EP2438207A1 - Beschichtungsanlage und beschichtungsverfahren - Google Patents

Beschichtungsanlage und beschichtungsverfahren

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EP2438207A1
EP2438207A1 EP10721772A EP10721772A EP2438207A1 EP 2438207 A1 EP2438207 A1 EP 2438207A1 EP 10721772 A EP10721772 A EP 10721772A EP 10721772 A EP10721772 A EP 10721772A EP 2438207 A1 EP2438207 A1 EP 2438207A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
activation element
recipient
coating
contact elements
contact
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP10721772A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tino Harig
Markus Höfer
Artur Laukart
Lothar SCHÄFER
Markus Armgardt
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Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
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Filing date
Publication date
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Publication of EP2438207A1 publication Critical patent/EP2438207A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]

Definitions

  • the invention relates to a coating installation, comprising at least one evacuatable recipient, which is provided for receiving a substrate, at least one gas supply device, by means of which at least one gaseous precursor can be introduced into the recipient and at least one heatable activation element, which is a predefinable
  • the invention has longitudinal extent and is attached by means of at least one associated mechanical fastening device. Furthermore, the invention relates to a corresponding coating method.
  • Coating plants of the type mentioned above are provided according to the prior art to coat a substrate by means of a hot-wire-activated chemical vapor deposition.
  • the deposited layers may contain, for example, carbon, silicon or germanium.
  • the gaseous precursors may contain, for example, methane, monosilane, monogerman, ammonia or trimethylsilane.
  • Activation element dissociated and activated, so that a silicon layer or a silicon-containing layer on a
  • Substrate can be deposited.
  • a disadvantage of the cited prior art is that, in particular at the colder clamping points of the activating element, an undesired conversion of the material of the activating element takes place with the precursor.
  • the use of a silane compound as a precursor can lead to the formation of silicide phases on the activating element.
  • the resulting in the implementation of silicide phases usually lead to changes in volume of the activation element, are brittle in comparison to the starting material and little mechanical load and often show a change in electrical resistance. This means that the activation element is often destroyed after only a few hours of operation.
  • the activation element can be inserted under a mechanical prestress in the recipient and break under the influence of this mechanical prestressing.
  • the prior art proposes the rinsing of the clamping points with an inert gas.
  • the invention is thus based on the object to extend the life of an activating element in a coating system for hot-wire-activated chemical vapor deposition without adversely affecting the coating process. Furthermore, the object of the invention is to increase the process stability and / or to simplify the process control. The object is achieved by a coating system according to claim 1 and a coating method according to claim 10.
  • a substrate to be coated in an evacuatable recipient may for example consist of aluminum, stainless steel, ceramic and / or glass.
  • the recipient is completed in a conventional manner, for example by sealing elements made of metal or polymer or by welding and soldering joints in a substantially airtight.
  • the recipient can be evacuated by means of a vacuum pump.
  • At least one gaseous precursor having a predefinable partial pressure is introduced into the recipient via a gas supply device.
  • the precursor may contain methane or other hydrocarbons, silanes, germane, ammonia, trimethylsilane, oxygen and / or hydrogen.
  • the heating of the activation element may be effected by electron impact heating and / or electrical resistance heating.
  • the activation element essentially contains a refractory metal. This may be selected from the group consisting of molybdenum, niobium, tungsten, tantalum or an alloy of these metals.
  • the activating element may contain further chemical elements which either represent unavoidable impurities or, as an alloy constituent, adapt the properties of the activating element to the desired properties.
  • the activation element may take the form of a wire, a plate, a tube, a cylinder and / or further, more complex geometries.
  • the molecules of the gaseous precursor are at least partially dissociated or excited.
  • the excitation and / or dissociation may be assisted due to catalytic properties of the surface of the activating element.
  • the molecules activated in this way reach the surface of the substrate where they form the desired coating.
  • molecules of the gaseous precursor can be at least partially reacted with the material of the activation element.
  • the excitation and / or the dissociation and / or the reaction with the material of the activating element can be suppressed or accelerated.
  • At least two contact elements are provided, by means of which the activating element can be connected to an electrical current or voltage source.
  • the activating element can be connected to an electrical current or voltage source.
  • an activation element with a homogeneous material composition and a constant cross section the thermal energy deposited during the flow of an electric current is introduced uniformly along the longitudinal extent.
  • the activation element may have a lower temperature in a section in the vicinity of the contact element, compared to a section which has a greater distance from the contact element.
  • the temperature of the activating element may decrease so far that the material of the activating element preferably undergoes a chemical reaction with the precursor.
  • a tungsten-containing activation element with a silicon-containing precursor can form a tungsten silicide phase.
  • the invention proposes to move the activation element by means of a movable fastening device via stationary contact elements, so that they contact the activation element at changing contact points.
  • the points at which the activating element has a reduced temperature are also displaced with the contact element.
  • the activation element does not experience undesired phase transformation or acceleration of such a phase transformation at the same location during the entire duration of the coating process.
  • an undesired phase transformation for example the formation of a carbide or a suicide, which has been carried out initially, can be reversed if the undesired converted area or subsection of the activating element is subsequently heated to an elevated temperature. In this way, the life of the activation element can be increased.
  • alternating contact points is carried out according to the invention by a movement of the activation element, which is mediated by a movement of the fastening device, whereas the contact elements remain immobile relative to the surrounding recipient.
  • the contact element is immobile even if it experiences a small change in length due to thermal expansion or comprises a holding device which can compensate for thermal expansion.
  • an elongate shaped activation element may have a greater length than the area used to activate the precursor.
  • the activation element is always arranged completely in the recipient and not accommodated in a reservoir.
  • By moving the activation element a respective changing portion of the activation element is heated. Since the contact elements are arranged stationary, the arranged between the contact elements heated portion remains constant. In this way, the electrical regulation of the power consumption and / or the temperature of the activation element is simplified.
  • the displacement of the activation element relative to the contact element can be mediated by a translation of the fastening device and / or a rotation of the fastening device. In the latter case, the activation element may be formed into an endless ring or a loop.
  • the activating element may include at least one wire.
  • a wire according to the present invention may have a round, an oval or a polygonal cross-section. In this way, the ratio of surface area to volume of the activation element can be increased.
  • Such an activation element may be guided or deflected over at least one roller in some embodiments of the invention.
  • the roller may be part of a contact element and / or a fastening device.
  • Figure 1 shows the basic structure of a coating system according to the invention.
  • FIG. 2 illustrates a plan view of activating elements, which are guided endlessly through the active zone.
  • FIG. 3 shows an exemplary embodiment of an activation element proposed according to the invention, in which the Movement is mediated by a translation of the fastening device.
  • FIG. 4 shows an embodiment in which a movable activation element is guided over a plurality of stationary contact elements.
  • FIG. 1 shows a cross section through a coating installation 1.
  • the coating installation 1 comprises a recipient 10, which is produced, for example, from stainless steel, aluminum, glass or a combination of these materials.
  • the recipient 10 is substantially hermetically sealed from the environment. Via a pump flange 103, a vacuum pump, not shown, can be connected.
  • the recipient 10 may be evacuated to a pressure of less than 10 ° mbar, less than 10 "2 mbar, or less than 10 " 6 mbar.
  • a holding device 104 on which a substrate 30 can be held.
  • the substrate 30 may for example consist of glass, silicon, plastic, ceramic, metal or an alloy.
  • the substrate may be a semiconductor wafer, a architectural glass or a tool. It can have a flat or curved surface. The materials mentioned are mentioned only as examples. The invention does not teach the use of a particular substrate as a solution principle.
  • a coating 105 is deposited on the substrate 30.
  • the composition of the coating 105 is influenced by the choice of gaseous precursor.
  • the precursor may include methane so that the coating 105 contains diamond or diamond-like carbon.
  • the precursor may contain monosilane and / or monogerman, such that the coating contains crystalline or amorphous silicon and / or germanium.
  • the gaseous precursor is introduced into the interior of the recipient 10 via at least one gas supply device 20.
  • the gas supply device 20 receives the gaseous precursor from a reservoir 21.
  • the amount of precursor taken from the reservoir 21 can be influenced via a control valve 22. If the coating 105 is composed of a plurality of different precursors, the reservoir 21 may contain a prepared gas mixture or it may be provided a plurality of gas supply means 20, which each introduce a component of the composite Preavesors in the recipient 10.
  • the quantity of the precursor supplied via the regulating valve 22 to the gas supply device 20 is controlled by a regulating device 101.
  • the control device 101 is an actual value of a partial or absolute pressure supplied by a measuring device 100.
  • an activation element 40 is available.
  • the activation element 40 contains one or more catalytically active surfaces, for example in the form of a sheet or a wire.
  • the activation element 40 may contain tungsten, molybdenum, niobium and / or tantalum.
  • an active zone 50 is formed within the recipient 10, in which dissociated and / or excited components of the precursor can be detected.
  • the activation element 40 is attached to at least one fastening device 44.
  • the fastening device 44 guides the activating element 40 at a presettable position and / or with a predeterminable mechanical tension.
  • At least one fastening device 44 can be made electrically insulated in order to protect the actuator. At least partially bring emotiungselement to a predetermined electrical potential.
  • the activity of the surface of the activation element 40 is achieved at a temperature which is higher than the room temperature.
  • it is provided according to FIG. 1 to provide at least two electrical contact elements 43.
  • At least one contact element 43 can be connected to a current source 107 by means of a vacuum-tight feedthrough 108.
  • the temperature of the activation element 40 decreases starting from the geometric center towards the edge, when the heating power over the length of the wire is substantially constant.
  • the contact element 43 set a temperature at which the material of the activation element 40 is reacted with the gaseous precursor accelerated to undesirable phases, such as carbides and / or suicides and / or germanides.
  • an activating element 40 whose geometrical dimensions are larger than the dimensions of the active zone 50.
  • the activating element 40 is electrically insulated within the housing by means of the fastening devices 44
  • Recipients 10 stored.
  • the two contact elements 43 for example, via rollers, rollers, sliding contacts or similar elements with the activation element 40 in contact.
  • the contact elements 43 are installed substantially stationary in the recipient.
  • the distance of the contact elements 43 determines the length of the subsection of the activation element 40, which is heated by current flow.
  • the fastening devices 44 are movable along a transport direction 49, which in some embodiments may extend along the longitudinal extension of the activation element 40.
  • the movement of the fastening devices 44 along the transport direction 49 may be harmonious or anharmonic, as well as continuously or with pauses in between.
  • the movement of the fastening devices 44 has the effect that the location of lower temperature, which forms in the vicinity of the contact point of the contact element 43 on the activation element 40, is locally variable. In this way, the damaging influence of the precursor on the activation element 40 is distributed over a larger area or longitudinal section of the activation element, so that the life of the activation element is increased overall. In some embodiments of the invention, it may further be provided that a region damaged in the presence of the precursor at low temperatures recovers by increasing the temperature when the contact element 43 moves away, in that the unwanted phases of the activation element 40 undergo a further reaction.
  • FIG. 2 shows a further embodiment of an activation element 40.
  • the active surface of the activation element 40 in this embodiment of the invention is formed by a wire 41, which contains, for example, tungsten, niobium, molybdenum or tantalum.
  • the cross section may be polygonal or round, so that the visual impression of a band may result.
  • the activation element 40 according to FIG. 6 contains three wires 41a, 41b and 41c. The ends of each individual wire are connected together, for example by spot welding, resulting in an endless loop. Each of these endless loops is guided over two rollers 46 which form both the contact element 43 and the holding element 44.
  • the two rollers 46a, 41b or 41c assigned to rollers 46 are at different electrical potential, so that flows through the respective wire 41, an electric current which heats the wire 41.
  • an electric current which heats the wire 41.
  • the temperature of the wire 41 decreases from the middle of the active zone to the edge region with the rollers 46.
  • Germanid or Silizidphasen which form in the colder area near the rollers 46 in the middle of the active zone 50 are reduced again. But at least the wire 41 undergoes a uniform implementation over its entire length, so that its life is increased to mechanical failure. Due to the uniform aging of the wire, its electrical properties change only slowly, so that the control of the coating process can be simplified.
  • FIG. 3 shows an activating element 40, which contains a wire 41, in three different embodiments. lent movement phases.
  • the fasteners 44 are in a neutral position, which is illustrated by the lines 200.
  • the wire 41 is stretched, which provides the active surface of the activation element 40.
  • the spacing of the two fasteners 44 is substantially constant, however, in some embodiments, the distance to compensate for thermal expansion may be slightly variable.
  • a device can be integrated, which ensures a constant mechanical tension of the wire 41, for example by means of at least one spring.
  • a contact element 43 comprises a roller 46, which is rotatably attached to a roller holder 47. In the circumferential surface of the roller, a groove can be introduced to prevent drainage of the wire 41 from the roller 46.
  • a potential difference is applied by means of a current source 107. The circuit closes over the wire 41, so that the heated section of the activation element 40 comes to lie between the Maisele- elements.
  • the fastening devices 44 can be moved from the neutral position along the direction of movement 49 to the left.
  • the heated and thus active portion of the activation element shifts.
  • the total length of the section remains constant, so that a simple control of the temperature or the power requirement is made possible.
  • FIG. 4 shows an activation element 40, which contains a wire 41, in three different phases of movement.
  • a first position which is shown in Figure 4a
  • the fastening devices 44 are in a neutral position.
  • the wire 41 is stretched, which provides the active surface of the activation element 40.
  • the distance between the two fastening devices 44 is substantially constant, as explained in connection with FIG.
  • the activation element 40 is guided over four contact elements 43 or two pairs of contact elements, which are arranged substantially stationary within the recipient.
  • a contact element 43 comprises a roller 46, which is rotatably mounted. In the circumferential surface of the roller, a groove can be introduced to prevent drainage of the wire 41 from the roller 46.
  • a potential difference is applied by means of a current source, not shown, so that in each
  • the fastening devices 44 can be moved from the neutral position along the direction of movement 49 to the left.
  • the heated and thus active portion of the activation element shifts.
  • the total length of the section remains constant, so that a simple control of the temperature or the power requirement is made possible.
  • the position of the subsection and thus the position of the active zone 50 within the recipient remains constant. Nevertheless, the damaging influence of the precursor on the activation element 40 is distributed over a larger area or longitudinal section of the activation element, so that the lifetime of the activation element is increased overall.
  • it may furthermore be provided that an area damaged in the presence of the precursor at low temperatures is regenerated by raising the temperature when the contact element 43 moves away, in that the unwanted phases of the activation element 40 undergo a renewed reaction.
  • the entire length of the activating element is to be disposed within the recipient and to be substantially stretched.
  • the entire available length can be cyclically used to activate the gas phase, without the wire 41 must be wound into a reservoir or unwound from a reservoir. The reliability of the device can thereby be increased.
  • FIGS. 1 to 4 can also be combined in order to obtain further embodiments of the activation element or the proposed coating system according to the invention in this way. Therefore, the above description is not to be considered as limiting, but as illustrative.
  • the following claims should be understood to mean that a named feature is present in at least one embodiment of the invention. This does not exclude the presence of further features. If the claims define "first" and "second” features, then this term serves to distinguish two similar features without prioritizing them.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsanlage, enthaltend zumindest einen evakuierbaren Rezipienten, welcher zur Aufnahme eines Substrates vorgesehen ist, zumindest eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten einleitbar ist und zumindest ein beheizbares Aktivierungselement, welches eine vorgebbare Längsausdehnung aufweist und mittels zumindest einer zugeordneten mechanischen Befestigungsvorrichtung befestigt ist, wobei dem Aktivierungselement über zumindest zwei Kontaktelemente ein elektrischer Strom zuführbar ist und die Kontaktelemente relativ zum Rezipienten nahezu unbeweglich befestigt sind und das Aktivierungselement relativ zum Rezipienten bewegbar angeordnet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Beschichtungsverfahren.

Description

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Beschreibung
Beschichtungsanlaqe und Beschichtungsverfahren
Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsanlage, enthaltend zumindest einen evakuierbaren Rezipienten, welcher zur Aufnahme eines Substrates vorgesehen ist, zumindest eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten einleitbar ist und zumindest ein beheizbares Aktivierungselement, welches eine vorgebbare
Längsausdehnung aufweist und mittels zumindest einer zugeordneten mechanischen Befestigungsvorrichtung befestigt ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Beschichtungsverfahren .
Beschichtungsanlagen der eingangs genannten Art sind gemäß dem Stand der Technik dazu vorgesehen, ein Substrat mittels einer heißdrahtaktivierten chemischen Gasphasenabscheidung zu beschichten. Die abgeschiedenen Schichten können beispielsweise Kohlenstoff, Silizium oder Germanium enthalten. Ent- sprechend können die gasförmigen Prekursoren beispielsweise Methan, Monosilan, Monogerman, Ammoniak oder Trimethylsilan enthalten.
Aus K. Honda, K. Ohdaira and H. Matsumura, Jpn. J. App.
Phys . , Vol. 47, No. 5 ist bekannt, eine Beschichtungsanlage der eingangs genannten Art zur Abscheidung von Silizium zu verwenden. Hierzu wird mittels der Gaszufuhreinrichtung Silan (SiH4) als Prekursor zugeführt. Gemäß dem Stand der Technik wird der Prekursor an der beheizten Wolframoberflache eines
Aktivierungselementes dissoziiert und aktiviert, so dass eine Siliziumschicht oder eine siliziumhaltige Schicht auf einem
Substrat abgeschieden werden kann. Nachteilig am genannten Stand der Technik ist jedoch, dass insbesondere an den kälteren Einspannstellen des Aktivierungselementes eine unerwünschte Umsetzung des Materials des Aktivierungselementes mit dem Prekursor stattfindet. Bei- spielsweise kann die Verwendung einer Silan-Verbindung als Prekursor zur Bildung von Silizid-Phasen am Aktivierungselement führen.
Die bei der Umsetzung entstehenden Silizid-Phasen führen in der Regel zu Volumenveränderungen des Aktivierungselementes, sind im Vergleich zum Ausgangsmaterial spröde und mechanisch wenig belastbar und zeigen oftmals einen veränderten elektrischen Widerstand. Dies führt dazu, dass das Aktivierungselement oftmals bereits nach wenigen Stunden Betrieb zerstört ist. Beispielsweise kann das Aktivierungselement unter einer mechanischen Vorspannung im Rezipienten eingesetzt sein und unter dem Einfluss dieser mechanischen Vorspannung brechen. Um ein Brechen des Aktivierungselementes unter einer mechanischen Vorspannung zu verhindern, schlägt der Stand der Technik die Spülung der Einspannstellen mit einem Inertgas vor. Zwar zeigt der Stand der Technik im begrenzten Umfang eine Verlängerung der Lebensdauer, diese ist jedoch bei länger andauernden Beschichtungsverfahren oder zur Durchführung mehrerer kürzerer Beschichtungsverfahren unmittelbar hintereinander weiterhin unzureichend. Weiterhin beeinflusst das eingesetzte Inertgas das Beschichtungsverfahren.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, die Lebensdauer eines Aktivierungselementes in einer Beschichtungsan- lage zur heißdrahtaktivierten chemischen Gasphasenabscheidung zu verlängern, ohne den Beschichtungsprozess nachteilig zu beeinflussen. Weiterhin besteht die Aufgabe der Erfindung darin, die Prozessstabilität zu erhöhen und/oder die Prozessregelung zu vereinfachen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Beschichtungsan- lage gemäß Anspruch 1 sowie ein Beschichtungsverfahren gemäß Anspruch 10 gelöst.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, in an sich bekannter Weise ein zu beschichtendes Substrat in einem evakuierbaren Rezipienten einzubringen. Der Rezipient kann beispielsweise aus Aluminium, Edelstahl, Keramik und/oder Glas bestehen. Der Rezipient wird in an sich bekannter Weise, beispielsweise durch Dichtungselemente aus Metall oder Polymer bzw. durch Schweiß- und Lötverbindungen im Wesentlichen luftdicht abgeschlossen. Der Rezipient kann mittels einer Vakuumpumpe evakuiert werden.
Über eine Gaszufuhreinrichtung wird zumindest ein gasförmiger Prekursor mit vorgebbarem Partialdruck in den Rezipienten eingeleitet. Beispielsweise kann der Prekursor Methan oder andere Kohlenwasserstoffe, Silane, Germane, Ammoniak, Trimethylsilan, Sauerstoff und/oder Wasserstoff enthalten.
Zur Schichtabscheidung wird zumindest ein im Innenraum des Rezipienten angeordnetes Aktivierungselement beheizt. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Beheizung des Aktivierungselements durch eine Elektronenstoßheizung und/oder eine elektrische Widerstandsheizung erfolgen. Das Aktivierungselement enthält im Wesentlichen ein Refraktär- metall. Dieses kann ausgewählt sein aus der Gruppe, welche Molybdän, Niob, Wolfram, Tantal oder eine Legierung aus diesen Metallen enthält. Daneben kann das Aktivierungselement weitere chemische Elemente enthalten, welche entweder unvermeidbare Verunreinigungen darstellen oder als Legierungsbestandteil die Eigenschaften des Aktivierungselements an die gewünschten Eigenschaften anpassen. Das Aktivierungselement kann die Form eines Drahtes, einer Platte, eines Rohres, eines Zylinders und/oder weiterer, komplexerer Geometrien annehmen . An der Oberfläche des Aktivierungselements werden die Moleküle des gasförmigen Prekursors zumindest teilweise dissoziiert oder angeregt. Die Anregung und/oder Dissoziation kann aufgrund von katalytischen Eigenschaften der Oberfläche des Aktivierungselements unterstützt werden. Die auf diese Weise aktivierten Moleküle gelangen an die Oberfläche des Substrats und bilden dort die gewünschte Beschichtung. Daneben können Moleküle des gasförmigen Prekursors zumindest teilweise mit dem Material des Aktivierungselements umgesetzt werden. In Abhängigkeit der Temperatur des Aktivierungselements kann die Anregung und/oder die Dissoziation und/oder die Umsetzung mit dem Material des Aktivierungselements unterdrückt oder beschleunigt sein.
Um dem Aktivierungselement einen elektrischen Strom zuzuführen, sind zumindest zwei Kontaktelemente vorgesehen, mittels welchen das Aktivierungselement mit einer elektrischen Strom- oder Spannungsquelle verbindbar ist. In einem Aktivierungselement mit homogener Materialzusammensetzung und konstantem Querschnitt wird die beim Durchfluss eines elek- trischen Stromes deponierte thermische Energie gleichmäßig entlang der Längserstreckung eingebracht.
Aufgrund der vergrößerten Wärmeleitfähigkeit und/oder der vergrößerten Wärmeabstrahlung des Kontaktelements kann das Aktivierungselement in einem Abschnitt in der Nähe des Kon- taktelements eine geringere Temperatur aufweisen, verglichen mit einem Abschnitt, welcher eine größere Entfernung zum Kontaktelement aufweist. In diesem Fall kann in einem Abschnitt in der Nähe des Kontaktelements die Temperatur des Aktivierungselements so weit absinken, dass das Material des Akti- vierungselements mit dem Prekursor bevorzugt eine chemische Umsetzung erfährt. Beispielsweise kann ein wolframhaltiges Aktivierungselement mit einem siliziumhaltigen Prekursor eine Wolfram-Silizid-Phase bilden. Zur Lösung dieses Problems wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, das Aktivierungselement mittels einer beweglichen Befestigungsvorrichtung über ortsfeste Kontaktelemente zu bewegen, so dass diese das Aktivierungselement an wechselnden Kontaktstellen kontaktieren. Durch die relative Bewegung verlagern sich mit dem Kontaktelement auch diejenigen Stellen, an welchen das Aktivierungselement eine reduzierte Temperatur aufweist. Dadurch erfährt das Aktivierungselement nicht während der gesamten Dauer des Beschichtungsverfahrens am selben Ort eine unerwünschte Phasenumwandlung bzw. eine Beschleunigung einer solchen Phasenumwandlung.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann auch eine zunächst erfolgte unerwünschte Phasenumwandlung, beispielsweise die Bildung eines Karbids oder eines Suizids, wieder rückgängig gemacht werden, wenn der in unerwünschter Weise umgewandelte Flächenbereich bzw. Teilabschnitt des Aktivierungselements nachfolgend auf eine erhöhte Temperatur aufgeheizt wird. Auf diese Weise kann die Lebensdauer des Aktivierungselements erhöht werden.
Die Ausbildung wechselnder Kontaktstellen erfolgt erfindungsgemäß durch eine Bewegung des Aktivierungselementes, welche über eine Bewegung der Befestigungsvorrichtung vermittelt wird, wohingegen die Kontaktelemente relativ zum umgebenden Rezipienten unbeweglich bleiben. Im Sinne der vorliegenden Beschreibung ist das Kontaktelement auch dann unbeweglich, wenn es durch thermische Ausdehnung eine geringe Längenänderung erfährt oder eine Haltevorrichtung umfasst, welche eine thermische Ausdehnung kompensieren kann.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann ein länglich geformtes Aktivierungselement eine größere Länge aufweisen, als der zur Aktivierung des Prekursors eingesetzte Bereich. Das Aktivierungselement ist jedoch stets vollständig im Rezipienten angeordnet und nicht etwa in einem Reservoir untergebracht. Durch Verschieben des Aktivierungselementes wird ein jeweils wechselnder Teilabschnitt des Aktivierungselementes beheizt. Da die Kontaktelemente ortsfest angeordnet sind, bleibt der zwischen den Kontaktelementen angeordnete beheizte Teilabschnitt konstant. Auf diese Weise wird die elektrische Regelung der Leistungsaufnahme und/oder der Temperatur des Aktivierungselements vereinfacht. Die Verschiebung des Aktivierungselementes relativ zum Kontaktelement kann durch eine Translation der Befestigungsvorrichtung und/oder eine Rotation der Befestigungs- Vorrichtung vermittelt werden. Im letzteren Fall kann das Aktivierungselement zu einem endlosen Ring bzw. einer Schlaufe geformt sein.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Aktivierungselement zumindest einen Draht enthalten. Ein Draht im Sinne der vorliegenden Erfindung kann einen runden, einen ovalen oder einen polygonalen Querschnitt aufweisen. Auf diese Weise kann das Verhältnis von Oberfläche zu Volumen des Aktivierungselements vergrößert werden. Ein solches Aktivierungselement kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung über zumindest eine Rolle geführt bzw. umgelenkt werden. Die Rolle kann Teil eines Kontaktelements und/oder einer Befestigungsvorrichtung sein.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren ohne Beschränkung des allgemeinen Erfin- dungsgedankens näher erläutert werden. Dabei zeigt
Figur 1 den prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäßen Be- schichtungsanlage .
Figur 2 illustriert eine Aufsicht auf Aktivierungselemente, welche endlos durch die Wirkzone geführt werden.
Figur 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäß vorgeschlagenen Aktivierungselements, bei welchem die Bewegung durch eine Translation der Befestigungsvorrichtung vermittelt wird.
Figur 4 zeigt eine Ausführungsform, bei welcher ein bewegliches Aktivierungselement über mehrere ortsfeste Kontaktele- mente geführt wird.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Beschichtungsan- lage 1. Die Beschichtungsanlage 1 umfasst einen Rezipienten 10, welcher beispielsweise aus Edelstahl, Aluminium, Glas oder einer Kombination dieser Materialien hergestellt ist. Der Rezipient 10 ist gegenüber der Umgebung im Wesentlichen luftdicht abgeschlossen. Über einen Pumpenflansch 103 kann eine nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschlossen werden. Beispielsweise kann der Rezipient 10 auf einen Druck von weniger als 10° mbar, weniger als 10"2 mbar oder weniger als 10"6 mbar evakuiert werden.
Innerhalb des Rezipienten 10 befindet sich eine Haltevorrichtung 104, auf welcher ein Substrat 30 gehaltert werden kann. Das Substrat 30 kann beispielsweise aus Glas, Silizium, Kunststoff, Keramik, Metall oder einer Legierung bestehen. Das Substrat kann ein Halbleiterwafer, ein Architekturglas oder ein Werkzeug sein. Es kann eine ebene oder gekrümmte Oberfläche aufweisen. Die genannten Materialien sind dabei nur beispielhaft genannt. Die Erfindung lehrt nicht die Verwendung eines bestimmten Substrates als Lösungsprinzip. Bei Betrieb der Beschichtungsanlage 1 wird auf dem Substrat 30 eine Beschichtung 105 abgeschieden.
Die Zusammensetzung der Beschichtung 105 wird durch die Wahl des gasförmigen Prekursors beeinflusst. In einer Ausführungsform der Erfindung kann der Prekursor Methan enthalten, so dass die Beschichtung 105 Diamant oder diamantartigen Kohlenstoff enthält. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann der Prekursor Monosilan und/oder Monogerman enthalten, so dass die Beschichtung kristallines oder amorphes Silizium und/oder Germanium enthält.
Der gasförmige Prekursor wird über mindestens eine Gaszufuhreinrichtung 20 in das Innere des Rezipienten 10 eingebracht. Die Gaszufuhreinrichtung 20 bezieht den gasförmigen Prekursor aus einem Vorratsbehälter 21. Die Menge des aus dem Vorratsbehälter 21 entnommenen Prekursors kann über ein Regelventil 22 beeinflusst werden. Sofern die Beschichtung 105 aus mehreren unterschiedlichen Prekursoren zusammengesetzt ist, kann der Vorratsbehälter 21 eine vorbereitete Gasmischung enthalten oder aber es können mehrere Gaszufuhreinrichtungen 20 vorgesehen sein, welche jeweils eine Komponente des zusammengesetzten Prekursors in den Rezipienten 10 einleiten.
Die über das Regelventil 22 der Gaszufuhreinrichtung 20 zugeführte Menge des Prekursors wird über eine Regeleinrichtung 101 kontrolliert. Der Regeleinrichtung 101 wird ein Ist- Wert eines Partial- oder Absolutdrucks durch eine Messeinrichtung 100 zugeführt.
Zur Aktivierung des gasförmigen Prekursors steht ein Aktivie- rungselement 40 zur Verfügung. Das Aktivierungselement 40 enthält eine oder mehrere katalytisch wirksame Flächen, beispielsweise in Form eines Bleches oder eines Drahtes. Beispielsweise kann das Aktivierungselement 40 Wolfram, Molybdän, Niob und/oder Tantal enthalten. Bei Betrieb des Ak- tivierungselementes bildet sich innerhalb des Rezipienten 10 eine Wirkzone 50 aus, in welcher dissoziierte und/oder angeregte Bestandteile des Prekursors nachweisbar sind.
Das Aktivierungselement 40 ist an zumindest einer Befestigungsvorrichtung 44 befestigt. Die Befestigungs- Vorrichtung 44 führt das Aktivierungselement 40 an einer vorgebbaren Position und/oder mit einer vorgebbaren mechanischen Spannung. Zumindest eine Befestigungsvorrichtung 44 kann elektrisch isoliert ausgeführt werden, um das Akti- vierungselement zumindest teilweise auf ein vorgebbares elektrisches Potential zu bringen.
Die Aktivität der Oberfläche des Aktivierungselementes 40 wird bei einer gegenüber der Raumtemperatur erhöhten Tempera- tur erreicht. Zur Erwärmung des Aktivierungselementes 40 ist gemäß Figur 1 vorgesehen, zumindest zwei elektrische Kontaktelemente 43 vorzusehen. Zumindest ein Kontaktelement 43 kann mittels einer vakuumdichten Durchführung 108 mit einer Stromquelle 107 verbunden werden. In diesem Fall erfolgt die Erwärmung des Aktivierungselementes 40 durch Widerstandsheizung. Sofern das Aktivierungselement aus einem homogenen Material besteht und eine gleichmäßige Dicke aufweist, ist die entlang der Längserstreckung x des Aktivierungselementes dE eingebrachte Heizleistung E konstant: — = const. dx
Aufgrund der Wärmeleitung und/oder Wärmestrahlung der Befestigungsvorrichtungen 44 und/oder der Kontaktelemente 43 nimmt die Temperatur des Aktivierungselementes 40 ausgehend von der geometrischen Mitte zum Rand hin ab, wenn die Heizleistung über die Länge des Drahtes im Wesentlichen konstant ist. Dabei kann sich in der Nähe des Kontaktelements 43 eine Temperatur einstellen, bei welcher das Material des Aktivierungselementes 40 mit dem gasförmigen Prekursor beschleunigt zu unerwünschten Phasen umgesetzt wird, beispielsweise Karbiden und/oder Suiziden und/oder Germaniden.
Um den schädigenden Einfluss des Prekursors auf das Aktivierungselement zu minimieren, wird gemäß Figur 1 vorgeschlagen, ein Aktivierungselement 40 einzusetzen, dessen geometrische Abmessungen größer sind als die Abmessungen der Wirkzone 50. Das Aktivierungselement 40 wird mittels der Befestigungs- Vorrichtungen 44 elektrisch isoliert innerhalb des
Rezipienten 10 gelagert. Die zwei Kontaktelemente 43, stehen beispielsweise über Rollen, Walzen, Schleifkontakte oder ähnliche Elemente mit dem Aktivierungselement 40 in Kontakt. Die Kontaktelemente 43 sind im Wesentlichen ortsfest im Rezipienten eingebaut. Der Abstand der Kontaktelemente 43 bestimmt die Läng des Teilabschnittes des Aktivierungselementes 40, welcher durch Stromfluss erwärmt wird.
Die Befestigungsvorrichtungen 44 sind entlang einer Transportrichtung 49 beweglich, welche in einigen Ausführungsformen entlang der Längserstreckung des Aktivierungselements 40 verlaufen kann. Die Bewegung der Befestigungsvorrichtungen 44 entlang der Transportrichtung 49 kann harmonisch oder anharmonisch, sowie kontinuierlich oder mit dazwischen liegenden Pausen erfolgen.
Die Bewegung der Befestigungsvorrichtungen 44 hat die Wirkung, dass der Ort niedrigerer Temperatur, welcher sich in der Nähe der Kontaktstelle des Kontaktelements 43 auf dem Ak- tivierungselement 40 ausbildet, örtlich variabel ist. Auf diese Weise wird der schädigende Einfluss des Prekursors auf das Aktivierungselement 40 auf einen größeren Flächenbereich bzw. Längsabschnitt des Aktivierungselements verteilt, so dass die Lebensdauer des Aktivierungselements insgesamt vergrößert wird. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann darüber hinaus vorgesehen sein, dass sich ein unter Anwesenheit des Prekursors bei niedrigen Temperaturen geschädigter Bereich durch Erhöhen der Temperatur beim Wegbewegen des Kontaktelements 43 wieder regeneriert, indem die unerwünschten Phasen des Aktivierungselements 40 eine erneute Umsetzung erfahren.
Figur 2 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Aktivierungselements 40. Die aktive Oberfläche des Aktivierungselements 40 wird in dieser Ausführungsform der Erfindung durch einen Draht 41 gebildet, welcher beispielsweise Wolfram, Niob, Molybdän oder Tantal enthält. Der Querschnitt kann polygonal oder rund sein, so dass sich der optische Eindruck eines Bandes ergeben kann. Das Aktivierungselement 40 gemäß Figur 6 enthält drei Drähte 41a, 41b und 41c. Die Enden jedes einzelnen Drahtes sind miteinander verbunden, beispielsweise durch Punktschweißen, so dass sich eine endlose Schleife ergibt. Jede dieser endlosen Schleifen ist über zwei Rollen 46 geführt, welche sowohl das Kontaktelement 43 als auch das Halteelement 44 bilden. Die beiden einem Draht 41a, 41b oder 41c zugeordneten Rollen 46 liegen auf unterschiedlichem elektrischen Potential, so dass durch den jeweiligen Draht 41 ein elektrischer Strom fließt, welcher den Draht 41 erwärmt. Auf diese Weise bildet sich zwischen den Drähten 41a, 41b und 41c und der Oberfläche des Substrats 30 wiederum eine Wirkzone 50 aus, in welcher die dissoziierten und/oder angeregten Moleküle zur Schichtab- scheidung nachweisbar sind.
Aufgrund der Wärmeabfuhr über die Rollen 46 nimmt die Temperatur des Drahtes 41 von der Mitte der Wirkzone zum Randbereich mit den Rollen 46 ab. Um die Versprödung bzw. den Bruch des Drahtes 41 zu verlangsamen oder zu verhindern, wird vorgeschlagen, zumindest eine Rolle 46 in Rotation zu versetzen, beispielsweise mittels eines Elektromotors oder einem Federzug. Auf diese Weise durchläuft der Draht 41 zyklisch den Bereich mit der geringsten Wärmeabfuhr und der höchsten Temperatur in der Mitte der Wirkzone 50 und den Bereich mit der größten Wärmeabfuhr und der niedrigsten Temperatur an den Rollen 46. Auf diese Weise können unerwünschte Karbid-,
Germanid- oder Silizidphasen, welche sich im kälteren Bereich nahe den Rollen 46 bilden, in der Mitte der Wirkzone 50 wieder reduziert werden. Zumindest aber erfährt der Draht 41 über seine gesamte Länge eine gleichmäßige Umsetzung, so dass dessen Lebensdauer bis zum mechanischen Versagen vergrößert wird. Durch die gleichmäßige Alterung des Drahtes ändern sich dessen elektrische Eigenschaften nur langsam, so dass die Kontrolle des Beschichtungsprozesses vereinfacht sein kann.
Die Ausführungsform gemäß Figur 3 zeigt ein Aktivierungsele- ment 40, welches einen Draht 41 enthält, in drei unterschied- liehen Bewegungsphasen. In einer ersten Position, welche in Figur 3 oben dargestellt ist, befinden sich die Befestigungsvorrichtungen 44 in einer neutralen Position, welche durch die Linien 200 verdeutlicht wird. Zwischen den Befestigungs- Vorrichtungen 44 ist der Draht 41 gespannt, welcher die aktive Oberfläche des Aktivierungselementes 40 bereitstellt. Der Abstand der beiden Befestigungsvorrichtungen 44 ist im Wesentlichen konstant, jedoch kann in einigen Ausführungsformen vorgesehen sein, dass der Abstand zur Kompensation thermischer Ausdehnung in geringem Umfang variabel ist. In diesem Fall kann eine Vorrichtung integriert sein, welche eine konstante mechanische Spannung des Drahtes 41 sicherstellt, beispielsweise mittels zumindest einer Feder.
Wie bereits in Zusammenhang mit Figur 1 erläutert, sind zwei Kontaktelemente 43 vorgesehen, welche im Wesentlichen ortsfest innerhalb des Rezipienten angeordnet sind. Im dargestellten Fall umfasst ein Kontaktelement 43 eine Rolle 46, welche drehbar an einer Rollenhalterung 47 befestigt ist. In die Umfangsflache der Rolle kann eine Nut eingebracht werden, um ein Ablaufen des Drahtes 41 von der Rolle 46 zu verhindern. An zwei Kontaktelemente 46 wird mittels einer Stromquelle 107 eine Potentialdifferenz angelegt. Der Stromkreis schließt sich über den Draht 41, so dass der beheizte Teilabschnitt des Aktivierungselementes 40 zwischen den Kontaktele- menten zu liegen kommt.
Wie in der mittleren Darstellung der Figur 3 ersichtlich, können die Befestigungsvorrichtungen 44 aus der neutralen Position entlang der Bewegungsrichtung 49 nach links bewegt werden. Dadurch verschiebt sich der beheizte und damit aktive Teilabschnitt des Aktivierungselementes. Die Gesamtlänge des Teilabschnittes bleibt jedoch konstant, so dass eine einfache Regelung der Temperatur bzw. des Leistungsbedarfs ermöglicht wird. Auf diese Weise wird der schädigende Einfluss des Pre- kursors auf das Aktivierungselement 40 auf einen größeren Flächenbereich bzw. Längsabschnitt des Aktivierungselements verteilt, so dass die Lebensdauer des Aktivierungselements insgesamt vergrößert wird. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann darüber hinaus vorgesehen sein, dass sich ein unter Anwesenheit des Prekursors bei niedrigen Temperaturen geschädigter Bereich durch Erhöhen der Temperatur beim
Wegbewegen des Kontaktelements 43 wieder regeneriert, indem die unerwünschten Phasen des Aktivierungselements 40 eine erneute Umsetzung erfahren.
Wie in der unteren Darstellung der Figur 3 ersichtlich, kann bei Erreichen einer Endstellung die Bewegungsrichtung umgekehrt werden, so dass die Befestigungsvorrichtungen 44 nach rechts bewegt werden. Dadurch verschiebt sich der beheizte und damit aktive Teilabschnitt des Aktivierungselementes wiederum. Die Gesamtlänge des Teilabschnittes und dessen relative Lage in Bezug auf den Rezipienten bleibt jedoch konstant. Nach erreichen der in der Figur dargestellten Endlage kann die Bewegungsrichtung erneut wechseln, so dass die in Figur 3 dargestellten Positionen zyklisch durchlaufen werden. Die Bewegung kann dabei kontinuierlich oder dis kontinuierlich erfolgen.
Die Ausführungsform gemäß Figur 4 zeigt ein Aktivierungselement 40, welches einen Draht 41 enthält, in drei unterschiedlichen Bewegungsphasen. In einer ersten Position, welche in Figur 4a dargestellt ist, befinden sich die Befestigungs- Vorrichtungen 44 in einer neutralen Position. Zwischen den Befestigungsvorrichtungen 44 ist der Draht 41 gespannt, welcher die aktive Oberfläche des Aktivierungselementes 40 bereitstellt. Der Abstand der beiden Befestigungsvorrichtungen 44 ist im Wesentlichen konstant, wie in Zusammenhang mit Figur 3 erläutert.
Das Aktivierungselement 40 ist über vier Kontaktelemente 43 bzw. zwei Kontaktelementpaare geführt, welche im Wesentlichen ortsfest innerhalb des Rezipienten angeordnet sind. Im dargestellten Fall umfasst ein Kontaktelement 43 eine Rolle 46, welche drehbar gelagert ist. In die Umfangsflache der Rolle kann eine Nut eingebracht werden, um ein Ablaufen des Drahtes 41 von der Rolle 46 zu verhindern. An jeweils zwei Kontakt- elemente 43 wird mittels einer nicht dargestellten Strom- quelle eine Potentialdifferenz angelegt, so dass in jeden
Teilabschnitt zwischen zwei Kontaktelementen 43 eine vorgebbare elektrische Leistung deponiert wird. Der Stromkreis schließt sich über den Draht 41, so dass der beheizte Teilabschnitt des Aktivierungselementes 40 zwischen den Kontaktele- menten zu liegen kommt. Zwischen dem jeweils äußersten Kontaktelement 43 und der Befestigungsvorrichtung 44 befindet sich ein unbeheizter Teilabschnitt.
Wie in Figur 4b ersichtlich, können die Befestigungsvorrichtungen 44 aus der neutralen Position entlang der Bewegungsrichtung 49 nach links bewegt werden. Dadurch verschiebt sich der beheizte und damit aktive Teilabschnitt des Aktivierungselementes. Die Gesamtlänge des Teilabschnittes bleibt jedoch konstant, so dass eine einfache Regelung der Temperatur bzw. des Leistungsbedarfs ermöglicht wird. Ebenso bleibt die Lage des Teilabschnittes und damit die Lage der Wirkzone 50 innerhalb des Rezipienten konstant. Dennoch wird der schädigende Einfluss des Prekursors auf das Aktivierungselement 40 auf einen größeren Flächenbereich bzw. Längsabschnitt des Aktivierungselements verteilt, so dass die Lebensdauer des Aktivierungselements insgesamt vergrößert wird. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann darüber hinaus vorgesehen sein, dass sich ein unter Anwesenheit des Prekursors bei niedrigen Temperaturen geschädigter Bereich durch Erhöhen der Temperatur beim Wegbewegen des Kontaktele- ments 43 wieder regeneriert, indem die unerwünschten Phasen des Aktivierungselements 40 eine erneute Umsetzung erfahren.
Wie in Figur 4c ersichtlich, kann bei Erreichen einer Endstellung die Bewegungsrichtung umgekehrt werden, so dass die Befestigungsvorrichtungen 44 nach rechts bewegt werden. Dadurch verschiebt sich der beheizte und damit aktive Teilabschnitt des Aktivierungselements wiederum. Die Gesamtlänge des Teilabschnittes und dessen relative Lage in Bezug auf den Rezipienten bleibt jedoch konstant. Nach Erreichen der in der Figur dargestellten Endlage kann die Bewegungs- richtung erneut wechseln, so dass die in Figur 4a bis 4c dargestellten Positionen zyklisch durchlaufen werden. Die Bewegung kann dabei kontinuierlich oder dis kontinuierlich erfolgen.
In einigen Ausführungsformen soll die gesamte Länge des Akti- vierungselements innerhalb des Rezipienten angeordnet sein und im Wesentlichen gestreckt verlaufen. Dadurch kann die gesamte zur Verfügung stehende Länge zyklisch zur Aktivierung der Gasphase verwendet werden, ohne dass der Draht 41 in ein Reservoir aufgewickelt werden muss oder aus einem Reservoir abgewickelt werden muss. Die Zuverlässigkeit der Vorrichtung kann dadurch erhöht werden.
Selbstverständlich können die in den Figuren 1 bis 4 dargestellten Merkmale auch kombiniert werden, um auf diese Weise weitere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Aktivierungs- elements bzw. der vorgeschlagenen Beschichtungsanlage zu erhalten. Daher ist die vorstehende Beschreibung nicht als beschränkend, sondern als erläuternd anzusehen. Die nachfolgenden Ansprüche sind so zu verstehen, dass ein genanntes Merkmal in zumindest einer Ausführungsform der Erfindung vor- handen ist. Dies schließt die Anwesenheit weiterer Merkmale nicht aus. Sofern die Ansprüche „erste" und „zweite" Merkmale definieren, so dient diese Bezeichnung der Unterscheidung zweier gleichartiger Merkmale, ohne eine Rangfolge festzulegen.

Claims

Patentansprüche
1. Beschichtungsanlage (1), enthaltend zumindest einen evakuierbaren Rezipienten (10) , welcher zur Aufnahme eines Substrates (30) vorgesehen ist, zumindest eine Gaszufuhreinrichtung (20, 21, 22), mittels welcher zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten (10) einleitbar ist und zumindest ein beheizbares Aktivierungselement (40) , welches eine vorgebbare Längsausdehnung aufweist und mittels zumindest einer zugeordneten mechanischen Befestigungsvorrichtung (44) befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass dem Aktivierungselement über zumindest zwei Kontaktelemente (43) ein elektrischer Strom zuführbar ist, wobei die Kontaktelemente (43) relativ zum Rezipienten (10) nahezu unbeweglich befestigt sind und das Aktivierungselement (40) relativ zum Rezipienten bewegbar angeordnet ist.
2. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 1, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Längsausdehnung des Aktivierungselementes vollständig im Rezipienten angeordnet ist.
3. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Aktivierungselement (40) zumindest einen Draht (41) enthält.
4. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktelement (43) zumindest eine Rolle (46) enthält, welche dazu vorgesehen ist, mit dem Aktivierungselement (40) in Kontakt zu stehen.
5. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Draht (41) mehrfach durch die Wirkzone (50) geführt ist.
6. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Kontaktelementen (43) entlang der Längserstreckung des Aktivierungselements (40) angeordnet sind, welche jeweils mit einer vorgebbaren elektrischen Potentialdifferenz beaufschlagbar sind.
7. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanische Befestigungsvorrichtung (44) elektrisch isoliert ist.
8. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 78, dadurch gekennzeichnet, dass das Aktivierungselement (40) durch eine translatorische Bewegung der mechanischen Befestigungsvorrichtung (44) relativ zum Rezipienten bewegbar ist.
9. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Aktivierungselement (40) durch eine Rotation der mechanischen Befestigungsvorrichtung (44) im Rezipienten bewegbar ist.
10. Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung (105) eines Substrates (30) , bei welchem das Substrat in einen evakuierbaren Rezipienten (10) eingebracht wird, über zumindest eine Gaszufuhreinrichtung (20, 21, 22) zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten (10) eingeleitet und mittels zumindest einem elektrisch beheizten Aktivierungselementes (40) aktiviert wird, wobei dem Aktivierungselement (40) mittels zumindest zweier Kontaktelemente (43) ein elektrischer Strom zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eines der Kontaktelemente (43) näherungsweise ortsfest im Rezipienten angeordnet ist und das Aktivierungselement (40) relativ zum Rezipienten bewegt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung oszillierend erfolgt.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei welchem das Aktivierungselement (40) durch eine Rotation der mechanischen Befestigungsvorrichtung (44) im Rezipienten bewegt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei welchem das Aktivierungselement (40) durch eine translatorische Bewegung der mechanischen Befestigungsvorrichtung (44) relativ zum Rezipienten bewegt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei welchem das Aktivierungselement (40) zumindest einen Draht (41) enthält.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei welchem der Draht (41) die Wirkzone (50) mehrfach passiert.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, bei wel- ehern eine Mehrzahl von Kontaktelementen (43) entlang der
Längserstreckung des Aktivierungselements (40) mit diesem in Kontakt steht und jedes Kontaktelement (43) mit einer vorgebbaren elektrischen Potentialdifferenz beaufschlagt wird.
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WO (2) WO2010139543A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008044025A1 (de) * 2008-11-24 2010-08-05 Cemecon Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD
DE102009023471B4 (de) 2009-06-02 2012-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und -verfahren
KR20140023325A (ko) * 2011-03-22 2014-02-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 핫 와이어를 사용하여 코팅하기 위한 장치 및 방법
JP6322131B2 (ja) * 2014-12-24 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜の成膜方法および成膜装置
CN113521539A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 汪嵘 一种便携式等离子体伤口治疗仪及其使用方法
DE102023136630B3 (de) * 2023-12-22 2025-03-20 Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, in Vertretung des Freistaates Bayern Kontakteinrichtung, Heizleiterhalter, Vorrichtung sowie Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254566A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Fuji Electric Co Ltd 薄膜生成装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4422918A (en) * 1980-01-25 1983-12-27 Inoue-Japax Research Incorporated Current-conducting assembly for a traveling wire-electrode
JPS6091583A (ja) * 1983-10-24 1985-05-22 松下電器産業株式会社 発熱体
CH664719A5 (fr) * 1985-11-22 1988-03-31 Charmilles Technologies Organe de contact pour fil-electrode pour electroerosion.
ZA877921B (en) * 1986-12-22 1988-04-21 General Electric Company Condensate diamond
JP2664672B2 (ja) * 1987-01-28 1997-10-15 住友ベークライト株式会社 ポリアミド樹脂組成物
JPH0421777A (ja) * 1990-05-14 1992-01-24 Seiko Instr Inc ダイヤモンドの合成装置
US5424096A (en) * 1994-02-14 1995-06-13 General Electric Company HF-CVD method for forming diamond
US5833753A (en) * 1995-12-20 1998-11-10 Sp 3, Inc. Reactor having an array of heating filaments and a filament force regulator
WO1999004911A1 (en) * 1997-07-28 1999-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films
DE19809675C1 (de) * 1998-03-06 1999-11-25 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zum Diamantbeschichten von rohrförmigen Hohlkörpern begrenzter Länge sowie danach hergestellte Hohlkörper und dessen Verwendung
US6427622B2 (en) * 1998-08-28 2002-08-06 Mv Systems, Inc. Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods
JP4435395B2 (ja) * 2000-09-14 2010-03-17 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体cvd装置
ATE346378T1 (de) 2000-09-14 2006-12-15 Japan Government Heizelement für einen cvd-apparat
KR100382943B1 (ko) * 2001-02-26 2003-05-09 프리시젼다이아몬드 주식회사 고온 열 필라멘트를 이용한 기상화학다이아몬드증착장치
GB2385864A (en) * 2002-02-28 2003-09-03 Qinetiq Ltd Production of nanocarbons
JP3775500B2 (ja) * 2002-03-12 2006-05-17 ソニー株式会社 半導体薄膜の形成方法及びその装置、並びに触媒ノズル
US6740586B1 (en) * 2002-11-06 2004-05-25 Advanced Technology Materials, Inc. Vapor delivery system for solid precursors and method of using same
US20040182600A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Fujitsu Limited Method for growing carbon nanotubes, and electronic device having structure of ohmic connection to carbon element cylindrical structure body and production method thereof
KR100688838B1 (ko) 2005-05-13 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치 및 촉매 화학기상증착방법
CN100412231C (zh) 2006-03-27 2008-08-20 南京航空航天大学 一种金刚石膜生长设备的热丝及电极结构
US7727590B2 (en) 2006-05-18 2010-06-01 California Institute Of Technology Robust filament assembly for a hot-wire chemical vapor deposition system
JP2009235426A (ja) * 2006-06-22 2009-10-15 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku 触媒化学気相堆積法における触媒体の変性防止法
TW200809924A (en) * 2006-08-09 2008-02-16 Kinik Co Chemical vapor thin film deposition device
TW200811310A (en) * 2006-08-23 2008-03-01 Kinik Co Apparatus for chemical gas phase thin film sedimentation
JP4818082B2 (ja) * 2006-11-30 2011-11-16 三洋電機株式会社 cat−CVD装置及びフィラメント交換方法
JP4856010B2 (ja) * 2007-06-04 2012-01-18 株式会社アルバック 触媒化学気相成長装置
US20090023274A1 (en) * 2007-07-07 2009-01-22 Xinmin Cao Hybrid Chemical Vapor Deposition Process Combining Hot-Wire CVD and Plasma-Enhanced CVD
EP2098608A1 (de) 2008-03-05 2009-09-09 Applied Materials, Inc. Beschichtungsvorrichtung mit Drehmodul
GB2462846B (en) * 2008-08-22 2013-03-13 Tisics Ltd Coated filaments and their manufacture
JP2009038398A (ja) 2008-11-04 2009-02-19 Canon Anelva Corp シリコン膜及びシリコン窒化膜の製造法
DE102009015545B4 (de) * 2009-03-02 2013-10-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage mit Aktivierungselement, deren Verwendung sowie Verfahren zur Abscheidung einer Beschichtung
DE102009023471B4 (de) 2009-06-02 2012-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und -verfahren
DE102009023472B4 (de) * 2009-06-02 2014-10-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und Beschichtungsverfahren
DE102009023467B4 (de) * 2009-06-02 2011-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und -verfahren

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254566A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Fuji Electric Co Ltd 薄膜生成装置

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