EP0903210A1 - Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben - Google Patents

Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben Download PDF

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EP0903210A1 EP98116158A EP98116158A EP0903210A1 EP 0903210 A1 EP0903210 A1 EP 0903210A1 EP 98116158 A EP98116158 A EP 98116158A EP 98116158 A EP98116158 A EP 98116158A EP 0903210 A1 EP0903210 A1 EP 0903210A1
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    • Y10T83/9292Wire tool

Definitions

  • the invention relates to a saw bar for fixing a Crystals from semiconductor material when cutting off wafers of this crystal with a wire saw.
  • the invention relates also a method for cutting off discs, in which the saw bar is used.
  • the crystal is on one Saw bar fixed, in which the saw wire after cutting which penetrates a few millimeters.
  • the saw bar usually consists of a solid graphite block, and the Crystal is on this, for example with an adhesive Epoxy resin, cemented on.
  • the object of the invention is to indicate how that Creation of scoring when cutting glass from one Reliable crystal of semiconductor material with a wire saw can be avoided.
  • the task is solved by a saw bar to fix one Crystals from semiconductor material when cutting off wafers of this crystal with a wire saw that featured is by a section adjacent to the crystal, which has a hardness that is essentially the hardness of the Corresponds to crystal.
  • a Saw bar proposed that made from one material is that in terms of its hardness with the hardness of the semiconductor material matches or approximately the same hardness having.
  • Saw strips have proven to be particularly suitable a material with a hardness in the range of 4 to 7 (Mohs scale), In particular, saw strips made of glass or silicon have been proven. It is also advantageous if the material used is a electrical insulator. In this case, the saw wire during the disconnection process with weak electrical current be acted upon and a wire break or ground fault the resulting amperage change can be detected.
  • FIG. 1 is a massive Saw bar shown.
  • the saw bar according to Figure 2 is as layered composite body formed.
  • the saw bar according to Figure 3 has a hollow profile.
  • the saw bar according to FIG. 1 is first described in more detail.
  • the saw bar 1 is made of a material whose hardness essentially matches the hardness of the semiconductor material, of which the crystal 2 consists. Through this choice of material, the saw wire remains even when entering into the saw bar in the intended cutting plane, see above that the panes in the edge area are not damaged.
  • the saw bar 1 in the form of training according to Figure 2 from a layered structured composite body, wherein section 3 of the composite body adjacent to the crystal consists of a material whose hardness is the same or similar is like the hardness of the crystal 2.
  • Section 3 exists preferably from a crystal or glass shape or silicon shell if the crystal is made of silicon. At least one further section adjoins this shell 4, which is made of a material that is essential is softer than the material of section 3, the adjoins the crystal. It is particularly preferred that the further Section 4 is made of graphite or a similar hardness like graphite.
  • the sections of the layered structure Composite bodies are preferably glued together. At Using such a saw bar will not only result in the emergence avoided by scoring. It's also particularly easy break the severed slices from the saw bar because after cutting off the panes, connect to the saw bar remains, which is formed by a section of the saw bar, which is comparatively soft and acts as a predetermined breaking point is suitable.
  • the saw bar 1 designed in cross section as a hollow profile.
  • the Hollow profile can have any shape, for example rectangular, circular or otherwise polygonal. After detaching due to the hollow profile, the panes remain comparatively narrow web 5 back over which the panes with the Saw bar stay connected. By breaking this connection the disks can be exposed. This can be avoided be that the saw wire along the when disconnecting the Slices resulting cutting gap must be returned and the windows get damaged.
  • a massive Saw bar is the one that remains after the disks have been removed Connection to the saw bar comparatively wide, so that it cannot be excluded that a pane will be damaged if the connection is broken.
  • a narrow bridge that remains due to the hollow profile good as a predetermined breaking point.
  • the invention also relates to a saw strips designed as composite bodies according to FIG. 2, which has a hollow profile according to Figure 3.

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Abstract

Sägeleiste (1) zum Fixieren eines Kristalls (2) aus Halbleitermaterial beim Abtrennen von Scheiben von diesem Kristall mit einer Drahtsäge, mit einem an den Kristall angrenzenden Abschnitt, der eine Härte aufweist, die im wesentlichen der Härte des Kristalls entspricht, insbesondere, mit einem Abschnitt aus einem Material, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Glas und Silicium umfaßt. Die Sägeleiste kann im Querschnitt als Hohlprofil (5) ausgebildet sein.

Description

Gegenstand der Erfindung ist eine Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls aus Halbleitermaterial beim Abtrennen von Scheiben von diesem Kristall mit einer Drahtsäge. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Abtrennen von Scheiben, bei dem die Sägeleiste eingesetzt wird.
Beim Abtrennen von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial mit einer Drahtsäge können nach transversalen Auslenkungen des Sägedrahtes unerwünschte Riefen (Sägemarken) auf den Seiten der Scheiben entstehen. Der Kristall ist auf einer Sägeleiste fixiert, in die der Sägedraht nach dem Abtrennen der Scheiben einige Millimeter weit eindringt. Die Sägeleiste besteht üblicherweise aus einem massiven Graphitblock, und der Kristall ist auf diesem, beispielsweise mit einem Kleber aus Epoxy-Harz, aufgekittet.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, anzugeben, wie das Entstehen von Riefen beim Abtrennen von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial mit einer Drahtsäge zuverlässig vermieden werden kann.
Gelöst wird die Aufgabe durch eine Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls aus Halbleitermaterial beim Abtrennen von Scheiben von diesem Kristall mit einer Drahtsäge, die gekennzeichnet ist durch einen an den Kristall angrenzenden Abschnitt, der eine Härte aufweist, die im wesentlichen der Härte des Kristalls entspricht.
Durch Versuche wurde festgestellt, daß das Entstehen von Riefen in engem Zusammenhang mit der Verwendung von massiven Sägeleisten aus Graphit steht. Es bietet sich folgende Erklärung an: Graphit ist im Vergleich zu Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silicium, ein relativ weicher Werkstoff. Der Sägedraht hat beim Abtrennen der Scheiben einen bestimmten Widerstand in Vorschubrichtung zu überwinden. Beim Eintritt des Sägedrahtes in die Sägeleiste aus Graphit wird dieser Widerstand abrupt schwächer. Dadurch kann der Sägedraht transversal abgelenkt werden und die erwähnten Riefen im Randbereich der Scheiben hinterlassen.
Um dem vorzubeugen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Sägeleiste vorgeschlagen, die aus einem Material gefertigt ist, das in Bezug auf seine Härte mit der Härte des Halbleitermaterials übereinstimmt oder eine annähernd gleiche Härte aufweist. Als besonders geeignet haben sich Sägeleisten aus einem Material mit einer Härte im Bereich von 4 bis 7 (Mohsskala), insbesondere Sägeleisten aus Glas oder Silicium erwiesen. Von Vorteil ist auch, wenn das verwendete Material ein elektrischer Isolator ist. In diesem Fall kann der Sägedraht während des Abtrennvorganges mit schwachem elektrischen Strom beaufschlagt werden und ein Drahtriß oder Masseschluß durch die resultierende Stromstärkenänderung detektiert werden.
Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von Figuren erläutert, die bevorzugte Ausbildungsformen der Sägeleiste in Schnittdarstellung schematisch zeigen. Gleichartige Merkmale sind mit gleichen Bezugszahlen versehen. In Figur 1 ist eine massive Sägeleiste dargestellt. Die Sägeleiste gemäß Figur 2 ist als schichtförmiger Verbundkörper ausgebildet. Die Sägeleiste gemäß Figur 3 besitzt ein Hohlprofil.
Zunächst wird die Sägeleiste gemäß Figur 1 näher beschrieben. Erfindungsgemäß ist die Sägeleiste 1 aus einem Material gefertigt, dessen Härte im wesentlichen mit der Härte des Halbleitermaterials, aus dem der Kristall 2 besteht, übereinstimmt. Durch diese Materialwahl bleibt der Sägedraht auch beim Eintritt in die Sägeleiste in der vorgesehenen Schneidebene, so daß die Scheiben im Randbereich nicht beschädigt werden.
Die Sägeleiste 1 in der Ausbildungsform gemäß Figur 2 besteht aus einem schichtförmig strukturierten Verbundkörper, wobei der an den Kristall angrenzende Abschnitt 3 des Verbundkörpers aus einem Material besteht, dessen Härte gleich oder ähnlich ist wie die Härte des Kristalls 2. Der Abschnitt 3 besteht vorzugsweise aus einer der Kristallform angepaßten Glas- oder oder Siliciumschale, sofern der Kristall aus Silicium besteht. An diese Schale schließt sich mindestens ein weiterer Abschnitt 4 an, der aus einem Material gefertigt ist, das wesentlich weicher ist als das Material des Abschnitts 3, der an den Kristall angrenzt. Besonders bevorzugt ist, daß der weitere Abschnitt 4 aus Graphit besteht oder eine ähnliche Härte wie Graphit hat. Die Abschnitte des schichtförmig strukturierten Verbundkörpers sind vorzugsweise miteinander verklebt. Bei Verwendung einer derartigen Sägeleiste wird nicht nur das Entstehen von Riefen vermieden. Es ist auch besonders einfach, die abgetrennten Scheiben von der Sägeleiste zu brechen, weil nach dem Abtrennen der Scheiben eine Verbindung zur Sägeleiste bleibt, die von einem Abschnitt der Sägeleiste gebildet wird, der vergleichsweise weich ist und sich als Sollbruchstelle eignet.
Gemäß der in Figur 3 dargestellten Ausbildungsform ist die Sägeleiste 1 im Querschnitt als Hohlprofil ausgebildet. Das Hohlprofil kann beliebig geformt sein, beispielsweise rechteckig, kreisförmig oder anderweitig mehreckig. Nach dem Abtrennen der Scheiben bleibt wegen des Hohlprofils ein vergleichsweise schmaler Steg 5 zurück, über den die Scheiben mit der Sägeleiste verbunden bleiben. Durch Brechen dieser Verbindung können die Scheiben freigelegt werden. Dadurch kann vermieden werden, daß der Sägedraht entlang der beim Abtrennen der Scheiben entstandenen Schneidspalte zurückgeführt werden muß und die Scheiben beschädigt werden. Bei Verwendung einer massiven Sägeleiste ist die nach dem Abtrennen der Scheiben bleibende Verbindung zur Sägeleiste vergleichsweise breit, so daß nicht ausgeschlossen werden kann, daß eine Scheibe beschädigt wird, wenn die Verbindung gebrochen wird. Hingegen eignet sich ein wegen des Hohlprofils bleibender schmaler Steg besonders gut als Sollbruchstelle. Gegenstand der Erfindung ist auch eine gemäß Figur 2 als Verbundkörper ausgebildete Sägeleiste, die gemäß Figur 3 ein Hohlprofil hat.

Claims (5)

  1. Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls aus Halbleitermaterial beim Abtrennen von Scheiben von diesem Kristall mit einer Drahtsäge, gekennzeichnet durch einen an den Kristall angrenzenden Abschnitt, der eine Härte aufweist, die im wesentlichen der Härte des Kristalls entspricht.
  2. Sägeleiste gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der an den Kristall angrenzende Abschnitt Teil eines in Abschnitten strukturierten Verbundkörpers ist und ein Abschnitt, der vom Kristall weiter entfernt ist als der an den Kristall angrenzende Abschnitt, wesentlich weicher ist als der an den Kristall angrenzende Abschnitt.
  3. Sägeleiste nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der an den Kristall angrenzende Abschnitt aus einem Material besteht, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Glas und Silicium umfaßt.
  4. Sägeleiste nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sägeleiste im Querschnitt als Hohlprofil ausgebildet ist.
  5. Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Kristall mit einer Drahtsäge, wobei der Kristall auf einer Sägeleiste fixiert wird, und die Drahtsäge erst in den Kristall und anschließend in die Sägeleiste eindringt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Sägeleiste gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 eingesetzt wird.
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TW (1) TW407094B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8061345B2 (en) 2004-12-10 2011-11-22 Freiberger Compound Materials Gmbh Method for wire sawing
WO2014111304A1 (de) * 2013-01-15 2014-07-24 Siltronic Ag Klemmbare aufkittleiste für einen drahtsägeprozess
CN109760221A (zh) * 2018-12-29 2019-05-17 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法
CN109808085A (zh) * 2018-12-29 2019-05-28 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333377B1 (en) * 1999-03-08 2001-12-25 A&A Material Corporation Ingot support device for slicing silicon
DE102006032432B3 (de) * 2006-07-13 2007-09-27 Siltronic Ag Sägeleiste sowie Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück unter Verwendung der Sägeleiste
KR20100120685A (ko) * 2008-02-11 2010-11-16 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. 잉곳을 웨이퍼로 와이어소우 슬라이싱하는데 사용되는 탄소 나노튜브 강화 와이어소우 빔
ATE500940T1 (de) * 2008-04-23 2011-03-15 Applied Materials Switzerland Sa Montierscheibe für eine drahtsägevorrichtung, drahtsägevorrichtung damit, und drahtsägeverfahren, das mit der vorrichtung durchgeführt wird
EP2477777A1 (de) * 2009-09-18 2012-07-25 Applied Materials, Inc. Werkstückauflagevorrichtung für eine drahtsäge, distanzstück für die auflage und sägeverfahren damit
CN102700020A (zh) * 2012-06-15 2012-10-03 苏州晶樱光电科技有限公司 一种硅棒切割用晶托
KR101217132B1 (ko) * 2012-07-19 2012-12-31 이화다이아몬드공업 주식회사 실리콘 잉곳 절단 장치 및 방법
CN105599157B (zh) * 2016-01-06 2018-12-28 中磁科技股份有限公司 多线切割机破条工艺的改进方法
CN107745290B (zh) * 2017-04-18 2019-06-11 重庆四联特种装备材料有限公司 异形平片抛光粘接方法
CN113580403B (zh) * 2021-09-30 2022-01-25 浙江晶科能源有限公司 晶硅切割方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232920A2 (de) * 1986-02-14 1987-08-19 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Mehrblattinnenlochsäge für das Zersägen von Kristallstäben sowie vermittels dieser Säge durchgeführte Trennverfahren
EP0348783A2 (de) * 1988-06-28 1990-01-03 Naoetsu Electronics Company Verfahren zur Herstellung von Einzelsubstraten
EP0552663A1 (de) * 1992-01-22 1993-07-28 HAUSER, Charles Vorrichtung zur Regelung der Geometrie dünner mit einer Drahtsäge geschnitttener Scheiben
JPH0919921A (ja) * 1995-07-07 1997-01-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソー

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4655191A (en) * 1985-03-08 1987-04-07 Motorola, Inc. Wire saw machine
CH690845A5 (de) * 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
JP3397968B2 (ja) * 1996-03-29 2003-04-21 信越半導体株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JPH09286021A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体インゴットの切断方法
CH692331A5 (de) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232920A2 (de) * 1986-02-14 1987-08-19 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Mehrblattinnenlochsäge für das Zersägen von Kristallstäben sowie vermittels dieser Säge durchgeführte Trennverfahren
EP0348783A2 (de) * 1988-06-28 1990-01-03 Naoetsu Electronics Company Verfahren zur Herstellung von Einzelsubstraten
EP0552663A1 (de) * 1992-01-22 1993-07-28 HAUSER, Charles Vorrichtung zur Regelung der Geometrie dünner mit einer Drahtsäge geschnitttener Scheiben
JPH0919921A (ja) * 1995-07-07 1997-01-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソー

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 097, no. 005 30 May 1997 (1997-05-30) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8061345B2 (en) 2004-12-10 2011-11-22 Freiberger Compound Materials Gmbh Method for wire sawing
WO2014111304A1 (de) * 2013-01-15 2014-07-24 Siltronic Ag Klemmbare aufkittleiste für einen drahtsägeprozess
CN109760221A (zh) * 2018-12-29 2019-05-17 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法
CN109808085A (zh) * 2018-12-29 2019-05-28 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE59800712D1 (de) 2001-06-21
EP0903210B1 (de) 2001-05-16
US6035845A (en) 2000-03-14
DE19739965A1 (de) 1999-03-18
KR19990029457A (ko) 1999-04-26
TW407094B (en) 2000-10-01
JP3166122B2 (ja) 2001-05-14
KR100301381B1 (ko) 2001-11-22
JPH11151716A (ja) 1999-06-08
MY116424A (en) 2004-01-31

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