EP3554723B1 - Vorrichtung zum abscheiden vom polysilicium und entsprechendes verfahren - Google Patents

Vorrichtung zum abscheiden vom polysilicium und entsprechendes verfahren Download PDF

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EP3554723B1
EP3554723B1 EP17746082.1A EP17746082A EP3554723B1 EP 3554723 B1 EP3554723 B1 EP 3554723B1 EP 17746082 A EP17746082 A EP 17746082A EP 3554723 B1 EP3554723 B1 EP 3554723B1
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EP
European Patent Office
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screen
polysilicon
area
plate
openings
Prior art date
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EP17746082.1A
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English (en)
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EP3554723A1 (de
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Thomas Buschhardt
Simon Ehrenschwendtner
Thomas HINTERBERGER
Hans-Günther WACKERBAUER
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Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
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Publication date
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    • B07B13/00—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices
    • B07B13/04—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices according to size
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    • B07B1/46—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens
    • B07B1/4609—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens constructional details of screening surfaces or meshes
    • B07B1/4654—Corrugated Screening surfaces
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    • B07B13/14—Details or accessories
    • B07B13/16—Feed or discharge arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B4/00—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents
    • B07B4/08—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents while the mixtures are supported by sieves, screens, or like mechanical elements

Definitions

  • the subject matter of the invention is a deposition device for polysilicon.
  • Polycrystalline silicon (polysilicon for short) is used as a starting material for the production of monocrystalline silicon for semiconductors using the Czochralski (CZ) or zone melting (FZ) process, as well as for the production of monocrystalline or multicrystalline silicon using various drawing and casting processes Production of solar cells for photovoltaics.
  • CZ Czochralski
  • FZ zone melting
  • Polycrystalline silicon is usually manufactured using the Siemens process. For most applications, the polycrystalline silicon rods produced in this way are broken up into small fragments, which are then usually classified according to size. Usually, screening machines are used to sort or classify polycrystalline silicon into different size classes after comminution.
  • polycrystalline silicon granules are produced in a fluidized bed reactor. After it has been produced, the polysilicon granules are usually divided into two or more fractions or classes (classification) by means of a screening plant.
  • a screening machine is generally a machine for screening, i.e. the separation (separation) of solid mixtures according to grain sizes.
  • the screening machines are usually driven electromagnetically or by unbalance motors or gears.
  • the movement of the screen lining serves to transport the feed material further in the longitudinal direction of the screen and to allow the fine fraction to pass through the screen openings.
  • throw screens experience not only horizontal but also vertical screen acceleration.
  • DE 43 07 138 A1 discloses a separating device with at least one screen plate, comprising a feed area for polysilicon, a profiled V-shaped area and a sink, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, with the screen openings widening in the direction of the removal area, and a Separation plate arranged below the screen openings.
  • EP 0 982 081 A1 discloses a device for classifying which has at least one blowing device (5) and at least one deflection device (3).
  • WO 97/26495 A2 discloses a conveying device made of a profiled separating base, on which a bar rake is formed at the end facing away from the opening of the residue conveying chute.
  • the bar screen covers a fine debris discharge port and terminates at a coarse debris outlet.
  • EP 0 139 783 A1 discloses a device for processing scrap, waste or the like, e.g. non-ferrous scrap, by dividing it into at least two components, consisting of at least one sorting plate arranged inclined to the horizontal and an input device arranged above the sorting plate, from which the material to be processed falls freely onto the Sorting plate can be brought, wherein the sorting plate can be moved both horizontally and vertically by means of at least one drive unit.
  • DE 826 211 C discloses a device for sorting fruit, characterized in that a carrier conveyor belt and a wall made of individual circulating conveying means conveying in the same direction are arranged in the form of a trough and a passage opening of a specific cross-section is provided between every two of these conveying means, with the conveying means forming the conveying wall having a higher speed as the conveyor belt circulate
  • Out of DE 198 22 996 C1 is a separating device for elongate solid parts, which has a vibrating base with a number of longitudinal grooves extending in the conveying direction, which are followed by screen openings for separating the elongate solid parts, the groove depth of the longitudinal grooves decreasing in the conveying direction.
  • the screen openings In order to avoid blockages and to ensure that the flow of solids is as liquid as possible, one embodiment provides for the screen openings to widen in the conveying direction. On jammed in the screen opening solid parts, a force is exerted in the conveying direction by the following solid. The jammed solid part can be moved in the conveying direction and then falls through the widening screen opening.
  • U.S. 2015/090178 A1 discloses a separating device for polysilicon with at least one screen plate, comprising a feed area for polysilicon, a profiled area with peaks and valleys, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, with the screen openings widening in the direction of the removal area, and a Separating plate arranged below the screen openings, which is horizontally displaceable.
  • a separating device for polysilicon with at least one screen plate comprising a feed area for polysilicon, a profiled area with peaks and valleys, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, with the screen openings in the direction of the removal area, characterized in that below the screen openings there is a separating plate which can be displaced horizontally in order to vary the position of the separating plate in the direction of the removal area and which can be displaced vertically in order to vary the distance to the screen openings.
  • the screen plate according to the invention provides a separating plate which is arranged below the screen openings or the area with screen openings.
  • the effective size of the screen openings can be varied by shifting the separating plate in the conveying direction.
  • the separating plate can be arranged in such a way that polysilicon with a size of less than or equal to 4 mm falls through the screen opening and is separated from the remaining polysilicon via the separating plate.
  • the separating plate may be inclined from the vertical such that the separated polysilicon is received in a catch bin, while larger polysilicon, although also falling through the screen openings, is received in another catch bin located downstream of the separating plate.
  • two fractions can also be separated from the polysilicon fed in by the sieve plate in conjunction with the separating plate.
  • the partition plate can therefore fulfill very different functions.
  • the object is also achieved by a method in which polysilicon is placed on the screen plate of a separating device according to the invention, which is made to vibrate in such a way that the polysilicon moves in the direction of the removal area, with small-sized polysilicon collecting in the depressions of the screen plate and through the screen openings of the screen plate falls over the separating plate into a collection container and is thereby separated from the polysilicon that has been fed in, with the polysilicon that has been fed in being processed further without the separated, small-sized polysilicon.
  • the position and height of the separator plate is chosen depending on how much the polysilicon has been vibrated.
  • the separating plate is preferably at a distance from the screen section of 5 mm to 20 mm, a distance of 1 mm to 5 mm being particularly preferred.
  • Small-scale polysilicon is to be understood as meaning a subset of the quantity of polysilicon that is to be separated off by means of the screening plant.
  • the small-scale polysilicon thus corresponds to the fraction to be separated.
  • the screen plate includes a feed area where the polysilicon is fed.
  • the polysilicon is conveyed to the screening plant by means of a conveyor trough and delivered to the feed area of the screen plate.
  • the screen plate also includes a profiled area with ridges or grooves or generally indentations and elevations, so that the profiled area has depressions and peaks.
  • the screen plate includes - adjoining the profiled area - an area with screen openings.
  • the screen openings are arranged in the conveying direction directly behind the sinks of the profiled area.
  • the peaks of the profiled area also continue into the area with screen openings, so that the entire screen plate is profiled, but the screen plate has screen openings instead of depressions at its rear end in the conveying direction.
  • the profile of the profiled area can deviate from the profile in the area of the screen openings in terms of cross section and angle. The latter can be advantageous in particular when the screen section or the parts of the screen section that come into contact with the polysilicon are made of plastic.
  • the fines or small fragments/particles are separated via the screen openings of the screen plate in connection with the separating plate.
  • the separated fines or small fragments/particles are collected by a collection container arranged below the screen openings of the screen plate.
  • the removal area is connected to a conveyor trough, via which the larger fragments are removed.
  • Another sieve plate can also follow in order to separate another fraction from the polysilicon.
  • the invention therefore provides a screen plate that can be used in all types of screening plants, in which the fines or small-sized silicon collects in depressions in the first area of the screen plate and is selectively separated in the last area of the screen plate by widening screen openings.
  • the design of the profiled area of the screen plate depends on the fraction to be separated.
  • the depth and angle of the depressions in the profiled area must be designed in such a way that the fraction to be separated, e.g. the fine fraction, collects there.
  • the invention thus relates to a screening section in which the fine fraction collects in sinks in the first area of the device and is selectively separated in the last area of the device by widening screen openings. Thus, not the entire fraction is fed to the screen slot.
  • the separating device essentially consists of a screening section which can be divided into two areas.
  • the first area is the entry area. In this area, the fines collect in the sinks and are thus fed to the screen openings (which are located in the second area, at the end of the screening section).
  • the separating cut for the separation takes place in the second area of the screening section via the screen openings introduced there, which widen in the conveying direction.
  • the desired Si fraction is separated off through these screen openings or the fines. Due to the fact that the screen openings widen in the conveying direction, this system does not tend to clog.
  • the screen openings extend as far as the end of the separating device located in the conveying direction.
  • the screen openings are therefore designed to be open towards the end. This is an essential feature to ensure that no silicon fragments accumulate in the separator or the screen opening becomes blocked.
  • the screen openings preferably have an opening angle of 1 to 20° and particularly preferably 5-15°.
  • the screen openings preferably have a length of 5 mm to 50 mm, particularly preferably a length of 20 to 40 mm.
  • a further advantageous embodiment provides that the screen openings widen further at the end in the conveying direction.
  • the opening angle of this second widening is preferably 40-150°, particularly preferably 60 to 120°.
  • the angle of the screen openings can be changed using suitable devices.
  • elements made of an elastic material can be used for this purpose. It has been shown that this is advantageous for avoiding clogging.
  • a suction device is attached below the screen openings, which is positioned in such a way that the suction device is preferably located between the start of the screen openings and the separating plate.
  • the suction is preferably at a distance from the lower sieve plate of 1 mm to 50 mm, a distance of 5 mm to 20 mm is particularly preferred.
  • a further preferred embodiment of the separation according to the invention is the installation of a gas stream above the screen openings.
  • the gas jet can be soft or hard.
  • a soft jet is particularly suitable for supporting the separation of dust.
  • a hard jet is particularly suitable for depositing the smaller polysilicon fragments, 0.1mm to 4mm.
  • the gas flow can also be designed as a laminar flow.
  • Clean room air according to DIN EN ISO 14644-1 (ISO1 to ISO6), clean dry air, nitrogen and argon can be considered as gases.
  • the gas flow should preferably be positioned between the start of the screen openings and the separating plate.
  • the removal area is connected to a conveyor trough, via which the larger fragments are removed.
  • Another sieve plate can also follow in order to separate another fraction from the polysilicon.
  • the screen path consists of one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, silicon or metal, fused silica lined metal and silicon lined metal
  • the screen section is lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon.
  • the portions of the screen that come into contact with the polysilicon are lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon.
  • the screening section comprises a metallic base body and a coating or lining made from one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon and silicon.
  • the screening section comprises a base body made of plastic and a coating or lining made of one or more materials selected from the group consisting of ceramic, glass, diamond, amorphous carbon and silicon.
  • the plastic used in the aforementioned versions is selected from the group consisting of PVC (polyvinyl chloride), PP (polypropylene), PE (polyethylene), PU (polyurethane), PFA (perfluoroalkoxy), PVDF (polyvinylidene fluoride) and PTFE (polytetrafluoroethylene).
  • PVC polyvinyl chloride
  • PP polypropylene
  • PE polyethylene
  • PU polyurethane
  • PFA perfluoroalkoxy
  • PVDF polyvinylidene fluoride
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • the screening section includes a coating of titanium nitride, titanium carbide, aluminum titanium nitride, DLC (Diamond Like Carbon), silicon carbide, nitride-bonded silicon carbide, or tungsten carbide.
  • fraction sizes (BG) 1, 2, 3 can preferably be used via this screening device. Typically, these fractional sizes have the following dimensions. Fraction size 1 3 to 15mm Fraction size 2 10 to 40mm fraction size 3 20 to 60mm
  • the individual fragment size classes have small and larger fragments.
  • the proportion of larger and smaller fragments can each be up to 5%.
  • the screening device is suitable for separating small pieces of polysilicon, which have a diameter of about 0.05 to 2 mm and typically a length of up to 4 mm.
  • the separating device comprises a hopper for feeding in the polysilicon material, two conveyor units and two screening sections, with a screening section following each conveyor unit.
  • a conveyor unit and a screening section form one unit.
  • the first unit is called unit 1 and the second unit is called unit 2.
  • the polysilicon delivery rate in kg/min can be set separately for each unit.
  • the flow rate of unit 1 is preferably the same as that of unit 2.
  • the delivery rate of unit 1 is particularly preferably smaller than the delivery rate of unit 2, because this can result in the polysilicon fragments being isolated on unit 2, with the result that the small polysilicon fragments and the dust can be separated off better.
  • the removal area is designed in such a way that the polysilicon material slides into the container provided.
  • This extraction area can also be vibrated to ensure that no polysilicon material is left behind.
  • the angle of this outlet is preferably 5 to 45° and more preferably 15 to 25°.
  • the screen plate 1 comprises a feed area 2 in which the polysilicon is fed.
  • the polysilicon can, for example, be conveyed to the screening plant by means of a conveyor trough and delivered to the feed area 2 of the screen plate 1 .
  • the screen plate 1 also includes a profiled area 3.
  • This profiled area 3 provides grooves or other types of depressions, so that the profiled area 3 has depressions 31 and peaks 32 .
  • the fine fraction contained in the polysilicon collects during the movement of the polysilicon on the profiled area 3 in the depressions 31 of the profiled area 3.
  • the screen plate 1 comprises— adjoining the profiled area 3 —an area 4 with screen openings 41 .
  • the fine fractions of the polysilicon located in the depressions 31 of the profiled area 3 are guided to the screen openings 41 of the area 4 in a targeted manner.
  • the peaks 32 of the profiled area 3 preferably also continue in area 4 , so that the entire screen plate 1 is profiled, but has screen openings 41 in area 4 instead of depressions 31 .
  • the fines are thus separated off via the sieve openings 41 of the sieve plate 1 .
  • the separated fines can be received, for example, by a collecting container arranged below the sieve openings 41 of the sieve plate 1 .
  • the screen openings 41 widen in the conveying direction by an opening angle a1.
  • the screen openings 41 have a further widening 6 at the end of the area 4 , characterized by an opening angle a2.
  • a suction device 8 is fitted below the screen openings 41 , which is positioned in such a way that the suction device 8 is preferably located between the start of the screen openings 41 and the separating plate 7 .
  • Another preferred embodiment of the separation according to the invention is the installation of a gas flow 9 above the screen openings 41.
  • the bagged polysilicon material supplied by the polysilicon manufacturer also contains smaller fragments and fines.
  • the fine material especially with grain sizes smaller than 4 mm, has a negative impact on the drawing process and must therefore be removed before use. Poly break size 2 was used for the test.
  • test polysilicon material 10 kg were placed on a conveyor unit.
  • the loading of the test polysilicon material is preferably done via a hopper.
  • the container to be filled is positioned at the end of the screening section above the first conveyor unit so that the test polysilicon material can be conveyed into the container without any problems.
  • the fines separated in advance for the test are used for this test.
  • 2 g of separated fine material are added after each 2 kg of test polymer material, so that at the end a total of 10 g of fine material was added for this test.
  • a conveyor unit plus a screening section without suction and without gas flow from above was used for this.
  • a conveyor unit plus a screening section with suction but without gas flow from above was used for this.
  • a conveyor unit plus a screening section with suction and a gas stream from above was used for this.
  • a further improvement in the removal rate is possible if two screen sections are used and suction is provided.
  • the separating device therefore comprises two screen plates, each comprising a feed area for polysilicon, a profiled area with peaks and valleys, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, with the screen openings in Widen in the direction of the removal area, and a separating plate arranged below the screen openings, which can be moved horizontally and vertically, and a suction device below the screen openings.
  • the removal area of the first screen plate connects to the feed area of the second screen plate, ie polysilicon that was not separated in the first screen section is fed to the second screen section. In both screen sections, suction is provided below the screen openings.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Combined Means For Separation Of Solids (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist eine Abscheidevorrichtung für Polysilicium.
  • Polykristallines Silicium (kurz: Polysilicium) dient als Ausgangsmaterial zur Herstellung von einkristallinem Silicium für Halbleiter nach dem Czochralski(CZ)- oder Zonenschmelz(FZ)-Verfahren, sowie zur Herstellung von ein- oder multikristallinem Silicium nach verschiedenen Zieh- und Gieß-Verfahren zur Produktion von Solarzellen für die Photovoltaik.
  • Polykristallines Silicium wird in der Regel mittels des Siemens-Verfahrens hergestellt. Für die meisten Anwendungen werden die derart hergestellten polykristallinen Siliciumstäbe auf kleine Bruchstücke gebrochen, welche üblicherweise anschließend nach Größen klassiert werden. Üblicherweise werden Siebmaschinen eingesetzt, um polykristallines Silicium nach der Zerkleinerung in unterschiedliche Größenklassen zu sortieren bzw. zu klassieren.
  • Alternativ wird polykristallines Siliciumgranulat in einem Wirbelschichtreaktor produziert. Das Polysiliciumgranulat wird üblicherweise nach dessen Herstellung mittels einer Siebanlage in zwei oder mehr Fraktionen oder Klassen geteilt (Klassierung).
  • Eine Siebmaschine ist allgemein eine Maschine zum Sieben, also der Trennung (Separation) von Feststoffgemischen nach Korngrößen. Nach Bewegungscharakteristik wird zwischen Planschwingsiebmaschinen und Wurfsiebmaschinen unterschieden. Der Antrieb der Siebmaschinen erfolgt meist elektromagnetisch bzw. durch Unwuchtmotoren oder -getriebe. Die Bewegung des Siebbelags dient dem Weitertransport des Aufgabeguts in Sieblängsrichtung und dem Durchtritt der Feinfraktion durch die Sieböffnungen. Im Gegensatz zu Planschwingsiebmaschinen tritt bei Wurfsiebmaschinen neben der horizontalen auch eine vertikale Siebbeschleunigung auf.
  • Beim Brechen von Polysilicium, bei dessen Verpackung sowie beim Transport entstehen Staubpartikel und Feinanteile in so signifikanten Mengen, das ohne weitere Aussiebung oder Abscheidung ein Ausbeuteverlust beim Kristallziehen entsteht.
  • Daher besteht das Bedürfnis, vor dem Kristallziehen kleine Partikel und Staub vom Polysilicium zu trennen.
  • Abtrennvorrichtungen nach dem Stand der Technik wie Stangensiebe neigen aber bei der Feinanteilabtrennung zum Verstopfen. Dies hat zur Folge, dass diese Abtrennvorrichtungen zyklisch gereinigt werden müssen und dadurch keine kontinuierliche, gleichbleibende Trenngenauigkeit erreichen. Zudem erfordert dies Anlagenstillstände und zusätzlichen Aufwand für die Reinigung.
  • DE 43 07 138 A1 offenbart eine Abscheidevorrichtung mit wenigstens einer Siebplatte, umfassend einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten V-förmigen Bereich und einer Senke, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs aufweiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte.
  • EP 0 982 081 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Klassieren, die zumindest eine Blasevorrichtung (5) und zumindest eine Ablenkvorrichtung (3) aufweist.
  • WO 97/26495 A2 offenbart eine Fördereinrichtung aus einem profilierten Trennboden, an dem an dem von der Öffnung des Reststoff-Förderschachtes abgewandten Ende ein Stabrechen angeformt ist. Der Stabrechen deckt eine Austragsöffnung für feine Rückstände ab und endet an einem Auslass für grobe Rückstände.
  • EP 0 139 783 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Aufbereiten von Schrott, Abfällen oder dergleichen, z.B. Nichteisenschrott, durch Aufteilen in mindestens zwei Komponenten, bestehend aus mindestens einer gegenüber der Horizontalen geneigt angeordneten Sortierplatte und einer oberhalb der Sortierplatte angeordneten Eingabevorrichtung, von der das aufzubereitende Material im freien Fall auf die Sortierplatte gebracht werden kann, wobei die Sortierplatte mittels mindestens einer Antriebseinheit sowohl horizontal als auch vertikal bewegbar ist.
  • DE 826 211 C offenbart eine Vorrichtung zum Sortieren von Obst, dadurch gekennzeichnet, dass ein Mitnehmerförderband und eine in gleicher Richtung fördernde Wand aus einzelnen umlaufenden Fördermitteln rinnenförmig angeordnet sind und zwischen je zweien dieser Fördermittel eine Durchlassöffnung von bestimmtem Querschnitt vorgesehen ist, wobei die die Förderwand bildenden Fördermittel mit höherer Geschwindigkeit als das Förderband umlaufen
  • Aus DE 198 22 996 C1 ist eine Abscheidevorrichtung für langgestreckte Feststoffteile, die einen Schwingboden mit einer Anzahl sich in Förderrichtung erstreckender Längsrillen aufweist, an die sich Sieböffnungen zum Abscheiden der langgestreckten Feststoffteile anschließen, wobei die Rillentiefe der Längsrillen in Förderrichtung abnimmt. Zur Vermeidung von Verstopfungen und zur Gewährleistung eines möglichst flüssigen Feststofflusses, ist in einer Ausgestaltung vorgesehen, dass sich die Sieböffnungen in Förderrichtung aufweiten. Auf in der Sieböffnung verklemmte Feststoffteile wird durch den nachfolgenden Feststoff eine Kraft in Förderrichtung ausgeübt. Das verklemmte Feststoffteil kann dabei in Förderrichtung bewegt werden und fällt dann durch die sich erweiternde Sieböffnung.
  • US 2015/090178 A1 offenbart eine Abscheidevorrichtung für Polysilicium mit wenigstens einer Siebplatte, umfassend einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten Bereich mit Spitzen und Senken, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs aufweiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte, die horizontal verschiebbar ist.
  • Allerdings kann durch die in DE 198 22 996 C1 vorgeschlagene Vorrichtung ein möglichst vollständiges Abscheiden von kleinen Siliciumpartikeln und Staub nicht erreicht werden.
  • Aus der beschriebenen Problematik ergab sich die Aufgabenstellung der Erfindung.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird gemäß Anspruch 1 gelöst durch eine Abscheidevorrichtung für Polysilicium mit wenigstens einer Siebplatte umfassend einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten Bereich mit Spitzen und Senken, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs aufweiten, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb der Sieböffnungen eine Trennplatte angeordnet ist, die horizontal verschiebbar ist, um die Position der Trennplatte in Richtung des Entnahmebereichs zu variieren, und die vertikal verschiebbar ist, um den Abstand zu den Sieböffnungen zu variieren.
  • Die erfindungsgemäße Siebplatte sieht eine Trennplatte vor, die unterhalb der Sieböffnungen bzw. des Bereiches mit Sieböffnungen angeordnet ist.
  • Es hat sich gezeigt, dass dies zur Erhöhung der Trennschärfe und zur Gewährleistung einer möglichst gleichbleibenden Abscheiderate erforderlich ist. Durch eine Verschiebung der Trennplatte in Förderrichtung kann die effektive Größe der Sieböffnungen variiert werden. Beispielsweise kann die Trennplatte so angeordnet werden, dass Polysilicium einer Größe von kleiner oder gleich 4 mm durch die Sieböffnung fällt und über die Trennplatte vom restlichen Polysilicium abgetrennt wird.
  • Außerdem kann die Trennplatte so gegen die Vertikale geneigt sein, dass das abgetrennte Polysilicium in einem Auffangbehälter aufgenommen wird, während größeres Polysilicium zwar ebenfalls durch die Sieböffnungen fällt, jedoch in einen anderen Auffangbehälter aufgenommen wird, der in Förderrichtung hinter der Trennplatte angeordnet ist.
  • Somit können durch die Siebplatte in Verbindung mit der Trennplatte auch zwei Fraktionen vom aufgegebenen Polysilicium abgetrennt werden.
  • Durch Variation des vertikalen Abstands der Trennplatte zu den Sieböffnungen kann sichergestellt werden, dass längliche Polysiliciumbruchstücke nicht mit abgetrennt werden.
  • Die Trennplatte kann also ganz unterschiedliche Funktionen erfüllen.
  • Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren, wobei Polysilicium auf die Siebplatte einer erfindungsgemäßen Abscheidevorrichtung aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysilicium eine Bewegung in Richtung des Entnahmebereichs ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysilicium in den Senken der Siebplatte sammelt und durch die Sieböffnungen der Siebplatte über die Trennplatte in einen Auffangbehälter fällt und dadurch vom aufgegebenen Polysilicium getrennt wird, wobei das aufgegebene Polysilicium ohne das abgetrennte kleinteilige Polysilicium weiterverarbeitet wird.
  • Die Position und Höhe der Trennplatte wird in einer Ausführungsform abhängig davon gewählt, wie stark das Polysilicium in Schwingungen versetzt wurde. Die Trennplatte hat bevorzugt einen Abstand zur Siebstrecke von 5 mm bis 20 mm, besonders bevorzugt ist ein Abstand von 1 mm bis 5 mm.
  • Unter kleinteiligem Polysilicium ist eine Teilmenge aus der aufgegebenen Menge an Polysilicium zu verstehen, die mittels der Siebanlage abgetrennt werden soll. Das kleinteilige Polysilicium entspricht also der abzutrennenden Fraktion.
  • Nachfolgend sollen unter kleinteiligem Polysilicium polykristalline Bruchstücke verstanden werden, deren längste Entfernung zweier Punkte auf der Oberfläche eines Siliciumbruchstücks (=max. Länge) kleiner oder gleich 4 mm beträgt. Dies soll auch Feinanteil, kleine Siliciumpartikel und Siliciumstaub (Größe kleiner oder gleich 100 µm) umfassen.
  • Die Siebplatte umfasst einen Aufgabebereich, in dem das Polysilicium aufgegeben wird.
  • In einer Ausführungsform wird das Polysilicium mittels einer Förderrinne zur Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich der Siebplatte abgegeben.
  • Die Siebplatte umfasst zudem einen profilierten Bereich mit Rillen oder Nuten oder allgemein Vertiefungen und Erhebungen, so dass der profilierte Bereich Senken und Spitzen aufweist.
  • Während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich sammeln sich kleine Bruchstücke oder kleine Siliciumpartikel (klein in Bezug auf die Zielfraktion) oder Feinanteil in den Senken des profilierten Bereichs.
  • Die Siebplatte umfasst - an den profilierten Bereich anschließend - einen Bereich mit Sieböffnungen. Die Sieböffnungen sind in Förderrichtung unmittelbar hinter den Senken des profilierten Bereichs angeordnet. Dadurch werden die in den Senken des profilierten Bereichs befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den Sieböffnungen geführt.
  • In einer Ausführungsform setzen sich die Spitzen des profilierten Bereichs auch in den Bereich mit Sieböffnungen fort, so dass die gesamte Siebplatte profiliert ist, wobei die Siebplatte jedoch an seinem in Förderrichtung hinteren Ende Sieböffnungen statt Senken aufweist.
  • Dabei kann hinsichtlich Querschnitt und Winkel das Profil des profilierten Bereichs vom Profil im Bereich der Sieböffnungen abweichen. Letzteres kann insbesondere dann von Vorteil sein, wenn die Siebstrecke oder die mit dem Polysilicium in Berührung kommenden Teile der Siebstrecke aus Kunststoff bestehen.
  • Die Abtrennung des Feinanteils oder kleiner Bruchstücke/Partikel erfolgt somit über die Sieböffnungen der Siebplatte in Verbindung mit der Trennplatte.
  • In einer Ausführungsform werden die abgetrennten Feinanteile oder kleinen Bruchstücke/Partikel durch einen unterhalb der Sieböffnungen der Siebplatte angeordneten Auffangbehälter aufgenommen.
  • Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen zum Entnahmebereich geführt.
  • In einer Ausführungsform ist der Entnahmebereich mit einer Förderrinne verbunden, über die die größeren Bruchstücke abgeführt werden. Ebenso kann sich eine weitere Siebplatte anschließen, um eine weitere Fraktion vom Polysilicium abzutrennen.
  • Die Erfindung sieht also eine Siebplatte vor, die in allen Arten von Siebanlagen eingesetzt werden kann, bei welcher sich im ersten Bereich der Siebplatte der Feinanteil oder kleinteiliges Silicium in Senken sammelt und im letzten Bereich der Siebplatte gezielt durch sich weitende Sieböffnungen abgetrennt wird.
  • Die Ausführung des profilierten Bereichs der Siebplatte ist abhängig von der abzutrennenden Fraktion. Tiefe und Winkel der Senken des profilierten Bereichs sind so auszugestalten, dass sich die abzutrennende Fraktion, also z.B. der Feinanteil dort sammelt.
  • Bei der Erfindung handelt sich also um eine Siebstrecke, bei welcher sich im ersten Bereich der Vorrichtung der Feinanteil in Senken sammelt und im letzten Bereich der Vorrichtung gezielt durch sich weitenden Sieböffnungen abgetrennt wird. Somit wird dem Siebschlitz nicht die ganze Fraktion zugeführt.
  • Die Abtrennvorrichtung besteht im Wesentlichen aus einer Siebstrecke welche in zwei Bereiche eingeteilt werden kann. Der erste Bereich ist der Einlaufbereich. In diesem Bereich sammelt sich der Feinanteil in den Senken und wird somit gezielt den Sieböffnungen (welche sich im zweiten Bereich, am Ende der Siebstrecke befinden) zugeführt. Der Trennschnitt für die Abtrennung erfolgt im zweiten Bereich der Siebstrecke über dort eingebrachte Sieböffnungen welche sich in Förderrichtung weiten. Durch diese Sieböffnungen erfolgt die Abtrennung der gewollten Si-Fraktion bzw. des Feinanteils. Dadurch dass sich die Sieböffnungen in Förderrichtung weiten neigt dieses System nicht zum Verstopfen.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung erstrecken sich die Sieböffnungen bis zu dem in Förderrichtung gelegenen Ende der Abscheidevorrichtung. Die Sieböffnungen sind daher zum Ende hin offen ausgebildet. Dies ist ein wesentliches Merkmal, um sicherzustellen, dass sich in der Abscheidevorrichtung keine Siliciumbruchstücke ansammeln oder die Sieböffnung verblockt.
  • Die Sieböffnungen haben bevorzugt einen Öffnungswinkel von 1 bis 20° und besonders bevorzugt von 5-15°.
  • Die Sieböffnungen haben bevorzugt eine Länge von 5 mm bis 50mm besonders bevorzugt eine Länge von 20 bis 40mm.
  • Zur Vermeidung von Verstopfungen ist eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung vorgesehen, dass sich die Sieböffnungen am Ende in Förderrichtung weiter aufweiten.
  • Der Öffnungswinkel dieser zweiten Aufweitung beträgt vorzugsweise 40- 150°, besonders bevorzugt sind 60 bis 120°.
  • In einer Ausführungsform lässt sich der Winkel der Sieböffnungen durch geeignete Vorrichtungen verändern. Beispielsweise können dazu Elemente aus einem elastischen Material verwendet werden. Es hat sich gezeigt, dass dies zur Vermeidung von Steckkorn vorteilhaft ist.
  • Bei der Abscheidevorrichtung ist in einer bevorzugten Ausführungsform eine Absaugung unterhalb der Sieböffnungen angebracht, die so positioniert ist, dass die Absaugung bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen und der Trennplatte sich befindet.
  • Die Absaugung hat bevorzugt einen Abstand zur unteren Siebplatte von 1mm bis 50 mm, besonders bevorzugt ist ein Abstand von 5mm bis 20 mm.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Abscheidung ist die Installation eines Gasstromes oberhalb der Sieböffnungen.
  • Diese umfasst eine oder mehrere Gasdüsen, welche auf die Sieböffnungen gerichtet sind.
  • Je nach Konfiguration der Gasdüsen kann der Gasstrahl eher weich oder hart ausfallen.
  • Ein weicher Strahl eignet sich dabei bevorzugt zur Unterstützung der Abscheidung vom Staub. Ein harter Strahl eignet sich hingegen bevorzugt zur Abscheidung von den kleineren Polysiliciumbruchstücken, 0,1mm bis 4mm. Der Gasstrom kann auch als Laminarfluss ausgebildet werden.
  • Als Gase kommen Reinraumluft nach DIN EN ISO 14644-1 (ISO1 bis ISO6), saubere Trockenluft, Stickstoff und Argon in Betracht.
  • Der Gasstrom ist bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen und der Trennplatte zu positionieren.
  • In einer Ausführungsform ist der Entnahmebereich mit einer Förderrinne verbunden, über die die größeren Bruchstücke abgeführt werden. Ebenso kann sich eine weitere Siebplatte anschließend, um einen weitere Fraktion vom Polysilicium abzutrennen.
  • In einer Ausführungsform besteht die Siebstrecke aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff, Silicium oder Metall, Metall mit Quarzglas ausgekleidet und Metall mit Silicium ausgekleidet
  • In einer Ausführungsform ist die Siebstrecke mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet.
  • In einer Ausführungsform sind die mit dem Polysilicium in Berührung kommenden Teile der Siebstrecke mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke einen metallischen Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke einen aus Kunststoff bestehenden Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung wird der bei den zuvor genannten Ausführungen verwendete Kunststoff ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus PVC (Polyvinylchlorid), PP (Polypropylen), PE (Polyethylen), PU (Polyurethan), PFA (Perfluoralkoxy), PVDF (Polyvinylidenfluorid) und PTFE (Polytetrafluorethylen).
  • In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke eine Beschichtung aus Titannitrid, Titancarbid, Aluminiumtitannitrid, DLC (Diamond Like Carbon), Siliciumcarbid, nitridgebundenes Siliciumcarbid oder Wolframcarbid.
  • Bevorzugt können über diese Siebvorrichtung die Bruchgrößen (BG) 1, 2, 3 eingesetzt werden. Typischer weise haben diese Bruchgrößen folgende Abmessungen.
    Bruchgröße 1 3 bis 15 mm
    Bruchgröße 2 10 bis 40 mm
    Bruchgröße 3 20 bis 60 mm
  • Typischerweise weisen die einzelnen Bruchgrößenklassen kleine und größere Bruchstücke auf. Der Anteil von größeren und kleineren Bruchstücken kann jeweils bis zu 5 % betragen.
  • Insbesondere eignet sich die Siebvorrichtung zur Abscheidung von kleinen Polysiliciumstücken, die etwa einen Durchmesser von 0,05 bis 2 mm sowie typischerweise eine Länge von bis zu 4 mm aufweisen.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Abscheidevorrichtung einen Trichter für das Aufgeben vom Polysiliciummaterial, zwei Fördereinheiten und zwei Siebstrecken, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgt. Dabei bildet eine Fördereinheit und eine Siebstrecke eine Einheit. Die erste Einheit wird als Einheit 1 und die zweite Einheit als Einheit 2 bezeichnet. Die Fördermenge von Polysilicium in kg/min kann für jede Einheit separat eingestellt werden. Vorzugsweise ist die Fördermenge der Einheit 1 gleich der Einheit 2.
  • Besonders bevorzugt ist die Fördermenge der Einheit 1 kleiner ist als die Fördermenge der Einheit 2, weil sich dadurch eine Vereinzelung der Polysiliciumbruchstücke auf der Einheit 2 einstellen kann mit dem Ergebnis, dass die kleinen Polysiliciumbruchstücke und der Staub besser abgeschieden werden können.
  • Natürlich können auch noch mehrere Einheiten hintereinander angebracht werden.
  • Durch eine solche Maßnahme verbessert sich die Abscheidung kleiner Polysiliciumstücke und von Staub.
  • Am Ende der letzten Siebstrecke befindet sich ein Entnahmebereich.
  • Der Entnahmebereich ist so gestaltet, dass das Polysiliciummaterial in den vorgesehen Behälter hineingleitet.
  • Dieser Entnahmebereich kann ebenfalls in Schwingung gebracht werden, damit sichergestellt ist, dass kein Polysiliciummaterial liegen bleibt.
  • Der Winkel von diesem Auslass beträgt vorzugsweise 5 bis 45° und besonders bevorzugt 15 bis 25°.
  • Es kommt zu keinem Verstopfen des Siebes womit eine gleichbleibende Absiebqualität erreicht wird. Dadurch entfallen die Reinigungsschritte (steigende Anlagenlaufzeiten, sinkende Personalkosten). Ebenso ist die Trenngenauigkeit deutlich höher als bei Stangensieben womit deutlich weniger Fehlkorn abgetrennt. Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens angegebenen Merkmale können entsprechend auf die erfindungsgemäße Vorrichtung übertragen werden. Umgekehrt können die bezüglich der vorstehend ausgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung angegebenen Merkmale entsprechend auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden.
    • Kurzbeschreibung der Figuren
    • Fig. 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Siebplatte einer erfindungsgemäßen Abscheidevorrichtung.
    • Fig. 2 zeigt schematisch eine Abscheidevorrichtung mit Absaugung und Trennplatte.
    • Fig. 3 zeigt schematisch eine Abscheidevorrichtung mit Absaugung und Gasstrom.
    Liste der verwendeten Bezugszeichen
    • 1
    Siebplatte
    2
    Aufgabebereich
    3
    Profilierter Bereich der Siebplatte
    31
    Senken des profilierten Bereichs
    32
    Spitzen des profilierten Bereichs
    4
    Bereich mit Sieböffnungen
    41
    Sieböffnung mit Öffnungswinkel a1
    5
    Entnahmebereich
    6
    Aufweitung mit Öffnungswinkel a2
    7
    Trennplatte
    8
    Absaugung
    9
    Zuführung Gasstrom
  • Die Siebplatte 1 umfasst einen Aufgabebereich 2, in dem das Polysilicium aufgegeben wird. Das Polysilicium kann beispielsweise mittels einer Förderrinne zur Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich 2 der Siebplatte 1 abgegeben werden.
  • Die Siebplatte 1 umfasst zudem einen profilierten Bereich 3. Dieser profilierte Bereich 3 sieht Rillen oder Nuten oder Vertiefungen anderer Art vor, so dass der profilierte Bereich 3 Senken 31 und Spitzen 32 aufweist.
  • Der im Polysilicium enthaltene Feinanteil sammelt sich während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich 3 in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3.
  • Die Siebplatte 1 umfasst - an den profilierten Bereich 3 anschließend - einen Bereich 4 mit Sieböffnungen 41. Die Sieböffnungen 41 sind unmittelbar hinter (In Förderrichtung) den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 angeordnet. Dadurch werden die in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den Sieböffnungen 41 des Bereichs 4 geführt.
  • Die Spitzen 32 des profilierten Bereichs 3 setzen sich vorzugweise auch im Bereich 4 fort, so dass die gesamte Siebplatte 1 profiliert ist, jedoch im Bereich 4 statt Senken 31 Sieböffnungen 41 aufweist.
  • Die Abtrennung des Feinanteils erfolgt somit über die Sieböffnungen 41 der Siebplatte 1. Die abgetrennten Feinanteile können beispielsweise durch einen unterhalb der Sieböffnungen 41 der Siebplatte 1 angeordneten Auffangbehälter aufgenommen werden.
  • Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen 32 zum Entnahmebereich 5 geführt.
  • Die Sieböffnungen 41 weiten sich in Förderrichtung um einen Öffnungswinkel a1. Die Sieböffnungen 41 weisen am Ende des Bereichs 4 eine weitere Aufweitung 6 auf, gekennzeichnet durch einen Öffnungswinkel a2.
  • Bei der Abscheidevorrichtung ist in einer bevorzugten Ausführungsform eine Absaugung 8 unterhalb der Sieböffnungen 41 angebracht, die so positioniert ist, dass sich die Absaugung 8 bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen 41 und der Trennplatte 7 befindet.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Abscheidung ist die Installation eines Gasstromes 9 oberhalb der Sieböffnungen 41.
    • Beispiele
  • Das vom Polysiliziumhersteller im Beutel angelieferte Polysiliziummaterial enthält auch kleinere Bruchstücke und Feinmaterialien. Das Feinmaterial, insbesondere mit Korngrößen kleiner als 4 mm, hat einen negativen Einfluss auf den Ziehprozess und muss aus diesem Grund vor der Verwendung entfernt werden. Für den Test wurde die Polybruchgröße 2 eingesetzt.
  • Das für den Test verwendete Polysiliziummaterial mit Polybruchgrößen 2 wurde mit einem Analysesieb (DIN ISO 3310-2) mit einer Nennlochweite W = 4mm (Quadratlochung) abgesiebt und für die Tests zur Verfügung gestellt. Das abgetrennte Feinmaterial wurde aufgefangen und verwogen.
  • Auf einer Fördereinheit wurden 10 kg Testpoylsiliciummaterial von der Bruchgröße 2 (ohne Feinmaterial < 4 mm) gegeben. Das Aufgeben des Testpolysiliciummaterials wird bevorzugt über einen Trichter vorgenommen. Der zu befüllende Behälter wird am Ende der Siebstrecke über der ersten Fördereinheit positioniert, so dass das Testpolysiliziummaterial in den Behälter ohne Probleme gefördert werden kann.
  • Das im Vorfeld für den Test abgetrennte Feinmaterial wird für diesen Test verwendet. Beim Befüllen der Fördereinheit werden jeweils nach 2 kg Testpolymaterial 2g abgetrenntes Feinmaterial zugegeben, so dass am Ende in Summe 10g Feinmaterial für diesen Test zugegeben wurde.
  • Danach wurden die Fördereinheit und die Siebstrecke gestartet. Die Fördermenge wurde vor dem Test auf 3kg +/- 0,5kg pro Minute eingestellt. Das entfernte Feinmaterial wurde aufgefangen und zurückgewogen. Pro Einstellung wurden die Versuche fünfmal vorgenommen.
  • Tabelle 1 zeigt die mittleren Ergebnisse:
    • Test 1
  • Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke ohne Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet.
    • Test 2
  • Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke mit Absaugung, aber ohne Gasstrom von oben verwendet.
    • Test 3
  • Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke mit Absaugung und mit einem Gasstrom von oben verwendet.
    • Test 4
  • Hierfür wurden zwei Fördereinheiten plus zwei Siebstrecken ohne Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgte.
    • Test 5
  • Hierfür wurden zwei Fördereinheiten plus zwei Siebstrecken mit Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgte- Tabelle 1
    Test Polymenge BG2 in kg Zugabe Feinmaterial in g Entferntes Feinmaterial in g Entfernungsrate in %
    1 10 10 8,3 83
    2 10 10 9,0 90
    3 10 10 9,1 91
    4 10 10 9,1 91
    5 10 10 9,6 96
  • Die Ergebnisse zeigen, dass die Verwendung von Absaugung und Gasstrom von oben zu einer Verbesserung der Entfernungsrate um 8% führen.
  • Eine weitere Verbesserung der Entfernungsrate ist möglich, wenn zwei Siebstrecken zum Einsatz kommen und eine Absaugung vorgesehen ist.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Abscheidevorrichtung daher zwei Siebplatten, umfassend jeweils einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten Bereich mit Spitzen und Senken, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs auf weiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte, die horizontal und vertikal verschiebbar ist, sowie eine Absaugung unterhalb der Sieböffnungen. Der Entnahmebereich der ersten Siebplatte schließt an den Aufgabebereich der zweiten Siebplatte an, d.h. Polysilicium, das in der ersten Siebstrecke nicht abgetrennt wurde, wird auf die zweite Siebstrecke gegeben. Bei beiden Siebstrecken sind Absaugungen unterhalb der Sieböffnungen vorgesehen.
  • Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und umfasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren.
  • Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche begrenzt.

Claims (10)

  1. Abscheidevorrichtung für Polysilicium mit wenigstens einer Siebplatte (1), umfassend einen Aufgabebereich (2) für Polysilicium, einen profilierten Bereich (3) mit Spitzen (32) und Senken (31), einen an den profilierten Bereich (3) anschließenden Bereich (4) mit Sieböffnungen (41), und einen Entnahmebereich (5), wobei sich die Sieböffnungen (41) in Richtung des Entnahmebereichs (5) aufweiten, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb der Sieböffnungen eine Trennplatte (7) angeordnet ist, die horizontal verschiebbar ist, um die Position der Trennplatte in Richtung des Entnahmebereichs zu variieren, und die vertikal verschiebbar ist, um den Abstand zu den Sieböffnungen zu variieren.
  2. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Öffnungswinkel der Aufweitung der Sieböffnungen (41) größer oder gleich 1° und kleiner oder gleich 20° beträgt.
  3. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 2, wobei ein Öffnungswinkel der Aufweitung der Sieböffnungen (41) größer oder gleich 5° und kleiner oder gleich 15° beträgt.
  4. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Sieböffnungen (41) eine Länge von 5 mm bis 50 mm aufweisen.
  5. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Sieböffnungen (41) eine Länge von 20 mm bis 40 mm aufweisen.
  6. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei sich die Sieböffnungen (41) in Richtung des Entnahmebereichs nach einer ersten Aufweitung ein zweites Mal aufweiten, wobei ein Öffnungswinkel dieser zweiten Aufweitung 40- 150° beträgt.
  7. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 6, wobei ein Öffnungswinkel der zweiten Aufweitung 60 bis 120° beträgt.
  8. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend eine Absaugung (8) unterhalb der Sieböffnungen (41).
  9. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, umfassend eine Vorrichtung, um einen Gasstrom (9) von oben auf die Sieböffnungen (41) zu richten.
  10. Verfahren, wobei Polysilicium auf die Siebplatte (1) einer Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9 aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysilicium eine Bewegung in Richtung des Entnahmebereichs (5) ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysilicium in den Senken (31) der Siebplatte (1) sammelt und durch die Sieböffnungen (41) der Siebplatte (1) über die Trennplatte (7) in einen Auffangbehälter fällt und dadurch vom aufgegebenen Polysilicium getrennt wird, wobei das aufgegebene Polysilicium ohne das abgetrennte kleinteilige Polysilicium weiterverarbeitet wird.
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