PT2208235E - Substrato de vidro para células solares - Google Patents
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Description
DESCRIÇÃO EPÍGRAFE: "SUBSTRATO DE VIDRO PARA CÉLULAS SOLARES" A presente invenção é relativa aos aperfeiçoamentos introduzidos nos elementos capazes de colectar a luz ou mais geralmente em todo o dispositivo electrónico tal como uma célula solar à base de materiais semi condutores. É conhecido que os elementos capazes de colectar a luz do tipo células solares foto voltaicas de camadas finas comportam uma camada de agente absorvente, pelo menos um eléctrodo disposto sobre o lado da incidência da luz à base de um material metálico, e um eléctrodo traseiro à base de um material metálico, este eléctrodo traseiro podendo ser relativamente espesso e opaco. Ela deve-se caracterizar essencialmente por uma resistência eléctrica de superfície tão fraca quanto possível e uma boa aderência à camada de absorvedor assim como no caso presente ao substrato.
Os compostos ternários calcopirites que podem desempenhar a função de absorvedor contêm geralmente o cobre, o índium e o selénio. Trata-se daquilo que se chama camadas de agente 1 absorvente CISe2. Pode-se também acrescentar à camada de agente absorvente o gálio (ex : Cu(In,Ga)Se2 ou CuGaSe2) , o alumínio (ex : Cu (In, Al) Se2) , ou o enxofre (ex : Culn(Se,S). Designam-se em geral e mais adiante pelo termo de camadas de agente absorvente de calcopirite.
No quadro desta fileira de agente absorvente de calcopirite, os eléctrodos traseiros são na maior parte das vezes do tempo fabricados à base de molibdénio.
Ora, altos desempenhos desta fileira não podem ser atingidos senão por um controlo rigoroso do aumento cristalino da camada de agente absorvente, e da sua composição química.
Além disso, sabe-se que entre todos os factores que contribuem, a presença de sódio (Na) sobre a camada de Mo é um parâmetro chave que favorece a cristalização dos agentes absorventes de calcopirites. A sua presença em quantidade controlada permite reduzir a densidade de defeitos do absorvedor e aumentar a sua condutividade. 0 substrato com função de vidro contendo os alcalinos, geralmente à base de vidro silico-sodo-cálcico, constitui naturalmente um reservatório de sódio. Sob o efeito do processo de fabrico das camadas do agente absorvente, 2 os alcalinos vão geralmente realizado a alta temperatura migrar através do substrato, do eléctrodo traseiro à base de molibdénio, para a camada de agente absorvente, nomeadamente do tipo de calcopirite. A camada em molibdénio deixa difundir livremente o sódio do substrato para as camadas activas superiores sob o efeito de um recozimento térmico. Esta camada de Mo apresenta apesar disso todo o inconveniente de não permitir senão um controlo parcial e pouco preciso da quantidade de Na que migra para a interface Mo/CIGSe2-
Segundo uma técnica conhecida (EP 715358) a camada de agente absorvente é depositada, a alta temperatura, sobre a camada à base de molibdénio, que é separada do substrato com a ajuda de uma camada barreira à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitretos de Si, ou de óxidos ou de oxinitretos de alumínio. Esta camada barreira permite bloquear a difusão do sódio saído da difusão no seio do substrato para as camadas activas superiores depositadas sobre o Mo.
Ainda que acrescentando uma etapa suplementar ao processo de fabrico, esta última solução oferece a possibilidade de dosear de maneira muito precisa a quantidade de Na depositada sobre a camada de Mo sem ter de recorrer a uma fonte exterior (ex : NnF, Na202, Na2Se) . 3 0 processo de fabrico dos eléctrodos à base de molibdénio é um processo contínuo que implica que os substratos assim revestidos sejam armazenados em bateria sobre os cavaletes antes da sua utilização ulterior num processo em retoma no decurso do qual a camada à base de material absorvente será depositada sobre a superfície do eléctrodo em molibdénio.
No decurso das fases de armazenagem os substratos nas prateleiras, a camada de molibdénio faz pois face ao substrato de vidro em frente. Esta face rica em sódio é susceptível de contaminar a face de molibdénio e de enriquecer com o tempo. Este mecanismo de dopagem não controlado pode conduzir a um desvio dos processos de fabrico durante a fase de depósito do molibdénio em retoma. A presente invenção visa pois atenuar estes inconvenientes propondo um substrato com função de vidro cuja difusão do sódio é controlada.
Para este efeito, o substrato com função de vidro contendo os alcalinos apresenta uma estrutura tal como definida pela reivindicação 1.
Nos modos de realização preferidos da invenção pode-se eventualmente ter de recorrer além disso a uma e/ou a outra 4 das disposições seguintes : - a espessura da camada barreira é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm, - A camada à base de nitreto de silício é sob- estequiométrica. - A camada à base de nitreto de silício é sobre- estequiométrica.
De acordo com um outro aspecto da invenção, ela visa igualmente um elemento capaz de colectar a luz utilizando pelo menos um substrato tal como precedentemente descrito.
Nos modos de realização preferidos da invenção, pode-se eventualmente ter de recorrer além disso a uma e/ou outra das disposições seguintes : - Elemento capaz de colectar a luz, comportando um primeiro substrato com função de vidro e um segundo substrato com função de vidro, os ditos substratos aprisionando entre duas camadas condutoras formando os eléctrodos pelo menos uma camada funcional à base de um material de agente 5 absorvente de calcopirite permitindo uma conversão energética da luz em energia eléctrica caracterizada por um pelo menos dos substratos ser à base de alcalinos e comportar, sobre uma das suas faces principais, pelo menos uma camada barreira aos alcalinos.
Pelo menos uma porção da superfície da face principal do substrato não revestido da camada barreira comporta uma camada condutora à base de molibdénio a espessura da camada barreira é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm
De acordo com um outro aspecto da invenção, ela visa igualmente um processo de fabrico do substrato tal como precedentemente descrito que se caracteriza por a camada barreira e a camada electro condutora serem depositadas com a ajuda de um processo de pulverização magnetrão «alto» e «baixo».
Outras caracteristicas, detalhes, vantagens da presente invenção aparecerão melhor na leitura da descrição que vai seguir, feita a titulo ilustrativo e de modo algum limitativo, em referencia às figuras anexadas sobre as quais : 6 a figura 1 é uma vista esquemática de um elemento capaz de colectar da luz, - a figura 2 é uma vista esquemática de um substrato segundo um primeiro modo de realização, a camada barreira sendo depositada sobre a face estanho do dito substrato, - a figura 3 é uma vista esquemática de um substrato segundo uma estrutura conhecida, a camada barreira sendo sobre depositada sobre a face ar do dito substrato, na interface entre o vidro e a camada condutora. - a figura 4 é um gráfico mostra a evolução do teor em oxigénio e em sódio na camada funcional, em função de diferentes espessuras da camada barreira
Sobre a figura 1, representou-se um elemento capaz de colectar a luz (uma célula solar ou foto voltaica). 0 substrato 1 transparente com função de vidro pode por exemplo ser inteiramente em vidro contendo alcalinos como um vidro silico-sodo-cálcico. Ele pode igualmente ser num polímero termoplástico tal como um poliuretano ou um policarbonato ou um polimetacrilato de metilo. 7 0 essencial da massa (quer dizer para pelo menos 98 % em massa), até mesmo a totalidade do substrato de função de vidro é constituído de material(is) apresentando a melhor transparência possível e tendo de preferência uma absorção lineica inferior a 0,01 mirT1 na parte do espectro útil à aplicação (módulo solar), geralmente o espectro indo de 380 a 1200 nm. O substrato 1 de acordo com a invenção pode ter uma espessura total indo de 0,5 a 10 mm quando se utiliza como placa protectora uma célula foto voltaica de diversas tecnologias calcopirite (CIS, CIGS, CIGSe2...) ou como substrato suporte 1' destinado a receber o conjunto do empilhamento funcional. Quando o substrato 1 é utilizado como placa protectora, pode ser vantajoso submeter a esta placa um tratamento térmico (do tipo têmpera por exemplo) quando ele é em vidro.
De maneira convencional, define-se por A a face frontal do substrato dirigido para os raios luminosos (trata-se da face externa), e por B a face traseira do substrato dirigido para o resto das camadas do módulo solar (trata-se da face interna). A face B do substrato 1' é revestida de uma camada primeira camada condutora 2 devendo servir de eléctrodo. Sobre este eléctrodo 2 é depositada a camada funcional 3 à base de agente 8 absorvente de calcopirite. Quando se trata de uma camada funcional 3 à base por exemplo de CIS, CIGS, ou CIGSe2 é preferível que a interface entre a camada funcional 3 e o eléctrodo 2 seja à base de molibdénio. Uma camada condutora respondendo a estas exigências é descrita no pedido de patente europeia EP 1356528. A camada de agente absorvente de calcopirite 3 é revestida de uma fina camada 4 em sulfureto de cádmio (CdS) permitindo criar com a camada de calcopirite 3 uma junção pn. Com efeito, o agente calcopirite é geralmente dopado n, a camada 4 em CdS sendo dopada p, isso permite criar a junção pn necessária ao estabelecimento de uma corrente eléctrica.
Esta fina camada 4 de CdS é ela mesma recoberta de uma camada de ligação 5 geralmente formada de óxido de zinco dito intrínseco (ZnO : i).
Afim de formar o segundo eléctrodo, a camada de ZnO :i 5 é recoberta de uma camada 6 em TCO para «Transparent Conductive
Oxide». Ela pode ser escolhida entre os materiais seguintes : óxido de estanho dopado, nomeadamente em fluor ou em antimónio (os precursores utilizáveis em caso de depósito por CVD podem ser organo metálicos ou halogenetos de estanho associados com um precursor de fluor do tipo ácido fluorídrico ou ácido 9 trifluoracetico) o óxido de zinco dopado, nomeadamente de alumínio (os precursores utilizáveis, em caso de depósito por CVD, podem ser os organo metálicos ou halogenetos de zinco e de alumínio) , ou ainda o óxido de índium dopado, nomeadamente de estanho (os precursores utilizáveis em caso de depósito por CVD podem ser os organo metálicos ou halogenetos de estanho e de índium). Esta camada condutora deve ser tão transparente quanto possível, e apresentar uma transmissão elevada da luz no conjunto dos comprimentos de onda correspondendo ao espectro de absorção do material constituindo a camada funcional, afim de não reduzir inutilmente o rendimento do módulo solar.
Constatou-se que a camada relativamente fina 5 (por exemplo 100 nm) em ZnO dieléctrica (ZnO :i) entre a camada funcional 3 e a camada condutora dopada n, por exemplo em CdS, influenciava de maneira positiva a estabilidade do processo de depósito da camada funcional. A camada condutora 6 apresenta resistência por quadrado de no máximo 30 ohms/quadrado, nomeadamente no máximo 20 ohms/quadrado, de preferência de no máximo 10 ou 15 ohms/quadrado. Ela é geralmente compreendida entre 5 e 12 ohms/quadrado. 10 0 empilhamento 7 de camadas finas é aprisionado entre dois substratos lei' por intermédio de um intercalar de folheagem 8 por exemplo em PU, PVB ou EVA. 0 substrato 1' distingue-se do substrato 1 pelo facto de que ele é necessariamente em vidro, à base de alcalinos (por razões que foram explicadas no preambulo da invenção), como um vidro silico-sodo-cálcico de maneira a conformar uma célula solar ou foto voltaica depois encapsulada perifericamente com a ajuda de uma junta ou de uma resina de estanquidade. Um exemplo de composição desta resina e destas modalidades de realização é descrita no pedido EP739042.
De acordo com uma caracteristica vantajosa da invenção (reporta-se à figura 2), prevê-se depositar sobre toda ou parte da face do substrato 1' (por exemplo ao nível da face estanho) que não está em contacto com a camada electro condutora 2, nomeadamente à base de molibdénio, uma camada 9 barreira aos alcalinos. Esta camada barreira 9 aos alcalinos é à base de um material dieléctrico, este material dieléctrico sendo à base de nitreto de silício. A espessura da camada barreira 9 é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm.
Esta camada barreira aos alcalinos à base de nitreto de 11 silício pode não ser estequiométrica. Ela pode ser de natureza sob-estequiométrica, até mesmo e de maneira preferida sobre-estequiométrica. Por exemplo esta camada é o SixNy, com uma relação x/y de pelo menos 0.76, preferencialmente compreendida entre 0.80 e 0.90, porque foi demonstrado que quando SixNy é rico em Si, o efeito barreira aos alcalinos é tanto mais eficaz. A presença desta camada barreira na face traseira do substrato 1' permite evitar a poluição da camada condutora 2 à base de Mo no decurso das etapas de armazenagem (entre produção e utilização) , quando ela está em contacto com a face de vidro em frente. Ela suporta igualmente uma solução simples para bloquear o mecanismo de ejecção do Na da face traseira do vidro induzido pelas etapas de recozimento/selenização no decurso das quais as bases de produção arriscam ser contaminadas causando assim o desvio dos processos de fabrico.
Uma técnica conhecida da técnica anterior (reporta-se à figura 3) prevê inserir uma camada barreira 9' aos alcalinos semelhantes ao precedente entre o substrato 1' à base de alcalino e a camada condutora 2 à base de Mo. Lá ainda, ela pode ser constituída de nitretos, de óxidos ou de oxinitreto de Si, ou de óxidos ou de oxinitreto de alumínio. Ela permite bloquear a difusão do Na, do vidro para as camadas activas 12 superiores depositadas sobre o Mo. Ainda que acrescentando uma etapa suplementar ao processo de fabrico, esta última solução oferece a possibilidade de dosear de maneira muito precisa a quantidade de Na depositada sobre a camada de Mo tendo de recorrer a uma fonte exterior (ex: NaF, Na202, Na2Se) . A espessura da camada barreira é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm. A camada barreira 9 situada na face traseira do substrato 1' (em geral lado face estanho do substrato) é depositada antes e depois do depósito dos empilhamentos à base de Molibdénio, por pulverização magnetrão do tipo sputter down ou sputter up. Um exemplo deste processo de realização é dado por exemplo na patente EP 1179516. A camada barreira pode igualmente ser depositada pelos processos CVD como o PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).
Entre todas as combinações possíveis, a solução mais simples é um processo numa só etapa, o conjunto das camadas é depositado na mesma coater.
Neste caso, a camada barreira à base de dieléctrico (por exemplo o nitreto de silício) é depositada sobre a face traseira por pulverização magnetrão do tipo sputter up ou 13 «pulverização pelo alto», enquanto que as camadas à base de material condutor, por exemplo o Mo e/ou a outra camada barreira 9' em material dieléctrico situado na interface vidro (face ar) e a camada condutora 2, por exemplo à base de molibdénio, são de seguida acrescentadas sobre a face ar por pulverização magnetrão do tipo sputter down ou «pulverização pelo alto».
Uma outra solução consiste em utilizar um processo em duas etapas separadas em que o conjunto das camadas é depositado por pulverização magnetrão do tipo sputter down. Neste caso, para evitar toda a contaminação da camada de Mo, é preferível depositar previamente a camada barreira sobre a face traseira (a saber lado face estanho do substrato). Entre as duas etapas de depósito, a pilha de substratos deve ser manipulada para ser voltada.
Qualquer que seja o processo de fabrico, em se referindo à figura 4, nota-se que sem camada barreira nomeadamente em SiN os teores em 0 e em Na são respectivamente 20 vezes e 5 vezes maiores que com uma camada de 150 nm de SiN. Vê-se igualmente que uma espessura de 50 nm de SiN permite reduzir significativamente a difusão de Na (de um factor 15 aproximadamente) mas que a sua estanquidade em relação à difusão de oxigénio é limitada (factor 2 aproximadamente). 14
Para parar eficazmente a migração do Na ou o oxigénio do vidro para o exterior vê-se pois que uma camada de 150 nm de SiN preenche perfeitamente a função. A aplicação de uma tal camada é particularmente interessante durante as fases de armazenagem para evitar a contaminação da face em frente (oxidação da superfície ou enriquecimento em Na).
Este tipo de camada é interessante para evitar o desvio dos processos de selenização susceptíveis de reagir com a Na durante o fabrico dos módulos.
Um módulo solar tal como precedentemente descrito deve, para poder funcionar e libertar uma tensão eléctrica a uma rede de distribuição eléctrica, ser por um lado, provido de dispositivos de conexões eléctricas e por outro, provido de meios de suporte e de solidarização assegurando a sua orientação em relação à irradiação luminosa.
Lisboa, 18 de Julho de 2012 15
Claims (1)
- REIVINDICAÇÕES Ia - Substrato (1, 1') com função de vidro contendo alcalinos compreendendo uma primeira face principal destinada a ser associada a uma camada à base de um material absorvente, do tipo calcopirite, e uma segunda face principal, pelo menos uma porção de superfície da primeira face principal do substrato (1') comportando uma camada condutora (2) à base de molibdénio, uma camada barreira aos alcalinos não sendo interposta entre a camada condutora à base de molibdénio (2) e a primeira face principal do substrato (1') caracterizado por ele comportar sobre pelo menos uma porção de superfície da segunda face principal pelo menos uma camada barreira (9) aos alcalinos à base de nitreto de silício. 2a - Substrato de acordo com a reivindicação n° 1, caracterizado por a camada à base de nitreto de silício (9) ser sob-estequimétrica. 3a - Substrato de acordo com a reivindicação n° 1, caracterizado por a camada à base de nitreto de silício (9) ser sobre-estequimétrica. 4a - Substrato de acordo com uma das reivindicações 1 precedentes, caracterizado por a espessura da camada barreira (9) ser compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm. 5a - Bateria de substratos, os substratos estando de acordo com uma qualquer das reivindicações precedentes, caracterizada por a camada condutora (2) à base de molibdénio de um primeiro substrato (1') estando em contacto com a dita pelo menos uma camada barreira (9) aos alcalinos à base de nitreto de silício suportado pela segunda face principal de um segundo substrato (1' ) · 6a - Elemento capaz de colectar a luz utilizando pelo menos um substrato de acordo com qualquer uma das reivindicações precedentes. 7a — Elemento capaz de colectar a luz de acordo com a reivindicação n° 6, comportando um primeiro substrato (1) com função de vidro e um segundo substrato (1') com função de vidro, os ditos substratos aprisionando entre duas camadas condutoras (2, 6) formando os eléctrodos pelo menos uma camada funcional (3) à base de um material de agente absorvente, do tipo de calcopirite permitindo uma conversão energética da luz em energia eléctrica caracterizado por um pelo menos dos 2 substratos (1 1' ) ser de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 4. 8a - Processo de fabrico de um substrato de acordo com a reivindicação n° 1, caracterizado por a camada barreira (9) e a camada electro condutora à base de molibdénio (2) serem depositadas com a ajuda de um processo de pulverização magnetrão «cimo» e «baixo». Lisboa, 18 de Julho de 2012 3
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8134069B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
| US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
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| US20110067998A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Miasole | Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing |
| DE102010017246A1 (de) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Solibro Gmbh | Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür |
| US10043921B1 (en) | 2011-12-21 | 2018-08-07 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof |
| CN102544138A (zh) * | 2012-02-08 | 2012-07-04 | 南开大学 | 一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池 |
| KR102328677B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2021-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667214A (en) * | 1983-06-24 | 1987-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor |
| US5252140A (en) * | 1987-07-24 | 1993-10-12 | Shigeyoshi Kobayashi | Solar cell substrate and process for its production |
| EP0393034B1 (en) * | 1987-07-24 | 1994-02-02 | AMORPHOUS SILICON, Inc. | Solar cell substrate and process for its production |
| AU616736B2 (en) * | 1988-03-03 | 1991-11-07 | Asahi Glass Company Limited | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
| US5252139A (en) * | 1991-02-21 | 1993-10-12 | Solems S.A. | Photovoltaic thin layers panel structure |
| DE4442824C1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
| DE19514908C1 (de) | 1995-04-22 | 1996-04-18 | Ver Glaswerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls |
| US5628688A (en) * | 1995-12-27 | 1997-05-13 | Dana Corporation | Slip yoke assembly for vehicle driveshaft |
| US6274805B1 (en) * | 1997-05-07 | 2001-08-14 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Solar cell and manufacturing method thereof |
| EP1964821B2 (en) | 1998-12-21 | 2012-11-07 | Cardinal CG Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| JP2001007342A (ja) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| DE10017610C2 (de) * | 2000-03-30 | 2002-10-31 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon |
| FR2810118B1 (fr) * | 2000-06-07 | 2005-01-21 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent comportant un revetement antireflet |
| FR2820241B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
| JP2006165386A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池及びその作製方法 |
| JP2007055861A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラスの曲げ成形方法及び色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラス |
| US8153282B2 (en) * | 2005-11-22 | 2012-04-10 | Guardian Industries Corp. | Solar cell with antireflective coating with graded layer including mixture of titanium oxide and silicon oxide |
| US20070193621A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-23 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
| US8389852B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-03-05 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
| JP2009540537A (ja) * | 2006-02-23 | 2009-11-19 | デューレン、イェルーン カー．イェー． ファン | 金属間マイクロフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 |
| US20070295390A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-12-27 | Nanosolar, Inc. | Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a substantially inorganic protective layer |
| US7985919B1 (en) * | 2006-08-18 | 2011-07-26 | Nanosolar, Inc. | Thermal management for photovoltaic devices |
| US20090032098A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate |
| US7842534B2 (en) * | 2008-04-02 | 2010-11-30 | Sunlight Photonics Inc. | Method for forming a compound semi-conductor thin-film |
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