FI121543B - Anordning vid ALD-reaktor - Google Patents

Anordning vid ALD-reaktor Download PDF

Info

Publication number
FI121543B
FI121543B FI20055613A FI20055613A FI121543B FI 121543 B FI121543 B FI 121543B FI 20055613 A FI20055613 A FI 20055613A FI 20055613 A FI20055613 A FI 20055613A FI 121543 B FI121543 B FI 121543B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction chamber
chamber
substrate
charging
ald reactor
Prior art date
Application number
FI20055613A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20055613A0 (sv
FI20055613A (sv
Inventor
Pekka Soininen
Sami Sneck
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20055613A priority Critical patent/FI121543B/sv
Publication of FI20055613A0 publication Critical patent/FI20055613A0/sv
Priority to PCT/FI2006/050499 priority patent/WO2007057518A1/en
Priority to US12/083,322 priority patent/US20090169743A1/en
Priority to JP2008540642A priority patent/JP2009516076A/ja
Priority to EP06808040A priority patent/EP1948844A4/en
Priority to CNA2006800430304A priority patent/CN101310044A/zh
Priority to EA200801015A priority patent/EA015231B1/ru
Publication of FI20055613A publication Critical patent/FI20055613A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI121543B publication Critical patent/FI121543B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases

Claims (21)

1. ALD-reaktor, som omfattar en undertryckskammare (2), en inuti undertryckskammaren (2) astadkommen separat reaktionskammare (4), och en laddningsanordning för laddning och avlägsnande av substratet fran reak- 5 tionskammaren (4), kännetecknad avatt laddningsanordningen är an-ordnad i undertryckskammarens (2) första eller andra kortsidovägg (6, 20) eller sidovägg/mantel (22), sä att ett eller flera substrat (10) kan föras in i under-tryckskammaren (2) och den inuti denna ästadkomna reaktionskammaren (4) och pä motsvarande sätt avlägsnas fran reaktionskammaren (4) och under-10 tryckskammaren (2) med en lineärrörelse.
2. ALD-reaktor enligt patentkrav 1,kännetecknad av att den omfattar en laddningsöppning (12), som astadkommits i undertryckskammarens (2) sidovägg/mantel (22) eller första eller andra kortsidovägg (6, 20), till vilken laddningsanordningen är kopplad eller integrerad.
3. ALD-reaktor enligt patentkrav 2, kännetecknad av att laddningsanordningen omfattar laddningsmedel (8, 14, 16, 18) för att flytta ett eller flera substrat (10) via laddningsöppningen till reaktionskammare.
4. ALD-reaktor enligt patentkrav 3, kännetecknad av att laddningsmedlen omfattar en laddningskammare (8), i vilken substratet (10) 20 kan placeras för inmatning i reaktionskammaren (4).
5. ALD-reaktor enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-4, kännetecknad av att laddningsmedlen omfattar en eller flera hallare (16) för mottagning av ett eller flera substrat (10) pä motsvarande sätt.
6. ALD-reaktor enligt patentkrav 5, kännetecknad av att hal-25 laren (16) är anordnad att fungera som substratets (10) hallare även för be- handling som sker i reaktionskammaren (4).
7. ALD-reaktor enligt nägot av de föregäende patentkraven 3 - 6, kännetecknad av att laddningsmedlen dessutom omfattar trycksätt-ningsmedel (14) för att ästadkomma ett undertryck i laddningskammaren (8).
8. ALD-reaktor enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-7, kännetecknad av att laddningsmedlen vidare omfattar flyttmedel (18) för att flytta ett eller flera i hällaren (16) placerat substrat (10) in i reaktionskammaren (4) och avlägsna det/dem därifrän.
9. ALD-reaktor enligt patentkrav 8, kännetecknad av att 35 flyttmedlen (18) är utformade som ett manuellt laddningsskaft, som är kopplat till en eller flera hällare (16) för substratet (10) för att föra substratet in i reak-tionskammaren (4) och avlägsna det därifran.
10. ALD-reaktor enligt patentkrav 8, k ä n n e t e c k n a d av att flyttmedlen (18) är utformade som eldrivna.
11. ALD-reaktor enligt nägot av patentkraven 3 - 10, känne- t e c k n a d av att laddningsanordningen dessutom omfattar ventilmedel (30) anordnade mellan undertryckskammaren (2) och laddningskammaren (8).
12. ALD-reaktor enligt patentkrav 1,kännetecknad avatti reaktionskammaren (4) har astadkommits en öppningsbar vägg (24) samt 10 laddningsmedel (8, 14, 16, 18), med vilkas hjälp ett eller flera substrat (10) kan föras via laddningsöppningen (12) i undertryckskammarens (2) sidovägg (22) och reaktionskammarens (4) öppningsbara vägg (24) in i och bort frän reaktionskammaren (4).
13. ALD-reaktor enligt patentkrav 12, kännetecknad avatt 15 laddningsöppningen (12) samt reaktionskammarens (4) öppningsbara vägg (24) är riktade i samma linje, sä att substratet (10) kan föras in i reaktionskammaren (4) och pä motsvarande sätt avlägsnas därifran med en lineärrörel-se.
14. ALD-reaktor enligt patentkrav 12 eller 13, kännetecknad 20 av att den dessutom omfattar drivmedel för att öppna och stänga reaktionskammarens (4) öppningsbara vägg (24).
15. ALD-reaktor enligt patentkrav 14, k ä n n e t e c k n a d av att drivmedlen är förenade funktionellt med laddningsmedlen (8, 14, 16, 18) för att integrera öppnandet och stängandet av reaktionskammarens (4) öppningsbara 25 vägg (24) med införandet och avlägsnandet av substratet frän reaktionskammaren (4) med hjälp av laddningsmedlen (8, 14, 16, 18).
16. ALD-reaktor enligt nagot av de föregäende patentkraven 12-15, kännetecknad av att laddningsmedlen (8, 14, 16, 18) omfattar en väggdel, som utgör ätminstone en del av reaktionskammarens (4) öpp- 30 ningsbara vägg (24), da substratet (10) är placerat inne i reaktionskammaren.
17. Förfarande för behandling i en ALD-reaktor, i vilket förfarande: - ett eller flera substrat placeras i en laddningskammare utanför en undertryckskammare; - i laddningskammaren ästadkoms ett undertryck som motsvarar 35 undertrycket i ALD-reaktorns undertryckskammare; kännetecknat av att förfarandet omfattar följande steg: - substratet införs i undertryckskammaren och i ett reaktionskamma-re inuti denna med en lineärrörelse; - behandling av substratet utförs; och - substratet avlägsnas frän reaktionskammare och undertrycks-5 kammaren tillbaka till laddningskammaren med en lineärrörelse.
18. Förfarande enligt patentkrav 17, k ä n n e t e c k n a t av att för-farandet dessutom omfattar uppvärmning av substratet till önskad temperatur efter införandet av substratet i reaktionskammare samt därefter behandling av substratet med en ALD-process. 10
19. Förfarande enligt patentkrav 17 eller 18, k ä n n ete c k n a t av att med stegen för införande och avlägsnande av substratet frän reaktions-kammaren är förenat öppnande och stängande av reaktionskammaren.
20. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 17-19, kännetecknat av att stegen för införande av substratet i reaktionskam- 15 maren och avlägsnande av det frän reaktionskammaren utförs manuellt.
21. Förfarande enligt nagot av de föregäende patentkraven 17 -19, kännetecknat av att stegen för införande av substratet i reaktionskammaren och avlägsnande av det frän reaktionskammaren är automatiserade.
FI20055613A 2005-11-17 2005-11-17 Anordning vid ALD-reaktor FI121543B (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055613A FI121543B (sv) 2005-11-17 2005-11-17 Anordning vid ALD-reaktor
PCT/FI2006/050499 WO2007057518A1 (en) 2005-11-17 2006-11-16 Arrangement in connection with ald reactor
US12/083,322 US20090169743A1 (en) 2005-11-17 2006-11-16 Arrangement in Connection with ALD Reactor
JP2008540642A JP2009516076A (ja) 2005-11-17 2006-11-16 Ａｌｄ反応器に関連する装置
EP06808040A EP1948844A4 (en) 2005-11-17 2006-11-16 ARRANGEMENT IN CONNECTION WITH AN ALD REACTOR
CNA2006800430304A CN101310044A (zh) 2005-11-17 2006-11-16 与ald反应器有关的装置
EA200801015A EA015231B1 (ru) 2005-11-17 2006-11-16 Устройство для реактора послойного атомного осаждения

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055613 2005-11-17
FI20055613A FI121543B (sv) 2005-11-17 2005-11-17 Anordning vid ALD-reaktor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20055613A0 FI20055613A0 (sv) 2005-11-17
FI20055613A FI20055613A (sv) 2007-05-18
FI121543B true FI121543B (sv) 2010-12-31

Family

ID=35458853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20055613A FI121543B (sv) 2005-11-17 2005-11-17 Anordning vid ALD-reaktor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090169743A1 (sv)
EP (1) EP1948844A4 (sv)
JP (1) JP2009516076A (sv)
CN (1) CN101310044A (sv)
EA (1) EA015231B1 (sv)
FI (1) FI121543B (sv)
WO (1) WO2007057518A1 (sv)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI122941B (sv) * 2008-06-12 2012-09-14 Beneq Oy Anordning i en ALD-reaktor
FR2993044B1 (fr) * 2012-07-04 2014-08-08 Herakles Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables
KR102227176B1 (ko) * 2012-11-23 2021-03-12 피코순 오와이 Ald 반응기 내에서의 기판 로딩
FI126863B (sv) * 2016-06-23 2017-06-30 Beneq Oy Apparatur för behandling av partikelmaterial
CN109536927B (zh) * 2019-01-28 2023-08-01 南京爱通智能科技有限公司 一种适用于超大规模原子层沉积的给料系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299110A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
KR0152324B1 (ko) * 1994-12-06 1998-12-01 양승택 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
FI118342B (sv) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Anordning för framställning av tunnfilmer
US6753506B2 (en) * 2001-08-23 2004-06-22 Axcelis Technologies System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
JP3616366B2 (ja) * 2001-10-23 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2003038145A2 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
JP2003163252A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6893506B2 (en) * 2002-03-11 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition apparatus and method
WO2004060791A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-22 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Peptide nanostructures encapsulating a foreign material and method of manufacturing same
JP2005048259A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
FI20055613A0 (sv) 2005-11-17
EA200801015A1 (ru) 2008-12-30
JP2009516076A (ja) 2009-04-16
EP1948844A4 (en) 2011-03-30
US20090169743A1 (en) 2009-07-02
FI20055613A (sv) 2007-05-18
CN101310044A (zh) 2008-11-19
EP1948844A1 (en) 2008-07-30
EA015231B1 (ru) 2011-06-30
WO2007057518A1 (en) 2007-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI121543B (sv) Anordning vid ALD-reaktor
CN109689930B (zh) 用于原子层沉积的设备和方法
FI118343B (sv) Anordning för framställning av tunnfilmer
JP6697640B2 (ja) 可動構造をもつ堆積またはクリーニング装置および動作方法
US20160322206A1 (en) Process chamber and semiconductor processing apparatus
KR102385751B1 (ko) 기판을 코팅하기 위한 장치
JP2013151720A (ja) 真空成膜装置
KR20120107858A (ko) 기판 처리 장치 및 고체 원료 보충 방법
CN102870194A (zh) 基板处理设备
KR102372132B1 (ko) 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기판 처리 장치
US8814488B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP4020306B2 (ja) 基板処埋装置
JP2006237161A (ja) 真空成膜装置の搬送機構
KR20080090299A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
EP1708249A2 (en) Cleaning device and cleaning method
EP1299571B1 (en) Apparatus for performing at least one process on a substrate
JP7046188B2 (ja) 成膜装置
CN111058015A (zh) 基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法
JP2000077324A (ja) 処理液供給システム、これを用いた処理装置、これに用いられる中間貯留機構、および処理液供給方法
KR102033526B1 (ko) 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
WO2011142194A1 (ja) 金属膜形成システム
JPS62167802A (ja) 焼結炉
JPH1036970A (ja) 薄膜気相成長装置
JPS63243273A (ja) ロ−ドロツク式真空処理装置
JP2008227261A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed