DE69009893T2 - Vorrichtung zur Abscheidung von synthetischem Diamant, die unter Federdruck stehende Drähte enthält. - Google Patents

Vorrichtung zur Abscheidung von synthetischem Diamant, die unter Federdruck stehende Drähte enthält.

Info

Publication number
DE69009893T2
DE69009893T2 DE69009893T DE69009893T DE69009893T2 DE 69009893 T2 DE69009893 T2 DE 69009893T2 DE 69009893 T DE69009893 T DE 69009893T DE 69009893 T DE69009893 T DE 69009893T DE 69009893 T2 DE69009893 T2 DE 69009893T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrates
filaments
heating filaments
diamond
spring means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69009893T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69009893D1 (de
Inventor
Thomas Richard Anthony
Robert Charles Devries
Richard Allen Engler
Robert Helmut Ettinger
James Fulton Fleischer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Application granted granted Critical
Publication of DE69009893D1 publication Critical patent/DE69009893D1/de
Publication of DE69009893T2 publication Critical patent/DE69009893T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • C23C16/27Diamond only
    • C23C16/271Diamond only using hot filaments

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Springs (AREA)
  • Wire Processing (AREA)

Description

    Beschreibung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf die chemische Dampfabscheidung von Diamant und mehr im besonderen auf eine Vorrichtung zum Einsatz bei einer solchen Abscheidung.
  • Es sind verschiedene Verfahren zum synthetischen Herstellen von Diamant bekannt. Im besonderen ist die Abscheidung von Diamantüberzügen auf Substraten zur Herstellung von Schneid- und Schleif-Werkzeugen bekannt.
  • Eine Klasse von Verfahren, die in den letzten Jahren zur Abscheidung von synthetischem Diamant entwickelt worden ist, besteht aus Verfahren zum chemischen Dampfabscheiden (hier manchmal als "CVD" bezeichnet). Für eine allgemeine Zusammenfassung verschiedener Verfahren zur Diamantabscheidung, einschließlich CVD-Verfahren, wird Bezug genommen auf "Chemical & Engineering News", 67(20), 24-39 (15. Mai 1989), auf die ausdrücklich Bezug genommen wird.
  • Bei den CVD-Verfahren wird eine Mischung aus Wasserstoff und einem Kohlenwasserstoffgas, wie Methan, thermisch aktiviert und in Kontakt mit einem Substrat gebracht. Das Wasserstoffgas wird in atomaren Wasserstoff umgewandelt, der mit dem Kohlenwasserstoff unter Bildung elementaren Kohlenstoffes reagiert, der sich auf dem Substrat in Form von Diamant abscheidet. Viele der CVD-Verfahren zum Überziehen mit Diamant, im folgenden als "Draht"- bzw. "Heizfaden"-Verfahren bezeichnet, benutzen ein oder mehrere Widerstands-Heizeinheiten, die typischerweise auf Temperaturen von mindestens 2000ºC erhitzte Drähte oder Fäden einschließen, um die hohen Aktivierungstemperaturen zu schaffen, bei denen diese Umwandlungen stattfanden.
  • Bei den Heizfaden-Verfahren zur CVD-Diamantabscheidung haben sich verschiedene Probleme ergeben, und diese haben zu einem beträchtlichen Ausmaß deren Brauchbarkeit in einem kommerziellen Maßstab verhindert. Es ist zum Beispiel schwierig, Bedingungen zu schaffen, unter denen die Abscheidungsgeschwindigkeit von Diamant groß genug ist, um kommerziell ausführbar zu sein. Es gibt zahlreiche Verfahren, die eine horizontale Konfiguration von Substrat(en) und Fäden mit spiralförmig gewickelten Fäden benutzen, doch ist die dadurch mögliche Abscheidungsgeschwindigkeit größtenteils gering.
  • Auch sind zahlreiche Probleme mit den Heizfäden beobachtet worden. Es ergibt sich bei den vorgenannten hohen Temperaturen eine beträchtliche Ausdehnung, die teilweise eine thermische Ausdehnung, im Falle der häufig eingesetzten Wolframfäden jedoch zu einem größeren Ausmaß das Ergebnis der Carbonisierung ist, wobei Wolframcarbid mit der damit zusammenhängenden Ausdehnung bis zu einem Ausmaß von etwa 20% gebildet wird. Ist eine solche Ausdehnung unkontrolliert, dann kann ein Fadenbruch und/oder ein Kontakt zwischen den Fäden und dem Substrat auftreten, die beide die Diamantabscheidung beenden.
  • Die Bechädigung, die aus der Carbonisierung resultiert, ist besonders ernst, wenn ein spiralförmiger Glühfaden benutzt wird. Die Carbonisierung wird vom Reißen des Wolframcarbides, häufig in einer spiralförmigen Konfiguration, begleitet, das die Verformung eines spiralförmig gewickelten Glühfadens in unvorhersagbaren Richtungen verursachen kann. Die Abscheidung wird so üblicherweise sehr viel kürzer als nach der Periode von 30 bis 40 Tagen vorzeitig abgebrochen, die normalerweise für die Abscheidung eines Diamantfilmes von 0,5 bis 1,0 mm Dicke erforderlich ist.
  • Weiter wird häufig festgestellt, daß die Substrattemperatur mit einer hohen Abscheidungsgeschwindigkeit von Diamant unverträglich ist. In gewissen Fällen verursachen die Glühfaden-Temperaturen, die atomaren Wasserstoff in den erforderlichen Anteilen ezeugen, daß das Substrat eine Temperatur von mehr als etwa 1000ºC erreicht. In anderen Fällen können die Substrattemperaturen unterhalb von 900ºC liegen. Die optimalen Substrattemperaturen für die Diamantabscheidung liegen im Bereich von 900 bis 1000ºC.
  • Die JP-A-172 992 offenbart eine Vorrichtung zum Vergrößern des Bereiches, der mit synthetischem Diamant mit sehr ausgeprägter Fehlerfreiheit überzogen werden kann, wobei ein thermionischer Strahlungsdraht unter Zug und parallel zum Substratmaterial gereckt und erhitzt benutzt wird, der eine gasförmige Mischung aus Kohlenwasserstoff (z.B. CH&sub4;) und H&sub2; reagieren läßt. Die Fäden sind elektrisiert und auf ≥ 1.800ºC erhitzt, die Oberflächentemperatur des Trägermaterials wird durch Wasserkühlung einer Trägerbasis bei 950 bis 1050ºC gehalten, und synthetischer Diamant wird auf der Oberfläche des Substratmaterials abgeschieden.
  • Die vorliegende Erfindung beruht auf der Feststellung von Bedingungen, die die optimale Diamantabscheidung auf Substraten fördern. Erstens wurde festgestellt, daß die Keimbildung und das Wachstum von Diamant maximiert werden, wenn die Reaktorkonfiguration zwei im wesentlichen parallele Substrate auf gegenüberliegenden Seiten einer Vielzahl von Glühfäden statt horizontal konfigurierter Substrate oder vertikal in einer quadratischen oder zylindrischen Anordnung angeordnete Substrate oder einem Substrat zwischen Reihen von Glühfäden einschließt. Zweitens wird eine lange Glühfaden-Lebensdauer mit linearen Glühfäden erzielt, die unter Federspannung stehen, um die thermische Ausdehnung und die durch die Carbonisierung verursachte Ausdehnung zu kompensieren. Drittens gestattet die Anwendung einer Regeleinrichtung für die Substrattemperatur die Regelung der Abscheidungsreaktion, die die Wachstumsgeschwindigkeiten von Diamant optimieren kann.
  • Die Erfindung schafft eine Vorrichtung zur verbesserten Herstellung von CVD-Diamantüberzügen nach dem Glühfadenverfahren. Die Merkmale der Erfindung gestatten eine genauere Regelung der Glühfaden-Konfiguration, als dies bisher möglich war, und sie gestatten eine Regelung der Substrattemperatur zur Maximierung der Abscheidungsgeschwindigkeit. Ein Ergebnis ist eine Zunahme in der Glühfaden-Lebensdauer, die es gestattet, daß das Abscheidungsverfahren fortgesetzt wird, bis ein Überzug beträchtlicher Dicke hergestellt ist.
  • Die Erfindung ist demgemäß auf eine Vorrichtung zum Abscheiden von Diamant auf Substraten durch chemische Dampfabscheidung gerichtet, umfassend:
  • eine geschlossene Reaktionskammer mit mindestens einem Gaseinlaß und mindestens einer Auslaßeinrichtung, wobei die Kammer bei einem Druck unterhalb von Atmosphärendruck gehalten werden kann;
  • eine Trägereinrichtung, um die Substrate in der Kammer parallel zueinander und im Abstand voneinander zu tragen, um eine Gasströmung zwischen den Substraten zu gestatten;
  • eine Widerstandsheizeinrichtung, umfassend eine Vielzahl sich vertikal erstreckender, linearer, elektrisch leitender Heizfäden, die im wesentlichen im gleichen Abstand von den Substraten angeordnet sind, wobei jeder der Heizfäden an einem Ende an einer festgelegten Elektrode und am anderen an einer beweglichen Elektrode zur Zufuhr von Energie zu den Heizfäden befestigt ist und dadurch erhitzt wird , und
  • eine Vielzahl von Federeinrichtungen, die an den beweglichen Elektroden angebracht sind, um die Heizfäden gespannt und im wesentlichen parallel zu den Substraten zu halten, ohne einen Bruch der Heizfäden zu verursachen.
  • Die Erfindung wird detailliert unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben, in der zeigen:
  • Figur 1 eine schematische Seitenansicht einer illustrativen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Figur 2 eine auf der Linie 2-2 der Figur 1 geschnittene Ansicht dieser Vorrichtung;
  • Figur 3 eine auf der Linie 3-3 der Figur 2 geschnittene Ansicht und
  • Figur 4 eine Detailansicht gewisser Aspekte des die Glühfäden spannenden Mechanismus, der Teil der Erfindung bildet.
  • In der Zeichnung sind die inneren Merkmale einer Einheit zur CVD-Abscheidung von Diamant gemäß der vorliegenden Erfindung abgebildet. Alle diese Merkmale sind in einer (nicht gezeigten) Reaktionskammer eingeschlossen, die luftdicht ist und bei vermindertem Druck gehalten werden kann, und die mit einem geeigneten Gaseinlaß und einer Auslaßöffnung versehen ist. Alle Teile der Vorrichtung, die in der Reaktionskammer vorhanden sind, sind aus geeigneten hitzebeständigen Materialien konstruiert, wie erforderlich, um Glühfaden-Temperaturen in der Größenordnung von etwa 2000ºC und Substrat-Temperaturen bis zu etwa 1000ºC zu widerstehen. Quarz ist ein beispielhaftes, nichtleitendes, hitzebeständiges Material, das für diesen Zweck geeignet ist.
  • Die Merkmale der Vorrichtung und der dazugehörigen Gegenstände, die in der Zeichnung dargestellt sind, schließen ein Paar von Substraten ein, die normalerweise planar sind, obwohl sie leicht gekrümmt sein können. Es kann irgendein Substratmaterial benutzt werden, das für die Diamantabscheidung darauf geeignet ist; Beispiele solcher Materialien sind Bor, Bornitrid, Platin, Graphit, Molybdän, Kupfer, Aluminiumnitrid, Silber, Eisen, Nickel, Silicium, Aluminiumoxid und Siliciumdioxid sowie deren Kombinationen. Substrate aus metallischem Molybdän sind unter vielen Bedingungen besonders geeignet und häufig bevorzugt. Träger 2 dienen als Trägereinrichtungen zum Halten der Substrate 1 in einer Position parallel zueinander und in einem geeigneten Abstand, damit die Abscheidung stattfindet.
  • Die Vorrichtung enthält auch eine Einrichtung zum Widerstandserhitzen, umfassend zwei Elektroden und eine Anzahl sich vertikal erstreckender linearer, elektrisch leitender Glühfäden oder Drähte (die im folgenden allgemein als "Glühfäden" bezeichnet werden), die ansonsten von üblicher Ausführung und Schaltung sind. Das Material, aus dem diese Glühfäden zusammengesetzt sind, ist nicht kritisch, und es ist irgendein Material akzeptabel, das im Stande der Technik als für diesen Zweck geeignet bekannt ist. Beispielhafte Materialien sind metallisches Wolfram, Tantal, Molybdän und Rhenium; wegen seiner relativ geringen Kosten und besonderen Eignung ist Wolfram häufig bevorzugt. Durchmesser der Glühfäden von etwa 0,2 bis 1,0 mm sind typisch, wobei etwa 0,8 mm häufig bevorzugt werden.
  • Die Glühfäden sind zwischen den Substraten parallel dazu und mit im wesentlichen gleichem Abstand davon angeordnet. Die Abstände der Glühfäden zu den Substraten liegen im allgemeinen in der Größenordnung von 5 bis 10 mm.
  • In der Zeichnung ist die festgelegte Elektrode 4 geerdet, und sie ist an einer Anzahl der Glühfäden fest befestigt, von denen einer mit 5 bezeichnet ist. Da eine Vielzahl von Glühfäden und damit verbundener Struktur vorhanden ist, erfolgt im folgenden und in der Zeichnung eine Bezugnahme nur auf einen, doch sollte klar sein, daß die Gesamtzahl für die Erfindung nicht kritisch ist.
  • Der Isolator 6 trennt die fixierte Elektrode und ihre Basis vom leitenden Element 7. Das letztere ist leitend über den Leiter 8, typischerweise aus Kupferlitze, mit einer bewegbaren Elektrode 9 verbunden.
  • Die bewegbare Elektrode ist als über eine Lagerung mit dem Glühfaden 5 verbunden gezeigt. Die Lagerungskonstruktion, die in der Zeichnung und insbesondere in Figur 4 gezeigt ist, schließt einen Stab 30, der fest mit der bewegbaren Elektrode verbunden ist und durch Löcher 11 im Bodenteil eines Trägerrahmens 15 und im leitenden Element 7 verläuft, sowie einen Stopfen 12 ein, der fest mittels einer Einstellmutter 13 an dem Stab 30 befestigt ist, wobei der Stopfen 12 genügend Abstand vom leitenden Element 7 hat, um den Glühfaden 5, wie im folgenden beschrieben, gespannt zu halten, ihn jedoch nicht überspannt, was einen Bruch des Glühfadens verursachen könnte.
  • Der Glühfaden 5 wird durch die Feder 10, die mittels Stab 16 und Befestigungsmutter 17 am Trägerrahmen 15 befestigt ist, gespannt und im wesentlichen parallel zu den Substraten 1 gehalten. Obwohl die Feder als eine Ausdehnungs-Spulenfeder gezeigt ist, die im gereckten Zustand Zug ausübt, wird dem Fachmann klar sein, daß ähnliche Ergebnisse unter Anwendung anderer Arten von Federn erhalten werden können. So können zum Beispiel Kompressions-Spulenfedern, die im Kompressionsmodus arbeiten, oder flache Ausleger- oder Spulenfedern, die im Biegemodus arbeiten, benutzt werden.
  • Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß die Federn 10 ein isolierendes Material umfassen oder ein Material, dessen leitende Eigenschaften sich derart von solchen der Widerstands-Heizeinrichtungen unterscheiden, daß keine merkliche Leitung von Strom durch die Federn stattfindet. Am häufigsten wird es jedoch erwünscht sein, die Federn aus leicht erhältlichem Metall, wie Stahl, herzustellen. Es mag dann erforderlich sein, die Feder 10 und den Rahmen 15 von der Widerstandsheizeinrichtung elektrisch zu isolieren, um deren Überhitzen zu vermeiden.
  • Die zwischen der Feder 10 und der beweglichen Elektrode 9 gezeigte Befestigung wird daher über einen isolierenden Ring 14 erzielt, der ein geeignetes nicht leitendes Material, wie Quarz oder hochtemperaturbeständigen Kunststoff, umfaßt. Gleicherweise ist ein Isolator 31, der typischerweise aus einem temperaturbeständigen Kunststoff besteht, wie Polytetrafluorethylen, zwischen dem Leiter 7 und dem Rahmen 15 angeordnet.
  • Es ist sehr erwünscht, die Substrate 1 bei Temperaturen im Bereich von etwa 900-1000ºC zu halten, da innerhalb dieses Bereiches eine minimale Reaktion zwischen dem in der Gasmischung vorhandenen Wasserstoff und dem aus dem darin enthaltenen Kohlenwasserstoff gebildeten elementaren Kohlenstoff stattfindet, so daß der elementare Kohlenstoff zur Abscheidung als Diamant bei einer hohen Wachstumsrate auf dem Substrat verfügbar bleibt. Ohne irgendwelche Vorkehrungen zum unabhängigen Regeln der Substrattemperatur übersteigt diese Temperatur häufig 1000ºC oder bleibt darunter, und die Wachstumsrate des Diamant nimmt beträchtlich ab.
  • Gemäß einem wahlweisen Merkmal der Erfindung wird die erwünschte Temperaturregelung durch eine Einrichtung zum Regeln der Substratemperatur erzielt, die benachbart einem und vorzugsweise beiden Substraten auf den den Glühfäden gegenüberliegenden Seiten angeordnet ist. Diese ist in der Zeichnung als Kühleinrichtung dargestellt, die mindestens eine und vorzugsweise zwei Wärmesenken 18 umfaßt. Jede Wärmesenke besteht typischerweise aus metallischem Kupfer, und sie wird durch das daran befestigte serpentinenförmige Rohr 21 (auch üblicherweise aus Kupfer), das mit einem Kühlwasser-Einlaß und -Auslaß 19 bzw. 20 versehen ist, gekühlt. Der Abstand der Wärmefalle 18 vom Substrat 1 wird durch einen konventionellen Schraubenmechanismus, der durch die Kurbel 22 kontrolliert wird, eingestellt, und dieser Abstand sowie die Strömungsgeschwindigkeit des Wassers durch das Rohr werden entweder manuell oder automatisch über geeignete Sensoren eingestellt, um das Substrat innerhalb des erwünschten Temperaturbereiches zu halten.
  • Der Fachmann wird erkennen, daß die Wärmefallen 18 durch konventionelle Heizeinrichtungen ersetzt werden können, wenn dies geeignet ist.
  • Während des Betriebes wird die Reaktionskammer der Vorrichtung dieser Erfindung bei einem Druck bis zu 1 bar (760 Torr), typischerweise in der Größenordnung von etwa 1330 Pa (10 Torr) gehalten. eine Mischung aus Wasserstoff und Kohlenwasserstoff, meistens Methan, und allgemein in einer Menge von bis zu etwa 2 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtgase, wird in die Kammer geleitet, und ein Strom wird durch die Elektroden und Glühfäden geleitet, um die Glühfäden auf eine Temperatur von mindestens etwa 2000ºC zu erhitzen. Mit der angewendeten Substratkonfiguration, der Gasdiffusion zwischen den Substraten und in Kontakt mit den Glühfäden, ergibt sich eine ausgezeichnete Keimbildung und ein ausgezeichnetes Wachstum von Diamantteilchen.
  • Die Einrichtung zur Temperaturregelung wird in einem Abstand vom Substrat (und im Falle von Wärmefallen) der Wasserdurchgang durch das damit verbundene Rohr bei einer Geschwindigkeit gehalten, um eine Substrattemperatur im Bereich von etwa 900-1000ºC, meistens etwa 950ºC, zu halten. Bei solchen Temperaturen erreicht die Wachstumsgeschwindigkeit von Diamant ihren höchsten Wert. Die Federspannung auf die Glühfäden wird wie vorher beschrieben aufrechterhalten, wodurch sie in einer im wesentlichen planaren Konfiguration selbst bei thermischer Ausdehnung und Ausdehnung aufgrund der Carbonisierung gehalten werden. Unter Anwendung dieser Kombination von Merkmalen ist es möglich, Diamantfilme mit Dicken bis zu etwa 1 mm oder gelegentlich sogar mehr innerhalb einer Zeitspanne von 30 bis 40 Tagen wachsen zu lassen, ohne daß Glühfadenbrüche oder andere ungünstige Vorfälle auftreten.

Claims (13)

1. Vorrichtung zum Abscheiden von Diamant auf Substraten durch chemische Dampfabscheidung, umfassend:
eine geschlossene Reaktionskammer mit mindestens einem Gaseinlaß und mindestens einer Auslaßeinrichtung, wobei die Kammer bei einem Druck unterhalb von Atmosphärendruck gehalten werden kann;
eine Trägereinrichtung, um die Substrate in der Kammer parallel zueinander und im Abstand voneinander zu tragen, um eine Gasströmung zwischen den Substraten zu gestatten;
eine Widerstandsheizeinrichtung, umfassend eine Vielzahl sich vertikal erstreckender, linearer, elektrisch leitender Heizfäden, die im wesentlichen im gleichen Abstand von den Substraten angeordnet sind, wobei jeder der Heizfäden an einem Ende an einer festgelegten Elektrode und am anderen an einer beweglichen Elektrode zur Zufuhr von Energie zu den Heizfäden befestigt ist und dadurch erhitzt wird , und
eine Vielzahl von Federeinrichtungen, die an den beweglichen Elektroden angebracht sind, um die Heizfäden gespannt und im wesentlichen parallel zu den Substraten zu halten, ohne einen Bruch der Heizfäden zu verursachen.
2 Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter umfassend eine Einrichtung zum elektrischen Isolieren der Federeinrichtungen von den Heizfäden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, worin die festgelegte Elektrode unterhalb des Raumes zwischen den Substraten angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, worin die Heizfäden metallisches Wolfram umfassen.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die Federeinrichtung Zugfedern umfaßt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die Federeinrichtung Druckfedern umfaßt.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die Federeinrichtung Auslegerfedern umfaßt.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Temperaturregeleinrichtung, die benachbart einem der Substrate auf der den Fäden gegenüberliegenden Seite angeordnet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, worin die Temperaturregeleinrichtung eine Kühleinrichtung ist.
10. Vorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, die ein Paar von Substrat-Kühleinrichtungen auf der den Heizfäden gegenüberliegenden Seite jedes der Substrate aufweist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, weiter umfassend eine Einrichtung zum Einstellen des Abstandes von den Substraten zu den Substrat-Kühleinrichtungen.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, worin die Kühleinrichtung metallisches Kupfer mit einer Einrichtung zum Durchgang von Kühlwasser umfaßt.
13. Vorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, umfassend ein Paar planarer vertikaler Substrate, bei der jeder Heizfaden am unteren Ende an einer festgelegten Elektrode und am oberen Ende an einer beweglichen Elektrode befestigt ist.
DE69009893T 1989-08-03 1990-07-23 Vorrichtung zur Abscheidung von synthetischem Diamant, die unter Federdruck stehende Drähte enthält. Expired - Fee Related DE69009893T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38921089A 1989-08-03 1989-08-03
US07/469,986 US4970986A (en) 1989-08-03 1990-01-25 Apparatus for synthetic diamond deposition including spring-tensioned filaments

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69009893D1 DE69009893D1 (de) 1994-07-21
DE69009893T2 true DE69009893T2 (de) 1994-11-17

Family

ID=27012594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69009893T Expired - Fee Related DE69009893T2 (de) 1989-08-03 1990-07-23 Vorrichtung zur Abscheidung von synthetischem Diamant, die unter Federdruck stehende Drähte enthält.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4970986A (de)
EP (1) EP0411424B1 (de)
JP (1) JPH03120369A (de)
KR (1) KR910004297A (de)
AT (1) ATE107365T1 (de)
DE (1) DE69009893T2 (de)
IE (1) IE901886A1 (de)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413589B1 (en) 1988-11-29 2002-07-02 Chou H. Li Ceramic coating method
US5110579A (en) * 1989-09-14 1992-05-05 General Electric Company Transparent diamond films and method for making
US5314570A (en) * 1990-07-18 1994-05-24 Sumitomo Electric Industries Ltd. Process and apparatus for the production of diamond
EP0492160A1 (de) * 1990-12-20 1992-07-01 General Electric Company Symmetrische Diamant-Gegenstände und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5145712A (en) * 1991-02-08 1992-09-08 Center For Innovative Technology Chemical deposition of diamond
GB9123331D0 (en) * 1991-11-04 1991-12-18 De Beers Ind Diamond Apparatus for depositing a material on a substrate by chemical vapour deposition
CA2087771A1 (en) * 1992-02-28 1993-08-29 Sanjay M. Correa Preheater for cvd diamond reactor
JP3381319B2 (ja) * 1993-08-06 2003-02-24 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド合成方法
US5479874A (en) * 1993-09-29 1996-01-02 General Electric Company CVD diamond production using preheating
US5833753A (en) * 1995-12-20 1998-11-10 Sp 3, Inc. Reactor having an array of heating filaments and a filament force regulator
DE19701696C2 (de) * 1997-01-20 1999-02-18 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung eines Substrates mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens
US6286206B1 (en) 1997-02-25 2001-09-11 Chou H. Li Heat-resistant electronic systems and circuit boards
US5937514A (en) 1997-02-25 1999-08-17 Li; Chou H. Method of making a heat-resistant system
US6976904B2 (en) * 1998-07-09 2005-12-20 Li Family Holdings, Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
US6458017B1 (en) 1998-12-15 2002-10-01 Chou H. Li Planarizing method
US6676492B2 (en) 1998-12-15 2004-01-13 Chou H. Li Chemical mechanical polishing
JP3298001B2 (ja) * 1998-07-27 2002-07-02 株式会社スーパーシリコン研究所 エピタキシャル成長炉
US6692574B1 (en) * 1999-08-30 2004-02-17 Si Diamond Technology, Inc. Gas dispersion apparatus for use in a hot filament chemical vapor deposition chamber
KR100382943B1 (ko) * 2001-02-26 2003-05-09 프리시젼다이아몬드 주식회사 고온 열 필라멘트를 이용한 기상화학다이아몬드증착장치
KR100688838B1 (ko) * 2005-05-13 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치 및 촉매 화학기상증착방법
US8916001B2 (en) 2006-04-05 2014-12-23 Gvd Corporation Coated molds and related methods and components
JP4763533B2 (ja) * 2006-07-03 2011-08-31 忠義 松尾 果菜類の成形栽培ケース
US9157152B2 (en) * 2007-03-29 2015-10-13 Tokyo Electron Limited Vapor deposition system
CA2618459C (en) 2007-07-26 2015-10-06 Bessey Tool Gmbh & Co. Kg Clamp
US8291856B2 (en) * 2008-03-07 2012-10-23 Tokyo Electron Limited Gas heating device for a vapor deposition system
DE102008044028A1 (de) * 2008-11-24 2010-08-12 Cemecon Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD
DE102008044025A1 (de) * 2008-11-24 2010-08-05 Cemecon Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD
US8272347B2 (en) * 2009-09-14 2012-09-25 Tokyo Electron Limited High temperature gas heating device for a vapor deposition system
US8852347B2 (en) * 2010-06-11 2014-10-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for chemical vapor deposition control
ES2444625T3 (es) * 2010-08-20 2014-02-26 Echerkon Technologies Ltd. Aparato para deposición química de vapor por filamento caliente
WO2014149962A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Apparatus for coupling a hot wire source to a process chamber
CN103834930B (zh) * 2013-12-29 2016-06-08 武汉世纪中航超强金刚石膜高科技有限公司 一种内孔涂层金刚石膜的夹具和工艺
US9469918B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
CN114717530A (zh) * 2022-04-15 2022-07-08 北航(四川)西部国际创新港科技有限公司 一种eb-pvd实验工件用样品架及其样品蒸渡方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4721082Y1 (de) * 1967-09-01 1972-07-13
US3922578A (en) * 1974-05-01 1975-11-25 Gte Sylvania Inc Large area cathode
CH621714A5 (de) * 1976-06-08 1981-02-27 Balzers Hochvakuum
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
GB2143949A (en) * 1983-07-26 1985-02-20 Boc Group Plc Filament support
US4900628A (en) * 1986-07-23 1990-02-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gaseous phase synthesized diamond and method for synthesizing same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0411424A1 (de) 1991-02-06
DE69009893D1 (de) 1994-07-21
US4970986A (en) 1990-11-20
IE901886A1 (en) 1991-02-13
EP0411424B1 (de) 1994-06-15
JPH03120369A (ja) 1991-05-22
ATE107365T1 (de) 1994-07-15
KR910004297A (ko) 1991-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69009893T2 (de) Vorrichtung zur Abscheidung von synthetischem Diamant, die unter Federdruck stehende Drähte enthält.
DE69009915T2 (de) Vorrichtung zur synthetischen Diamantherstellung mit gebogenen Filamenten und Substratkühlungseinrichtung.
DE69127609T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von diamanten
DE69209990T2 (de) Verfahren zur Herstellung von einer Diamantschicht mittels CVD
DE60124674T2 (de) Heizelement für einen cvd-apparat
EP2126161B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum abscheiden kristalliner schichten wahlweise mittels mocvd oder hvpe
EP1397528B1 (de) Cvd-reaktor mit gasauslassring aus massivem grafit
EP1223146B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
DE3923390A1 (de) Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
DE60105941T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkarbidkristallen unter Verwendung von Quellgasen
DE3781780T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum abschneiden von diamant.
DE112014004068T5 (de) Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrats, Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung, Siliziumkarbid-Wachstumsvorrichtung und Siliziumkarbid-Wachstumsvorrichtungselement
EP1041169A1 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
EP0432528A2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Schichten aus harten Kohlenstoffmodifikationen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2050076B2 (de) Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
DE1187098B (de) Verfahren zum Herstellen von Koerpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial
DE60302754T2 (de) Heizvorrichtung mit einer elektrostatischen Anziehungsfunktion und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1127176B1 (de) Vorrichtung zum herstellen und bearbeiten von halbleitersubstraten
EP2438206B1 (de) Beschichtungsanlage und -verfahren
DE69119755T2 (de) Verbesserte glühfilament-cvd-anlage
DE2831819C2 (de)
DE69117159T2 (de) Verkleidung aus Metall zur Steigerung der Wachstumsgeschwindigkeit beim Aufdampfen von Diamant mittels CVD
EP0413389B1 (de) Verfahren zur Abscheidung mikrokristalliner Festkörperartikel aus der Gasphase mittels Chemical Vapour Deposition
DE102008044025A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD
DE2536174A1 (de) Verfahren zum herstellen von siliciumkoerpern fuer halbleiteranordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee