EP0890973A1 - Cathode froide à micropointes - Google Patents

Cathode froide à micropointes Download PDF

Info

Publication number
EP0890973A1
EP0890973A1 EP98401651A EP98401651A EP0890973A1 EP 0890973 A1 EP0890973 A1 EP 0890973A1 EP 98401651 A EP98401651 A EP 98401651A EP 98401651 A EP98401651 A EP 98401651A EP 0890973 A1 EP0890973 A1 EP 0890973A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
grid
point
substrate
radius
nominal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP98401651A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0890973B1 (fr
Inventor
Didier Pierrejean
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Alcatel SA
Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alcatel SA, Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite filed Critical Alcatel SA
Publication of EP0890973A1 publication Critical patent/EP0890973A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0890973B1 publication Critical patent/EP0890973B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type

Definitions

  • the present invention relates to a cold microtip cathode.
  • the invention applies to mass spectrometers in which the electron emitting heating electric filament is replaced by such a cold microtip cathode.
  • Such cold cathodes are electron emitting devices produced by semiconductor processes.
  • the present invention therefore aims to provide a cold cathode to microtips which improves the homogeneity of the electron emission of its microtips.
  • the subject of the invention is therefore a cold microtip cathode comprising a substrate comprising a network of microtips and a plate arranged parallel to the substrate carrying the points, said plate comprising a hole opposite each point and thus constituting a grid, a filling insulator.
  • Figure 1 is a partial schematic view showing a portion of cold microtip cathode according to the invention.
  • FIGS. 2, 3 and 4 are the curves of the value of the field at the end of the tips as a function, respectively, of the value of the parameters d, R T and R GH .
  • Figure 1 thus shows a portion of cold cathode where a single point is shown.
  • the tips such as 1 are formed on a substrate 2.
  • a plate 3, called a grid, and carrying a hole 4 of radius R GH opposite each tip is arranged parallel to the substrate 2.
  • An insulator 5 fills the space between the substrate 2 and grid 3 outside the points.
  • Figure 2 shows the value of field E at 10 9 v / m as a function of d.
  • FIG. 3 shows the value of the field as a function of R T .
  • Figure 4 shows the value of the field as a function of R GH .

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Cathode froide à micropointes (1) comprenant un substrat (2) comportant un réseau de micropointes (1) et une plaque disposée parallèlement au substrat portant les pointes (1), ladite plaque comportant un trou (4) en face de chaque pointe et constituant ainsi une grille (3), un isolant (5) comblant l'espace entre le substrat (2) et ladite grille (3) en dehors des pointes (1), caractérisée en ce que la distance d, nominale, séparant le sommet d'une pointe (1) de la face de ladite grille (3) la plus éloignée du substrat (2) est d = 0, en ce que le rayon de courbure RT, nominal, du sommet de chaque pointe (1) est RT = 25 nm et en ce que le rayon RGH, nominal, desdits trous (4) de la grille (3) est RGH = 1,3 µm. <IMAGE>

Description

La présente invention concerne une cathode froide à micropointes.
En particulier, l'invention s'applique aux spectromètres de masse dans lesquels le filament électrique chauffant émetteur d'électrons est remplacé par une telle cathode froide à micropointes. De telles cathodes froides sont des dispositifs émetteurs d'électrons réalisés par des procédés semiconducteurs.
Ces cathodes froides sont malheureusement peu performantes, de l'ordre de 10% seulement des pointes d'un réseau de micropointes émettent. Ceci est dû à la non homogénéité du réseau de pointes à cause, entre autre, des tolérances de fabrication.
Ainsi, à cause de cette non homogénéité des pointes, le champ électrique en bout de pointe varie beaucoup d'une pointe à l'autre, or, l'émission d'électrons suit une loi exponentielle en fonction du champ électrique en bout de pointe. On a donc une hétérogénéité de l'émission qui est dommageable. Cet inconvénient est accru si l'on travaille à "haute pression", par exemple à une pression égale ou supérieure à 10-4 mbar. En effet, si une pointe émet plus d'électrons que ses voisines, elle est plus sensible aux phénomènes de retour d'ions positifs et de création d'arc qui détériorent les pointes.
La présente invention a donc pour but de proposer une cathode froide à micropointes qui permet d'améliorer l'homogénéité de l'émission d'électrons de ses micropointes.
L'invention a ainsi pour objet une cathode froide à micropointes comprenant un substrat comportant un réseau de micropointes et une plaque disposée parallèlement au substrat portant les pointes, ladite plaque comportant un trou en face de chaque pointe et constituant ainsi une grille, un isolant comblant l'espace entre le substrat et ladite grille en dehors desdites pointes, caractérisée en ce que la distance d, nominale, séparant le sommet d'une pointe, de la face de ladite grille la plus éloignée du substrat est d = 0, en ce que le rayon de courbure RT, nominal, du sommet de chaque pointe est RT = 25 nm et en ce que le rayon RGH, nominal, desdits trous de la grille est de RGH = 1,3 µm.
Les expériences ont en effet montré que dans la géométrie d'une cathode froide, certains paramètres sont très importants, il s'agit précisément des paramètres ci-dessus : d : distance qui sépare le sommet d'une pointe, de la face de la grille la plus éloignée du substrat ; RT rayon de courbure du sommet des pointes et RGH le rayon des trous de la grille en face de chaque pointe.
Pour ces trois paramètres, on a trouvé une valeur nominale pour laquelle la dérivée totale de la valeur du champ en bout de pointes, par rapport à ces trois paramètres d, RT et RGH, est minimale et correspond donc à une valeur du champ en bout de pointes ayant une dispersion minimale.
Dans ces conditions, on obtient un réseau optimisé, c'est-à-dire pour lequel le champ électrique en bout de pointes varie très peu, dans les limites de tolérances de fabrication, autour de la valeur nominale de ces paramètres. Ces valeurs nominales sont ainsi les suivantes : d = 0, RT = 25 nm et RGH = 1,3 µm.
Le résultat est que l'on obtient un réseau ayant un nombre élevé de pointes qui émettent de la même façon, trois ou quatre fois plus que dans un réseau non optimisé.
La figure 1 est une vue schématique partielle montrant une portion de cathode froide à micropointes selon l'invention.
Les figures 2, 3 et 4 sont les courbes de la valeur du champ en bout de pointes en fonction, respectivement, de la valeur des paramètres d, RT et RGH.
La figure 1 montre ainsi une portion de cathode froide où une seule pointe est représentée. Les pointes telles que 1 sont formées sur un substrat 2. Une plaque 3, appelée grille, et portant un trou 4 de rayon RGH en face de chaque pointe est disposée parallèlement au substrat 2. Un isolant 5 comble l'espace entre le substrat 2 et la grille 3 en dehors des pointes.
Conformément à l'invention, la valeur nominale de RGH = 1,3 µm avec une tolérance correspondant à la tolérance de fabrication de ± 0,2 µm ; la valeur nominale du rayon de courbure RT du sommet de chaque pointe 1 est RT = 25 nm, la tolérance de fabrication étant de ± 5 nm ; et la valeur nominale de la distance d séparant le sommet d'une pointe 1 de la face de la grille 3 la plus éloignée du substrat 2 est d = 0, la tolérance de fabrication étant de ± 0,5 µm.
La figure 2 montre la valeur du champ E en 109 v/m en fonction de d.
La figure 3 montre la valeur du champ en fonction de RT,
et la figure 4 montre la valeur du champ en fonction de RGH.
Le calcul montre que la dérivée totale du champ par rapport à ces trois paramètres, est minimale pour ces valeurs d = 0, RT = 25 nm et RGH = 1,3 µm.

Claims (1)

  1. Cathode froide à micropointes (1) comprenant un substrat (2) comportant un réseau de micropointes (1) et une plaque disposée parallèlement au substrat portant les pointes (1), ladite plaque comportant un trou (4) en face de chaque pointe et constituant ainsi une grille (3), un isolant (5) comblant l'espace entre le substrat (2) et ladite grille (3) en dehors des pointes (1), caractérisée en ce que la distance d, nominale, séparant le sommet d'une pointe (1) de la face de ladite grille (3) la plus éloignée du substrat (2) est d = 0, en ce que le rayon de courbure RT, nominal, du sommet de chaque pointe (1) est RT = 25 nm et en ce que le rayon RGH, nominal, desdits trous (4) de la grille (3) est RGH = 1,3 µm.
EP98401651A 1997-07-10 1998-07-02 Cathode froide à micropointes Expired - Lifetime EP0890973B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9708793A FR2766011B1 (fr) 1997-07-10 1997-07-10 Cathode froide a micropointes
FR9708793 1997-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0890973A1 true EP0890973A1 (fr) 1999-01-13
EP0890973B1 EP0890973B1 (fr) 2002-09-11

Family

ID=9509100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP98401651A Expired - Lifetime EP0890973B1 (fr) 1997-07-10 1998-07-02 Cathode froide à micropointes

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6259190B1 (fr)
EP (1) EP0890973B1 (fr)
JP (1) JPH1173872A (fr)
DE (1) DE69807797T2 (fr)
FR (1) FR2766011B1 (fr)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992009095A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-29 Thomson Recherche Source d'electrons et procede de realisation
JPH0729484A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Futaba Corp 集束電極を有する電界放出カソード及び集束電極を有する電界放出カソードの製造方法
WO1996024152A1 (fr) * 1995-01-31 1996-08-08 Candescent Technologies Corporation Structures a filaments comportant des grilles pour dispositif d'affichage par emission de champ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2550798B2 (ja) * 1991-04-12 1996-11-06 富士通株式会社 微小冷陰極の製造方法
US5534743A (en) * 1993-03-11 1996-07-09 Fed Corporation Field emission display devices, and field emission electron beam source and isolation structure components therefor
JP2809078B2 (ja) * 1993-12-28 1998-10-08 日本電気株式会社 電界放出冷陰極およびその製造方法
RU2074444C1 (ru) * 1994-07-26 1997-02-27 Евгений Инвиевич Гиваргизов Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации
JP2731733B2 (ja) * 1994-11-29 1998-03-25 関西日本電気株式会社 電界放出冷陰極とこれを用いた表示装置
JP2956612B2 (ja) * 1996-09-25 1999-10-04 日本電気株式会社 フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法
JP3144475B2 (ja) * 1997-06-25 2001-03-12 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992009095A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-29 Thomson Recherche Source d'electrons et procede de realisation
JPH0729484A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Futaba Corp 集束電極を有する電界放出カソード及び集束電極を有する電界放出カソードの製造方法
WO1996024152A1 (fr) * 1995-01-31 1996-08-08 Candescent Technologies Corporation Structures a filaments comportant des grilles pour dispositif d'affichage par emission de champ

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 095, no. 004 31 May 1995 (1995-05-31) *
SPINDT C A ET AL: "PHYSICAL PROPERTIES OF THIN-FILM FIELD EMISSION CATHODES WITH MOLYBDENUM CONES", 1 December 1976, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOL. 47, NR. 12, PAGE(S) 5248 - 5263, XP000560520 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0890973B1 (fr) 2002-09-11
JPH1173872A (ja) 1999-03-16
FR2766011B1 (fr) 1999-09-24
DE69807797D1 (de) 2002-10-17
DE69807797T2 (de) 2003-05-28
FR2766011A1 (fr) 1999-01-15
US6259190B1 (en) 2001-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7504767B2 (en) Electrode structures, display devices containing the same
US5717279A (en) Field emission cathode with resistive gate areas and electron gun using same
KR100201792B1 (ko) 전계 방출형 음극을 채용한 전자 디바이스
JPH0729484A (ja) 集束電極を有する電界放出カソード及び集束電極を有する電界放出カソードの製造方法
KR100242038B1 (ko) 전계 방출 냉음극과 이를 이용한 표시 장치
US5920151A (en) Structure and fabrication of electron-emitting device having focus coating contacted through underlying access conductor
US5757138A (en) Linear response field emission device
EP0836214A2 (fr) Dispositif d&#39;émission de champ avec une barrière d&#39;écoulement de charge
FR2685811A1 (fr) Systeme permettant de maitriser la forme d&#39;un faisceau de particules chargees.
FR2764435A1 (fr) Element a emission de champ
JP2812356B2 (ja) 電界放出型電子銃
EP0890973B1 (fr) Cathode froide à micropointes
JPH07122179A (ja) 電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法
US5990612A (en) Field emitter array with cap material on anode electrode
JP2809078B2 (ja) 電界放出冷陰極およびその製造方法
US6084339A (en) Field emission device having an electroplated structure and method for the fabrication thereof
US5889359A (en) Field-emission type cold cathode with enhanced electron beam axis symmetry
WO1999062093A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une source d&#39;electrons a micropointes, a grille de focalisation auto-alignee
JP3084768B2 (ja) 電界放出型陰極装置
US6163103A (en) Field emission type cold cathode and electron tube
JP2630280B2 (ja) アレイ状電界放射冷陰極とその製造方法
FR2698992A1 (fr) Ecran plat à micropointes protégées individuellement par dipôle.
KR20070043391A (ko) 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법
JPH08106846A (ja) 電界放出型電子放出素子およびその製造方法
JP3598568B2 (ja) 冷電子放出素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CH DE GB IT LI

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

RAP3 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: ALCATEL

RAP3 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: ALCATEL

17P Request for examination filed

Effective date: 19990713

AKX Designation fees paid

Free format text: CH DE GB IT LI

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

17Q First examination report despatched

Effective date: 20011121

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): CH DE GB IT LI

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: CABINET ROLAND NITHARDT CONSEILS EN PROPRIETE INDU

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 20020919

REF Corresponds to:

Ref document number: 69807797

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20021017

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20030612

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20070723

Year of fee payment: 10

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080702

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 20100726

Year of fee payment: 13

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20100723

Year of fee payment: 13

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20100722

Year of fee payment: 13

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20110702

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20110731

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20120201

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20110731

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 69807797

Country of ref document: DE

Effective date: 20120201

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20110702