EP0984533B1 - Méthode de montage et de positionnement d'une diode laser à semi-conducteur - Google Patents

Méthode de montage et de positionnement d'une diode laser à semi-conducteur Download PDF

Info

Publication number
EP0984533B1
EP0984533B1 EP99117266A EP99117266A EP0984533B1 EP 0984533 B1 EP0984533 B1 EP 0984533B1 EP 99117266 A EP99117266 A EP 99117266A EP 99117266 A EP99117266 A EP 99117266A EP 0984533 B1 EP0984533 B1 EP 0984533B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
active layer
marks
chip
semiconductor laser
laser diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP99117266A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0984533A3 (fr
EP0984533A2 (fr
Inventor
Kenji Yamauchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of EP0984533A2 publication Critical patent/EP0984533A2/fr
Publication of EP0984533A3 publication Critical patent/EP0984533A3/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0984533B1 publication Critical patent/EP0984533B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
    • G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Claims (13)

  1. Puce à diode laser à semi-conducteur comprenant :
    une ou plusieurs marques de mesure (17, 18) formée à une position prédéterminée en tenant compte d'une couche active (11) sur une surface qui va être positionnée de façon opposée à un substrat (40) lorsque la puce est montée sur ledit substrat ; et
    des marques de positionnement (15, 16) comprenant une paire de marques formées sur ladite surface dans une relation de position prédéterminée par rapport auxdites marques de mesure (17, 18), et qui vont être positionnées de façon opposée aux marques latérales du substrat (44, 45) formées sur ledit substrat lorsque la puce est montée sur ledit substrat,
    dans laquelle lesdites marques de mesure sont plus proches de ladite couche active que lesdites marques de positionnement et indiquent la position relative de la couche active par rapport aux marques de positionnement.
  2. Puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans laquelle lesdites marques de mesure (17, 18) consistent en un motif de lignes fines.
  3. Puce à diode laser selon la revendication 2, dans laquelle ledit motif de lignes fines est formé en plusieurs lignes droites parallèles fines par un film métallique.
  4. Puce à diode laser selon la revendication 2, dans laquelle ledit motif de lignes fines est formé sur la portion supérieure de ladite couche active.
  5. Puce à diode laser selon la revendication 4, dans laquelle ledit motif de lignes fines a approximativement la même largeur que celle de ladite couche active (11).
  6. Puce à diode laser selon la revendication 1, dans laquelle lesdites marques de positionnement (15, 16) ont une forme circulaire.
  7. Procédé de montage d'une puce à diode laser ayant une couche active (11) pour un montage de ladite puce à diode laser à semi-conducteur à une position prédéterminée sur un substrat (40) ; ladite puce à diode laser à semi-conducteur comprenant :
    des marques de mesure (17, 18) formées à une position prédéterminée selon ladite couche active (11) ; et des marques de positionnement (15, 16) ;
    dans laquelle lesdites marques de mesure (17, 18) sont plus proches de ladite couche active (11) que lesdites marques de positionnement ;
    ledit substrat (40) comprenant :
    des marques latérales du substrat (44, 45) formées à une position qui est opposée auxdites marques de positionnement (15, 16) lorsque ladite puce à diode laser à semi-conducteur est montée à la position prédéterminée ;
    ledit procédé de montage comportant :
    un procédé pour obtenir une relation de positionnement entre ladite couche active (11) et lesdites marques de positionnement (15, 16) en se référant à une relation de position entre ladite couche active et lesdites marques de mesure (17, 18) ;
    un procédé pour agencer ladite puce à diode laser à semi-conducteur vis-à-vis dudit substrat de sorte que lesdites marques de positionnement (15, 16) et lesdites marques latérales du substrat (44, 45) soient opposées les unes aux autres ; et
    un procédé pour ajuster une position de montage de ladite puce à diode laser à semi-conducteur en se référant à une relation de positionnement entre ladite zone active et lesdites marques de positionnement et en fixant ladite puce à diode laser à semi-conducteur vis-à-vis dudit substrat (40).
  8. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 7, dans lequel lesdites marques de mesure (17, 18) consistent en un motif de lignes fines.
  9. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 8, dans lequel ledit motif de lignes fines est formé en plusieurs lignes droites parallèles fines par un film métallique.
  10. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 8, dans lequel ledit motif de lignes fines est formé sur la portion supérieure de ladite couche active.
  11. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 10, dans lequel ledit motif de lignes fines a approximativement la même largeur que celle de ladite couche active.
  12. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 7, dans lequel lesdites marques de positionnement ont une forme circulaire.
  13. Procédé de montage d'une puce à diode laser à semi-conducteur selon la revendication 7, dans lequel ledit substrat comprend en outre une rainure en V dont le centre (42) coïncide avec l'axe central de ladite couche active.
EP99117266A 1998-09-03 1999-09-02 Méthode de montage et de positionnement d'une diode laser à semi-conducteur Expired - Lifetime EP0984533B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24933198 1998-09-03
JP24933198A JP3235571B2 (ja) 1998-09-03 1998-09-03 活性層と位置決めマークとの相対位置を測定する測定方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0984533A2 EP0984533A2 (fr) 2000-03-08
EP0984533A3 EP0984533A3 (fr) 2000-04-26
EP0984533B1 true EP0984533B1 (fr) 2007-04-25

Family

ID=17191431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP99117266A Expired - Lifetime EP0984533B1 (fr) 1998-09-03 1999-09-02 Méthode de montage et de positionnement d'une diode laser à semi-conducteur

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6294232B1 (fr)
EP (1) EP0984533B1 (fr)
JP (1) JP3235571B2 (fr)
DE (1) DE69935888D1 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1141757A1 (fr) * 1999-10-21 2001-10-10 NHK Spring Co., Ltd. Composant optique avec reperes de positionnement; procede de fabrication
JP3667689B2 (ja) * 2001-12-10 2005-07-06 三菱電機株式会社 光ファイバ保持装置、光分散等化器及び光ファイバ保持装置の製造方法
WO2004008201A2 (fr) * 2002-07-11 2004-01-22 Hymite A/S Positionnement precis de composants d'un dispositif optique
JP2006339418A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法
TWI397199B (zh) * 2005-06-21 2013-05-21 Japan Science & Tech Agency 用於製造經偏光發光二極體之封裝技術
US20070184652A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Texas Instruments, Incorporated Method for preparing a metal feature surface prior to electroless metal deposition
FR2911078B1 (fr) * 2007-01-05 2010-12-24 Inst Francais Du Petrole Baudruche extensible de restructuration de revetement interne.
JP2010078806A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Fuji Xerox Co Ltd 光モジュール、光伝送装置及び面型光素子
US8265436B2 (en) 2010-05-12 2012-09-11 Industrial Technology Research Institute Bonding system for optical alignment
CN103270443B (zh) * 2010-12-21 2015-07-08 日本电气株式会社 光学模块及其制造方法
JP2012164737A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Sony Corp サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法
JP5925062B2 (ja) * 2012-06-18 2016-05-25 シチズンホールディングス株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
DE102015219056B4 (de) 2015-10-01 2018-05-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtquelle
US9933570B2 (en) * 2016-03-01 2018-04-03 Futurewei Technologies, Inc. Integration of V-grooves on silicon-on-insulator (SOI) platform for direct fiber coupling
CN112349630B (zh) * 2020-11-03 2024-04-16 武汉智汇芯科技有限公司 一种用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法及装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042709A (en) 1990-06-22 1991-08-27 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for precise alignment of objects
JPH0514577A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Murata Mach Ltd フアクシミリ装置
JPH05145177A (ja) 1991-11-15 1993-06-11 Sony Corp 半導体レーザ素子
JP2546506B2 (ja) * 1993-07-27 1996-10-23 日本電気株式会社 光半導体素子と光導波路の結合構造およびその結合方法
JP3085440B2 (ja) 1994-09-12 2000-09-11 株式会社日立製作所 光アッセンブリの製造方法
US5790737A (en) * 1995-11-21 1998-08-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device
JPH09145965A (ja) 1995-11-22 1997-06-06 Hitachi Ltd 光モジュール及びその製造方法
JPH09148623A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 光受発光素子の実装方法
JPH09218325A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザモジュール
JP2924953B2 (ja) 1996-11-05 1999-07-26 日本電気株式会社 光素子の実装構造
JPH10256664A (ja) 1997-03-13 1998-09-25 Fujitsu Ltd 光半導体装置のマーカ形成方法
JP3976875B2 (ja) 1998-02-19 2007-09-19 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子とその実装方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0984533A3 (fr) 2000-04-26
US6882668B2 (en) 2005-04-19
JP2000077781A (ja) 2000-03-14
JP3235571B2 (ja) 2001-12-04
EP0984533A2 (fr) 2000-03-08
US6294232B1 (en) 2001-09-25
US20020006151A1 (en) 2002-01-17
DE69935888D1 (de) 2007-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0984533B1 (fr) Méthode de montage et de positionnement d'une diode laser à semi-conducteur
US5717803A (en) Coupling structure of optical fiber and optical semiconductor element
US6271049B1 (en) Method for producing an optoelectronic component
US5659566A (en) Semiconductor laser module and method of assembling semiconductor laser module
JPH04254390A (ja) ダイオードレーザと光ファイバを受動的に調整するための方法及び装置
GB2276493A (en) Semiconductor laser array device and production methods therefor
KR100673561B1 (ko) 반도체 레이저장치의 제조방법 및 반도체 레이저장치
KR100427582B1 (ko) 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법
EP0826886B1 (fr) Module optique monocristallin
US7209235B2 (en) Accurate positioning of components of a optical assembly
US20100061418A1 (en) Mounting surface-emitting devices
US20050084201A1 (en) Optical bench for mounting optical element and manufacturing method thereof
US6841486B2 (en) Optical substrate having alignment fiducials
KR100361593B1 (ko) 볼록 요철을 갖는 광학집적회로 소자, 그 제조방법, 그광학집적 회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신장치의 모듈
US6574399B2 (en) Ceramic waferboard for integration of optical/optoelectronic/electronic components
KR100524672B1 (ko) 광수동 정렬용 각진 홈을 이용한 플립칩 본딩방법 및 광모듈
JPH08110446A (ja) 光伝送モジュール
EP1288687B1 (fr) Methode d'alignement d'un élément optique passif avec un élément optique actif
US6943421B2 (en) Optical element mounted body and optical semiconductor module using the same
JPH06160676A (ja) 半導体レーザモジュールの製造方法
US20020041725A1 (en) Optical transmitter with back facet monitor
US20020141709A1 (en) Small-formed optical module
JPH10170773A (ja) 光デバイス実装基板の作製方法及び光モジュール
JP2005101044A (ja) 光半導体素子の実装方法およびこれを用いて光モジュールを製造する方法
JPH09171126A (ja) 半導体レーザモジュール用基板および半導体レーザモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): DE FR GB

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

RIC1 Information provided on ipc code assigned before grant

Free format text: 7H 01S 5/022 A, 7G 02B 6/42 B

17P Request for examination filed

Effective date: 20000317

AKX Designation fees paid

Free format text: DE FR GB

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

REF Corresponds to:

Ref document number: 69935888

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20070606

Kind code of ref document: P

EN Fr: translation not filed
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20080128

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071221

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070726

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070425

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20090902

Year of fee payment: 11

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20100902

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20100902