttransistor zur Ausübung dieses Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8139 Disposal/non-payment of the annual fee