ES2274069T3 - Procedimiento de deposito de una capa de oxido sobre sustrato y celula fotovoltaica usando dicho sustrato. - Google Patents
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Abstract
Procedimiento de depósito de una capa de óxido semiconductor transparente (12) sobre un sustrato (10) dispuesto en el interior de un recinto (26), caracterizado porque consiste: - disponer de fuentes (32, 34, 36) que contienen respectivamente un compuesto líquido a base de oxígeno, un compuesto líquido de metal destinado a formar el óxido, y un dopante en forma gaseosa o líquida, - en establecer en dicho recinto una temperatura comprendida entre 130 y 300ºC y una presión comprendida entre 0, 01 a 2 milibares, y después - poner dichas fuentes en comunicación con dicho recinto, lo que tiene por efecto vaporizar dichos líquidos en su superficie, aspirarlos en el recinto sin tener que utilizar un gas portador, y hacerlos reaccionar allí con el dopante de modo que se forme sobre el sustrato dicha capa de óxido.
Description
Procedimiento de depósito de una capa de óxido
sobre sustrato y célula fotovoltaica usando dicho sustrato.
La presente invención se refiere a un
procedimiento de depósito de una capa de óxido transparente sobre un
sustrato, que se aplica particularmente bien a la fabricación de
una célula o pila fotovoltaica; igualmente denominada célula o pila
solar. La invención se refiere también a dicha célula cuya capa de
óxido transparente se deposita según este procedimiento.
Les células solares más avanzadas
tecnológicamente, hasta el momento, comprende un sustrato, une capa
de óxido conductor transparente (denominada abreviadamente TCO por
la expresión inglesa Transparent Conductive Oxide)
depositada sobre el sustrato y una capa fotovoltaicamente activa
depositada sobre la capa de óxido. Esta capa fotosensible está
compuesta ventajosamente de tres sub-capas de
silicio hidrogenado amorfo, microcristalino o nanocristalino que
forma una unión p-i-n. Más
precisamente, las dos sub-capas externas están
respectivamente dopadas positivamente y negativamente, mientras que
la que la sub-capa intermedia es intrínseca.
Una célula de se describe con detalle, por
ejemplo, según varias formas de de realización, en la solicitud de
patente WO 97/24789.
El documento
US-A-5.002.796 describe un
procedimiento de depósito de una capa de óxido conductor
transparente que consiste en disponer de fuentes que contienen un
compuesto líquido a base de oxígeno.
En el estado actual de la técnica, las células
fotovoltaicas utilizan generalmente una capa de óxido conductor
transparente realizada en dióxido de estaño (SnO_{2}) u óxido de
zinc (ZnO) depositada sobre un sustrato de vidrio por el
procedimiento de vaporización química (denominada abreviadamente CVD
por la expresión inglesa Chemical Vapor Deposition), que se
efectúa a une temperatura generalmente comprendida entre 400 y
550ºC.
Ahora bien, es particularmente interesante poder
depositar la capa de óxido a una temperatura inferior porque esto
permitiría utilizar un sustrato, tal como vidrio templado, que
responde a las normas de seguridad exigidas para una aplicación en
exteriores.
Desafortunadamente, las temperaturas mencionadas
anteriormente tienen por efecto alterar las propiedades del
sustrato que le han sido conferidas por el temple.
La patente de EE.UU. 5.252.140 describe una
célula solar sobre vidrio templado en la cual el temple se efectúa
después de la formación de la capa de óxido. Con el fin de evitar la
degradación de ésta, el calentamiento se efectúa a 650ºC como
máximo durante menos de 2 minutos, antes de ser rápidamente enfriado
por aire. Estas precauciones encarecen sin embargo el procedimiento
y no garantizarían la calidad del temple.
Hasta el momento, se debe pues contentarse con
células solares sobre vidrio no templado, que son relativamente
frágiles y representan un daño potencial importante porque se rompen
en trozos cortantes. Su utilización en inmuebles se encuentra por
tanto limitada, e incluso prohibida para el equipamiento de
fachadas.
Las patentes de EE.UU. 4.751.149 y 5.002.796
describen procedimientos de depósito de la capa de óxido en fase
vapor, en las cuales los compuestos químicos que participan en la
reacción son llevados a la cámara por un gas portador saturado en
estos compuestos por barboteo.
Uno de tales métodos permite, en verdad,
disponer de condiciones de reacción más suaves, que no alteran las
propiedades del sustrato, y por tanto ser utilizables,
principalmente, para la producción de células solares sobre vidrio
templado. Sin embargo, el método no permite controlar bien la
cantidad de reaccionantes empleada, porque el equilibrio
termodinámico que rige el umbral de saturación del gas portador
depende de la temperatura y del flujo de este gas. Como es
problemático fijar con precisión la temperatura en el conjunto del
circuito, se tiene por tanto el riesgo de tener una recondensación
no controlada de los reactantes en un lugar más frío de la
instalación, La regularidad y la reproducibilidad de la capa son,
debido a esto, bastante difíciles de asegurar.
La presente invención tiene por objeto
proporcionar un procedimiento de depósito que permite no solamente
la utilización de un sustrato sobre vidrio templado o cualquier otro
material que resiste mal a temperaturas elevadas (superiores a
300ºC), sino igualmente un control preciso de la cantidad de
reactantes implicados, porque las condiciones experimentales que
existen en el circuito de alimentación son suficientes para evitar
cualquier recondensación intempestiva.
De manera más precisa, la invención se refiere a
un procedimiento de depósito de una capa de óxido conductor
transparente sobre un sustrato dispuesto en el interior de un
recinto, caracterizado porque consiste en:
- -
- disponer de fuentes que contienen respectivamente un compuesto líquido a base de oxígeno, un compuesto líquido de metal destinado a formar el óxido, y un dopante en forma gaseosa o líquida,
\newpage
- -
- en establecer en dicho recinto una temperatura comprendida entre 130 y 300ºC y una presión comprendida entre 0,01 y 2 milibares, y después
- -
- poner dichas fuentes en comunicación con dicho recinto, lo que tiene por efecto vaporizar dichos líquidos en su superficie, aspirarlos en el recinto sin tener que utilizar un gas portador, y allí hacerlos reaccionar con el dopante de modo que se forme sobre el sustrato dicha capa de óxido.
Según la invención, cuando las temperaturas
mencionadas anteriormente son demasiado bajas para permitir las
reacciones químicas que conducen a la formación del óxido, la
vaporización química se efectúa en un plasma de los gases de
depósito, formado en el interior del recinto, de preferencia
utilizando la técnica de deposición química bajo plasma
(abreviadamente PECVD por la expresión inglesa Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition), bien conocida por el experto en la
técnica.
La invención se refiere igualmente a una célula
fotovoltaica caracterizada porque comprende:
- -
- un sustrato,
- -
- una capa de óxido conductor transparente depositada sobre el sustrato por el procedimiento definido precedentemente, y
- -
- una capa fotovoltaicamente activa depositada sobre la capa de óxido.
De manera ventajosa, la capa activa de la célula
comprende tres sub-capas de silicio hidrogenado
amorfo, microcristalino o nanocristalino que forma una unión
p-i-n, estando las dos
sub-capas externas respectivamente dopadas
positivamente y negativamente.
Ventajosamente, el sustrato es de vidrio, de
preferencia vidrio templado, pero también puede ser de acero
inoxidable, de aluminio o de un polímero.
Otras características de la invención serán
evidentes de la descripción que sigue, hecha con relación al dibujo
anexo, en el cual:
- la figura 1 es una vista en corte de un célula
según la invención, y
- la figura 2 muestra esquemáticamente un equipo
para la fabricación de esta célula.
La célula representada en la figura 1 utiliza
como sustrato 10 una placa delgada de vidrio templado, que tiene un
espesor del orden de 1 a 8 mm, sobre el cual se deposita una capa de
óxido conductor transparente (TCO) 12 que tiene, típicamente, un
espesor de 0,2 a 4 \mum.
La capa 12, constituida ventajosamente de óxido
de estaño (SnO_{2}), óxido de zinc (ZnO) o un óxido de estaño y
de zinc, se deposita por vaporización química (CVD) según un
procedimiento que se describirá más adelante.
Una capa fotovoltaicamente activa 14, que tiene
un espesor de de aproximadamente 0,2 a 10 \mum, se deposita sobre
la capa de óxido 12. Está compuesta por tres
sub-capas de silicio hidrogenado amorfo,
microcristalino o nanocristalino 16, 18 y 20, que forman una unión
p-i-n. Las dos
sub-capas externas 16 y 20 están respectivamente
dopadas positivamente y negativamente.
Finalmente, la célula comprende también una capa
de contacto trasera 22, par ejemplo de óxido de zinc, depositada
sobre la capa activa 14 y une capa reflectante 24, por ejemplo de
plata o de aluminio, depositada sobre la capa 22.
Otras estructuras pueden estar realizadas de
células, que utilizan principalmente una unión
n-i-p, sobre el mismo sustrato de
vidrio templado en la misma capa de óxido transparente. Dichas
estructuras se describen con detalle en el documento EP ya
citado.
A continuación se hace referencia a la figura 2
que representa el equipo que permite el depósito por CVD de una
capa de óxido de zinc 12 sobre la placa de vidrio templado 10. En
esta Figura se ha representado en 26 une recinto estanco dotado de
un soporte calefactor 28 sobre el cual está depositada la placa de
vidrio templado: El recinto 26 está unid a una bomba de vacío 30,
así como a tres depósitos 32, 34 y 36 que contienen, el primero
agua, el segundo dietilzinc (C_{2}H_{5})_{2}Zn y el
tercero un dopante, ventajosamente en la forma de diborano
(B_{2}H_{6}). Debe quedar bien entendido que puede utilizarse
otros compuestos a base de zinc y otros dopantes, todos bien
conocidos por el experto en la técnica. Los contenidos de los
depósitos 32 y 34 son líquidos, mientras que el del depósito 36 es
una mezcla gaseosa de 0,5 a 2% de diborano diluida en un gas, tal
como nitrógeno, argón o hidrógeno. Se advertirá que los depósitos 32
y 34 están unidos directamente al recinto. El depósito 36 está
unido previamente al conducto de llegada del depósito 34, pero
también puede estar unido directamente al recinto.
En funcionamiento el recinto 26 se lleva con
ayuda de un soporte calefactor 28, a una temperatura de
aproximadamente180ºC, pero que puede estar comprendida entre 130 y
300ºC, mientras que la bomba 30 disminuye la presión a un valor de
0,3 a 0,5 milibares, pero que puede estar comprendida entre 0,01 y
20 milibares. Las válvulas regulables (no representadas) que unen
los depósitos 32, 34 y 38 al recinto 26 están entonces abiertas.
Debido a la muy débil presión establecida en el recinto y por tanto
en los depósitos, el dietilzinc y el agua contenida en estos
últimos en estado líquido se evaporan en su superficie y los gases
resultantes son aspirados en el recinto, reaccionan entre si y con
el gas dopante (B_{2}H_{5}) para provocar, a la temperatura del
sustrato, según una reacción conocida, el depósito de la capa de
óxido de zinc deseada 12 sobre la placa de vidrio templado 10.
La operación se desarrolla a una temperatura
relativamente poco elevada y el vidrio templado no experimenta
ningún deterioro de sus propiedades. Por otra parte, teniendo en
cuenta la presión homogénea y débil que reina en la instalación,
los gases vaporizados no tienen el riesgo de recondensarse antes de
su admisión en el recinto.
El procedimiento anterior conviene perfectamente
para el depósito de óxido de zinc dopado con diborano porque las
reacciones químicas puestas en juego se realizan sin problemas a las
temperaturas mencionadas. Por el contrario, cuando se trata
efectuar un depósito por CVD de dióxido de estaño o un depósito de
óxido de zinc con un dopante más estable, tal como tetrafluoruro de
metilo (CF_{4}), estas temperaturas son demasiado bajas para que
esta reacciones tengan lugar simultáneamente.
Según la invención, el depósito de la capa de
óxido se realiza entonces por el procedimiento de vaporización
química bajo plasma (PECVD). En este caso, el recinto 26 está
equipada por un electrodo, por ejemplo en forma de rejilla 38,
dispuesto por encima del soporte calefactor 28 y un generador
eléctrico 40 está conectado entre este electrodo y el soporte.
Así, en funcionamiento, mientras que la
temperatura y la presión se mantienen en los valores mencionados
precedentemente, los gases introducidos en el recinto 26 dan lugar
a la formación de un plasma entre el electrodo 38 y el soporte 28.
Se generan así por el plasma radicales activos y permiten que las
reacciones químicas que dan lugar al depósito de la capa de óxido
tengan lugar a una temperatura sensiblemente más baja que la que
normalmente es necesaria, conservando así las propiedades del
sustrato.
De modo ventajoso, para obtener el depósito
deseado de SnO_{2}, los depósitos 34 y 36 contienen
respectivamente, por ejemplo, tatrametilestaño
(CH_{3})_{4}Sn y, como dopante, tetrafluoruro de metilo
(CF_{4}). Ni que decir tiene que puede utilizarse otros
compuestos bien conocidos en la práctica.
Se advertirá que el agua del depósito 32 puede
ser reemplazada por cualquier compuesto que contenga oxígeno
(N_{2}O, CH_{3}OH, C_{2}H_{5}OH,...) y que el dopante
contenido en el depósito 36 también puede estar también en forma
líquida.
La presente descripción se ha hecho con
referencia a un sustrato en vidrio templado porque encuentra una
aplicación particularmente interesante para el equipamiento de
fachadas, pero naturalmente pueden utilizarse en el marco de la
presente invención otros sustratos, tal como vidrio normal, acero
inoxidable, aluminio o polímeros.
Claims (5)
1. Procedimiento de depósito de una capa de
óxido semiconductor transparente (12) sobre un sustrato (10)
dispuesto en el interior de un recinto (26), caracterizado
porque consiste:
- -
- disponer de fuentes (32, 34, 36) que contienen respectivamente un compuesto líquido a base de oxígeno, un compuesto líquido de metal destinado a formar el óxido, y un dopante en forma gaseosa o líquida,
- -
- en establecer en dicho recinto una temperatura comprendida entre 130 y 300ºC y una presión comprendida entre 0,01 a 2 milibares, y después
- -
- poner dichas fuentes en comunicación con dicho recinto, lo que tiene por efecto vaporizar dichos líquidos en su superficie, aspirarlos en el recinto sin tener que utilizar un gas portador, y hacerlos reaccionar allí con el dopante de modo que se forme sobre el sustrato dicha capa de óxido.
2. Procedimiento según la reivindicación 1, para
depositar una capa de óxido de zinc, caracterizado porque
dichas fuentes (32, 34, 36) contienen respectivamente agua,
dietilzinc en forma líquida y una mezcla gaseosa a base de
diborano.
3. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque consiste, además, en formar un plasma de
los líquidos vaporizados en el interior del recinto.
4. Procedimiento según la reivindicación 3, para
depositar una capa de óxido de estaño, caracterizado porque
dichas fuentes (32, 34, 36) contienen respectivamente agua,
tetrametilestaño en forma líquida y una mezcla gaseosa a base de
tetrafluoruro de metilo.
5. Procedimiento según la reivindicación 3, para
depositar una capa de óxido de zinc, caracterizado porque
dichas fuentes (32, 34, 36) contienen respectivamente agua,
tetrametilzinc en forma líquida y una mezcla gaseosa a base de
tetrafluoruro de metilo.
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| EP1717341B1 (en) * | 2004-02-16 | 2015-04-15 | Kaneka Corporation | Process for producing transparent conductive film and process for producing tandem thin-film photoelectric converter |
| JP4918224B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-04-18 | 昭和シェル石油株式会社 | 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置 |
| US8197914B2 (en) | 2005-11-21 | 2012-06-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for depositing zinc oxide at low temperatures and products formed thereby |
| EP1840966A1 (fr) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | Universite De Neuchatel | Couche conductrice transparente et texturée et son procédé de réalisation |
| WO2008027086A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Pilkington Group Limited | Method of making a low-resistivity, doped zinc oxide coated glass article and the coated glass article made thereby |
| US20080128022A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-06-05 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device including a tin oxide protective layer |
| DE102006062019A1 (de) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Näbauer, Anton, Dr. | Verfahren zur Herstellung von mechanisch stabilen Dünnschicht Photovoltaik Solarmodulen unter Verwendung von Glas |
| US8203071B2 (en) | 2007-01-18 | 2012-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same |
| KR20100095426A (ko) | 2007-11-02 | 2010-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증착 공정들 간의 플라즈마 처리 |
| US20100264035A1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Solopower, Inc. | Reel-to-reel plating of conductive grids for flexible thin film solar cells |
| US9528182B2 (en) | 2009-06-22 | 2016-12-27 | Arkema Inc. | Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals |
| JP5508800B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-06-04 | 株式会社カネカ | 薄膜の製造方法、並びに、太陽電池の製造方法 |
| US8525019B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-09-03 | Primestar Solar, Inc. | Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules |
| WO2012031102A2 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Corning Incorporated | Thin film silicon solar cell in multi-junction configuration on textured glass |
| US8906732B2 (en) * | 2010-10-01 | 2014-12-09 | Stion Corporation | Method and device for cadmium-free solar cells |
| US8628997B2 (en) * | 2010-10-01 | 2014-01-14 | Stion Corporation | Method and device for cadmium-free solar cells |
| DE102015215434A1 (de) * | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4513057A (en) | 1982-06-10 | 1985-04-23 | Hughes Aircraft Company | Process for forming sulfide layers |
| US4605565A (en) * | 1982-12-09 | 1986-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film |
| JPH0682625B2 (ja) * | 1985-06-04 | 1994-10-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 酸化亜鉛膜の蒸着方法 |
| JPS6289873A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透明導電膜形成方法 |
| US4640221A (en) * | 1985-10-30 | 1987-02-03 | International Business Machines Corporation | Vacuum deposition system with improved mass flow control |
| US5252140A (en) * | 1987-07-24 | 1993-10-12 | Shigeyoshi Kobayashi | Solar cell substrate and process for its production |
| JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
| US4990286A (en) * | 1989-03-17 | 1991-02-05 | President And Fellows Of Harvard College | Zinc oxyfluoride transparent conductor |
| JP2538042B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1996-09-25 | 株式会社エステック | 有機金属化合物の気化供給方法とその装置 |
| JP2881929B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-04-12 | 松下電器産業株式会社 | アルミナ膜の製造方法 |
| US5711816A (en) * | 1990-07-06 | 1998-01-27 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same |
| JP3380610B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2003-02-24 | 株式会社サムコインターナショナル研究所 | 液体原料ｃｖｄ装置 |
| US5397920A (en) * | 1994-03-24 | 1995-03-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production |
| US6096389A (en) * | 1995-09-14 | 2000-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process |
| FR2743193B1 (fr) | 1996-01-02 | 1998-04-30 | Univ Neuchatel | Procede et dispositif de depot d'au moins une couche de silicium hydrogene microcristallin ou nanocristallin intrinseque, et cellule photovoltaique et transistor a couches minces obtenus par la mise en oeuvre de ce procede |
| JP4510186B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2010-07-21 | 株式会社アルバック | カーボン薄膜製造方法 |
-
2001
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-
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