ES2644917T3 - Procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos - Google Patents

Procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos Download PDF

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Peter Thieme
Tobias Mayer-Uhma
Thomas SCHICHT
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Description

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DESCRIPCION
Procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos
La invencion se refiere al campo de la ceramica tecnica y se refiere a un procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos, como se producen, a modo de ejemplo, en barros de amolado o en el desecho de carburo de silicio debido a la produccion.
Carburo de silicio (SiC) es un mineral industrial sintetico que, debido a sus propiedades destacadas (dureza, propiedades a alta temperatura, estabilidad qufmica), se emplea en muchas ramas industriales. Es de especial importancia su empleo en forma de granulaciones de polvo ultrafino especiales, altamente puras y de fraccionado limitado (0,5 a aproximadamente 250 pm) en la microelectronica/fotovoltaica (aserrado de plaquitas), para la produccion de ceramica protectora balfstica para la tecnica militar, la tecnica automovihstica/medioambiental (filtros de partfculas de Diesel), asf como a modo de substancia abrasiva para elaboracion de superficie de alto valor en la construccion de maquinas total. Las granulaciones de SiC se producen a partir de SiC crudo mediante molturacion, purificacion y fraccionamiento. En este caso se producen cantidades elevadas y constantes de SiC de valor reducido, diffcilmente aprovechable. Un aumento de demanda en las granulaciones requiere siempre un aumento de produccion de SiC crudo. En este sentido, un aumento de la capacidad bruta no es lucrativa para los productores, lo que conduce a concision estructural y a inelasticidad en precios.
La generacion de SiC crudo traves del proceso de smtesis electronica aplciado desde hace aproximadamente 120 anos, el denominado proceso de Acheson (DE 76629 A, DE 85197 A), esta vinculada al precio de corriente y aceite (materia prima coque de petroleo), asf como a los costes medioambientales (debido a emisiones elevadas de polvo, CO/CO2 y SO2). Debido a muchos ensayos, los procedimientos de produccion alternativos no han tenido exito, en la mayor parte de los casos por motivos economicos, y no se encuentran disponibles tampoco en tiempo previsible.
Aunque SiC se considera una materia prima a granel disponible mundialmente, en las granulaciones de alta calidad importantes desde el punto de vista estrategico (HQ), desde hace algunos anos se pueden registrar dificultades y aumentos de precio. En 2008 se estimo un deficit de 40-60000 t de material crudo HQ-SiC en Europa (Silicon Carbide & More #24, 2008, S. 3). No obstante, un problema aun mayor de las granulaciones especiales consiste en que se requieren grandes cantidades de diferentes bandas de tamanos de grano aisladas en las aplicaciones de alta tecnologfa. Debido al contexto indicado anteriormente de inelasticidad de precios, ambas circunstancias conducen a aumentos de precio y a dificultades de abastecimiento para estas granulaciones especiales de HQ.
Los polvos de SiC en aplicaciones abrasivas estan sujetos a un desgaste respecto al rendimiento de corte y al tamano de grano. Una gran parte de SiC se pierde mediante procesos disipativos. En muchos casos, en los que se pueden registar productos de desecho que contienen SiC, la separacion de materias es extremadamente complicada desde el punto de vista tecnico, y la elaboracion no merece la pena economicamente.
Por el contrario, desde el aserrado industrial de plaquitas de lingotes de silicio se producen cantidades muy grandes de barros de amolado de SiC impurificados. La denominada suspension de aserrado de SiC es una suspension viscosa de SiC y polietilenglicol (PEG). El carburo de silicio como componente pulverulento solido es responsable de la dureza y el rendimiento de aserrado - polietilentlicol (PEG) como componente lfquido es soporte y agente refrigerante. Mediante el proceso de aserrado se modifica la distribucion de tamanos de grano y se impurifica la suspension. Para poder emplear de nuevo la suspension, esta se debe purificar y elaborar. A tal efecto, en los ultimos anos se ha producido una logfstica de registro y una tecnica de elaboracion, que recupera hasta un 80 % de SiC y lo devuelve al circuito util. Los lodos residuales remanentes estan constituidos por polvo de SiC de abrasion, es decir, de grano demasiado fino, abrasion de plaquita (Si), abrasion de hilo metalico de sierra (impurezas metalicas, por ejemplo Fe, Cr, V), y en parte agentes auxiliares de filtracion, como kieselgur, que esta constituido qmmicamente por SiO2 en su mayor parte, o perlita.
Si bien existen procedimientos de separacion y purificacion de tales mezclas (WO 2009/126922 A2 y US 2010/189622 A1), la utilizacion de SiC del lodo residual para aplicaciones altamente cualitativas fracasa en el tamano de grano demasiado reducido y en el rendimiento de corte, de modo que actualmente se practica solo eliminacion o deposicion. Los polvos de SiC/Si purificados a partir de lodos residuales de aserrado se ofrecen, a modo de ejemplo, para la produccion de ceramica de SiC de poco valor, enlazada por reaccion o a nitruro (WO 02/40407 A1); sin embargo, la demanda de tales productos es reducida. Por lo tanto, la gran parte de lodos residuales se emplea o se deposita actualmente como arido en metalurgia.
El crecimiento de SiC mediante la denominada recristalizacion es conocido en principio como procedimiento (J. Kriegesmann, Keramische Zeitschrift 42 (1990) 7, paginas 481-484) y se desarrolla como proceso de sublimacion/recondensacion, presumiblemente a traves de la reaccion de equilibrio SiC+SiO (g) ^ 2 Si (g)+ CO, en el estado final de la produccion de SiC crudo, tambien en el interior del cilindro de Acheson. Este proceso se utiliza tambien en la produccion de la denominada ceramica de RsiC, en la que los productos formados a partir de mezclas
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pulverulentas de HQ se someten a un tratamiento termico a temperaturas de aproximadamente 2400°C (entre otros el documento US 650234 B). En este caso, el grano fino sublima y el grano grueso, de crecimiento conjunto simultaneamente, se enlaza para dar una estructura solida, porosa. Segun el documento DE 1186447 A es conocido un proceso de dos etapas para la smtesis de carburo de silicio, en el que se briquetea una mezla cruda que ha reaccionado previamente en un segundo paso de proceso, y despues se somete la misma a un tratamiento termico a alta temperatura, purificandose y aumentandose las partfculas de SiC.
No obstante, tanto en el proceso de Acheson, como tambien en la produccion de ceramica de RsiC, se produce un fuerte enlace y crecimiento de partfculas de SiC al menos por encima de milfmetros, en parte incluso dimensiones de metros, de modo que no se puede obtener un polvo empleable con partfculas aisladas de tamano sub-milimetrico directamente a partir del proceso, sino que el material se clasifica, se rompe, y se debe molturar y clasificar de manera costosa (K.-H. Mehrwald, cfi/Ber. DKG 69 (1992) No 3, S72-81).
Tambien es sabido que, en el caso de cultivo cristalino de cristales de SiC a temperaturas elevadas crecen grandes cristales sobre substratos, por ejemplo grafito o ceramica de SiC a traves de procesos en fase gaseosa. En este caso tampoco se producen partfculas de cristal sueltas, sino los grandes cristales de SiC deseados, que se deben desprender del substrato con medios mecanicos o qmmicos.
En las soluciones conocidas del estado de la tecnica es desfavorable que especialmente los productos de desecho de SiC, debido a su pequeno tamano de partfcula, no sean reutilizables para productos y procesos conocidos.
Es tarea de la presente invencion indicar un procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos, con el que los productos de desecho de SiC pulverulentos se hagan reutilizables para productos y procesos conocidos con un procedimiento sencillo y economico.
La tarea se soluciona mediante la invencion indicada en las reivindicaciones. Son objeto de las reivindicaciones subordinadas acondicionamientos ventajosos.
En el caso del procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos segun la invencion se someten productos de desecho de SiC pulverulentos, que presentan al menos un 50 % en masa de SiC y un tamano de grano medio dso, medido a traves de difraccion de laser, entre 0,5 y 500 pm, a un tratamiento termico bajo vacfo o atmosfera exenta de oxfgeno a temperaturas de al menos 2000°C.
Ventajosamente, como productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos se emplean el denominado SiC de lodo residual de procesos de elaboracion de Si, lodos de amolado, polvos de amolado de procesos de elaboracion de superficies, o fracciones de grano fino del proceso de produccion de SiC crudo.
De modo igualmente ventajoso, el tratamiento termico se lleva a cabo a temperaturas entre 2000 °C y 2600 °C.
Ademas, el tratamiento termico se lleva a cabo ventajosamente bajo atmosfera de argon o nitrogeno.
Y tambien de modo ventajoso, los productos de desecho de SiC pulverulentos se exponen a la temperatura de al menos 2000°C entre 10 y 300 min.
Tambien es ventajoso emplear productos de desecho de SiC pulverulentos como apilamiento o polvo compactado, que presentan una densidad porcentual, referida a la densidad pura del polvo o de la mezcla pulverulenta, de un maximo de un 50 %, preferentemente entre un 20 y un 50 %, de modo aun mas ventajoso entre un 25 y un 40 %.
Es igualmente ventajoso anadir productos auxiliares y aditivos conocidos para la recristalizacion de SiC, que se pueden anador ventajosamente como hierro, compuestos de hierro y/o aleaciones de hierro en fracciones de un 0,25-5,00 % en masa, referido a la cantidad total de SiC y Si y C.
Ademas es ventajoso anadir a los productos de desecho de SiC pulverulentos 0,3 a 0,5 veces la fraccion ponderal de carbono, referida al contenido en Si libre y/o al contenido en Si de SiO2, anadiendose aun ventajosamente el carbono en forma de hollm o polvo de coque.
Tambien es segun la invencion el empleo de un carburo de silicio producido segun el procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos, recristalizado pulverulento, para procesos de elaboracion, para procesos de elaboracion de superficies, para ceramicas protectoras balfsticas y/o materiales filtrantes.
El empleo del carburo de silicio producido segun la invencion, recristalizado pulverulento, se efectua ventajosamente para el aserrado de plaquitas y/o el amolado y/o pulido de superficies.
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Ademas, el empleo de carburo de silicio producido segun la invencion, recristalizado pulverulento, se efectua con valores de circularidad de 0,905 a 0,925 y/o valores para la reduccion d50 en en ensayo de dureza de un 41 a un 52 %.
Con la solucion segun la invencion es posible por primera vez hacer reutilizables los productos de desecho de SiC pulverulentos para productos y procesos conocidos con un procedimiento sencillo y economico.
Esto se consigue mediante un procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de SiC pulverulentos, en el que se emplean como substancias de partida productos de desecho de Si pulverulentos, que presentan al menos un 50 % en masa de SiC y un tamano de grano medio d50, medido a traves de difraccion de laser, entre 0,5 y 500 pm. Tales productos de desecho de Si pulverulentos presentan un grano tan fino que no son empleables para la produccion de productos de SiC, a modo de ejemplo, en aplicaciones de alta tecnologfa.
Estas pueden ser, a modo de ejemplo, los denominados procesos de SiC de lodo residual de procesos de elaboracion de Si, lodos de amolado, polvos de amolado de procesos de elaboracion de superficies, o fracciones de grano fino del proceso de produccion de SiC crudo, o tambien mezclas de estos productos de desecho.
SiC de lodo residual de procesos de elaboracion de Si, por ejemplo en el aserrado de plaquetas de Si industrial, se caracteriza tambien como el denominado producto de acoplamiento.
Como producto de degradacion de SiC tambien se pueden emplear residuos pulverulentos con contenido elevado en SiC de la elaboracion de filtros de partfculas Diesel usados o residuos producidos en la obtencion de tales filtros de partfculas Diesel.
La presente invencion puede ser util igualmente para utilizar tambien lodos de silicio finos, que se producen, por ejemplo, en procesos de elaboracion de Si sin el empleo de polvo de Si. Este es el caso si en lugar de SiC como medio de amolado se emplea polvo de diamante o un alambre cubierto con diamante. A tal efecto, a este polvo de desecho que contiene silicio se anade polvo de SiC fino, hasta que la mezcla contiene > 50 % de SiC segun la invencion. La fraccion de diamante contenida en la mezcla sirve igualmente para fuente de carbono, y se considera cuantitativamente en la adicion con dosificacion del polvo que contiene carbono, como hollm o polvo de coque.
Tales productos de desecho de SiC pulverulentos se pueden emplear como polvo en apilamiento suelto. Los polvos con un compactado reducido, como se presentan debido a la tecnica de produccion y/o debido al almacenaje del polvo, se pueden emplear igualmente como substancias de partida segun la invencion. En este caso es esencial que el apilamiento o los polvos compactados presenten una densidad porcentual, referida a la densidad pura de polvo o de la mezcla pulverulenta, hasta un maximo de un 50 %, preferentemente entre un 20 y un 50 %, de modo aun mas ventajoso entre un 25 y un 40 %. La produccion de un apilamiento se efectua tfpicamente mediante introduccion del polvo suelto en un deposito, o mediante vertido sobre una base. En este caso se puede efectuar una distribucion con agentes auxiliares mecanicos simples. Se puede conseguir un compactado sencillo, por ejemplo, mediante aplicacion de oscilaciones, por ejemplo mediante una mesa vibradora, o mediante sacudida. En ningun caso se debfan aplicar fuerzas de prensado adicionales.
La determinacion de la densidad de apilamiento se efectua mediante pesada y determinacion volumetrica del apilamiento. La determinacion de la densidad pura del polvo se efectua, por ejemplo, mediante picnometna de gases, en el caso de composicion conocida se puede calcular tambien a partir de la densidad pura conocida de los componentes. En el caso de carburo de silicio, la densidad pura asciende a 3,21 g/cm3.
Segun la invencion, estos productos de desecho de SiC pulverulentos se someten entonces a un tratamiento termico bajo vado o atmosfera exenta de oxfgeno a temperaturas entre 2000°C y 2600°C, requiriendo las partfculas de partida mas gruesas una temperatura mas elevada que las partfculas muy finas. Por el contrario, por debajo de 2000°C apenas se produce un aumento de partfcula demasiado intenso. Por el contrario, por encima de 2600°C, la descomposicion de SiC aumenta con tal intensidad que el proceso se hace poco rentable.
Los tiempos de residencia se situan ventajosamente entre 10 minutos y 300 minutos a las citadas temperaturas, dependiendo esto tambien del volumen de polvo a tratar y de la temperatura. Como atmosfera exenta de oxfgeno se emplean atmosferas de gas de proteccion tecnicas, como atmosferas de argon o nitrogeno. El tratamiento termico es posible tanto bajo ligera sobrepresion, como tambien bajo presion negativa, hasta vado. El tratamiento termico se lleva a cabo ventajosamente bajo atmosfera de argon. El tratamiento termico es posible tanto en horno por cargas, como tambien en operacion de paso continua.
Con el procedimiento segun la invencion se consigue un crecimiento de partfculas de SiC y, sorprendentemente, que las partfculas de SiC mas gruesas producidas se presenten aisladamente en forma de polvo, de modo que el producto de procedimiento no se debe someter esencialmente a ningun otro tratamiento respecto a molturacion y purificacion. Esto era sorprendente, ya que, partiendo de los procesos de recristalizacion de SiC conocidos, se debfa
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contar con una adherencia de los cristales. No obstante, se mantiene la estructura, sensiblemente pulverulenta, de los productos del procedimiento segun la invencion. En este caso, las partfculas de polvo se presentan como cristales y cristalitas primarias aisladas, es decir, sin union entre sf, o ligeramente adheridas como cristalitas secundarias, es decir como union de pocos cristales o cristalitas primarias adheridas entre sr En este caso, el tamano de cristalitas secundarias asciende como maximo al factor 10 respecto al tamano maximo de cristalita aislada presente en la cristalita secundaria. Se entiende por cristalitas granos aislados, que son homogeneos respecto a su estructura de cristalizacion, pero no presentan, o presentan solo parcialmente la estructura de cristalizacion en su forma externa.
Con el procedimiento segun la invencion se puede obtener un aumento de las partfculas, medido como valor dso de una distribucion de tamanos de partfcula por medio de difraccion de laser de al menos el factor 10, hasta el factor 50, referido al valor dso del polvo no tratado.
El proceso de crecimiento de partfculas de SiC se puede controlar en este caso de modo conocido a traves de los parametros de tratamiento termico, como temperatura, tiempo de residencia, tipo de gas y presion de gas, y determinar facilmente por el especialista mediante algunos ensayos.
Para el fomento del crecimiento de partfculas se pueden anadir aditivos conocidos en sf al polvo de partida, como por ejemplo SiO2 o substancias que contienen hierro. El SO2 puede estar presente tambien mediante una oxidacion de SiC. En la mayor parte de los casos, los lodos residuales de procesos de elaboracion de Si contienen, ademas de SiC, tambien Si como abrasion de plaquita, impurezas metalicas de la abrasion de alambre de aserrado, y tambien restos de agentes auxiliares de filtracion. Estos componentes de polvo pueden actuar positivamente segun la invencion, ya que pueden favorecer el crecimiento de partfculas. Tambien otros productos de desecho de SiC pueden contener componentes, como silicio, oxido de silicio y carbono, asf como impurezas metalicas, como Fe, Cr y Al, en fracciones de < 5 % en masa, que fomentan igualmente el crecimiento de partfculas como aditivos.
En el caso de los denominados productos de acoplamiento de procesos industriales de aserrado de plaquitas de Si, segun desgaste de alambre tambien puede estar contenida una fraccion relativamente elevada de impurezas metalicas, en especial de Fe, de claramente > 5 % en masa. En este caso es ventajoso realizar una disminucion del contenido en hierro, o tambien de otros componentes metalicos, mediante tratamiento previo del producto de acoplamiento con acidos, como acido sulfurico, acido clortudrico o acido oxalico, a valores de un total de < 5 % en masa.
Si el polvo de partida no contiene carbono, es ventajoso anadir partfculas de carbono en forma de hollm o polvo de coque. Tal adicion puede ascender ventajosamente a 0,3 hasta 0,5 veces la fraccion ponderal de carbono, referida al contenido en Si libre y/o al contenido en Si de SO2.
Con el procedimiento segun la invencion se deben obtener polvos de SiC que sean empleables para aplicaciones de alta tecnologfa en calidad HQ, y que sean obtenibles con rendimiento elevado con un procedimiento sencillo y rentable. Los productos de desecho de SiC pulverulentos empleados se pueden reelaborar casi completamente e integrar de nuevo en el circuito de producto.
La idea basica se basa esencialmente en conseguir una capacidad de reciclaje efectiva del grano de SiC gastado con un crecimiento de los granos de SiC inducido termicamente; y precisamente bajo aprovechamiento de la posibilidad basica de hacer crecer cristales de SiC a traves de un proceso de sublimacion/recondensacion a temperaturas elevadas. Mientras que este principio para la produccion de ceramica de RsiC se utiliza ya desde hace tiempo, la aplicacion para el aumento de polvos y con el objetivo de una puesta a disposicion de polvos altamente cualitativos no es conocida hasta la fecha. Para el caso de SiC de lodo residual, el Si y SO2, presentes abundantemente, se pueden transformar al mismo tiempo en partfculas de SiC, de modo que, en el caso ideal, se obtiene un 100 % de producto de SiC.
No obstante, para la utilizacion ulterior, los polvos producidos segun la invencion se pueden someter tambien a otros pasos de procedimiento de elaboracion tfpicos, como procedimientos de desmenuzado, fraccionamiento y purificacion. Este puede ser el caso, por ejemplo, si a partir de los cristales y cristalitas producidas segun la invencion se deben romper partfculas mas finas, para generar una distribucion de tamanos de partfcula que se situa entre el producto de desecho y el producto producido segun la invencion. Para la reutilizacion como polvo de aserrado para el aserrado de plaquitas de Si, los polvos de Si producidos segun la invencion se pueden desmenuzar y clasificar ventajosamente, y adaptar a los tfpicos tamanos de partfcula habituales, por ejemplo de d50 de 11,3 -12,3 pm. La morfologfa de partfculas importante para el comportamiento de aserrado se caracteriza sobre todo mediante el denominado valor de circularidad, que constituye una medida de la forma de grano. En este caso se fotograffa un numero de terminado de partfculas y se determina la proporcion de circunferencia de un cfrculo con area de partfcula respecto a extension de partfcula (por ejemplo son el aparato Sysmex FPIA 3000 de la firma Malvern). Los valores de circularidad de polvos originales, es decir, primarios, frescos, del proceso de Acheson con un rendimiento de aserrado especialmente bueno, presentan de manera tfpica un valor de circularidad de 0,905 a 0,915. En el caso
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de polvos de SiC producidos segun la invencion, tras la molturacion y clasificacion se midio un valor de circularidad de 0,911. Por lo tanto, las partfculas presentan esencialmente una morfologfa aguda, y por lo tanto se pueden emplear de nuevo sin otros tratamientos para el aserrado de plaquitas de silicio con calidad elevada.
Otro importante valor cualitativo para la valoracion del polvo de SiC para aplicaciones en el aserrado y amolado constituye el denominado ensayo de dureza o ensayo de friabilidad. Este ensayo se lleva a cabo tfpicamente con el aparato Friability Tester ST1 de la firma Vollstadt Diamant. En este caso se somete una cantidad determinada de un polvo de SiC a una accion de desmenuzado definida a traves de bolas de acero, y a continuacion se caracteriza la reduccion del valor dso. En este caso, una reduccion menor significa un grano mas resistente. Con el polvo de SiC producido segun la invencion se alcanzan reducciones del valor dso de un 48 %, pero de modo especialmente ventajoso solo un 41-43 %, mientras que el polvo de SiC producido de manera primaria, fresco, de la misma distribucion de tamanos de grano de partida del proceso de Acheson presenta una reduccion del valor dso de un 4952 %. En este caso se muestra que, mediante el procedimiento segun la invencion, se obtiene incluso una calidad de SiC mas resistente frente a desmenuzado, que con el proceso de Acheson original.
A continuacion se explica mas detalladamente la invencion en un ejemplo de realizacion.
Ejemplo 1
Se mezclan 10 kg de un polvo de lodo de amolado desecado, que contiene un 85 % de SiC, un 12 % de silicio, un 2,5 % de SiO2 y un 0,5 % de Fe en un molino de tambor en seco con 0,5 kg de polvo de coque. La mezcla de polvo presenta un tamano de grano medio d50, determinado por medio de difraccion de laser, de 2 pm. La densidad pura de la mezcla de polvo, determinada por medio de picnometna de He, asciende a 2,98 g/cm3. La mezcla pulverulenta se carga suelta en un crisol de grafito con diametro interno 250 mm y altura 50 mm, y se extiende con una rasqueta. La cantidad de carga asciende aproximadamente a 1,84 kg por crisol, lo que corresponde a una densidad aparente de 0,75 g/cm3, es decir, aproximadamente un 25,2 % de la densidad pura. Los crisoles se calientan en un horno de gas de proteccion bajo atmosfera de argon con 10 K/min hasta 2500°C, y se mantiene a 2500°C durante 120 minutos.
Tras enfriamiento, el contenido del crisol se presenta como polvo y se extrae de los crisoles. Este esta constituido en un 99,5 % por carburo de silicio. El tamano de partfcula medio d50, determinado por medio de difraccion de laser, se situa en aproximadamente 90 pm, es decir, aumentado en el factor 45 en comparacion con la finura de polvo de partida. La investigacion microscopica muestra que el polvo esta constituido en su parte predominante por cristales y cristalitas primarias de un tamano entre 30 y 120 pm, presentandose estas tanto sueltas, como tambien adheridas parcialmente entre sf para dar partfculas secundarias, que no sobrepasan, no obstante, el tamano de aproximadamente 200 pm.

Claims (7)

  1. REIVINDICACIONES
    1. - Procedimiento para el reciclaje de productos de desecho de carburo de silicio pulverulentos, en el que los productos de desecho de SiC pulverulentos, que son el denominado SiC de lodo residual de procesos de elaboracion de Si, lodos de amolado, polvos de amolado de procesos de elaboracion de superficie, o fracciones de
    5 grano fino del proceso de produccion de SiC crudo, y que se presentan al menos un 50 % en masa de SiC y un tamano de grano medio d50, medido a traves de difraccion de laser, entre 0,5 y 500 pm, se someten a un tratamiento termico bajo vado o atmosfera exenta de oxfgeno a temperaturas entre 2000°C y 2600°C.
  2. 2. - Procedimiento segun la reivindicacion 1, en el que el tratamiento termico se lleva a cabo bajo atmosfera de argon o nitrogeno.
    10 3.- Procedimiento segun la reivindicacion 1, en el que los productos de degradacion de SiC pulverulentos se
    exponen a la temperatura de al menos 2000°C entre 10 y 300 min.
  3. 4. - Procedimiento segun la reivindicacion 1, en el que los productos de desecho de SiC se emplean como apilamiento o polvo compactado, que presentan una densidad porcentual, referida a la densidad pura del polvo o de la mezcla pulverulenta, de un maximo de un 50 %, preferentemente entre un 20 y un 50 %, de modo aun mas
    15 ventajoso entre un 25 y un 40 %.
  4. 5. - Procedimiento segun la reivindicacion 1, en el que se anaden productos auxiliares y aditivos conocidos para la recristalizacion de SiC.
  5. 6. - Procedimiento segun la reivindicacion 5, en el que se anaden como producto auxiliar y aditivo hierro, compuestos de hierro y/o aleaciones de hierro en fracciones de 0,25 - 5,00 % en masa, referido a la cantidad total de
    20 SiC y Si y C.
  6. 7. - Procedimiento segun la reivindicacion 1, en el que se anade a los productos de desecho de SiC pulverulentos 0,3 a 0,5 veces la fraccion ponderal de carbono, referida al contenido en Si libre y/o al contenido en Si de SiO2.
  7. 8. - Procedimiento segun la reivindicacion 7, en el que se anade el carbono en forma de hollm o polvo de coque.
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