PT2455976E - Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de coletar a luz - Google Patents

Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de coletar a luz Download PDF

Info

Publication number
PT2455976E
PT2455976E PT121507297T PT12150729T PT2455976E PT 2455976 E PT2455976 E PT 2455976E PT 121507297 T PT121507297 T PT 121507297T PT 12150729 T PT12150729 T PT 12150729T PT 2455976 E PT2455976 E PT 2455976E
Authority
PT
Portugal
Prior art keywords
substrate
layer
barrier layer
main face
molybdenum
Prior art date
Application number
PT121507297T
Other languages
English (en)
Inventor
Stephane Auvray
Nikolas Janke
Original Assignee
Saint Gobain
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain filed Critical Saint Gobain
Publication of PT2455976E publication Critical patent/PT2455976E/pt

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10165Functional features of the laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10174Coatings of a metallic or dielectric material on a constituent layer of glass or polymer
    • B32B17/1022Metallic coatings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10761Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing vinyl acetal
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/1077Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing polyurethane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10788Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3435Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3464Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a chalcogenide
    • C03C17/347Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a chalcogenide comprising a sulfide or oxysulfide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3464Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a chalcogenide
    • C03C17/3476Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a chalcogenide comprising a selenide or telluride
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/12Photovoltaic modules
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/365Coating different sides of a glass substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Description

DESCRIÇÃO EPíGRAFE: "APERFEIÇOAMENTOS INTRODUZIDOS EM ELEMENTOS CAPAZES DE COLECTAR A LUZ" A presente invenção é relativa a aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de colectar a luz e mais geralmente a todo o dispositivo electrónico tal como uma célula solar à base de materiais semi-condutores. É conhecido que os elementos capazes de colectar a luz do tipo células solares foto voltaicas de camadas finas comportam uma camada de agente absorvente, pelo menos um eléctrodo disposto sobre o lado de incidência da luz à base de um material metálico, e um elétrodo traseiro à base de um elemento metálico, este elétrodo metálico traseiro podendo ser relativamente espesso e opaco. Ela deve caracterizar-se essencialmente por uma resistência eléctrica de superfície tão fraca quanto possível e uma boa aderência à camada de absorvedor assim como no caso presente ao substrato.
Os compostos ternários calcopiríticos que podem desempenhar 1 uma função de absorvedor contêm geralmente cobre, índium e selénio. Trata-se daquilo que se chama camadas de agente absorvendo CISe2. Pode-se também acrescentar à camada de agente absorvente o gálio (ex: Cu (In, Ga)Se2 ou CuGaSe2) , o alumínio (ex: Cu (In, Al)Se2), ou o enxofre (ex: Culn (Se, S). Designam-se em geral mais adiante pelo termo de camadas de agente absorvente de calcopirite.
No quadro desta fileira de agentes absorventes de calcopirite, os elétrodos traseiros são na maior parte das vezes fabricados à base de molibdénio.
Ora, altos desempenhos desta fileira só podem ser atingidos por um controle rigoroso do crescente cristalino da camada de agente absorvente e da sua composição química.
Além disso, sabe-se que entre todos os factores que para isso contribuem, a presença de sódio (Na) sobre a camada de Mo é um parâmetro-chave que favorece a cristalização dos agentes absorventes de calcopirites. A sua presença em quantidade controlada permite reduzir a densidade de defeitos do absorvedor e aumentar a sua condutividade. 0 substrato com função de vidro contendo alcalinos, geralmente à base de vidro silico-sodo-cálcico, constitui naturalmente um 2 reservatório de sódio. Sob o efeito do processo de fabrico das camadas do agente absorvente, geralmente realizada a alta temperatura, os alcalinos vão migrar através do substrato, do elétrodo traseiro à base de molibdénio, para a camada de agente absorvente, nomeadamente do tipo calcopirite. A camada em molibdénio deixa difundir livremente o sódio do substrato para as camadas activas superiores sob o efeito de um recozimento térmico. Esta camada de Mo apresenta apesar de tudo o inconveniente de não permitir senão um controle parcial e pouco preciso da quantidade de Na que migra para a interface Mo/CIGSe2.
Segundo uma variante de realização, a camada de agente absorvente é depositada, a alta temperatura, sobre a camada à base de molibdénio, que é separada do substrato com a ajuda de uma camada barreira à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitretos de Si, ou de óxidos ou de oxinitretos de aluminio. Esta camada barreira permite bloquear a difusão do sódio saido da difusão no seio do substrato para as camadas activas superiores depositadas sobre o Mo. 0 documento EP 715358 ilustra esta técnica.
Ainda que acrescentando uma etapa suplementar ao processo de fabrico, esta última solução oferece a possibilidade de dosear 3 de maneira muito precisa a quantidade de Na depositada sobre a camada de Mo usando uma fonte exterior (ex: NaF, Na2C>2, Na2Se) . 0 processo de fabrico dos elétrodos à base de molibdénio é um processo continuo que implica que os substratos assim revestidos sejam armazenados em pilha sobre cavaletes antes da sua utilização ulterior num processo de retoma no decurso do qual a camada à base do material absorvente será depositada sobre a superfície do elétrodo em molibdénio.
No decurso das fases de armazenagem dos substratos nas prateleiras, a camada de molibdénio faz pois face ao substrato de vidro em frente. Esta face rica em sódio é susceptível de contaminar a face de molibdénio e de a enriquecer com o tempo. Este mecanismo de dopagem não controlado pode conduzir a uma deriva dos processos de fabrico durante a fase de depósito do molibdénio em retoma. A presente invenção visa portanto atenuar estes inconvenientes propondo um substrato de função de vidro cuja difusão do sódio é controlada.
Para este efeito, o substrato de função de vidro contendo os alcalinos compreendendo uma primeira face principal destinada a ser associada a uma camada à base de um material absorvente, 4 do tipo de calcopirite e uma segunda face principal caracterizada por comportar sobre pelo menos uma porção de superfície da segunda face principal, pelo menos uma camada barreira aos alcalinos.
Nos modos de realização preferidos da invenção, pode-se eventualmente ter de recorrer além disso a uma e/ou outra das disposições seguintes: - comportar sobre pelo menos uma porção de superfície da primeira face principal pelo menos uma camada barreira aos alcalinos. - a camada barreira ser à base de um material dielétrico, - o material dielétrico ser à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitreto de silício, ou de nitretos de óxidos ou oxinitreto de alumínio, utilizados sozinhos ou em mistura, - a espessura da camada barreira ser compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm, - a camada barreira ser à base de nitreto de silício. 5 a camada à base de nitreto de silício ser sob-estequiométrica. - a camada à base de nitreto de silício ser sobre-estequiométrica.
De acordo com um outro aspecto da invenção, ela visa igualmente um elemento capaz de coletar a luz utilizando pelo menos um substrato tal como precedentemente descrito.
Nos modos de realização preferidos da invenção, pode-se eventualmente ter de recorrer além disso a uma e/ou a outra das disposições sequintes: - Elemento capaz de colectar a luz, comportando um primeiro substrato de função de vidro e um segundo substrato com função de vidro, os ditos substratos retendo entre duas camadas condutoras formando os elétrodos pelo menos uma camada funcional à base de um material de agente absorvente de calcopirite permitindo uma conversão energética da luz em energia eléctrica caracterizado por um pelo menos dos substratos ser à base de alcalinos, e comportar, sobre uma das suas faces principais, pelo menos uma camada barreira aos alcalinos. 6 - Pelo menos uma porção de superfície da face principal do substrato não revestido da camada barreira comportar uma camada condutora à base de molibdénio - Interpor-se entre a camada condutora e a face principal do substrato uma camada barreira aos alcalinos. - A camada barreira aos alcalinos ser à base de um material dielétrico - o material dielétrico ser à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitreto de silício, ou de nitretos, de óxidos ou de oxinitreto de alumínio, utilizados sozinhos ou em mistura, - a espessura da camada barreira ser compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm.
De acordo com um outro aspecto da invenção, ela visa igualmente um processo de fabrico de um substrato tal como precedentemente descrito que se caracteriza por a camada barreira e a camada electro condutora ou uma segunda camada barreira serem depositadas com a ajuda de um processo de pulverização magnetrão «alto» e «baixo». 7
Outras características detalhes, vantagens da presente invenção aparecerão melhor na leitura da descrição que vai seguir-se, feita a titulo ilustrativo e nunca limitativo, em referência às figuras anexas, nas quais: - a figura 1 é vista esquemática de um elemento capaz de coletar a luz de acordo com a invenção, - a figura 2 é uma vista esquemática de um substrato segundo um primeiro modo de realização, a camada barreira sendo depositada sobre a face estanho do dito substrato, - a figura 3 é uma vista esquemática de um substrato segundo um segundo modo de realização, a camada barreira sendo sobre depositada sobre a face ar do dito substrato, na interface entre o vidro e a camada condutora. - A figura 4 é um gráfico mostrando a evolução do teor em oxigénio e em sódio na camada funcional, em função de diferentes espessuras da camada barreira.
Sobre a figura 1, representou-se um elemento capaz de colectar a luz (uma célula solar ou foto voltaica). 0 substrato 1 transparente com função de vidro pode por 8 exemplo ser inteiramente em vidro contendo alcalinos como um vidro silico-sodo-cálcico. Pode igualmente ser num polímero termoplástico tal como um poliuretano ou um policarbonato ou um polimetacrilato de metilo. 0 essencial da massa (quer dizer para pelo menos 98 % em massa), até mesmo a totalidade do substrato com função de vidro é constituído de material (is) apresentando a melhor transparência possível e tendo de preferência uma absorção linear inferior a 0,01 mm-1 na parte do espectro útil para a aplicação (módulo solar), geralmente o espectro indo de 380 a 1200 nm. O substrato 1 de acordo com a invenção pode ter uma espessura total indo de 0,5 a 10 mm quando se utiliza como placa protectora de uma célula foto voltaica de diversas tecnologias calcopirites (CIS, CIGS, CIGSe2·..) ou como substrato suporte 1' destinado a receber o conjunto do empilhamento funcional. Quando o substrato 1 é utilizado como placa protectora, pode ser vantajoso submeter a esta placa um tratamento térmico (do tipo têmpera por exemplo) quando ele é em vidro.
De maneira convencional, define-se por A a face da frente do substrato dirigida para os raios luminosos (trata-se da face externa), e por B a face traseira do substrato dirigida para o 9 resto das camadas do módulo solar (trata-se da face interna). A face B do substrato 1' é revestida de uma camada primeira camada condutora 2 devendo servir de eléctrodo. Sobre este eléctrodo 2 é depositada a camada funcional 3 à base de agente absorvente de calcopirite. Quando se trata de uma camada funcional 3 à base por exemplo de CIS, CIGS, ou CIGSe2 é preferível que a interface entre a camada funcional 3 e o eléctrodo 2 seja à base de molibdénio. Uma camada condutora respondendo às exigências é descrita no pedido de patente europeia EP 1356528. A camada de agente absorvente de calcopirite 3 é revestida de uma fina camada 4 em sulfureto de cádio (CdS) permitindo criar com a camada de calcopirite 3 uma junção pn. Com efeito, o agente calcopirite é geralmente dopado n, a camada 4 em CdS sendo dopado p, isto permite criar a junção pn necessária para estabelecimento de uma corrente eléctrica.
Esta fina camada 4 de CdS é ela mesma recoberta de uma camada de ligação 5 geralmente formada de óxido de zinco dito intrínseco (ZnO: i). A fim de formar o segundo eléctrodo, a camada de ZnO:i 5 é recoberta de uma camada 6 em TCO para «Transparent Conductive 10
Oxide». Ela pode ser escolhida entre os materiais seguintes: óxido de estanho dopado, nomeadamente em fluor ou em antimónio (os percursores utilizáveis no caso de depósito por CVD podem ser organo metálicos ou halogenetos de estanho associado com um percursor de fluor do tipo ácido fluorídrico ou ácido trifluoracetico), o óxido de zinco dopado, nomeadamente de alumínio (os percursores utilizáveis no caso de depósito por CVD, podem ser os organo metálicos ou halogenetos de zinco e de alumínio), ou ainda o óxido de índium dopado, nomeadamente de estanho (os percursores utilizáveis em caso de depósito por CVD podem ser os organo metálicos ou halogenetos de estanho ou de índium). Esta camada condutora deve ser tão transparente quanto possível, e apresentar uma transmissão elevada da luz no conjunto dos comprimentos de onda correspondendo ao espectro de absorção do material constituindo a camada funcional, afim de não reduzir inutilmente o rendimento do módulo solar.
Constatou-se que a camada relativamente fina 5 (por exemplo 100 nm) em ZnO dielétrica (ZnO: i) entre a camada funcional 3 e a camada condutora dopada n, por exemplo em CdS, influenciava de maneira positiva a estabilidade do processo de depósito da camada funcional. A camada condutora 6 apresenta resistência por quadrado no 11 máximo 30 ohms/quadrado, nomeadamente no máximo 20 ohms/quadrado, de preferência de no máximo 10 ou 15 ohms/quadrado. Ela é geralmente compreendida entre 5 e 12 ohms/quadrado. 0 empilhamento 7 de camadas finas é retido entre dois substrato lei' por intermédio de um intercalar de folhagem 8 por exemplo em PU, PVB ou EVA. 0 substrato 1' distingue-se do substrato 1 pelo facto que ele é necessariamente em vidro, à base de alcalinos (por razões que foram explicadas no preâmbulo da invenção), como um vidro silico-sodo-cálcico de maneira a conformar uma célula solar ou foto voltaica depois encapsulada perifericamente com a ajuda de uma junta ou de uma resina de estanquidade. Um exemplo de composição desta resina e das suas modalidades de realização é descrito na patente EP 739042.
Segundo uma característica vantajosa da invenção (reporta-se na figura 2), prevê-se depositar sobre toda ou parte da face do substrato 1' (por exemplo ao nivel da face estanho) que não está em contacto com a camada electro condutora 2, nomeadamente à base de molibdénio, uma camada 9 barreira aos alcalinos. Esta camada barreira 9 aos alcalinos é à base de um material dielétrico, este material dielétrico sendo à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitreto de silício, ou de 12 nitretos, óxidos ou oxinitreto de alumínio, utilizados sozinhos ou em mistura. A espessura da camada barreira 9 é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm.
Esta camada barreira aos alcalinos, por exemplo, à base de nitreto de silício, pode não ser estequiométrica. Ela pode ser de natureza sob-estequiométrica, até mesmo e de maneira preferida sobre-estequiométrica. Por exemplo esta camada é de SixNy, com uma relação x/y de pelo menos 0.76, preferencialmente compreendida entre 0.80 e 0.90, porque foi demonstrado que quando SixNy é rico em Si, o efeito barreira aos alcalinos é tanto mais eficaz. A presença desta camada barreira na face traseira do substrato 1' permite evitar a poluição da camada condutora 2 à base de Mo no decurso das etapas de armazenagem (entre produção e utilização) , quando ela está em contacto com a face de vidro em frente. Ela confere igualmente uma solução simples para bloquear o mecanismo de ejecção do Na da face traseira do vidro induzido pelas etapas de recozimento/selenização no decurso das quais os stocks de produção arriscam ser contaminados causando assim a deriva dos processos de fabrico.
Segundo uma variante de realização (reporta-se na figura 3), 13 prevê-se inserir uma camada barreira 9' aos alcalinos semelhantes ao precedente entre o substrato 1' à base de alcalino e a camada condutora 2 à base de Mo. De novo, ela pode ser constituída de nitretos, de óxidos ou de oxinitretos de Si, ou de óxidos ou de oxinitretos de alumínio. Ela permite bloquear a difusão do Na, do vidro para as camadas activas superiores depositadas sobre o Mo. Ainda que acrescentando uma etapa suplementar ao processo de fabrico, esta última solução oferece a possibilidade de dosear de maneira muito precisa a quantidade de Na depositada sobre a camada de Mo recorrendo a uma fonte exterior (ex: NaF, Na202, Na2Se) . A espessura da camada barreira é compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm. A camada barreira 9 situada na face traseira do substrato 1' (em geral lado face estanho do substrato) é depositada antes ou depois do depósito dos empilhamentos à base de Molibdénio, por pulverização magnetrão do tipo sputter down ou sputter up. Um exemplo deste processo de realização é dado pelo exemplo na patente EP 1179516. A camada barreira pode igualmente ser depositada pelos processos CVD como o PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) .
Entre todas as combinações possíveis, a solução mais simples é 14 um processo numa só etapa, o conjunto das camadas é depositado no mesmo revestimento.
Neste caso, a camada barreira à base de dielétrico (por exemplo o nitreto de silício) é depositada sobre a face traseira por pulverização magnetrão do tipo sputter up ou «pulverização para cima», enquanto as camadas à base de material condutor, por exemplo o Mo e/ou a outra camada barreira 9' em material dielétrico situada no interface vidro (face ar) e a camada condutora 2, por exemplo à base de molibdénio, são de seguida acrescentadas sobre a face ar por pulverização magnetrão do tipo sputter down ou «pulverização para baixo».
Uma outra solução consiste em utilizar um processo em duas etapas separadas em que o conjunto das camadas é depositado por pulverização magnetrão do tipo sputter down. Neste caso, para evitar toda a contaminação da camada de Mo, é preferível depositar previamente a camada barreira sobre a face traseira (a saber lado face estanho do substrato). Entre as duas etapas de depósito, a pilha de substratos deve ser manipulada para ser virada.
Qualquer que seja o processo de fabrico, referindo-se à figura 4, nota-se que sem camada barreira nomeadamente em SiN os 15 teores em 0 e em Na são respectivamente 20 vezes e 5 vezes maiores que com uma camada de 150 nm de SiN. Vê-se igualmente que uma espessura de 50 nm de SiN permite reduzir significativamente a difusão de Na (de um factor 15 aproximadamente) mas que a sua estanquidade em relação à difusão de oxigénio é limitada (factor 2 aproximadamente). Para parar eficazmente a migração do Na ou do oxigénio do vidro para o exterior vê-se portanto que uma camada de 150 nm de SiN satisfaz perfeitamente a função. A aplicação de uma tal camada é particularmente interessante durante as fases de armazenagem para evitar a contaminação da face em frente (oxidação da superfície ou enriquecimento em Na).
Este tipo de camada é interessante para evitar a deriva dos processos de selenização susceptível de reagir com a Na durante o fabrico dos módulos.
Um módulo solar tal como precedentemente descrito, deve, para poder funcionar e libertar uma tensão elétrica para uma rede de distribuição elétrica, ser por um lado, provido de dispositivos de conexão elétricos e por outro, provido de meios de suporte e de solidarização assegurando a sua orientação em relação à irradiação luminosa.
Lisboa, 19 de Novembro de 2013 16

Claims (2)

  1. REIVINDICAÇÕES Ia - Substrato (1, 1') com função de vidro contendo alcalinos compreendendo uma primeira face principal destinada a ser associada a uma camada à base de um material absorvente, do tipo calcopirite, e uma segunda face principal, pelo menos uma porção de superfície da primeira face principal do substrato (1') comportando uma camada condutora (2) à base de molibdénio, uma camada barreira aos alcalinos não sendo interposta entre a camada condutora à base de molibdénio (2) e a primeira face principal do substrato (1') caracterizado por comportar sobre pelo menos uma porção de superfície da segunda face principal pelo menos uma camada barreira (9) aos alcalinos. 2a - Substrato de acordo com a reivindicação n° 1, caracterizado por a camada barreira (9) ser à base de um material dielétrico. 3a - Substrato de acordo com a reivindicação n° 2, caracterizado por o material dielétrico ser à base de nitretos, de óxidos ou de oxinitretos de silício, ou de nitretos, de óxidos ou oxinitretos de alumínio, utilizados sozinhos ou em mistura. 1 4â — Substrato de acordo com uma das reivindicações precedentes, caracterizado por a camada barreira aos alcalinos (9) ser à base de nitreto de silício. 5â — Substrato de acordo com a reivindicação n° 4, caracterizado por a camada à base de nitreto de silício (9) ser sob-estequiométrica. 6- — Substrato de acordo com a reivindicação n° 4, caracterizado por a camada à base de nitreto de silício (9) ser sobre-estequiométrica. Ί- - Substrato de acordo com uma das reivindicações precedentes, caracterizado por a espessura da camada barreira (9) ser compreendida entre 3 e 200 nm preferencialmente compreendida entre 20 e 100 nm e sensivelmente próxima de 50 nm. 8â - Pilha de substratos, os substratos sendo de acordo com uma qualquer das reivindicações precedentes, a camada condutora (2) à base de molibdénio de um primeiro substrato (1') estando em contacto com a dita pelo menos uma camada barreira (9) aos alcalinos suportada pela segunda face principal de um segundo substrato (1'). 2 9â - Elemento capaz de colectar a luz utilizando pelo menos um substrato de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7. 10a - Elemento capaz de colectar a luz de acordo com a reivindicação n° 9, comportando um primeiro substrato (1) com função de vidro e um segundo substrato (1') com função de vidro, os ditos substratos retendo entre duas camadas condutoras (2, 6) formando os elétrodos pelo menos uma camada funcional (3) à base de um material de agente absorvente, do tipo de calcopirite permitindo uma conversão energética da luz em energia elétrica, caracterizado por um dos substratos (1, 1') ser de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 7.
  2. 11-- Processo de fabrico de um substrato utilizado num elemento de acordo com a reivindicação 10, caracterizado por a camada barreira (9) e a camada electro condutora à base de molibdénio (2) serem depositadas com ajuda de um processo de pulverização magnetrão «alto» e «baixo». Lisboa, 19 de Novembro de 2013 3
PT121507297T 2007-10-05 2008-09-08 Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de coletar a luz PT2455976E (pt)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0758090A FR2922046B1 (fr) 2007-10-05 2007-10-05 Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PT2455976E true PT2455976E (pt) 2013-11-25

Family

ID=39484236

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PT08835535T PT2208235E (pt) 2007-10-05 2008-09-08 Substrato de vidro para células solares
PT121507297T PT2455976E (pt) 2007-10-05 2008-09-08 Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de coletar a luz

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PT08835535T PT2208235E (pt) 2007-10-05 2008-09-08 Substrato de vidro para células solares

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20110005587A1 (pt)
EP (3) EP2455976B1 (pt)
JP (2) JP2010541272A (pt)
CN (2) CN104124293A (pt)
AT (1) ATE554503T1 (pt)
ES (2) ES2432516T3 (pt)
FR (1) FR2922046B1 (pt)
PL (2) PL2208235T3 (pt)
PT (2) PT2208235E (pt)
WO (1) WO2009044064A2 (pt)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7785921B1 (en) * 2009-04-13 2010-08-31 Miasole Barrier for doped molybdenum targets
US8134069B2 (en) 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
FR2949773B1 (fr) 2009-09-10 2016-01-01 Univ Toulouse 3 Paul Sabatier Materiau solide a l'etat divise, procede de fabrication d'un tel materiau et utilisation d'un tel materiau dans une cellule photovoltaique.
US20110067998A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Miasole Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing
DE102010017246A1 (de) * 2010-06-04 2011-12-08 Solibro Gmbh Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
CN102544138A (zh) * 2012-02-08 2012-07-04 南开大学 一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池
KR102328677B1 (ko) * 2014-10-17 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4667214A (en) * 1983-06-24 1987-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Photosensor
US5252140A (en) * 1987-07-24 1993-10-12 Shigeyoshi Kobayashi Solar cell substrate and process for its production
JP2615147B2 (ja) * 1987-07-24 1997-05-28 旭硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板の製造方法
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
US5252139A (en) * 1991-02-21 1993-10-12 Solems S.A. Photovoltaic thin layers panel structure
DE4442824C1 (de) * 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
DE19514908C1 (de) 1995-04-22 1996-04-18 Ver Glaswerke Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls
US5628688A (en) * 1995-12-27 1997-05-13 Dana Corporation Slip yoke assembly for vehicle driveshaft
DE19882366T1 (de) * 1997-05-07 2000-05-25 Asahi Chemical Ind Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
ATE244691T1 (de) 1998-12-21 2003-07-15 Cardinal Cg Co Verfahren zur beschichtung von beiden seiten eines glassubstrats
JP2001007342A (ja) * 1999-04-20 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
DE10017610C2 (de) * 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
FR2810118B1 (fr) * 2000-06-07 2005-01-21 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent comportant un revetement antireflet
FR2820241B1 (fr) * 2001-01-31 2003-09-19 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
JP2006165386A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Showa Shell Sekiyu Kk Cis系薄膜太陽電池及びその作製方法
JP2007055861A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nippon Sheet Glass Co Ltd 色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラスの曲げ成形方法及び色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラス
US8153282B2 (en) * 2005-11-22 2012-04-10 Guardian Industries Corp. Solar cell with antireflective coating with graded layer including mixture of titanium oxide and silicon oxide
US20070193621A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-23 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
US8389852B2 (en) * 2006-02-22 2013-03-05 Guardian Industries Corp. Electrode structure for use in electronic device and method of making same
CN101438416B (zh) * 2006-02-23 2011-11-23 耶罗恩·K·J·范杜伦 从金属间微米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷
US20070295390A1 (en) * 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a substantially inorganic protective layer
US7985919B1 (en) * 2006-08-18 2011-07-26 Nanosolar, Inc. Thermal management for photovoltaic devices
US20090032098A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate
US7842534B2 (en) * 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film

Also Published As

Publication number Publication date
PT2208235E (pt) 2012-07-24
WO2009044064A3 (fr) 2010-01-21
US20110005587A1 (en) 2011-01-13
JP2014207477A (ja) 2014-10-30
WO2009044064A4 (fr) 2010-03-11
EP2455976A2 (fr) 2012-05-23
EP2455976A3 (fr) 2012-06-27
CN104124293A (zh) 2014-10-29
EP2208235B1 (fr) 2012-04-18
PL2455976T3 (pl) 2014-01-31
JP2010541272A (ja) 2010-12-24
EP2445013A2 (fr) 2012-04-25
EP2208235A2 (fr) 2010-07-21
JP5869626B2 (ja) 2016-02-24
ES2432516T3 (es) 2013-12-04
CN102057496A (zh) 2011-05-11
EP2455976B1 (fr) 2013-08-21
PL2208235T3 (pl) 2012-09-28
ES2385856T3 (es) 2012-08-01
CN102057496B (zh) 2014-09-24
WO2009044064A2 (fr) 2009-04-09
FR2922046B1 (fr) 2011-06-24
ATE554503T1 (de) 2012-05-15
FR2922046A1 (fr) 2009-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PT2227829E (pt) Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de colectar a luz
PT2455976E (pt) Aperfeiçoamentos introduzidos em elementos capazes de coletar a luz
ES2391255T3 (es) Dispositivo fotovoltaico de película delgada
KR20190092220A (ko) 박막 태양 전지
KR101154763B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20140099865A (ko) 광전지용 전도성 기판
JP5873881B2 (ja) 太陽光発電装置及びその製造方法。
TW201027779A (en) Photovoltaic devices including heterojunctions
ES2758754T3 (es) Mejoras aportadas a juntas para elementos capaces de captar luz
JP2004047860A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
ES2978384T3 (es) Método para el postratamiento de una capa absorbente
KR101824758B1 (ko) 확산-방지층을 갖는 박층 태양 전지
JP6104576B2 (ja) 化合物系薄膜太陽電池
WO2011108116A1 (ja) 太陽電池
TWI751520B (zh) Pn接面及其製備方法及用途
CN104521006A (zh) 薄层太阳能电池的层系统
US20230025098A1 (en) Transparent electrode, method for producing the same, and electronic device using transparent electrode
US9472698B2 (en) Method of manufacturing compound thin-film photovoltaic cell
KR101231398B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101273123B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20140035017A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110045181A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20120087043A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110111649A (ko) 태양전지의 형성 방법