DK161808B - Apparat til kontinuerlig aflejring af et fast lag paa overfladen af et substrat, der befinder sig ved hoej temperatur - Google Patents

Description

i

DK 16180 8 B

Man har tidligere foreslået forskellige fremgangsmåder og anordninger til overdækning af et substrat, for eksempel en glasplade, med et lag af et halvledende materiale, for eksempel tinoxid, som på en gang bør udvise en trans-5 parens, der er sammenlignelig med substratets transparens, en forholdsvis mindre elektrisk modstand samt stor mekanisk styrke.

Man har således blandt andre fremgangsmåder til dette formål især forsøgt at anvende den teknik, som på engelsk 10 er kendt under betegnelsen "Chemical Vapor Deposition eller C.V.D." Især fra artiklen af H. Koch "Elektrische Untersuchungen af Zinndioxydschichten" (se Phys. Stat.

1963, Vol. 3., side 1059 og følgende) er en fremgangsmåde samt anordning kendt til aflejring af et tyndt lag SnC>2 15 på en glasplade gennem reaktion mellem SnCl^ og I^O, som blev tilført i en form, hvor de var fortyndet med en bæregas, i dette tilfælde luft, i fælles kontakt med glaspladens overflade, som forinden var opvarmet til en temperatur af størrelsesordenen 200 - 400 °C.

20 Disse to gasformige reaktanter blev sprøjtet ud på glasset ved hjælp af en dyse indeholdende to koaksiale rørsystemer, af hvilke det centrale rørsystem modtog den gasformige fortynding af SnCl^, medens den ydre rørledning blev tilført den gasformige fortynding af H^O.

25 Man har ligeledes beskrevet en tilsvarende fremgangsmåde og anordning, der i høj grad ligner den kendte teknik, især i DE-OS nr. 2 123 274, som yderligere tillader opnåelsen af en indsprøjtning af antimon i det på et substrat aflejrede lag af SnC^# i dette tilfælde ligeledes på en glasplade, 30 med henblik på at reducere den elektriske modstand af dette lag. Man har med henblik herpå især fundet anvendelse for yderligere SbClg i fortyndet form i en bæregas, i dette tilfælde nitrogen, som bringes i nærværelse af SnCl^ og H2O oven over substratet ved hjælp af en dyse med tre 35 koaksiale rørføringer, som hver modtager en af de ovenfor

DK 161808 B

2 beskrevne komponenter. Kombinations-reaktionen foregår således tæt på substratet og i en vis afstand fra disse tre rørføringer i dysen.

i ] I det ene såvel som det andet af de ovennævnte tilfælde 5 drejer det sig om fremgangsmåder og anordninger udelukkende beregnet til overdækning med et lag af Sn0o, som ! kan være forsynet med en anden bestanddel eller ikke, af j små plader med forholdsvis, begrænsede dimensioner, på hvilke denne overdækning gennemføres ved en sideværts 10 forskydning i forhold til dysen af pladerne. Den således opnåede aflejring foreligger således i form af et bånd af tinoxid med ret uensartede transp-a-rens-egenska— ber langs med dette bånds længde. Blandingen af de reaktionskomponenter, som strømmer ud fra en dyse af den 15 ovenfor beskrevne art, er faktisk ikke fuldstændig homogen, således at den opnåede aflejring udviser zoner med varierende tykkelse og sammensætning i form af striber, der er parallelle med den relative bevægelsesakse, som defineres af dysen og substratet.

20 Det skal her fremhæves, at de ovenfor beskrevne fremgangsmåder og anordninger, selv om de trods alt er acceptable, når det drejer sig om beklædning af substrater med forholdsvis beskedne dimensioner, i praksis er uanvendelige, når det drejer sig om en anvendelse i betydelig industriel 25 målestok, som især drejer sig om beklædning af særligt udbredte substrater, såsom for eksempel praktisk talt endeløse glasbånd, som kan være op til adskillige meter i bredden, således som man for eksempel opnår det ved den fremgangsmåde, der betegnes med det engelske ord "Float". 1

Dersom man ved en sådan udførelsesform ville anvende de ovenfor beskrevne fremgangsmåder og anordninger, ville det faktisk være nødvendigt at placere side ved side over hele glasbåndets bredde et større antal dyser af den beskrevne type, og man kan forestille sig den derved frem- 3

DK 161808 B

komne installationskompleksitet, eller man kunne kun anvende et begrænset antal dyser i forbindelse med en mekanisme, som så måtte bevæge sig oven over båndet i en meget hurtig frem- og tilbagegående bevægelse på tværs af 5 båndets bevægelsesakse for at sikre dækning af den samlede overflade af dette bånd. Det er klart, at ingen af disse løsninger ville tillade opnåelse af en belægning med SnC>2, der var tilstrækkelig homogen til på én gang at frembyde høj elektrisk ledningsevne, transparens og 10 det almindelige kvalitets-udseende, som ønskes for færdigproduktet. Når det drejer sig om glas, der er beregnet såvel til fremstilling af vinduer eller døre i bygninger som af vinduer eller vindskærme på køretøjer af en hvilken som helst art, vil man eksempelvis forstå, at sådanne re-15 sultater vil være i høj grad ønskværdige.

Til ovenstående er det nødvendigt at tilføje kapaciteten, som en sådan belægning med SnC>2 burde have, for ikke at forhindre de mekaniske eller termiske behandlinger, som glasfolierne sædvanligvis underkastes. Det ville især væ-20 re nødvendigt, at sådanne glasfolier, som er dækket med

SnC>2, hvad enten der er tilsat andre bestanddele eller ej, kan skæres med en diamant ved indvirkning på den ene eller den anden af overfladerne, uden at kvaliteten af belægningen af SnC>2 berøres. Det er ligeledes nødvendigt, at man 25 skal kunne underkaste glasplader, som er opnået ved opskæring af sådanne folier, for en hærdnings-behandling uden mekaniske eller optisk nedbrydning af beklædningen derpå. Endelig ville det være ønskværdigt at kunne give sådanne plader konveks form, især til fremstilling deraf til vind-30 skærme eller baglygte-systemer for køretøjer, også her uden modifikation af de ovenfor nævnte kvalitative egenskaber, såsom lav elektrisk modstand, god mekanisk holdbarhed, god transparens samt reflektion af lyset så homogent som muligt over hele pladens udstrækning.

35 Samtlige disse præstationer kunne ikke blive opnået under

DK 161808 B

4 anvendelse af fremgangsmåder eller anordninger som ovenfor beskrevet, dvs. som kun tillod en individual behandling af én glasoverflade af begrænset omfang.

Det er sandsynligvis in§ående studier af de ovenfor be- . .

5 skrevne forhold, som har ført til udskiftning af de beskrevne fremgangsmåder og anordninger med sådanne fremgangsmåder og anordninger, som især er omtalt i U.S.A.-patentskrift nr. 3 850 679 og 3 888 649, såvel som i britisk patentskrift nr. 1 507 996.

10 I samtlige disse dokumenter anvendes der generelt en fordelingsanordning for reaktionskomponent-gas, som forinden er blevet fremstilet, og hvori sådanne gasarter påføres glas-folien samtidigt over hele denne folies bredde i form af to på hinanden følgende tæppebelægninger i de to først-15 nævnte patentskrifter, og i det tredje i form af en gas-udstrømning, som ledes tangentielt mod glasset, over en bredde, som er bestemt af folien.

Disse anordninger kan dog ikke anvendes til gennemførelse af såkaldte C.V.D.-fremgangsmåder af den ovenfor beskrevne 20 karakter og beregnet til aflejring af lag af SnC^ med tilsatte bestanddele eller ikke, eftersom ankomsten af eir gasformig blanding af SnCl^ og H^O tæt ved fordelingsåbningen i disse anordninger ville føre til en for for tidlig og for kraftig reaktion mellem disse reaktionskomponenter 25 under hensyn til den forholdsvis høje temperatur, i praksis lig med temperaturen af det glas, der skal beklædes, (i størrelsesordenen 500 - 600°C), som ville herske på væggene af de anordninger, som definerer omtalte åbning. Man ville på denne måde opnå to komplementære ulemper, nemlig 30 på den ene side den mere eller mindre udprægede tilstopning af distributions-anordningernes udstrømningsåbninger, og på den anden side dannelsen på glasset af et særdeles inhomo-gent lag af SnO^, der som følge heraf ville udvise meget varierende kvaliteter såvel elektriske, mekanisk som fy-35 sisk.

DK 161808 B

5

Det er i stor udstrækning lykkedes at overkomme de ovenfor beskrevne ulemper takket være en fremgangsmåde og en anordning, som er omtalt i britisk patentansøgning nr.

2 044 137, som netop har til formål at aflejre kontinu-5 ert på overfladen af et substrat, der er bragt til høj temperatur, et lag af en fast bestanddel, der opstår ved omsætningen mellem mindst to reaktionskomponenter i gas-formig tilstand eller fortyndet i en gasart.

Denne fremgangsmåde er kendetegnet derved, at disse ud-10 strømninger foreligger i form af retlinede, gasformige tæpper eller gardiner, hvis transversal-profil for hvert enkelt led konvergerer mod en fiktiv kant, der er fælles for alle udstrømningerne, og ved, at man anbringer disse tæpper og/eller substratet på en sådan måde, at denne om-15 talte kant stort set er indeholdt i det pågældende substrats overflades plan, at man forskyder relativt substratet og de omtalte tæpper i en retning, der stort set er vinkelret på den omtalte fælles kant og på en sådan måde, at man bevarer denne kant stort set i det omtalte substrats 20 overfladekant, at man tvinger de gasarter, der udstrømmer fra reaktionen, der opstår som resultat af, at disse udstrømninger rammer substratet, til at bevæge sig parallelt med en'forud fastlagt del af dette substrat, der udstrækker sig på begge sider af den omtalte kant, og ende-25 lig ved, at man fjerner disse gasser fra den yderste del af den omtalte del af substratet, som befinder sig over for den beskrevne fiktive fælles kant for tæpperne.

Ved en særlig udførelsesform for denne fremgangsmåde foreligger de omtalte gasformige tæpper i et antal af tre, 30 som er i tangentiel kontakt to og to, idet det centrale tæppe dannes ved udstrømningen af den første reaktionskomponent, og de to sideliggende tæpper ved den gasformige udstrømning af den anden reaktionskomponent.

Når denne fremgangsmåde anvendes for at aflejre på et sub-

DK 161808 B

6 strat, især en glasfolie, der er bragt til høj temperatur i størrelsesordenen for eksempel 600°C, af et lag af SnC>2 ved omsætning mellem flydende SnCl^. og H^O-damp, som er fortyndet med en inert bæregas, såsom nitrogen, vil 5 det midterstillede tæppe bestå af den gasformige fortyn ding af SnCl^, og de to sidestillede tæpper vil bestå af den fortyndede vanddamp.

Anordningen til udøvelse af den ovenfor nævnte fremgangsmåde består af et apparatur, som er af den art, der 10 indeholder: - en kilde til en første reaktionskomponent i gasfase eller fortyndet i bæregas, - en kilde til en anden reaktionskomponent i gasfase eller fortyndet i en bæregas, 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 - en dyse med tre udmundinger, der hver udviser en åbning 2 bestående af en retlinet spalte, og hvori retningen 3 af sidevæggene, som afgrænser planerne for længdekan- 4 terne for hver spalte, konvergerer, mod en fælles, 5 fiktiv linie, idet den første, centrale udmunding er 6 omgivet af de andre to udmundinger, og befinder sig 7 tæt ved henholdsvis den anden udmunding ved sammen 8 føjningspunktet for deres respektive vægge, og den 9 tredie udmunding ved sammenføjningspunktet for deres 10 respektive vægge, således at de fra udmundingerne 11 .afgivne gasarter slynges i retning af den omtalte 12 fælles linie, 13 - en første og en anden afbøjningsoverflade, der strækker 14 sig i en fastlagt afstand til begge sider af de omtalte 15 udmundinger ud fra den anden længdekant af udstrømnings- 16 åbningen for henholdsvis det andet og det tredie udmun dingssystem, idet disse afbøjningsoverflader har sammenfaldende planer indbyrdes og med længdekanterne for udmundings-åbningerne i dysen, og idet de er kinematisk i kontinuitet med denne dyse,

DK 161808 B

7 - et første fordelingssystem, som forbinder dysens første udmunding med kilden til den første reaktionskomponent, - et andet fordelingssystem, som forbinder dysens anden og tredje udmunding med kilden til den anden reaktions- 5 komponent, - midler til tilvejebringelse af en relativ bevægelse i en retning stort set vinkelret på den omtalte fiktive linie mellem substratet og dysen, - midler til under denne relative bevægelse at fastholde 10 stort set konstant den afstand, der adskiller planet indeholdende disse udmundingsåbninger i dysen og de beskrevne afbøjningsoverflader fra det pågældende substrats overflade, - idet der er anbragt mindst én anordning til fjernelse 15 af de reaktionsgasser, der opstår i rummet mellem de afbøjende overflader og substratets overflade ud fra yderkanterne af dette rum længst væk fra dysens åbninger.

Den ovenfor'beskrevne fremgangsmåde og tilsvarende anordning 20 tillader at gennemføre aflejringen med meget høj hastighed på glas i folieform eller som plader af et lag af SnC^ med tilfredsstillende homogenitet, som garanterer egenskaber på meget højt niveau med hensyn til mekanisk styrke samt elektriske og optiske karakteristika af en hvilken som helst 25 art.

Den kendte teknik inden for området vedrørende den foreliggende opfindelse omfatter yderligere følgende trykskrifter: I europæisk patentansøgning nr. EP-A-0 023 471 omtales en fremgangsmåde og en anordning svarende til den, der er om-30 talt i britisk patentansøgning nr. 2 044 137, idet den ho- 8

DK 1618 O 8 B

vedsagelige forskel mellem førstnævnte og sidstnævnte af disse trykskrifter består i, at den bæregas, som anvendes til udøvelse af den såkaldte C.V.D.-teknik, indeholder en stor andel af et reduktionsmiddel.

5 I fransk patentansøgning nr. 2 288 068 omtales især en fremgangsmåde og en anordning til aflejring gennem forstøvning af en væske af et tyndt lag på overfladen af et materiale i folieform. Den pågældende anordning består af et forstøvningskammer, som rummer en forstøvningsdyse, som 10 er åben i retning af overfladen af den folie, der skal behandles, samt midler til tilførsel til dette forstøvnings-kammer på den ene side af den væske, der skal forstøves, og på den anden side af en under tryk' værende· gasstrøm til udslyngning af væsken gennem åbningen i kammeret, og denne 15 fremgangsmåde er kendetegnet ved, at forstøvningskammeret og dettes åbning strækker sig i en overvejende længde-retning, og ved, at de omtalte midler til tilførsel af væsken til kammeret består af en kanal, som udmunder i kammeret gennem en spalte, der strækker sig langs igennem kammeret pa-20 rallelt med ovennævnte retning.

I fransk patentansøgning nr. 2 068 937 omtales en fremgangs måde og en anordning til dannelse af en beklædning af metal eller af en metalforbindelse.på, en overflade af et glasbånd, ved forskydning i længderetningen. Den omtalte anordning be-25 står især af midler til understøtning af et varmt glasbånd, der forskydes på kontinuert måde i længderetningen, samt midler til at afsætte et flydende· medium på en overflade af et sådant bånd, og anordningen er kendetegnet ved, at disse afsætningsmidler er konstrueret og anordnet til at afsætte 30 mindst én strøm af flydende medium på denne overflade i en retning, som udviser en vinkel i forhold til overfladen, således at strømmen besidder en hastighedskomponent i båndets forskydningsretning, og at den spidse indfaldsvinkel eller middelvinklen for den spidse indfaldsretning af denne strøm 35 på overfladen målt i normalplanet til overfladen og paral-

DK 161808 B

9 lelt med båndets forskydningsretning i længderetningen ikke overskrider 60°.

I britisk patentansøgning nr. 2 068 937 er omtalt en fremgangsmåde og en anordning til påføring af en beklædning af 5 metal eller af en metalforbindelse på overfladen af et opvarmet glas-substrat. Anordningen består især af midler til at forskyde dette substrat i forhold til en påsprøjt-ning af små dråber af beklædningsproduktet, samt af midler til at skylle ved hjælp af en gasart den overflade, der 10 skal beklædes, henholdsvis før og efter i forhold til substratets forskydningsretning.

I europæisk patentansøgning nr. 0 029 809 omtales en dyse til samtidig påsprøjtning på et substrat af tre strømme af gasformige reaktionskomponenter, hvis blanding gennemføres 15 i umiddelbar nærhed af dysen, idet reaktionsproduktet derpå aflejres i form af en beklædning på substratet. I sin almene udformning nærmer denne dyse sig i høj grad den dyse, som er omtalt i britisk patentansøgning nr. 2 044 137.

Man har imidlertid trods alle de forbedringer, der er til-20 ført den kendte teknik, søgt yderligere at forbedre ydeevnen af et apparatur, såsom det, der er omtalt i britisk patentansøgning nr. 2 044 137, især med hensyn til aflejringens regelmæssighed, samt dens transparens, der skal være konstant. Man er nået til at modificere i forholdsvis rin-25 ge grad formen af udsprøjtnings-passagen for de reaktionskomponenter, der forlader udmundingen, og ligeledes på apparaturet, som ifølge den foreliggende opfindelse med henblik på kontinuert at aflejre på et substrat, der er opvarmet til høj temperatur, en fast beklædning, der opstår ved 30 foreningen af mindst to reaktionskomponenter i gasfase, bestående af de i krav's 1 indledning nævnte bestanddele, og en sådan anordning er ejendommelig ved det i krav l's kendetegnende del anførte.

En sådan anordning tillader en yderligere bemærkelsesværdig

DK 161808 B

10 reduktion af turbulensen for de gasarter, som forlader udmundingerne, at man forbedrer deres gensidige indtræng- ! ningsevne gennem diffusion, og at man yderligere regulerer reaktionshastigheden. Som resultat heraf opnås en 5 forbedring af regelmæssigheden i beklædningens transparens.

På de vedlagte tegninger er som eksempler og yderst skematisk vist en udførelsesform for anordningen ifølge den. foreliggende opfindelse: 10 På fig. 1 er vist en oversigtstegning.

På fig. 2 er vist en deltegning i perspektiv med et lodret snit og i meget stor målestok af et element af anordningen, som vist på fig. 1.

På fig. 3 er vist i forstørrelse og skematisk en detalje 15 fra elementet på fig. 2.

På fig. 4 er vist en skematisk gengivelse af en udførelsesform af anordningen vist på fig. 1, hvor alene den ene af de sidestillede udmundinger er forbundet med en af kilderne til reaktionskomponenter, medens den anden sidestillede ud-20 munding er forbundet ved hjælp af et tredje fordelingssystem med kilden til bæregassen.

Den på fig. 1 viste anordning er beregnet til at deponere ved hjælp af den teknik, der betegnes som C.V.D., og på et substrat, der i dette tilfælde er en glasfolie V, der 25 er bragt op på en høj temperatur, et lag af tinoxid SnC>2, idet man anvender følgende kemiske omsætning:

SnCl4 + 2H20 -> Sn02 + 4HC1 f

Til opnåelse heraf består denne anordning først og fremmest af en serie valser 1, hvorpå placeres og forskydes i retnin-30 gen F folien V, idet disse valser drives i rotation i retningen mod uret af en (ikke vist) elektrisk motor, og idet

DK 161808 B

11 de naturligvis har en længde, som passer til bredden af den glas-folie, der skal understøttes. Rotationshastigheden for valserne 1 vælges således, at forskydningen af folien V gennemføres med en lineær hastighed på nogle me-5 ter i minuttet, afhængigt af omstændighederne, i størrelsesordenen 1 til 20.

Ovenover dette system af valser 1 udviser den aftegnede anordning en dyse 2, hvis strukturelle profil i princippet er vist på figurerne 2 og 3, som skal omtales nærmere 10 senere. Denne dyse består af tre adskilte udmundinger henholdsvis 3, 4 og 5, der strækker sig i længderetningen i en retning parallelt med de ovenfor beskrevne valser 1 og over en længde svarende til bredden af glas-folien V. Sådanne udmundinger kunne således i sig selv udvise en 15 længde på adskillige meter. Som det fremgår af tegningerne, er udmundingerne 3, 4 og 5 dannet ved samling af lange profiler 6a og 6b, 7a og 7b, der i sig selv er fastgjort med et hvilket som helst passende middel til to profilpar 9a og 9b, henholdsvis 10a og 10b, som mellem sig begrænser 20 passagerne 11, 12 og 13, der henholdsvis er i forbindelse med udmundingerne 3, 4 og 5.

Retningerne for sidevæggene 3a og 3b, 4a og 4b, 5a og 5b af de tilsvarende udmundinger 3-5 konvergerer mod en fælles, fiktiv linie ud over den nederste del af profilen 7b, 25 men dog inden for den egentlige udmundingszone af dysen 2.

De udgangsåbninger for udmundingerne 3, 4, 5, der forefindes i form af tre lange spalter, der strækker sig over hele profilens længde, har en bredde på nogle tiendedele millimeter, for eksempel 1/10 eller 8/10.

30 Bredden af den nedre overflade af profilerne 6a og 6b er fortrinsvis mellem 10 og 20 gange den samlede bredde af udgangsspalterne fra udmundingerne 3-5.

Denne nedre overflade af profilerne 6a og 6b er fortrins-

DK 161808 B

12 vis, men dog ikke udelukkende beklædt med et lag af et metal, der er kemisk inert,eller af en legering af sådanne metaller eller af metaloxider. Metallet kan for eksempel være guld eller platin. Oxiderne kan være valgt blandt 5 Sn02, Si02 eller A^O^.

De sædvanlige metaller og legeringer, såsom stål eller messing, udviser i nærvær af visse komponenter bæregassen, især hydrogen, katalytiske egenskaber, som er tilbøjelige til at genere kontrollen med.den ønskede omsæt-10 ning til opnåelse af en aflejring af Sn02, som udviser de ønskede mekaniske, fysiske og optiske egenskaber.

Det system af profiler, som udgør dysen· 2-, er naturligvis i hver sin ende i sideretningen dækket med en tætningsplade, som ikke er vist på tegningen, og som er monteret 15 således, at det sikrer fuldstændig tæthed, hvorved dannes udmundingerne 3, 4 og 5 samt passagerne 11, 12 og 13, som er tæt tillukket i sideretningen. Kanalerne 14a, b, c og d, der er anbragt i profilerne 10a, 10b, 6a, 6b over hele disses længder, tillader at etablere en væskecirkulation, « t: 20 f.eks. en oliecirkulation, der er beregnet på at holde dysen 2 ved en optimal funktionstemperatur (i størrelsesorden 100 - 160°C).

En anden plade 15 dækker den øverste overflade af dysen 2 over hele dens udstrækning og med tæthed, hvorved der for-25 hindres enhver forbindelse mellem passagerne 11, 12 og 13.

Det skal fremhæves, at den almene profil og finhedstilstanden for overfladen af de vægge, som afgrænser såvel udmundingerne 3-5 som passagerne 11-13 (fig. 2), såvel som tværsnittene af disse er af en sådan art, at udstrømninger-30 ne ved udgangen fra udmundingerne er laminære ved gashastigheder i størrelsesordenen 3-6 1/h pr. cm længde af dysen.

DK 161808 B

13

Den afbildede anordning indeholder to opsugningsrender 16 og 17 (fig. 1 og 2), der flankerer dysen 2 og strækker sig over hele dennes længde, og som har kvadratisk tværsnit eller en hvilken som helst anden form, og som 5 befinder sig på begge sider af de tidligere beskrevne profiler 6a og 6b og stort set på niveau med disse.

Disse render udviser hver afhængig af udførelsesformen en eller to langsgående åbninger 16a og 16b for renden 16, henholdsvis 17a og 17b for renden 17. Disse render 10 er gennem et system af ledninger 18 forbundet med indgangen til en sugepumpe 19, der ved sin udgang udmunder i bunden af et vasketårn 20 fyldt med refraktions-materiale (Raschig-ringe).

Den på fig. 1 viste anordning indeholder yderligere to 15 termostaterede gennemboblings-beholdere, 21 og 22, som indeholder for den førstes vedkommende stannichlorid, SnCl^, i flydende tilstand og for den andens vedkommende vand, to strømningsmålere 23 og 24, der hver har en hastighedsreguleringsventil 23a og 24a, og som tilføres en blanding 20 af nitrogen og hydrogen i et forhold, der for eksempel kan være valgt 60/40, og to ventiler 25 og 26, som er anbragt på de rørføringer 27 og 28, der forbinder hastighedsmålerne med de ovenfor beskrevne gennemboblings-beholdere. To ledninger 29 og 30 forbinder udgangen af behol-25 derne henholdsvis 21 og 22 med passagen 11 og passagerne 12 og 13 i dysen 2, dvs. med udmundingen 3 i denne dyse for ledningen 29's vedkommende og med udmundingerne 5 og 4 for ledningen 30's vedkommende.

Ledningerne 29 og 30 går igennem et rum , der skematisk 30 er vist ved en stiplet linie, og som indeholder en opvarmningsvæske, f.eks. olie, der holdes ved en konstant temperatur på ca. 100 - 130°C i overensstemmelse med reguleringen af arbejdsbetingelserne på hvilken som helst passende måde.

DK 161808 B

14 ' '

Som det især fremgår af fig. 3, er afbøjningsoverfladen 51 af den profil 6b, der strækker sig til den side, der er ovenfor dysen i forhold til den relative forskydning mellem dysen og substratet V, parallelt med dette, og den 5 kant, som den danner med en spids vinkel 53 med den ydre, forlængede væg 5b af den tredje udmunding 5 er forskudt transversalt i retning fremefter i forhold til middelak-seplanet for dysen. Omvendt er den afbøjningsoverflade 52 af profilen 6a, som dannes med den tilsvarende længde- 10 afgrænsning 4b af den anden udmunding forsynet med en af- j rundet vinkel 54. Som resultat af dette arrangement er den effektive åbning af dysen, som befinder sig efter punktet for sammenblanding af gasarterne og mellem kanterne 53 og 54 knædrejet, og de gasarter, der udistrømmer der-15 fra, afbøjes regulært i samme retning som forskydningen af glasfolien V og stort set parallelt med denne. De således afbøjede gasarter rammer det substrat, der skal beklædes, i med mere forsigtighed, end det er tilfældet med den ovenfor nævnte reference-konstruktion, og den grad af turbu-20 lens, der resulterer derfra, formindskes, hvilket bidrager til at reducere mangelen på gennemsigtighed af beklædningen, således som det undertiden finder sted med den ældre anordning. Det skal bemærkes, at den anden afbøjnings-overflade 52 kan være anbragt i vinkel i forhold til sub-25 stratet i forskydnings retningen., af dette, hvilken placering har den virkning, at det accelerere de gasarter, der kommer fra dysen.

Det skal yderligere bemærkes, at gassens udstrømning ligeledes reguleres gennem tilstedeværelsen af et porøst mate-30 riale 55 (f.eks. carbonfibre eller teflonfibre) i tilgangsrørene 11, 12 og 13.

Den ovenfor beskrevne anordning tillader at beklæde for eksempel en glasplade med et lag af tinoxid med en tykkelse i størrelsesordenen 0,5 μια, som på én gang udviser en 35 transparens, en temmelig kraftig elektrisk ledningsevne,

DK 161808 B

15 en bemærkelsesværdig vedhængningskraft til glasset samt høj modstandsdygtighed over for mekaniske påvirkninger over for syre.

En eksperimentel anordning af denne type forsynet med en 5 dyse med længden 20 cm, og hvori åbningerne af udmundingerne 3, 4 og 5 henholdsvis havde en bredde på 0,2, 0,1 og 0,1 mm, gjorde det muligt at behandle en glasplade af 20 cm's bredde og 4 mm tykkelse opvarmet til ca. 600°C og bevæget i retningen F (fig. 1 og 2) med en hastighed på 10 1/2 m/min. Afstanden, der adskilte den nedre overflade af dysen og glassets overflade, var 3 mm. Væksthastigheden for aflejringen var ca. 0,3 ym/sekunder.

Man anvendte beholdere 21 og 22 med en kapacitet på ca.

200 - 300 ml flydende SnCl^ for beholderen 21 og for I^O 15 for beholderen 22. Disse beholdere blev opvarmet til sådanne temperaturer, at man opnår for en bæregashastighed N2/H2 på 60 1/h for beholderen 21 henholdsvis og på 120 1/h for beholderen 22, idet sådanne hastigheder blev reguleret ved indvirkning på ventilerne 23a og 24a, en hastig-20 hed af fortyndet reaktionskomponent i ovennævnte gasblanding på 2 mol/h tinchlorid, SnCl^, og på 1 mol/h H20. Man holdt derudover dysens temperatur på ca. 120°C gennem gennemstrømning med olie af kanalerne 14a, b, c og d i dysen. 1 2 3 4 5 6

Under hensyntagen til den til udmundingerne 3, 4 og 5 af 2 dysen 2 givne profil og især til den kendsgerning, at de 3 konvergerer gennem deres sidevægge mod en fælles fiktiv 4 linie, kommer de gasformige udstrømninger, der kommer fra 5 disse tilførselsorganer, en udstrømning af SnCl^ for ud- 6 mundingen 3 og af vanddamp for udmundingerne 4 og 5, og som er laminaere, i fælles kontakt først ved at udsprede sig tangentielt og dernæst stedse mere direkte, efterhånden som man nærmer sig det substrat, der skal belægges.

Den samlede udstrømning af disse tre gasformige strømme

DK 161808 B

16 bliver naturligvis desto mere turbulentet som den indbyrdes sammenblanding af disse strømme gennemføres totalt, og det er derfor, at man takket være placeringen af afbøjningsoverfladerne 51 og 52 kan forsinke denne sammenblanding, og 5 den kan foregå under mildere betingelser på overfladen af glasset V, der som omtalt er opvarmet til ca. 600°C, således at sammenblandingsreaktionen

SnCI4 + 2H20 -» Sn02 + 4HC1 f foregår på glasset. Man skal på dette punkt gøre opmærksom 10 på, at man kan yderligere foretage andre særlige forholdsregler for at mildne på reaktionsbetingelserne og undgå, at der ikke i visse tilfælde dannes store mængder tinoxid (Sn02) samt hydrater af typen Sn02, nH20 ved udgangen af udmundingerne 3 - 5 på dysen 2, hvorudfra man ville risike-15 re delvis eller fuldstændig tilpropning af hele eller en del af udmundingerne med aflejring af disse tinoxider på glasset i form af et hvidt slør og ikke i form af det transparente, haivledende lag, der ønskes.

Til opnåelse heraf kan man sætte til de to gasformige ud-20 strømninger af SnCl^ og af vanddamp et reduktionsmiddel.

‘ Dette"middel udgøres af det hydrogen, som er indbefattet i bæregassen. Hydrogen er en gasart, der ikke omsætter sig hverken med SnCl^ eller med H20. Den er således anvendelig som inert bæregas. 1 2 3 4 5 6

Kombinerings-reaktionen mellem SnCl^ og H20 gennemføres 2 ikke alene i den centrale zone i dysen 2, dvs. tæt ved den 3 del af denne dyse, hvori udmundingerne 3, 4 og 5 åbner sig.

4 I realiteten finder denne reaktion sted, når pumpen 19 fun 5 gerer på en sådan måde, at der ved hjælp af kanalerne 16 og 6 17, der er anbragt på begge sider af dysen,dannes et under tryk ved de yderste henholdsvis højre og venstre dele, som ses på tegningen, af det rum, der befinder sig mellem glaspladen V og den nedre overflade af dysens profiler 6a og 6b.

DK 161808 B

17 På denne måde dannes i dette rum en gasformig udstrømning, der strækker sig fra den centrale del af dette rum henimod de allerede omtalte kanaler 16 og 17. Denne udstrømning indeholder overalt en del SnCl^ og H^O i dispersion i bæ-5 regassen, som endnu ikke har omsat sig, endvidere de allerede dannede dampe af HC1, såvel som en vis mængde .bæregas berøvet for de reaktionskomponenter, der allerede har omsat sig. Omsætningen mellem Sn02 og-H20 kan således fortsætte med de resterende reaktionsdygtige gasarter 10 over en vis længde af rummet på begge sider af konvergenslinien for udmundingerne. På grund af den afvejning, som påtvinges gassen i fremadskridende retning, modtager kanalen 16 mere forbrændingsgas end kanal 17.

Den udsugningsstyrke, som gennemføres ved hjælp af kana-15 lerne 16 og 17, vælges således, at de fra dysen 2 udstrømmende reaktionsdygtige gasarter kun eksisterer i dette rum i det tidsforløb, som er strengt nødvendigt til opnåelse af en aflejring af Sn02 på glasset, en aflejring, der foreligger i form af et transparent lag og ikke i form af en vækst 20 af Sn02 i pulverform. Udsugningen bør naturligvis heller ikke være alt for kraftig, eftersom på den anden side de fra dysen udstrømmende reaktionsdygtige gasarter ikke ville have tid til at nå frem til glasoverfladen. Udsugnings-intensiteten er således bestemmende for kvaliteten og vækst-25 hastigheden af det omtalte lag. Det skal yderligere bemærkes , at man på grund af denne afsugning på en vis måde isolerer fra den omgivne atmosfære det rum, der befinder sig mellem dysen og glaspladen, et rum, hvori den ønskede omsætning finder sted, og man forhindrer på den ene side enhver 30 eventuel indtrængning i dette rum af yderligere fugtighed, som ville være tilbøjelig til at influere på kombineringsreaktionen, og på den anden side ethvert udslip mod samme omgivende atmosfære af skadelige dampe, for eksempel af HC1, eller af hydrogen, idet den omgivende luft har en ten-35 dens til at strømme mod spalterne 16a og 16b, henholdsvis 17a og 17b, idet den passerer mellem henholdsvis kanalen 16 og kanalen 17, glaspladen V samt dysen 2.

DK 161808 B

18

De ved hjælp af pumpen 19 afsugede gasarter føres som beskrevet henimod vasketårnet 20, således at de tilbageblevne flygtige syrer undergår en perkulering og en medrivning med vand/ idet den derved opståede syreopløsning frasepare-5 res den vaskede gas og udtømmes igennem ledningen 20a.

Ved de ovenfor beskrevne reaktionsbetingelser var reaktionsudbyttet på ca. 60%. Glasset blev beklædt på hele sin overflade med et lag af SnC^, som havde en tykkelse på 0,5 ym, en transparens på 80 - 90% afhængig af de udtagne prøver, 10 og en middelmodstandsdygtighed på = 100Ω

Det således opnåede lag af SnC^ har derudover vist sig at have en særlig stor hårdhed, som er større end hårdheden af det glas, på hvilket det blev aflejret. Dets modstandsdygtighed var således meget betydelig, såvel over for meka-15 niske påvirkninger af den kraftigste art, f.eks. slampåvirkninger, som over for angreb af syre. Dette glas er især blevet underkastet en behandling til dannelse af kugleform med en krumningsradius på 15 cm efter at være blevet bragt på på en temperatur mellem 600 og 700°C uden nogen som helst for-20 ringelse af beklædningen SnC^· Det har ligeledes været muligt at hærde under for normal glas sædvanlige betingelser.

Det skal endelig bemærkes, at en glasplade, som var blevet beklædt med et lag af SnO^ under de ovenfor beskrevne betingelser og forhold, kan skæres med en diamant, idet man an-25 griber såvel forsiden som bagsiden af glaspladen, uden afskalning af laget.

I det følgende skal beskrives en variant af anordningen vist på fig. 1, en variant, der især er beregnet til industrielle anvendelser. Denne variant er skematisk illustre-30 ret på fig. 4, på hvilken man har anvendt de samme referencenumre som fig. 1, når de pågældende elementer er fælles for de to figurer.

Anordningen vist på fig. 4 omfatter ud over dysen 2, der er

DK 161808 B

19 beregnet til at udsprøjte reaktionskomponenterne på glaspladen V som allerede beskrevet i forbindelse med fig. 1 samt et afsugningssystem 16, 17 for forbrændingsgasserne, et første forsyningssystem til SnCl^, som be-5 står af en forrådsbeholder 21 for stannichlorid, en fordamper 101, der er opvarmet til 120 - 150°C, samt en doseringspumpe 102, som tillader, at der tilføres en kalibreret mængde af SnCl4. Fordamperen 101 er ligeledes omskyllet af en bæregasstrøm eller en blanding 10 med en hastighed reguleret ved hjælp af ventilerne 103 og 104 og målt ved rotationsmåleapparatet 105. En gasflaske med HF 106 tillader i øvrigt at tilspæde SnCl^ med fluor ved hjælp af en ventil 107. Dette første tilførelsessytem er forbundet ved hjælp af ledningen 29 med den 15 centrale udmunding 3.

Anordningen omfatter ligeledes et andet forsyningssystem, der denne gang drejer sig om vand, og som er forbundet med ledningen 30 til udmundingen 4, og som består af en vandforrådsbeholder 22, en fordampet 111, en pumpe 112, venti-20 lerne 113 og 114 samt en strømningsmåler 115.

Anordningen indeholder endelig et tredje forsyningssystem, alene for bæregas, som består af ventilerne 123 og 124, strømningsmåleren 125 og tilførelsesrørsystemet 126, som er forbundet med udmundingen 5. De resterende elementer af 25 denne variant af anordningen, hvad enten de er vist på tegningen eller ikke, er analoge med dem, der allerede er omtalt i forbindelse med figurerne 1-3.

Den foreliggende variantfunktion er med få undtagelser den samme som den ovenfor beskrevne anordnings; men den udvi-30 ser en højere grad af alsidighed, og den egner sig bedre til industrielle anvendelser på grund af muligheden for uafhængig regulering af hastighederne af reaktionskomponenterne (ved hjælp af pumperne 102 og 112) samt hastighederne for bæregasarterne. Tilførselen af bæregas alene igennem 35 udmundingen 5 tillader samtidig forbedring af reaktionens j

DK 161808 B

20 j regelmæssighed. j

Med den ovenfor beskrevne anordning behandlede man et bånd af glas fra den såkaldte "float"-proces på 3 meters bredde, som bevægede sig med 11,5 m/min. i den zone, der befandt 5 sig mellem udgangen fra badet af smeltet Sn og indgangen j til varmebehandlingsovnen. Anordningen bestod af et system af fem dyser svarende til dysen 2 med 1 meters spænd- ! vidde og anbragt i serie og forskudt på en sådan måde, at de dækkede hele glassets overflade. Udmundingerne blev for-10 synet på følgende måde: 3

Udmunding 3: SnCl4 samlet mængde: 1,44 Nm /h; bæregas (N2/H2, 60/40): 1,06 Nm3/h.

o

Udmunding 4: H20 (5% HF) samlet mængde: 0,92 Nm /h: bæregas (N2/H2): 1,58 Nm3/h.

15 Udmunding 5: Bæregas (N2/H2): 2,5 Nm3/h.

3

Den samlede strømningsmængde var således 0,5 Nm /h/udmun-ding; vidden af spalten i disse var 0,4 mm. Under dé ovenfor nævnte betingelser opnåede man en beklædning af SnC^ på 0,14 m med modstanden = 90Ω og med 90% transparens i 20 det synlige område.

Den anordning, som er blevet beskrevet under henvisning til figurerne 1-3, kan ligeledes anvendes til aflejring af gennem C.V.D. et lag af TiC^ på en glasplade. Det er med henblik herpå tilstrækkeligt at erstatte i gennemboblingsfor-25 rådsbeholderen 21 tinchloridet SnCl4 med titanchlorid TiCl^.

Man vil ligeledes kunne anvende en bæregas, der udelukkende består af nitrogen.

Den reaktion, der finder sted ved udgangen af dysen 2, vil være følgende: 30 TiCl4 + 2H20 —> Ti02 + 4HC1 f 21

DK 161803 B

I det pågældende tilfælde blev en glasplade med 20 cm's bredde og 4 mm's tykkelse, som var opvarmet til en temperatur på 600°C, ført i længderetningen med en hastighed på 1,2 m/min. foran dysen 2 i en afstand på 3 mm fra den-5 ne. Man regulerede ved indvirkning på ventilerne 23a og 24a hastigheden af bæregassen til 60 1/h for hastighedsmåleren 23, samt til 120 1/h for hastighedsmåleren 24. Forrådsbeholderne 21 og 22 blev i øvrigt opvarmet, således at tilførselshastigheden for reaktionskomponenterne 10 var 0,2 mol/h for TiCl^ og 0,01 mol/h for H2<0.

Man opnåede et lag af Ti02 med tykkelsen 0,01 ym, som udviste en transparens over for synligt lys på ca. 75% og en refleksionsevne over for dette samme synlige lys større end refleksionen for det glas, som understøttede aflejrin-15 gen. Den mekaniske modstandsdygtighed var sammenlignelig med modstandsdygtigheden af en aflejring af Sn02, der var opnået som ovenfor beskrevet.

I almindelighed kan modstandsdygtigheden, refleksionsevnen og transparensen af lag af Sn02 på glas med en tykkelse stør-20 re end 0,5 m forbedres i meget betydelige omfang, dersom disse lag har tilsætning af fluor. Til opnåelse heraf anvender man fortrinsvis den beskrevne anordning under henvisning til fig. 1, som for yderligere udbygning med en flaske 41 indeholdende gasformig HF, samt med en ledning 25 42, der forbinder denne flaske med ledningen 30, hvilket er i stiplet linie på tegningen.

Man overdækkede et glas med 4 mm tykkelse, som var bragt til en temperatur på ca. 600°C, med et lag på 0,75 ym Sn02 og forsynede med fluor ved passage foran dysen med en ha-30 stighed på 1,2 m/min. og i en afstand på ca. 3 mm fra dysen. Hastighederne for bæregassen (en blanding af N2 40% H2) var 60 1/h for SnCl^ og for vanddampen. Tilførselsmængden af HF var 0,1 1/min.

DK 161808 B

22

Aflejringen af Sn02 forsynet med fluor har vist sig at være særlig gunstig. Dens elektriske modstandsdygtighed var = 6Ω, dens refleks ions evne for synligt lys var større end den tilsvarende for det glas/ som understøttede af-5 lejringen, og dens refleksionsevne over for infrarødt lys har vist sig at være særdeles høj, i størrelsesordenen 75%. Derudover var dens transparens over for synligt lys 85%. Ligeledes var dens karakteristika for mekanisk modstandsdygtighed meget høj. Man underkastede glasset beklædt med 10 Sn02 forsynet med fluor en varme-hærdningsbehandling, som var identisk med den, som man traditionelt underkaster visse køretøjs-vinduer, for eksempel sidevinduerne i motorkøretøjer. Det har ligeledes været muligt at omdanne til bobleform en sådan plade i varm tilstand (temperatur ca.

15 650°C) med kurvningsradius 15 cm uden modifikation af ka rakteristika for aflejringen af det med fluor forsynede Sn02· En glasplade, som var beklædt på ovenfor beskrevne måde, har yderligere kunnet bearbejdes på traditionel måde (skæring, slibning etc.), uden at aflejringen blev beska-20 diget. Laget af Sn02, der var forsynet med F, udviste en hårdhed større end hårdheden af det glas, der understøttede det, og det kunne ikke kradses. Derudover viste dets kemiske modstandsdygtighed over for syre og dets modstandsdygtighed over for slag sig at være særligt gode.

25 Man kan ligeledes forsyne det aflejrede Sn02 med antimo-nium. For at opnå dette vil man enten kunne blande SbCl^ med SnCl4 i gennemboblingsbeholderen 21, eller man kan forbinde en yderligere gennemboblingsforrådsbeholder indeholdende SnCl3 med tilgangskanalen 29 til den centrale udmun-30 ding 3 i dysen 2.

Det skal her bemærkes, at et lag af SnC>2, der er forsynet med fluor eller med antimonium, og som er aflejret på en glasplade under de ovenfor beskrevne betingelser, kan dækked sølv eller med en sølvmaling aflejret ved 600°C, for 35 eksempel med henblik på dannelsen af elektriske kontakter.

DK 161808 B

23

En sådan sølvaflejring hæfter særdeles godt til overfladen af aflejringen af Sn02.

Anvendelsen af glasplader af alle mulige dimensioner, som er overtrukket med et lag af Sn02, hvad enten det er til-5 sat antimonium eller fluor, kan varieres, afhængigt af de ønskede egenskaber af fysisk art, især af elektrisk art.

Skønt et lag af Sn02, hvortil der ikke er tilsat noget, udviser en forholdsvis høj modstand, dersom man sammenlig-10 ner det med modstanden af tilsvarende lag, forsynet med antimonium eller med fluor, kan en glasplade, der er dækket med et sådant lag, for eksempel anvendes til at udgøre vinduesruder eller dørruder i boliger, skibe eller i tog under henvisning til den gode transparens over for synligt lys og 15 ' den forholdsvis betydelige refleksionsevne over for infra rødt lys.

Denne isoleringsevne er naturligvis større, når det drejer sig om et glas, der er dækket med Sn02 forsynet med antimonium, eller om et glas, der er dækket med SnC>2, der er 20 forsynet med fluor. Eftersom modstandsevnen for sådanne lag er forholdsvis reduceret for et lag af Sn02, der er forsynet med antimonium, og særdeles reduceret for et lag, der er forsynet med fluor, er det derudover muligt at anvende glas, som er dækket med Sn02, der er forsy-25 net med et andet stof, til opvarmelige ruder, for eksempel bagruderne i køretøjer.

Man har iøvrigt kunnet iagttage, at en glasplade forsynet med en aflejring af Sn02, som ikke havde nogen tilsætning, eller som havde tilsætning af antimonium eller af fluor, 30 og som blev anbragt i en atmosfære med meget høj fugtighed, ikke blev dækket med et ensartet lag af snavs, men fortrinsvis med et antal små dråber, hvilket i meget mindre udstrækning ændrede synligheds-kapaciteten gennem selve aflejringen og glaspladen.

DK 161808 B ; 24 ! i

Denne egenskab er naturligvis særlig fordelagtig, når det drejer sig om glasplader, beregnet til at udgøre vinduesruder, især vinduesruder for køretøjer og her især vindspejle og bagruder på automobiler, busser eller last- j 5 vogne. . j

Det skal endelig bemærkes, at som omtalt i forbindelse ! med fremgangsmåden og de anordninger, der er beskrevet i under henvisning til figurerne 1 , 2 og 3 i de vedføjede tegninger, kan anvendelsen af nitrogen som middel til 10 at kontrollere kombinerings-reaktionen mellem SnCl^og H^O ligeledes finde sted med de samme formål og med de samme fordele, dersom en sådan reaktion blev opnået ved at tage i anvendelse fremgangsmåder og anordninger af anden art, inden for teknikken betegnet som C.V.D., således som de 15 er omtalt af H. Koch i ovenfor citerede artikel eller i j DE-OS nr. 2 123 274.

Det efterfølgende eksempel belyser opfindelsen i detaljer.

Man anvendte en anordning, således som den er vist på fig.

1, med en dyse, således som den er vist på fig. 3, og man 20 arbejdede under følgende reaktionsbetingelser:

Reaktionstemperaturen af

substratet ....................... 590°C

Trykket under reaktionen ......... atmosfæretryk

Hastighed af vanddamp (ledning 30) 10 mol ^O/h 25 s 250 1/h vanddamp

Koncentration af HF i H20 ........ 2/98 (volumen/volumen)

Sammensætning af bæregas ......... H2^N2 ^0/60 (volumen/volumen)

Hastighed af gassen fra beholderen 21 (SnCl4) ....................... 370 liter /h

30 Temperatur i beholderen 21 ....... 120°C

Hastighed af SnCl4 .............. . 10 mol/h

Forbipasseringshastigheden af glasset V ........................ 1,2 m/min.

Udsugningshastigheden for reakti-35 onsgasarterne .................... 1500 1/h

Hastighed af bæregassen .......... 500 liter/h

DK 161808 B

25 På denne måde opnåede man en aflejring med følgende karakteristika: Tykkelse 0,6 μπι; modstand R = 20Ω;

C

transparens 80%.

Dersom man i ovenfor beskrevne eksempel erstatter dysen 5 med en bøjet udstrømning med en dyse i overensstemmelse med beskrivelsen i britisk patentansøgning nr. 2 044 137, dvs. med en udstrømning, der er vinkelret på substratet, opnår man tilsvarende resultater, idet man dog undertiden iagttager spor af sløringer i aflejringerne af SnC^· 10

Claims (3)

1. Apparat til kontinuert aflejring af et fast lag, som 5 er dannet ved forening af mindst to reaktionskomponenter i gasfase på overfladen af et substrat, der er opvarmet til en høj temperatur, hvilket apparat omfatter en dyse (2) med tre udmundinger (3, 4, 5), som er retliniede og tilgrænsende hinanden, og som konvergerer mod en fælles 10 fiktiv linie, og er bestemt til at udsprøjte reaktanterne adskilt i retningen mod substratet (V), hvorved udmundingerne i dysen udmunder mellem to afbøjningsoverflader (51, 52), som sammen med substratet afgrænser kanaler, gennem hvilke gassen hidrørende fra reaktionen strømmer, 15 hvorved anordninger (16, 17) til fjernelse af denne gas j er placerede ved kanalernes ender modsat dysen, og orga- j ner (1), som forskyder substratet frem foran dysen på en sådan måde, at den omtalte fiktive linie bliver liggende i substra-^ets overfladeplan, kendetegnet ved, 20 at afbøjningsoverfladen (51), som strækker sig opstrøms fra dysen i forhold til substratets forskydningsretning (F) er parallel med substratets overflade, medens den anden afbøjningsoverflade (52) hælder i forhold til dette plan, nedstrøms fra dysen således, at kanalen, som be-25 grænses af denne overflade ved sit indløb udviser en højde, der er tilstrækkelig større end højden ved indløbet til kanalen på den anden afbøjningsoverflade (51.) til at gasstrømmen overvejende finder sted i underlagets forskydningsretning (F) nedstrøms i apparaturet. 30

2. Apparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at kanten (54) på den nedstrøms liggende afbøjningsoverflade (52), som afgrænser indløbet af kanalen nedstrøms gasstrømmen, udviser en afrundet profil. 35

3. Apparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at hældningen af afbøjningsoverfladen (52) nedstrøms i det DK 161808 B 27 væsentlige er 7 %, at de to afbøjningsoverflader (51, 52) strækker sig fra den ene side til den side af dysen over en længde, hvis værdi svarer til mellem 10 og 20 gange størrelsen af spalterne, der udgør udstrømningsåbningerne 5 af hver udmunding, og at forholdet mellem på den ene side afstanden, der adskiller omtalte fiktive linie og udstrømningsåbningen af hver udmunding, og på den anden side størrelsen af hver af de nævnte spalter ligger mellem 4 og 30. 10 15 20 25 1 35