FI122941B - Anordning i en ALD-reaktor - Google Patents

Anordning i en ALD-reaktor Download PDF

Info

Publication number
FI122941B
FI122941B FI20085580A FI20085580A FI122941B FI 122941 B FI122941 B FI 122941B FI 20085580 A FI20085580 A FI 20085580A FI 20085580 A FI20085580 A FI 20085580A FI 122941 B FI122941 B FI 122941B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
flow
arrangement according
gas
arrangement
central element
Prior art date
Application number
FI20085580A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20085580A (sv
FI20085580A0 (sv
Inventor
Mika Jauhiainen
Pekka Soininen
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20085580A priority Critical patent/FI122941B/sv
Publication of FI20085580A0 publication Critical patent/FI20085580A0/sv
Priority to EA201071368A priority patent/EA018887B1/ru
Priority to EP09761852.4A priority patent/EP2294245B1/en
Priority to CN2009801206812A priority patent/CN102057079B/zh
Priority to US12/937,782 priority patent/US8496753B2/en
Priority to JP2011513013A priority patent/JP5369178B2/ja
Priority to PCT/FI2009/050487 priority patent/WO2009150297A1/en
Publication of FI20085580A publication Critical patent/FI20085580A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI122941B publication Critical patent/FI122941B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Claims (14)

1. Arrangemang i samband med en ALD-reaktor, som omfattar en undertrycksättbar reaktionskammare, varvid arrangemanget omfattar aggregat för att mata reaktionsgas till reaktionskammaren (2) och suga tillbaka den och 5 aggregat för att mata spärrgas, kännetecknat av att aggregaten för matning och tillbakasugning av reaktionsgas och för matning av spärrgas omfattar ett mellanelement (3) med flera parallella kanaler (4 - 7) som sträcker sig genom elementet, samt ett första och ett andra element (8, 9) som vänder strömmen, vilka är anordnade i de ändar av mellanelementet (3) som kanaler- 10 na (4 - 7) mynnar ut i och vilka element (8, 9) som vänder strömmen är anordnade att förena kanalerna i mellanelementet (3) för att ästadkomma en Ström mellan kanalerna.
2. Arrangemang enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a t av att de mot mellanelementet (3) vända ytorna av elementen (8, 9) som vänder ström- 15 men är försedda med spar (15, 24, 17), vilka tillsammans med mellanelemen-tets (3) yta bildar strömvägar som förenar kanalerna.
3. Arrangemang enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat av att i vartdera elementet (8, 9) som vänder strömmen har bildats ett aggregat (13, 19) för matning av spärrgas.
4. Arrangemang enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a t av att den frän mellanelementet (3) bort vända ytan av det andra elementet (9) som vänder strömmen ärförsedd med spar (20), vilka tillsammans med ett lockelement (21) som ska placeras pa det andra elementet (9) som vänder strömmen bildar en strömväg för spärrgasen.
5. Arrangemang enligt patentkrav 4, k ä n n e t e c k n a t av att i c\j det andra elementet (9) som vänder strömmen har bildats andra borrningar ^ (18), vilka är anordnade att bilda strömförbindelser för spärrgasen frän spären g (20) pä ytan bort frän mellanelementet tili sparen (17) i ytan mot mellanele- lA mentets yta. C\J x 30
6. Arrangemang enligt patentkrav 5, k ä n n e t e c k n a t av att i den andra borrningen (18) har anordnats ett reglerelement (2) eller förträng-§ ning för att ästadkomma en strypning av strömmen. LO
7. Arrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat av att i o ätminstone en kanal (5) som sträcker sig genom mellanelementet (3) har an- 35 ordnats ett reglerelement (16) eller en förträngning för att ästadkomma en strypning av strömmen.
8. Arrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat avatti mitten av mellanelementet har bildats en samlingskanal (7) och runt den radialt och symmetriskt andra kanaler (4, 5, 6), varvid i radialriktningen sett är var och en kanal anordnad att vara i strömförbindelse med intilliggande kanal och vi- 5 dare samlingskanalen.
9. Arrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat av att mellanelementet (3) är bildat av ett massivt stycke och att kanalerna (4 - 7) är bildade genom borrning i det massiva stycket.
10. Arrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat av att 10 helheten bildad av mellanelementet (3) och det första och det andra elementet (8, 9) som vänder strömmen är fäst med hjälp av en flänskonstruktion (10) vid gaskällor, varvid flänskonstruktionens gasaggregat (11, 12) och borrningarna (13, 14, 19) i det första elementet som vänder strömmen bildar en gemensam strömningsväg via mellanelementet (3) tili reaktionskammaren (2).
11. Arrangemang enligt patentkrav 7, kä n n e t e c k n a t av att kanalen/kanalerna (5) är anordnade att vara med hjälp av späret (25) bildat i det andra elementet (9) som vänder strömmen i strömförbindelse tili ett ge-mensamt utloppsaggregat (23).
12. Arrangemang enligt patentkrav 10, k ä n n e t e c k n a t av att i 20 samband med flänskonstruktionen är anordnad en gemensam tätningskon- struktion (27) som tätar hela arrangemanget.
13. Arrangemang enligt patentkrav 10, k ä n n e t e c k n a t av att arrangemanget är integrerat i reaktorns övriga genomföringar.
14. Arrangemang enligt patentkrav 10, k ä n n e t e c k n a t av att 25 arrangemanget är anordnat att fungera som en del av reaktorns eskortupp- värmning. δ CM CD cp LO CM X X Q. o CO LO LO CO o o CM
FI20085580A 2008-06-12 2008-06-12 Anordning i en ALD-reaktor FI122941B (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20085580A FI122941B (sv) 2008-06-12 2008-06-12 Anordning i en ALD-reaktor
EA201071368A EA018887B1 (ru) 2008-06-12 2009-06-09 Устройство для реактора послойного атомного осаждения
EP09761852.4A EP2294245B1 (en) 2008-06-12 2009-06-09 Arrangement in connection with ald reactor
CN2009801206812A CN102057079B (zh) 2008-06-12 2009-06-09 与原子层沉积反应器相连接的装置
US12/937,782 US8496753B2 (en) 2008-06-12 2009-06-09 Arrangement in connection with ALD reactor
JP2011513013A JP5369178B2 (ja) 2008-06-12 2009-06-09 Ａｌｄ反応器の接続部の構成
PCT/FI2009/050487 WO2009150297A1 (en) 2008-06-12 2009-06-09 Arrangement in connection with ald reactor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20085580A FI122941B (sv) 2008-06-12 2008-06-12 Anordning i en ALD-reaktor
FI20085580 2008-06-12

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20085580A0 FI20085580A0 (sv) 2008-06-12
FI20085580A FI20085580A (sv) 2009-12-13
FI122941B true FI122941B (sv) 2012-09-14

Family

ID=39589344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20085580A FI122941B (sv) 2008-06-12 2008-06-12 Anordning i en ALD-reaktor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8496753B2 (sv)
EP (1) EP2294245B1 (sv)
JP (1) JP5369178B2 (sv)
CN (1) CN102057079B (sv)
EA (1) EA018887B1 (sv)
FI (1) FI122941B (sv)
WO (1) WO2009150297A1 (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8152922B2 (en) * 2003-08-29 2012-04-10 Asm America, Inc. Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
FI129501B (sv) * 2019-04-25 2022-03-31 Beneq Oy Gasdistributionsenhet i samband med en ALD-reaktor
KR20210126202A (ko) 2020-04-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US4389973A (en) * 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US5224513A (en) * 1991-06-04 1993-07-06 Cselt - Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. Device for introducing reagents into an organometallic vapor phase deposition apparatus
JPH06291318A (ja) * 1993-02-02 1994-10-18 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
EP0619450A1 (en) * 1993-04-09 1994-10-12 The Boc Group, Inc. Zero Dead-Leg Gas Cabinet
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
FI100409B (sv) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Förfarande och anläggning för framställning av tunnfilmer
US6068703A (en) * 1997-07-11 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus and method
TW576873B (en) * 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
TWI277140B (en) * 2002-07-12 2007-03-21 Asm Int Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
WO2004040630A1 (ja) * 2002-10-30 2004-05-13 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
CA2568002A1 (en) 2004-06-24 2006-01-05 Beneq Oy Method for doping material and doped material
WO2006078666A2 (en) * 2005-01-18 2006-07-27 Asm America, Inc. Reaction system for growing a thin film
KR101272321B1 (ko) * 2005-05-09 2013-06-07 한국에이에스엠지니텍 주식회사 복수의 기체 유입구를 가지는 원자층 증착 장치의 반응기
FI121543B (sv) * 2005-11-17 2010-12-31 Beneq Oy Anordning vid ALD-reaktor
FI121750B (sv) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktor
KR101522725B1 (ko) * 2006-01-19 2015-05-26 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 고온 원자층 증착용 인렛 매니폴드
KR101355638B1 (ko) * 2006-11-09 2014-01-29 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
JP5219562B2 (ja) * 2007-04-02 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2294245B1 (en) 2014-11-26
EA201071368A1 (ru) 2011-06-30
CN102057079A (zh) 2011-05-11
US20110036291A1 (en) 2011-02-17
WO2009150297A1 (en) 2009-12-17
EP2294245A1 (en) 2011-03-16
FI20085580A (sv) 2009-12-13
US8496753B2 (en) 2013-07-30
JP5369178B2 (ja) 2013-12-18
JP2011522969A (ja) 2011-08-04
EP2294245A4 (en) 2013-08-28
EA018887B1 (ru) 2013-11-29
FI20085580A0 (sv) 2008-06-12
CN102057079B (zh) 2013-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI122941B (sv) Anordning i en ALD-reaktor
JP4630226B2 (ja) シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法及びその装置
JP5738349B2 (ja) 反応気体の噴射速度を積極的に調節するシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置およびその方法
JP5519105B2 (ja) 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
TWI569878B (zh) Gas injection device with cooling system
US8152922B2 (en) Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor
KR102129136B1 (ko) 원자층 증착 및 화학 기상 증착 반응기들에 대한 pou 밸브 매니폴드
US6148761A (en) Dual channel gas distribution plate
TWI412063B (zh) 薄膜成長的反應系統
CN102534563B (zh) 一种用于金属有机化学气相沉积反应器的斜入式气体喷淋头
JP4971376B2 (ja) 気体噴射モジュール
TW201610216A (zh) 把原子層堆疊於基板之方法及裝置
TWM464459U (zh) 金屬有機化學氣相沉積反應器的氣體分佈裝置及反應器
US11371146B2 (en) Gas distribution unit in connection with ALD reactor
US10676824B2 (en) Enclosed-channel reactor system with conduit plate
KR102260370B1 (ko) 전체-영역 대향류 열 교환 기판 지지부
TWI440738B (zh) 與原子層沈積反應器有關的配置

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122941

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B