DE102005032594A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005032594A1 DE102005032594A1 DE102005032594A DE102005032594A DE102005032594A1 DE 102005032594 A1 DE102005032594 A1 DE 102005032594A1 DE 102005032594 A DE102005032594 A DE 102005032594A DE 102005032594 A DE102005032594 A DE 102005032594A DE 102005032594 A1 DE102005032594 A1 DE 102005032594A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- single crystal
- bead
- bead single
- wire
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/66—Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls. DOLLAR A Der Bead-Einkristall wird durch Elektronenstrahlheizen mindestens eines Drahtes im Vakuum geformt. DOLLAR A Vorteilhaft werden auf diese Weise Bead-Einkristalle, umfassend Ag, Al, Cr, Cu, Ir, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Ta, W oder umfassend Metalllegierungen, insbesondere umfassend Ag/Au-, Pt/Rh- oder Pt/Re-Legierungen, bereitgestellt. DOLLAR A Die Bead-Einkristalle werden vorzugsweise in der Oberflächenforschung, der Dünnschichttechnik und in der Elektrochemie verwendet.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls.
- Bead- bzw. Perleneinkristalle entstehen durch Aufschmelzen und Rekristallisieren eines aus Edelmetall bestehenden, dünnen Drahtes. Das Drahtende wird mit einer feinen Gasflamme aufgeschmolzen. Durch die Bewegung der Gasflamme entlang der Drahtachse bildet sich eine flüssige Metallperle.
- An der Grenzfläche zwischen der geschmolzenen Perle und dem Draht bildet sich ein Wachstumskeim. An diesem Keim bildet sich bei der Erstarrung der flüssigen Materialkugel ein Einkristall.
- Dieses Verfahren zur Herstellung von Bead-Einkristallen ist nach J. Clavilier et al. (J. Electroanal. Chem. 107 (1980), 211) auch als Flammenschmelzmethode (FM) bekannt.
- Aus
DE 103 04 533 ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls bekannt, bei dem mindestens zwei Drähte miteinander nach der Flammenschmelzmethode verschmolzen werden. - Aus Furuya et al. (Furuya, N., Ichinose, M., Shibita, M. (2001). Production of high quality Pt single crystals using a new flame float-zone method. Phys. Chem. Chem. Phys. 3, 3255–3260) ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Pt- Kristallen bekannt. Dabei wird ein Pt-Draht in der Mitte des Drahtes ebenfalls mittels einer sauerstoffreichen Wasserstoffflamme aufgeschmolzen und die aufgeschmolzene Zone zum Ende des Drahtes hinbewegt. Dieses Verfahren wird auch als Flame float-zone-(FFZ-)Verfahren bezeichnet.
- Nachteilig sind mit diesen Verfahren gemäß Stand der Technik nur kleine Bead-Einkristalle aus Edelmetallen, wie z. B. aus Pt und Au herstellbar.
- Insbesondere für elektrochemische oder sensorische Anwendungen ist zudem eine kristallographisch genau definierte Oberfläche des Kristalls erwünscht, die mit keinem der oben genannten Verfahren erzielt werden kann.
- Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls bereit zu stellen, mit dem eine kristallographisch genau definierte Oberfläche des Bead-Einkristalls erzeugt werden kann. Dabei sollen auch Drähte aus Nichtedelmetallen eingesetzt werden können.
- Die Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den darauf rückbezogenen Ansprüchen.
- Das Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls sieht erfindungsgemäß vor, den Bead-Einkristall durch Elektronenstrahlheizen mindestens eines Drahtes zu formen.
- Nach der Ausbildung des Bead-Einkalls wird die Güte des Kristalls über die Periodizität der Bausteine an den Facetten unter dem Stereomikroskop ermittelt.
- Die durch Elektronenstrahlheizen gebildeten Bead-Einkristalle weisen dabei regelmäßig eine genau definierte Oberfläche und damit ein besonders einheitliches, homogenes Kristallgitter auf. Die auf diese Weise gebildeten Einkristalle weisen besonders vorteilhaft auch eine viel geringere Versetzungsdichte auf, als die aus dem Stand der Technik bekannten Einkristalle.
- Im Rahmen der Erfindung wurde erkannt, dass die Flammenschmelzverfahren gemäß Stand der Technik einen Druck auf den sich ausbildenden Bead-Einkristall ausüben. Durch die einsetzenden Schwingungen des Kristalls werden in ihm Versetzungen erzeugt. Im Übrigen besteht dabei sogar die Gefahr, dass der Bead-Einkristall aufreißt.
- Besonders vorteilhaft kann somit mittels Elektronenstrahlheizen ein Bead-Einkristall erzeugt werden, der eine viel geringere Versetzungsdichte und damit eine besonders hohe Güte in Bezug auf die Orientierung aufweist.
- Im Rahmen der Erfindung wurde zudem erkannt, dass mittels den Verfahren gemäß Stand der Technik eine Gasdiffusion aus der Flamme in den Bead-Einkristall nicht verhindert werden kann. Insbesondere davon betroffen sind sogenannte Gettermaterialien, wie z. B. Va, Ta, Pd. Allerdings wird bei faktisch jedem Draht aus einem Nichtedelmetall, wie z. B. einem Draht aus Cu oder Ni, dieser mittels der Flammenschmelzverfahren nach Clavilier oder auch Furuya et al. oxidiert. Daher ist die Güte der Bead-Einkristalle nach den Flammenschmelzverfahren oder auch nach dem sogenannten Flame float-zone-Verfahren (FFZ) im Allgemeinen beschränkt. Dies gilt auch, wenn zusätzliche Maßnahmen, wie das Arbeiten unter einer Schutzgasatmosphäre vorgenommen werden.
- Mit Elektronenstrahlheizen sind besonders vorteilhaft auch Drähte aus Nichtedelmetallen zur Herstellung von Bead-Einkristallen verwendbar.
- Gaseinschlüsse werden erfindungsgemäß grundsätzlich verhindert. Der Kristall weist, wenn überhaupt, dann nur noch geringe Versetzungsdichten auf, und es wird auf diese Weise eine ganz neue Klasse von Bead-Einkristallen bereit gestellt.
- Somit ist man vorteilhaft in der Wahl des Drahtmaterials auch nicht mehr auf Edelmetalle beschränkt, da im Vakuum die Oxidation der Metalle verhindert wird.
- In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird während des Verfahrens ein Hochvakuum angelegt. Dieses kann weniger als 5·10–4, insbesondere weniger als 10–6 mbar betragen.
- Besonders vorteilhaft können Drähte umfassend Ag, Al, Cr, Cu, Ir, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Ta, Va oder W zu Bead-Einkristallen geformt werden können. Die Drähte können in mehr oder minder reiner Form aus diesen Metallen bestehen.
- Es ist auch möglich, Drähte umfassend Metalllegierungen, insbesondere umfassend Ag/Au-, Pt/Rh- oder Pt/Re-Legierungen durch Elektronenstrahlheizen im Vakuum zu Bead-Einkristallen zu formen.
- In einer weiteren besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird zunächst ein Elektronenstrahlheizen zur Vermeidung von Gaseinschlüssen und Bildung eines Wachstumskeimes und sodann ein Flammenschmelzverfahren (FM- oder FFZ-Verfahren) angewendet. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn zwei oder mehr Drähte aus zwei verschiedenen Materialien geschmolzen und rekristallisiert werden, wie z. B. bei Pd/Va-Legierungen oder Cu/Ni-Legierungen.
- Im Weiteren wird die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispiels und der beigefügten Figur näher beschrieben.
-
1 zeigt die Vorrichtung zum Elektronenstrahlheizen. - Der gesamte Aufbau befindet sich in einer Vakuumkammer aus Edelstahl
1 , die mit Hilfe einer Turbomolekularpumpe (nicht dargestellt) auf ein Vakuum von ~ 1 × 10–6 mbar gepumpt wird. - Ein Elektronenstrahl wird durch das elektrische Heizen eines Metall-Filamentes
2 z. B. aus Wolfram oder Tantal mit einem Durchmesser von etwa 0,2 bis 0,3 mm erzeugt. - Eine Gleichspannungsquelle
7 versorgt hierzu das Filament2 mit einer Leistung von etwa 50 Watt. - Das Filament
2 ist bis auf eine obere Öffnung (nicht dargestellt) von einem Metallgehäuse3 umschlossen. Dadurch wird bewirkt, dass das vom Filament2 erzeugte Licht abgefangen wird. Über die Öffnung tritt der Elektronenstrahl aus dem Gehäuse3 aus. - Wenige Millimeter oberhalb der Öffnung im Gehäuse
3 ist der Metalldraht4 angeordnet. Dieser weist einen Durchmesser von beispielsweise 0,1 bis 2 mm auf. Der Metalldraht4 ist über eine nicht dargestellte Justiereinrichtung relativ zum Filament2 vertikal verschiebbar und somit oberhalb der Öffnung des Gehäuses3 positionierbar. - Die aus dem Gehäuse
3 austretenden Elektronen werden mittels Hochspannungsquelle8 und durch Anlegen einer positiven Hochspannung an den Metalldraht4 , typischerweise mit Werten von etwa 2 bis 3 kV, auf den Metalldraht4 hin beschleunigt. Während des Heizens des Metalldrahtes4 durch Elektronenstoß, fließt ein Emissionsstrom von typischerweise einigen mA über den Draht4 ab. Durch die Elektronenstoßheizung wird im ersten Schritt der Draht4 aufgeschmolzen und es bildet sich eine flüssige Metallkugel oder Perle, die durch die Oberlächenspannung des flüssigen Metalls am Draht4 gehalten wird. Der Draht4 wird sodann relativ zum Filament2 vertikal nach unten bewegt und der Draht4 weiter aufgeschmolzen, solange bis der Bead-Einkristall5 die gewünschte Größe hat. Nun wird die Heizleistung der Elektronenstrahlheizung verringert bis der obere Teil des Bead-Einkristalls5 erstarrt. Die Phasengrenze zwischen der festen und der flüssigen Phase des Bead-Einkristalls5 kann durch ein Sichtfenster6 beobachtet werden. - Die genaue Beobachtung des Erstarrens, dient vor allem dazu, die Bildung eines einkristallinen Bead-Kristalls zu verifizieren. Die Beobachtung von regelmäßig angeordneten Facetten niedriger Oberflächenenergie zeigt das Vorliegen eines solchen Bead-Einkristalls
5 an. - Ein besonderer Vorteil der Elektronenstrahlheizung ist die einfache und genaue Kontrolle der Phasengrenze durch Variation der verwendeten Hochspannung oder des Stroms durch das Filament
2 . Die Herstellung des Bead-Einkristalles5 erfolgt durch langsames Erstarren der flüssigen Metallkugel. Wird der Vorgang des Schmelzens und Erstarrens oft wiederholt, so bildet sich schließlich der Einkristall, erkennbar an der Ausbildung von Facetten auf der Bead-Oberfläche. Die auf diese Weise hergestellten Bead-Einkristalle können einen Durchmesser von etwa 0,5 bis 3 Millimeter aufweisen. - Die oben angegebenen Werte zur Hoch- und Gleichspannung bzw. Abmessungen und Abständen (
1 ) sind nur beispielhaft. Selbstverständlich steht es dem Fachmann frei, in Abhängigkeit vom verwendeten Draht (material) andere Werte einzustellen, um den Bead-Einkristall herzustellen. Es ist z. B. denkbar, mehrere verdrillte Drähte auch aus Nicht-Edelmetallen, wie ausDE 103 04 533 bekannt, auf diese Weise zu schmelzen und zu rekristallisieren. - Die Kristalle werden als Einkristallsubstrate in der Oberflächenforschung, der Dünnschichttechnik, z. B. zum Aufbau von Sensoren und in der Elektrochemie verwendet.
Claims (18)
- Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls dadurch gekennzeichnet, dass der Bead-Einkristall mittels Elektronenstrahlheizen mindestens eines Drahtes geformt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Elektronenstrahlheizen im Hochvakuum.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es im Vakuum kleiner 5·10–4, insbesondere kleiner 10–6 mbar durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Draht umfassend Ag, Al, Cr, Cu, Ir, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Ta, oder W aufgeschmolzen und rekristallisiert wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Schritt des Aufschmelzens und Rekristallisierens des mindestens einen Drahtes mehrfach wiederholt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Draht zur Herstellung von Metalllegierungen, insbesondere umfassend Ag/Au-, Pt/Pd-, Pt/Rh- oder Pt/Re-Legierungen ausgewählt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Metalllegierung aus mindestens zwei Drähten hergestellt wird, wobei nach Elektronenstrahlheizen zusätzlich ein Flammenschmelzverfahren angewendet wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Draht bis auf 3500°C erhitzt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Draht vor dem Aufschmelzen gereinigt wird.
- Verfahren nach vorhergehendem Anspruch, gekennzeichnet durch mindestens eine Ätzung und/oder mindestens eine Alkoholbehandlung vor dem Aufschmelzen.
- Bead-Einkristall, hergestellt nach einem Verfahren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10.
- Bead-Einkristall nach vorhergehendem Anspruch 11 ohne Gaseinschlüsse.
- Bead-Einkristall nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 oder 12, umfassend Ag, Al, Cr, Cu, Ir, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Ta, Va und/oder W.
- Bead-Einkristall nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 13, umfassend Metalllegierungen, insbesondere Ag/Au-, Pt/Pd-, Pt/Rh- oder Pt/Re-Legierungen.
- Bead-Einkristall nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Bead-Einkristall an einer kristallographisch orientierten Facette abgeschnitten ist.
- Bead-Einkristall nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass dieser eine glatte Oberfläche aufweist.
- Bead-Einkristall nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 16, gekennzeichnet durch einen Durchmesser von etwa 0,5 bis 3 Millimeter.
- Verwendung eines Bead-Einkristalls nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 17 in der Oberflächenforschung, der Dünnschichttechnik, Sensorik oder in der Elektrochemie.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005032594A DE102005032594A1 (de) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls |
PCT/DE2006/001159 WO2007006268A1 (de) | 2005-07-11 | 2006-07-05 | Verfahren zur herstellung eines bead-einkristalls |
US11/988,521 US20090047538A1 (en) | 2005-07-11 | 2006-07-05 | Method for Production of a Bead Single Crystal |
EP06761761A EP1902163A1 (de) | 2005-07-11 | 2006-07-05 | Verfahren zur herstellung eines bead-einkristalls |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005032594A DE102005032594A1 (de) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005032594A1 true DE102005032594A1 (de) | 2007-01-18 |
Family
ID=37056471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005032594A Withdrawn DE102005032594A1 (de) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090047538A1 (de) |
EP (1) | EP1902163A1 (de) |
DE (1) | DE102005032594A1 (de) |
WO (1) | WO2007006268A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101413607B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-07-08 | 부산대학교 산학협력단 | 금속 원자가 치환된 금속 단결정 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10304533A1 (de) * | 2003-02-04 | 2004-08-12 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Bead-Kristall sowie Verfahren zur Herstellung eines Bead-Kristalls und Verwendung |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2036496A (en) * | 1934-09-29 | 1936-04-07 | Gen Motors Corp | Method of making gas-free compositions of matter |
US3494745A (en) * | 1967-04-06 | 1970-02-10 | Corning Glass Works | Method of growing single crystal in a horizontally disposed rod |
JPS62118931A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | Nippon Supeesu Technol Kk | ドツトワイヤ−の製造方法およびドツトワイヤ− |
JPS6442398A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Kenji Suzuki | Production of single crystal of fe-si-al alloy |
US5027886A (en) * | 1990-07-12 | 1991-07-02 | Pitney Bowes Inc. | Apparatus and method for fabrication of metallic fibers having a small cross section |
JP2787550B2 (ja) * | 1994-11-10 | 1998-08-20 | 仗祐 中田 | 球状結晶の製造方法 |
WO2003091473A1 (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | University Of Virginia Patent Foundation | Apparatus and method for high rate uniform coating, including non-line of sight |
DE10304532B4 (de) * | 2003-02-04 | 2005-09-08 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze |
-
2005
- 2005-07-11 DE DE102005032594A patent/DE102005032594A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-05 WO PCT/DE2006/001159 patent/WO2007006268A1/de active Application Filing
- 2006-07-05 EP EP06761761A patent/EP1902163A1/de not_active Withdrawn
- 2006-07-05 US US11/988,521 patent/US20090047538A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10304533A1 (de) * | 2003-02-04 | 2004-08-12 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Bead-Kristall sowie Verfahren zur Herstellung eines Bead-Kristalls und Verwendung |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
"Ethylene glycol electrochemical oxidation at platinum probed by ion chromatography and infrared spectroscopy", A. Dailey et al., Electrochimica Acta 44 (1993), S. 1147-1152 |
"Ethylene glycol electrochemical oxidation at platinum probed by ion chromatography and infraredspectroscopy", A. Dailey et al., Electrochimica Acta 44 (1993), S. 1147-1152 * |
"Production of high-quality Pt single crystals using new flame float-zone method", N. Furuya et al., Phys. Chem. Chem. Phys., 2001, 3, S. 3255- 3260 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007006268A1 (de) | 2007-01-18 |
EP1902163A1 (de) | 2008-03-26 |
US20090047538A1 (en) | 2009-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102019101742A1 (de) | Metalldraht, Sägedraht, Schneidvorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Metalldrahts | |
DE1764994A1 (de) | Kaltkathoden-Feldemitter | |
DE2654063A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial | |
DE69014896T2 (de) | Verbindungsbrücke für kerndrähte für apparate zur herstellung polykristallinen siliziums. | |
DE1208824B (de) | Verfahren zum Herstellen einer ohmschen metallischen Kontaktelektrode an einem Halbkoerper eines Halbleiterbauelements | |
DE112006002595B4 (de) | Herstellungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für einen Einkristall-Halbleiter | |
WO2022194977A1 (de) | Herstellungsverfahren für einen sic-volumeneinkristall inhomogener schraubenversetzungsverteilung und sic-substrat | |
DE102009023471B4 (de) | Beschichtungsanlage und -verfahren | |
DE102005032594A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls | |
DE2362870C3 (de) | Zirkoniumhältige Lötverbindung, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung derselben | |
DE102013106564B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektrodenmaterials für eine Zündkerze und Ruthenium-basiertes Material zur Verwendung in einer Zündkerze | |
DE1286510B (de) | Verfahren zur Herstellung von bandfoermigen, aus Halbleitermaterial bestehenden Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze | |
EP1348781B1 (de) | Verfahren zum epitaktischen Wachstum mit energetischem Strahl | |
DE1419738A1 (de) | Verfahren zum Zuechten von duennen,flachen dendritischen Einkristallen | |
DE1278413B (de) | Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze | |
DE112013006282T5 (de) | Verfahren zur Herstellung von SIC-Einkristall | |
DE60031578T2 (de) | Supermagnetostriktive legierung und herstellungsverfahren dafür | |
EP3932875A1 (de) | Glasprodukt und verfahren zu dessen herstellung | |
EP0161487A2 (de) | Verfahren zum automatischen Widerstandsschweissen von elektrischen Kontaktplättchen auf ein Trägerband und Halbzeug für die Herstellung von auf ein Trägerband aufzuschweissenden Kontakten aus harten und spröden Kontaktwerkstoffen | |
DE2526382B2 (de) | Kathodenzerstaubungsveif ahren zur Herstellung geatzter Strukturen | |
DE102021110747A1 (de) | Tiegel und kristallwachstumsvorrichtung | |
DE10304532B4 (de) | Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze | |
DE4237849C1 (de) | Drahtwendel-Hohlkatode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP3022336A1 (de) | Verfahren zur herstellung magnetischer funktionsschichten, magnetischer schichtwerkstoff sowie bauelement mit einem magnetischen schichtwerkstoff | |
CH701130A2 (de) | Drahtherstellung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R120 | Application withdrawn or ip right abandoned | ||
R120 | Application withdrawn or ip right abandoned |
Effective date: 20140818 |