IT8224840A1 - Installazione per applicare in continuo, sulla superficie di un substrato portato ad alta temperatura, uno strato di una sostanza solida - Google Patents

Installazione per applicare in continuo, sulla superficie di un substrato portato ad alta temperatura, uno strato di una sostanza solida Download PDF

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IT8224840A1 IT1982A24840A IT2484082A IT8224840A1 IT 8224840 A1 IT8224840 A1 IT 8224840A1 IT 1982A24840 A IT1982A24840 A IT 1982A24840A IT 2484082 A IT2484082 A IT 2484082A IT 8224840 A1 IT8224840 A1 IT 8224840A1
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Description

D E S C R I Z I O N E
dell'invenzione industriale avente per titolo:
"Installazione per applicare in continuo, sulla superficie di un substrato portato ad alta temperatura, uno strato di una sostanza solida"
RIASSUNTO
L'installazione comprende un ugello (2) a tre condotti (3,4,5) convergenti che proiettano i reattivi (SnCl4 e H2O) in fase gassosa sul substrato da rivestire. Da una parte e dall'altra dell'ugello (2) si estendono degli organi deflettori (6a, 6b) destinati a canalizzare i gas fra questi ultimi e il substrato. La superficie (5l) dell'organo deflettore (6b) che si estende in senso contrario a quello di spostamento del substrato rispetto all'ugello ? parallela al substrato e lo spigolo ad angolo acuto (53) ch'essa forma con la-parete esterna (5b) prolungata del terzo condotto (5) ? spostato trasversalmente nel senso del detto spostamento rispetto al piano mediano assia le del condotto (3)? Viceversa, la superficie (52) del secondo organo deflettore (5a) forma un angolo arrotondato (54) col bor do longitudinale corrispondente (4b) del secondo condotto. La apertura dell'ugello fra gli spigoli (53? 54) ? quindi in realt? piegata a ginocchio e i gas che ne escono sono deviati regolarmente nella direzione di spostamento del substrato (fig. 2).
D E S C R I Z I O N E
.Sono gi? stati proposti diversi procedimenti e dispositivi destinati a ricoprire un substrato, per esempio una lastra di vetro, con uno strato di un materiale semi-condutt?re, per esem pio ossido di stagno, strato che deve presentare al tempo stesso una trasparenza abbastanza simile a quella del substrato, una resistivit? elettrica relativamente ridotta e una resistenza mee conica elevata.
Fra altri procedimenti, si ? cos? tentato in particolare di far uso, a questo scopo,della tecnica nota con la denominazione, inglese di Chemical Vapor Deposition o C.V.D. Sono particolarmente noti, dall'articolo di H. Koch "Elektrische Untersuchungen an Zinndioxydschichten" (Vedi Phys. Stat. 1963? voi. 3? pagg. 1059 e seguenti), un procedimento e un dispositivo per depositare uno strato sottile di SnO su una lastrina di vetro median te reazione di SnCl4 e di HO portati sotto forma diluita in un gas portante, eventualmente aria, in contatto reciproco con la superficie della lastrina di vetro previamente scaldata a una temperatura dell 'ordine di 200 a 400?C. Questi due reattivi gassosi vengono proiettati sul vetro mediante un ugello con 'due condotti coassiali, dei quali il condotto centrale riceve la diluizione gassosa di SnCl4 mentre il condotto esterno ? ali -mentato dalla diluizione gassosa di HO.
Sono anche stati proposti un procedimento e un dispositivo . .molto simili ai precedenti, soprattutto nel DOS 2.123*274, i ?quali permettono, in pi?, di ottenere un "drogaggio" con anti-.monio dello strato di SnO depositato su un substrato, anche qui eventualmente una lastrina di vetro, allo scopo di ridurre .la resistivit? elettrica di questo strato. A questo scopo si ? particolarmente fatto uso, inoltre, di SbCl3 sotto forma diluita in un gas portante, in questo caso azoto, che viene portato in presenza di SnCl.4 e di HO sopra al substrato mediante un ugello a tre condotti coassiali, ciascuno dei quali riceve uno dei componenti di cui sopra. La reazione.di combinazione si realizza cos? in vicinanza del substrato e ad una certa distanza dai tre condotti dell'ugello.
In entrambi i casi di cui sopra, si tratta di procedimenti e dispositivi destinati esclusivamente a ricoprire con uno strato di SnO^, "drogato" o no, delle piastrine di dimensione relativamente ridotta, sulle quali tale copertura ? effettuata mediante spostamento laterale relativo dell'ugello e delle lastrine. Il deposito ottenuto si presenta quindi sotto forma di un nastro di ossido'di stagno con caratteristiche di trasparenza abbastanza disuguale sull'intera lunghezza del nastro. Difatti, la miscela di reattivi che esce da un ugello del genere descritto non ? perfettamente omogenea cosicch? il deposito ottenuto presenta zone di spessore e composizione variabili sotto forma di striature parallele all'asse del movimento relativo di cui sono .stati oggetto l'ugello e il substrato.
Si deve a questo punto notare che, se i procedimenti e dispositivi descritti sono, nonostante tutto, ancora accettabili se si tratta di ricoprire substrati di dimensioni relativamente ridotte, essi risultano praticamente inutilizzabili se si tratta di uno sfruttamento industriale importante, che interessa la copertura di substrati particolarmente estesi, per esempio nel caso di nastri di vetro praticamente senza fine, larghi fino a diversi metri, quali si ottengono ad esempio nel processo detto di "Float".
Difatti, se per tale applicazione si volesse far uso dei procedimenti e dei dispositivi citati, si dovrebbe o disporre affiancati, sull'intera larghezza del nastro di vetro, una molteplicit? di ugelli del tipo descritto,-e si pu? immaginare la complessit? dell'installazione che ne risulterebbe-,oppure far uso di un numero limitato di ugelli che un meccanismo dovrebbe trascinare sopra al nastro, in un moto alternativo, molto rapido, trasversale all'asse di svolgimento di quest'ultimo, per as sicurare la copertura del complesso della superficie di tale nastro. E* evidente che nessuna di queste soluzioni permetterebbe di ottenere un rivestimento di SnO2 sufficientemente omogeneo da offrire al tempo stesso la alta conduttivit? elettrica, la .trasparenza e l'aspetto generale di buona qualit? desiderati per il prodotto finito. Trattandosi, per esempio, di un vetro destinato sia alla fabbricazione di finestre o porte di edifici sia a quella di finestre o parabrezza di veicoli di ogni genere, ? ovvio che prestazioni di questo tipo siano altamente desiderabili.
A ci? conviene aggiungere la capacit? che le coperture di SnO dovrebbero avere di non impedire i trattamenti meccanici o termici a cui possono essere comunemente sottoposti i fogli di vetro. In particolare, sarebbe necessario che tali fogli di vetro ricoperti di SnO , "drogato" o no, potessero essere taglia ti con diamante, agendo sull'una o sull'altra-delle sue facce, senza che venissero compromesse le qualit? del rivestimento di SnO . Occorrerebbe anche poter sottoporre le lastre di vetro ottenute tagliando tali fogli ad un'operazione di tempra senza deterioramento meccanico od ottico del suo rivestimento. Infine, sarebbe desiderabile poter curvare a caldo tali lastre, soprattutto per fabbricarne, per esempio parabrezza o lunotti posterio? ri di veicoli, e anche'ci? senza modificare le qualit? precedentemente menzionate di bassa resistivit? elettrica, buona resistenza meccanica, buona trasparenza, e riflessione, la pi? omogenea possibile, della luce su tutta l'estensione delle lastre.
Il complesso di queste prestazioni non pu? essere ottenuto usando procedimenti o dispositivi del genere descritto, che permettono cio? di trattare singolarmente solo una superficie di vetro molto ridotta.
Sono probabilmente preoccupazioni del genere di quelle citate che hanno portato a sostituire i procedimenti e dispositivi descritti coi procedimenti ? dispositivi che sono oggetto in particolare dei brevetti US No. 3*850.679 e 3.888.649 e del brevetto GB No. 1.507*996.
Nel complesso di questi documenti, si fa generalmente ricorso a un dispositivo distributore di gas reattivi previamente preparati, nel quale questi gas sono diretti sulla superficie del foglio di vetro contemporaneamente su tutta la sua larghezza; sotto forma di due veli successivi, nei due primi brevetti, e sotto forma di un flusso gassoso portato tangenzialmente sul vetro per una lunghezza determinata del foglio, nel terzo.
Tuttavia questi dispositivi non sono adatti alla messa in opera di procedimenti C.V.D. del genere di quelli citati in pre cedenza, destinati alla deposizione di strati di SnO ? "drogati" o no, perch? l'arrivo di una miscela gassosa di SnCl4 e di H2O in prossimit? dell'apertura di distribuzione di questi dispositivi darebbe luogo ad una reazione prematura e violenta dei suoi componenti data la temperatura relativamente alta, pra ticamente uguale a quella del vetro da ricoprire (dell'ordine di 500-600eC), che presenterebbero le pareti dei dispositivi che delimitano quest'apertura? Ne risulterebbero due inconvenienti complementari, cio? da un lato l'otturazione pi? o meno pronunciata dell'apertura d'eiezione dei dispositivi distributori e, d'altro lato, la produzione sul vetro di un deposito di SnO particolarmente irregolare, e quindi di qualit? molto variabile in tutti i suoi aspetti elettrici, meccanici o fisici? Si ? giunti a'por rimedio in larga misura a questi inconvenienti grazie al procedimento e al dispositivo 'descritti nella domanda di brevetto britannica No. 2.044.137? che ha appunto per oggetto di depositare in continuo, sulla superficie di un substrato portato ad alta temperatura, uno strato di una materia solida risultante dalla reazione di almeno due reattivi gassosi o diluiti in un gas.
Questo procedimento ? caratterizzato dal fattiche detti flussi presentano la forma di veli gass?si rettilinei,-il profilo trasversale di ciascuno convergendo verso una linea d?interruzione immaginaria comune a tutti i flussi?,che si dispongono questi veli e/o il substrato in modo che detta linea d'intersezione sia contenuta sensibilmente nel piano di detta superficie del substrato, che si spostano relativamente il substrato e detti veli in una direzione praticamente perpendicolare a detta linea d'intersezione comune e in modo da mantenere detta linea sen sibilmente nel piano della superficie del substrato, che si costringono i gas generati dalla reazione risultante dall'urto di detti flussi sul substrato a fluire parallelamente a una parte prestabilita di questo substrato che si estende da una parte e dall'altra di detta linea d'intersezione,e infine che si evacuano questi gas all'estremit? della suddetta parte del substrato siItuata dalla parte opposta di detta linea d'intersezione immagi-:naria di detti veli.
; In una forma particolare di esecuzione di questo procedi-,mento i veli gassosi sono in numero di tre, in contatto tangen 1ziale due a due, il velo centrale essendo formato dal flusso del primo reattivo e i due veli laterali dal flusso gassoso 'dell'altro reattivo.
Quando questo procedimento ? impiegato per depositare su un substrato, in particolare un foglio di vetro portato ad alta tempe ratura, per esempio dell'ordine di 600?C, uno strato di SnO mediante reazione di SnCl4 liquido e di vapor d'HO diluiti in un gas portante inerte, quale l'azoto, il velo gassoso centrale sar? costituito dalla diluizione gassosa di SnCl4 , e i due veli laterali dalla diluizione di vapor d'acqua.
Il dispositivo per la messa in opera del procedimento summenzionato ? costituito da un'installazione caratterizzata da:
? una sorgente di un primo reattivo gassoso o diluito in un gas portante,
? una sorgente di un secondo reattivo gassoso o diluito in un gas portante,
? un ugello a tre condotti presentanti, ciascuno, un'apertura costituita da una fessura rettilinea e le cui pareti laterali che delimitano i piani dei bordi longitudinalidi ciascuna fessura convergono verso lina linea d'intersezione immaginaria comune a tutti i condotti, un primo di questi condotti essendo adiacente, ;tramite un primo bordo longitudinale della sua apertura d'eiezio ne, a un bordo longitudinale dell'apertura d?eiezione di un secondo'condotto e, tramite il secondo bordo longitudinale di detta apertura, a un bordo longitudinale dell?apertura d'eiezione del terzo condotto,
- una prima e una seconda superficie deflettrice che si estende, per una distanza determinata, da una parte e dall'altra di detti condotti a partire dal secondo bordo longitudinale del^ l'apertura di eiezione del secondo e del terzo condotto rispettivamente, tali superfici deflettrici essendo complanari fra loro e coi bordi longitudinali delle aperture dei condotti dell'ugello ed essendo cinematicamente solidali con quest'ugello, - una prima rete di distribuzione per collegare la sorgente del primo reattivo al primo condotto dell?ugello,
- una seconda rete di distribuzione per collegare la sorgen te del secondo reattivo al secondo e al terzo condotto dell'ugello,
- mezzi per trascinare in movimento relativo e in direzione praticamente perpendicolare alla suddetta linea immaginaria il substrato e l'ugello,
- mezzi per mantenere costante, durante detto movimento relativo, la distanza che separa il piano contenente dette aperture dei condotti dell'ugello e dette superfici deflettrici di detta superficie del substrato,
- almeno un dispositivo per evacuare i gas di reazione che si.produce nello spazio compreso fra dette superiici deflet trici e la superficie del substrato, a partire dalle estremit? di questo spazio pi? lontane dalle aperture degli ugelli* Effettivamente,il procedimento e l'installazione di cui sopra permettono di effettuare, ad altissima vel?cit?, la deposizio ne su vetro in foglio o in lastre, d'uno strato di SnO2 di omogeneit? soddisfacente, capace di garantire prestazioni di altissimo livello dal punto di vista della resistenza meccanica e delle caratteristiche elettriche e ottiche di ogni genere.
D'altra parte, lo'strato della tecnica nel campo della presente invenzione comprende anche i documenti seguenti:
L? domanda di brevetto europeo EP-'A-O 023471 descrive un procedimento e un dispositivo similari a quello descritto nel brevetto inglese No. 2.044?137? dove la differenza principale esistente fra il secondo e il primo di questi documenti ? costituito dal fatto che il gas portante utilizzato per l'applicazione della tecnica CVD contiene una forte proporzione di agente riduttore.
La domanda di brevetto francese FR-A-2.288.068 descrive, particolarmente, un procedimento e un dispositivo per depositare, mediante polverizzazione di un liquido, uno strato sottile sulla superficie di un materiale in foglio.
Il dispositivo in questione comprende una camera di polverizzazione presentante un orifizio di polverizzazione, aperto di fronte al foglio di trattare, e mezzi per condurre nella camera di polverizzazione, da un lato, il liquido da polverizzare e, d'altro lato, un flusso gassoso sotto pressione per proietta re il liquido attraverso l'orifizio della camera, ed ? caratterizzato dal fatto che la camera di polverizzazione e il suo orifizio si estendono in una direzione preponderatamente longitudinale, e dal fatto che i mezzi per condurre il liquido nella camera comprendono un canale che sbocca in quest'ultima attraverso una fessura che si estende lungo la camera, parallelamente alla suddetta direzione.
La domanda di brevetto francese FR-A-2.068.937 descrive un procedimento e un dispositivo per formare un rivestimento di metallo o di composto metallico su una faccia d'un nastro di vetro che si sposta longitudinalmente. Il dispositivo descritto comprende, in particolare, mezzi per sostenere un nastro di vetro caldo che si sposta longitudinalmente in continuo e mezzi per scaricare un mezzo fluido su una faccia di tale nastro, ed ? caratterizzato dal fatto che detti mezzi di scarico sono costruiti e congegnati in modo da scaricare almeno una corrente di mezzo fluido su detta faccia, in una direzione che ? inclinata rispetto alla faccia stessa, in modo che la corrente abbia una componente della velocit? nella direzione di.spostamento del nastro e che l'angolo d'incidenza acuto o l'angolo medio di incidenza acuto di tale corrente su detta faccia, misurato in un piano normale a detta faccia e parallelo alla direzione dello spostamento longitudinale del nastro, non sia superiore a 60?.
La domanda di brevetto inglese GB-A^2.068.937 descrive un procedimento e un dispositivo per applicare sulla superficie di un substrato di vetro riscaldato un rivestimento di metallo o di composto metallico. Il dispositivo comprende, in particola re, mezzi per spostare tale substrato di fronte a una proiezio ne di goccioline del prodotto di rivestimento, e mezzi per spaz zare con un gas la superficie da rivestire, alternativamente avanti e indietro rispetto al senso di spostamento di quest?ul? tima.
La domanda di brevetto europeo EP?A-0029809 riguarda un ugello per la proiezione simultanea, su di un substrato,,di tre correnti reattive gassose la cui miscelazione si compie in vicinanza immediata di questo,,il prodotto della reazione depositandosi allora, sotto forma di rivestimento, su detto substrato. Nella sua forma generale, questo ugello si avvicina molto a que^ lo descritto nel brevetto inglese No. 2.044.137?
Tuttavia, nonostante tutti i miglioramenti apportati dallo stato recente della tecnica, si ? cercato di migliorare ulteriormente le prestazioni di un'installazione quale quella, descritta nel brevetto inglese No. 2.044.137? in particolare sul piano delle regolarit? del deposito e della costanza della sua trasparenza. Vi si ? riusciti modificando un p? la forma del passaggio d'eiezione dei reattivi all'uscita dei condotti, cos?, l'installazione, secondo la presente invenzione, per depositare in continuo, su un substrato riscaldato ad alta temperatura, un ;rivestimento solido risultante dall'unione di almeno due reattivi .in fase gassosa comprende:
a) una sorgente di un primo reattivo gassoso o diluito in un ,gas portante,
i b) una sorgente di un secondo reattivo ga?soso o diluito in un gas portante,
c) un ugello a tre condotti presentanti, ciascuno, un'apertura costituita da una fessura rettilinea e in cui la direzione dej. le pareti laterali delimitante i piani dei bordi longitudinali di ciascuna fessura converge verso una linea immaginaria comune, il primo condotto, centrale, essendo circondato dagli altri due ed essendo adiacente, da un lato, al secondo condotto nel punto di connessione delle loro rispettive pareti e, d'altro lato, al terzo condotto^ anch'esso nel punto di connessione delle loro rispet tive pareti, tutto ci? in modo che i gas proiettati dai condotti vengano proiettati in direzione di detta linea comune?
d) una prima e una seconda superficie deflettrice, solidali con detto ugello e che si estendono per una distanza determinata, da una parte e dall'altra dei suddetti condotti, a partire dai bordi esterni longitudinali dell'apertura d'eiezione rispettivamente del secondo e del terzo condotto,
e) una prima rete di distribuzione che collega la sorgente del primo reattivo al primo condotto dell'ugello,
f) una seconda rete di distribuzione che collega la sorgente del secondo reattivo al secondo e/o al terzo condotto dell'ugello, g) mezzi per trascinare in modo relativo il substrato e l'ugello, in una direzione praticamente perpendicolare a detta linea immaginaria,
'h) mezzi per mantenere costante, durante il suddetto moto relativo, la distanza che separa le aperture dei condotti dell'ugello e le suddette superfici deflettrici dalla superficie del substrato e,
i) almeno un dispositivo per evacuare i gas di reazione che si generano nello spazio compreso fra dette superfici deflet trici e la superficie del substrato, a partire dalle estremit? di questo spazio pi? distanti dalle aperture degli ugelli.
Quest'installazione ? inoltre caratterizzata dal fatto che quella delle due superfici deflettrici che si estende sul lato opposto al senso di spostamento del substrato rispetto all'ugel. lo ? perpendicolare al pian? mediano di questo^e che lo spigolo eh'essa forma ad angolo acuto con la parete esterna prolungata del terzo condotto ? spostata trasversalmente nel senso di det to spostamento rispetto al piano mediano dell'ugello, mentre la seconda superficie deflettrice forma invece uno spigolo ad angolo tronco o arrotondato col bordo longitudinale corrispondente del secondo condotto, tutto ci? in modo che l'apertura effettiva dell'ugello situata fra i detti spigoli siano a gomito e che i gas uscenti d? questa siano deviati nella direzione di spostamento del substrato e in pratica parallelamente a quest'ultimo
Tale disposizione consente di ridurre ancora notevolmente . la turbolenza dei gas che escono dai condotti, di migliorare la loro reciproca interpenetrazione per diffusione e di regolarizzare ulteriormente l'andamento della reazione. Ne risulta un mi-, glioramento della regolarit? della trasparenza del rivestimento.
Il disegno allegato rappresenta, a titolo di esempio e molto schematicamente, una forma di realizzazione dell'installazio ne oggetto della presente invenzione:
La figura 1 ne ? una vista d'assieme.
La figura 2 ? una vista prospettica parziale con sezione verticale, in scala maggiore, di un elemento dell?installazione della figura 1.
La figura 3 ? una vista schematica ingrandita di un dettaglio dell'elemento della figura 2.
La figura 4 ? una rappresentazione schematica di una varian te dell'installazione della figura 1 in cui solo uno dei condot ti laterali ? collegato a una delle sorgenti dei reattivi mentre l'altro condotto laterale ? collegato, tramite una terza rete ? di distribuzione, alla sorgente del gas portante.
L'installazione visibile nel disegno (fig. l) si destina a depositare, con la cosiddetta tecnica C.V.D. e su un substrato, eventualmente un foglio di vetro portato ad alta temperatura, uno strato di ossido di stagno SnO^ utilizzando la reazione chi? seguente:
A tal scopo, quest'installazione comprende anzitutto una serie di rulli 1, sui quali poggia e si sposta in direzione F il foglio V, rulli che sono messi in rotazione in senso antiorario da un motore elettrico (non rappresentato) e i quali :presentano naturalmente una lunghezza compatibile con la lar? ghezza del foglio di vetro da sostenere. La velocit? di rotazione dei rulli 1 sar? scelta in modo che lo spostamento del foglio V si effettui con una velocit? lineare di alcuni metri' al minuto, dell'ordine da 1 a 20 secondo i casi.
Sopra a questa serie di rulli 1, l'installazione illustrata presenta un ugello 2, il cui profilo strutturale di massima ? oggetto delle figure 2 e 3, a cui si fa riferimento d'ora in poi. Quest?ugello comprende in effetti tre condotti separati 3,4 e 5, rispettivamente, che si estendono longitudinalmente in direzione parallela ai rulli 1 gi? citati, per una lunghezza corrispondente alla larghezza del foglio di vetro V. Tali condotti potranno quindi presentare perfino una lunghezza di di ?versi metri. Come risulta dal disegno, i condotti da 3 a 5 sono formati mediante collegamenti di profilati longilinei 6a e 6b, 7a e 7b, fissati essi stessi, con mezzi adeguati, a due coppie di profilati 9a e 9b e, rispettivamente 10a e 10b delimitanti fra loro dei passaggi 11,12 e 13, collegati rispettivamente ai condotti 3,4 e 5?
Le direzioni delle pareti laterali 3a e 3b, 4a e 4b, 5a e 5b dei condotti da 3 a 5 convergono verso una linea immaginaria comune al di fuori dell'estremit? inferiore dei profilati 7b, ma tuttavia nella zona dell'imboccatura propriamente detta dell'ugello 2. Le aperture d'uscita dei condotti 3?4 e 5, le quali si presentano sotto forma di tre fessure oblique estendentisi su tutta la lunghezza dei profilati, hanno una larghezza di alcuni decimi di millimetro, per esempio l/lO o 8/l0.
La larghezza della faccia inferiore dei profilati 6a e 6b sar?, di preferenza, compresa fra 10 e 20 volte la larghezza totale delle fessure di uscita dei condotti da 3 a 5? Preferibilmente, ma non esclusivamente, questa faccia inferiore dei profilati 6a e 6b sar? ricoperta da uno strato di un metallo chimicamente inerte o di una loro lega o anche di ossidi metallici. A titolo di esempio il metallo pu? essere oro o platino. Gli ossidi possono essere scelti fra SnO , SiO2 o AlO .
Effettivamente i metalli e le leghe comuni, come l?acciaio o l'ottone presentano in preferenza di certi componenti del gas portante, in particolare l'idrogeno, delle propriet? catalitiche suscettibili di intralciare il controllo delle reazioni desidera te per ottenere un deposito di SnO che offra le qualit? meccaniche, fisiche e ottiche desiderate.
Naturalmente, il complesso dei profilati costituenti l'ugello 2 ? ricoperto, su ciascuna estremit? laterale, da una piastra otturatrice, non rappresentata, montata in modo da assicurare una tenuta completa e a formare cosi dei condotti 3?4 e 5 e dei 'passaggi 11,12 e 13 che siano ben chiusi lateralmente. Dei cana ;ii 14a, b, c, d ricavati nei profilati 10a, 10b, 6a, 6b, su tut ta la lunghezza di questi, permettono di stabilire la circolazione di un fluido, per esempio olio, destinato a mantenere [l'ugello 2 ad una temperatura ottimale di funzionamento (dell'ordine da 100 a l60?C.).
Un'altra piastra 15 ricopre la faccia superiore dell'ugello 2 su tutta la sua estensione e a tenuta in modo da impedire qual siasi comunicazione fra i passaggi 11, 12 e 13?
Si deve ancora segnalare che il profilo generale e la finez za dello stato superficiale delle pareti delimitante sia i con dotti da 3 a 5 sia i passaggi da 11 a 13 (fig. 2) nonch? le sezioni trasversali di questi sono tali che, per portate gassose dell'ordine da 3 a 6 l/ora per centimetro di lunghezza dell?uge^ lo, i flussi all'uscita dei condotti sono laminari.
Fiancheggiando l'ugello 2 e per tutta la lunghezza di questa, l'installazione illustrata comprende due canalette d'aspirazione 16 e 17 (figg. 1 e 2), di sezione quadrata retta o di > qualsiasi altra forma, situata da una parte e dall'altra dei profilati 6a e 6b descritti prima e approssimatamente al livello di questi. A seconda della loro esecuzione, ciascuna di queste canalette presenta una o due aperture longitudinali l6a e l6b, per la canaletta 16, e rispettivamente 17a e 17b, per la canaletta 17? Queste canalette comunicano, tramite un sistema di condotti 18, con l'entrata di una pompa aspirante 19, collegata, tramite la propria uscita, al fondo di una torre di lavaggio 20 piena di materiali refrattari (anelli Raschig).
L?installazione rappresentata nella fig. 1 comprende inoltre due recipienti gorgogliatori termostatizzati 21 e 22, contenenti, il primo?cloruro stannico, SnCl, liquido e, il secondo, acqua, due flussometri 23 e 24 dotati di una valvola di regolazione della portata, 23a e 24a, alimentati da una miscela di azoto e di idrogeno in una determinata proporzione, per esem-. pio 6?/4?, due valvole 25 e 26 disposte su due tubazioni 27 e 28 che collegano i flussometri ai recipienti gorgogliatori di cui sopra. Due condotti 29 e 30 collegano l'uscita dei recipien ti 21 e 22 rispettivamente al passaggio 11 e ai passaggi 12 e 13 dell'ugello 2, cio? in definitiva alla tubazione 3 di quest'ugello, per il condotto 29, e alle tubazioni 5 e 4, per il condotto 30.
I condotti 29 e 30 attraversano un recinto , rappresentato schematicamente con un contorno a tratto e punto, contenente un liquido di riscaldamento, per esempio olio, mantenuto a una temperatura costante di circa 100-130?C, a seconda della regolazione delle condizioni di lavoro, per mezzo di qualsiasi mez zo adeguato.
Come si pu? vedere pi? dettagliatamente nella fig. 3, la superficie deflettrice 51 del profilato 6b che si estende a mon te dell'ugello rispetto allo spostamento relativo fra questo e il substrato V ? parallela a quest'ultimo e lo spigolo ad angolo acuto 53 eh'essa forma con la parete esterna 5b, prolungata, del terzo condotto 5 ? spostata trasversalmente a valle rispetto al piano assiale mediano dell'ugello. Viceversa, la superficie deflettrice 52 del profilato 6a forma col bordo longitudinale corrispondente 4b del secondo condotto un angolo arroton dato 54. Da questa disposizione risulta che l'apertura effettiva dell'ugello situato oltre al punto di unione dei gas fra gli spigoli 53 e 54 ? a gomito e che i gas che ne escono sono devia ti regolarmente nella direzione di spostamento del foglio di ve tro V e in pratica parallelamente a quest'ultimo. I gas cos? de viati urtano il substrato da rivestire con dolcezza maggiore che nel.caso della struttura di riferimento citata prima, il grado di turbolenza che ne risulta viene abbassato, il che contribuisce a ridurre il difetto di velatura del rivestimento che si produce a volte col dispositivo pi? antico. Si deve notare che la seconda superficie deflettrice 52 pu? essere inclinata rispetto al substrato in direzione dello spostamento relativo di quest'ultimo, tale disposizione avendo l?effetto di accelerare i gas usciti dall'ugello.
Si noter? ancora che 1'erogazione dei gas ? regolarizzata anche dalla presenza di materiale poroso 55 (per esempio fibre di carbonio o di Teflon) nei condotti di ammissione 11,12 e 13? L'installazione teste descritta consente di rivestire, per esempio, una lastra di vetro con uno strato di ossido di stagno dello spessore dell'ordine di 0,5 pm, presentante al tempo stes so una trasparenza ottima, una conducibilit? elettrica relativa mente alta, un'aderenza notevole al vetro e una resistenza meccanica e agli acidi elevata?
Un'installazione sperimentale di questo tipo munita di un ugello della lunghezza di 20 cm, in cui l'apertura dei condotti 3,4 e 5 aveva rispettivamente una larghezza di 0,2, 0,1 e 0,1 mm, ha permesso di trattare una lastra di vetro della larghezza di 20 cm e dello spessore'di 4 mm riscaldata a circa 600?C e trascinata in direzione F (figg. 1 e 2) a una velocit? di 1,2 m/min. La distanza che separava la faccia inferiore dell'ugello dalla superficie del vetro era di 3 min? La velocit? di crescita del deposito era di circa 0,3 jim/sec?
Si sono usati recipienti 21 e 22 aventi una capacit? di cir ca 200-300 ml di SnCl4 liquido per il recipiente 21 e, rispettivamente, di HO per il recipiente 22. Questi recipienti sono stati riscaldati a temperature tali che, con una portata di gas portaulte N2/H2 di 60 l/ora per il recipiente 21 e di 120 l/ora per il recipiente 22, portate regolate agendo sulle valvole 23a e 24?, si ottenesse una portata di reattivo diluito in questo gas di 2 moli/ora di cloruro di stagno SnCl4 e di 1 mole/ora di HO. Si ? mantenuta inoltre la temperatura dell'ugello a circa 120?C facendo circolare olio nei canali l4a, b, c, d di questo.
Dato il profilo attribuito ai condotti 3,4 e 5 dell'ugello 2, e in partioolare dato il fatto eh'essi convergono con le loro pareti laterali verso una linea immaginaria comune, i flussi gas sosi che escono da questi tubi, flusso di SnCl4 per il condotto 3 e di vapor d'acqua per i condotti 4 e 5? che sono laminari, entrano in contatto reciproco prima sfiorandosi tangenzialmente, poi sempre pi? direttamente a misura che ci si avvicina al substrato da rivestire. Naturalmente il flusso combinato di questi tre flussi gassosi diventa tanto pi? turbolento a misura che ha luogo l'interpenetrazione brutale di questi flussi ed ? perci? che, grazie alla disposizione delle superfici deflettrici 51 e 52 questa,interpenetrazione viene ritardata ed avviene dolcemente sulla superficie del vetro V, la quale ? riscaldata a circa 600?C come descritto, di modo che la reazione di combinazione
si produce sul vetro. A questo punto conviene ancora segnalare che si possono prendere anche altre misure particolari per addolcire le condizioni della reazione ed evitare che si formino, grandi quantit? di ossido di stagno (SnO ) e de gli idrati del tipo SnO nH2O all?uscita dei condotti da 3 a 5 dell'ugello 2, col rischio di ostruzione parziale o totale di tutti o di parte dei condotti, con deposizione di questi stessi ossidi sul vetro,sotto forma di un velo bianco e non sotto forma dello strato semi-conduttore trasparente desiderato.
A questo fine.si pu? aggiungere un agente riduttore ai due flussi gassosi di SnCl4 e di vapore di HO, Quest'agente ? costituito da idrogeno incluso nel gas portante. Di fatto l'idrogeno ? un gas che non reagisce n? con SnCl. n? con HO. Esso ? quindi utilizzabile come gas portante inerte.
La reazione di combinazione fra SnCl4 e HO non ha luogo solamente nella zona centrale dell'ugello 2, cio? in vicinanza della parte di quest'ugello in cui si aprono i condotti 3>? e 5? Di fatto, questa reazione ha luogo quando funziona la pompa 19 di modo che, attraverso le canalette l6 e 17 situate da una par te e dall'altra dell'ugello, si crea una depressione alle estre mit?, destra e sinistra nel disegno, dello spazio compreso fra la lastra di vetro V e.la faccia inferiore dei profilati 6a e 6b dell'ugello. Di conseguenza, si forma in questo spazio un flusso gassoso che va dalla parte centrale di questo spazio verso le canalette 16 e 17 gi? citate.?Questo flusso contiene soprattutto una parte dell' SnCl4 e dell'HO dispersi nel gas portante e che non hanno ancora reagito, i vapori di HC1 gi? forma ti, nonch? una certa quantit? di gas portante privato dei reatti^ vi che hanno gi? reagito. Cos? la reazione fra SnO e HO pu? continuare coi gas reattivi residui su una certa lunghezza dello spazio, da una parte e dall'altra della linea di convergenza dei condotti. Naturalmente a seguito della deviazione impressa a valle ai gas, la canaletta 16 raccoglie pi? gas bruciati che la canaletta 17.
La potenza dell'aspirazione realizzata mediante le canalet? te 16 e 17 viene scelta in modo che i gas reattivi usciti dall'ugello 2 non permangono in questo spazio che durante il tempo strettamente necessario per ottenere sul vetro un deposito di SnO che si presenti sotto forma di uno strato trasparente e non sotto forma di un accumulo di SnO in polvere. Naturalmente l'aspirazione non deve neanche essere troppo forte perch?, se no, i gas reattivi usciti dall?ugello non avrebbero il tempo di raggiungere la superficie del vetro. L'intensit? dell'aspirazione ? quindi determinante nei riguardi della qualit? e della velocit? di crescita dello strato. Si noter? inoltre che,gra zie a quest'aspirazione, si isola in qualche modo dall'atmosfera ambiente lo spazio compreso fra l'ugello e la.lastra di vetro, spazio in cui ha luogo la reazione desiderata, e si impedisce da un lato, ogni eventuale penetrazione in questo spazio di umidit? supplementare atta ad influenzare la reazione di combinazione e, d'altro lato, qualsiasi fuga verso l'ambiente di vapori nocivi, per esempio di HC1, o di idrogeno, l'aria ambiente avendo tendenza ad affluire verso le fessure l6a e l6b, e rispettivamente 17a e 17b, passando fra le canalette l6, e rispet tivamente 17, la lastra di vetro e l'ugello 2.
Come descritto, i prodotti gassosi aspirati dalla pompa 19 sono diretti verso la torre di lavaggio 20, di modo che gli aci^ di volatili residui subiscono una percolazione e un trascinameli to da parte dell'acqua, mentre la soluzione acida risultante viene separata dai gas lavati ed evacuata tramite il condotto 20a.
Nelle condizioni operative di cui sopra il rendimento della reazione ? stato di circa 60%, Il vetro ? stato rivestito su .tutta la sua superficie con uno strato di SnO avente uno spes?
s ore di 0,5 ?m, una trasparenza dell' 80-90% a seconda dei cam?
pioni e una resistenza media di
Inoltre si ? accertato che, lo strato di SnO cos? ottenuto 2
ha una durezza particolarmente elevata, superiore a quella del
vetro su cui era stato deposto. La sua resistenza era molto eie
vata sia alle sollecitazioni meccaniche pi? intense, per esem?
pio all'urto, sia all'attacco da parte di acidi. In particolare,
questo vetro ha potuto essere sottoposto ad un'operazione di
curvatura con.un raggio di 15 cm, dopo esser stato portato a
una temperatura fra 600 e 700?C, senza qualsiasi deterioramento
del SnO .
E' stato anche possibile temprarlo nelle condizioni abituali
per il vetro normale. Si deve infine notare che una lastra di
vetro rivestita di uno strato di SnO nelle condizioni e secon?
do le modalit? descritte, pu? essere tagliata con diamante at?
taccando sia il diritto che il rovescio della lastra senza scro?
statura dello strato.
Si descriver? ora una variante dell'installazione della
fig. 1, variante destinata, pi? particolarmente, ad applicazio?
ni industriali. Questa variante ? illustrata schematicamente
nella fig. 4 per la quale si sono utilizzati gli stessi numeri
di riferimento della fig. 1 quando gli elementi descritti sono
comuni alle due figure.
L'installazione della fig. 4 comprende, oltre all'ugello 2 .destinato a proiettare i reattivi sulla lastra di vetro V come gi? descritto per la fig. 1 e un sistema di aspirazione l6,17 dei gas bruciati, una prima rete d'alimentazione di SnCl4 comprendente un serbatoio 21 di cloruro stannico, un evaporatore 101 riscaldato a 120-150?C e una pompa dosatrice 102 che permette di far pervenire in questo un flusso calibrato di SnCl4 . L'evaporatore 101 ? anche percorso da una corrente di gas portante (N2 O una miscela N /H ) di portata dosata mediante le valvole 103 e 104 e misurata da un rotametro 105? D'altra parte, un cilindro di HF 106 permette di "drogare" il SnCl4 con fluoro tramite una valvola 107? Questa prima rete di alimentazione ? collegata al condotto centr?le 3 per mezzo della tubazione 29? L'installazione comprende anche una seconda rete d'alimenta zione, questa volta per l'acqua, collegata al condotto 4 tramite la tubazione 30, rete che comprende un serbatoio d'acqua 22, un evaporatore 111, una pompa 112, delle valvole 113 e 114 e un rotametro 115?
Infine l'installazione comprende ancora una terza rete di alimentazione, per il solo gas portante, la quale comprende le valvole 123 e 124, il rotametro 125 e la tubazione di ammissione 126 collegato al condotto 5? Gli altri elementi di questa variante d'installazione, sia rappresentati che non rappresentati nel disegno, sono analoghi a quelli gi? descritti a proposito delle figg. da 1 a 3?
Il funzionamento della presente variante ? press'a poco lo .stesso di quello dell'installazione descritta prima, ma essa presenta un grado maggiore di versatilit? e si presta meglio ad applicazioni industriali grazie alla possibilit? di regolazioni indipendenti delle portate dei reattivi (tramite le pompe 102 e 112) e delle portate dei gas portanti. L'apporto di gas portante esclusivamente tramite la tubazione 5 permette di migliorare ulteriormente la regolarit? della reazione.
Con l'installazione test? descritta si ? trattato un nastro di vetro "float" della larghezza di 3 m circolante a'11,5 m/min nella zona situata fra l'uscita del bagno di Sn fuso -e l'entrata del forno di ricottura. L'installazione comprendeva un complesso di 5 ugelli simili all'ugello 2 dell'ampiezza di un metro, disposti in serie e spostati in modo da ricoprire l'intera superficie del vetro. I condotti erano alimentati nel modo seguente:
La portata totale era quindi di 0,5 Nm3/ora/condotto; la larghezza della fessura di questi era di 0,4 mm. In queste condizioni si .? ottenuto un rivestimento di SnO di 0,14 ?m, con resistenza e 90% di trasparenza nella,luce visibile.
L?installazione che ? stata descritta con riferimento alle figg. da 1 a 3 pu? anche essere utilizzata per depositare, col processo C.V.D., uno strato di TiO2 su una lastra di vetro. E' sufficiente, a questo scopo, sostituire nel recipiente gorgogliatone 21 il cloruro di stagno SnCl4 con cloruro di titanio TiCl4. Si potr? anche far uso d'un gas portante costituito esclu sivamente da azoto.
La reazione che avr? luogo all'uscita dell'ugello 2 sar? la seguente:
Nella fattispecie, una lastra di vetro della larghezza di 20 cm e dello spessore di 4 mm, riscaldata alla temperatura di 600?C, ? stata trascinata longitudinalmente alla velocit? di l,2yn/min davanti all'ugello 2, a una distanza di 3 mm da questo. Agendo sulle valvole 23a e 24a, la portata del gas portante ? stata regolata a 60 l/ora per il rotametro 23 e a 120 l/ora per il rotametro 24? D'altra parte i recipienti 21 e 22 sono stati riscaldati in modo che l'erogazione dei reattivi fosse di 0,2 moli/ora di TnCl4 e di 0,01 moli/ora di H2O.
Si ? ottenuto uno strato di TiO2 dello spessore di 0,01??, presentante una trasparenza di circa 78% alla luce visibile e un potere riflettente alla luce visibile stessa superiore a quel^ lo del vetro che porta il deposito. La resistenza meccanica era paragonabile a quella di un deposito di SnO ottenuto nel modo descritto.
In generale, la resistivit?, il potere riflettente e la tra sparenza degli strati di SnO2 sul vetro, di spessore superiore a 0,5 possono essere migliorati moltissimo se questi strati sono "drogati" con fluoro. A questo scopo, si far? uso preferibilmente dell'installazione descritta con riferimento alla figura 1, completata da un cilindro 41 contenente HF gassoso e da un condotto 42 collegante questo cilindro al condotto 30? il tutto rappresentato con linee tratteggiate nel disegno.
Un vetro dello spessore di 4 mm, portato alla temperatura di circa 600?C, ? stato ricoperto con uno strato di 0,7571m di SnO2 "drogato" con fluoro, mediante passaggio davanti all?ugello alla velocit? di 1,2 m/min e a una distanza di circa 3 mm da questo. Le portate di gas portante (una miscela di con 40%>di H2 ) sono state di 60 l/ora per il SnCl4 e per il vapor d'acqua. La portata di HF era di 0,1 l/min.
Il deposito di SnO^ "drogato" con fluoro ha fornito prestazioni particolarmente buone. Difatti.la sua resistenza era di il suo potere riflettente alla luce visibile era superio re a quello del vetro di supporto del deposito, e il suo potere riflettente all'infrarosso ? risultato particolarmente elevato, dell'ordine del 75%?
Inoltre la sua trasparenza alla luc? visibile ? stata dell'85%. Le caratteristiche di resistenza meccanica sono state anch'esse molto elevate: il vetro rivestito di SnO^ "drogato" al fluoro ha potuto subire un trattamento termico di tempra identico a quelli a cui sono sottoposti tradizionalmente
certi vetri di veicoli, per esempio i vetri laterali delle automobili. E? stato anche possibile curvare a caldo tale lastra (temperatura di circa 650?C) con raggi di curvatura di 15 cm sen za modificare le caratteristiche del deposito di SnO2 "drogato". Inoltre una lastra di vetro ricoperta nel modo descritto ha potuto essere lavorata in modo tradizionale (taglio, molatura, ecc.) senza che il deposito ne sia stato danneggiato.
Lo strato di SnO "drogato" al F presentava difatti una durezza superiore a quella del vetro che lo sopportava e non ha potuto essere graffiato, inoltre la sua resistenza chimica agli acidi e la sua resistenza agli urti si sono dimostrati particolarmente elevati.
Si pu? anche "drogare" l'SnO del deposito con antimonio; per farlo si potr? sia mescolare SbCl5al SbCl4 del gorgogliatore 21, sia collegare un recipiente gorgogliatore supplementare contenente SbCl3 sul canale d'arrivo 29 al condotto centrale 3 dell'ugello 2.
Si noti a questo proposito che uno strato di SnO2 "drogato" con fluoro o con antimonio, depositato su una lastra di,vetro nelle condizioni citate, pu? essere ricoperto con argento o con una pittura all'argento depositata a 600?C, allo scopo, ad esempio, di formare dei contatti elettrici.
Tale -deposito d'argento aderisce benissimo alla superficie del deposito di SnO2?
Le applicazioni di lastre di vetro di qualsiasi dimensione ricoperte con uno strato di SnO , mai "drogato" o "drogato" con antimonio o con fluoro, possono essere svariatissime, in particolare a seconda delle loro prestazioni di natura fisica ed elettrica.
Nonostante che uno strato di SnO2 non 'drogato" presenti una resistivit? relativamente elevata in confronto?alla resistivit? d 'uno strato analogo "drogato" con antimonio o con fluoro, una lastra di vetro ricoperta con tale strato pu? essere utilizzata, per esempio, per finestre o porte?finestre d'abitazione, di navi o di treni, dati la sua buona trasparenza alla luce visibile e il suo potere riflettente, relativamente elevato, all'infrarosso.
Questo potere isolante ? evidentemente superiore quando si tratta di un vetro ricoperto con SnO "drogato" con antimonio, o di un vetro ricoperto di SnO "drogato" con fluoro. Inoltre, siccome la resistivit? di tali strati ? abbastanza ridotta per uno strato di SnO "drogato" con antimonio, e molto ridotta per lo stra to "drogato" con fluoro, ? possibile usare vetri ricoperti di SnO "drogato" come vetri riscaldati, per esempio di lunette posteriori di veicoli.
Si ? potuto d'altronde osservare che, collocata in un'atmosfera molto umida, una lastra di vetro avente un deposito di SnO , non "drogato" o "drogato" con antimonio o fluoro, non si ricopriva d'un velo uniforme di vapore, ma invece con una molteplicit? di goccioline, che alterano molto meno la visibilit? attraverso il deposito propriamente detto della lastra di vetro.
Evidentemente questa propriet? ? particolarmente vantaggiosa nel caso di lastre di vetro destinate a formare vetri soprat tutto di veicoli e pi? in particolare di parabrezza e lunotti posteriori di automobili, di autobus o di camions.
Si noti infine che, sebbene menzionato nell?ambito del procedimento e delle installazioni descritti con riferimento alle figure 1,2 e 3 dei disegni allegati, l?impiego di idrogeno come mezzo di controllo della reazione di combinazione di SnCl4 e
H2O, potrebbe anche aver luogo, allo stesso scopo e con gli stes si vantaggi, se tale reazione.fosse ottenuta applicando procedi menti e installazioni di natura diversa che funzionano con la tecnica C.V.D., come quelli descritti da H.Koch nell'articolo
gi? citato o nel DOS No. 2.123*474.
L'esempio seguente illustra dettagliatamente l'invenzione.
Si ? utilizzata un'installazione come quella,rappresentata nella figura 1 con un ugello come quello rappresentato nella
figura 3 e si ? operato nelle condizioni seguenti:

Claims (5)

  1. R I V E N D I C A Z I O N I
    l) Installazione per depositare in continuo su un substrato riscaldato ad alta temperatura un rivestimento solido risultante dall'unione di almeno due reattivi in fase gass.osa comprendente:
    a) una sorgente di un primo reattivo gassoso o diluito in un gas portante,
    b) una sorgente di un secondo reattivo gassoso o diluito in un gas portante;
    c) un ugello (2) a tre condotti (3,4,5) presentanti ciascuno un'apertura costituita da una fessura rettilinea e in cui la direzione delle pareti laterali (3a, 3b, 4a, 4b, 5a, 5b) che delimitano i piani dei bordi longitudinali di ogni fessura converge verso una linea immaginaria comune, il primo condotto (3)? centrale, essendo circondato dagli altri due (4,5) ed essendo adiacente, da un lato al secondo condotto (4) nel punto di congiunzione delle loro rispettive pareti (3a,4a) e d'altro lato al terzo condotto (5) nel punto di congiunzione delle loro rispettive pareti (3b?5a), il tutto in modo che i gas elettati dai condotti siano proiettati in direzione della suddetta linea comune,
    d)una prima e una seconda superficie deflettrice (51?52) solidali con detto ugello, estendentisi per una determinata distanza da una parte e dall'altra di detti condotti a partire dai bordi esterni (4b, 5b) longitudinali dell'apertura di eiezione rispettivamente del secondo e del terzo condotto,
    e) una prima rete di distribuzione (29) collegante la sorgen te del primo reattivo al primo condotto (3) dell'ugello,
    f) una seconda rete di distribuzione (30) collegante la sorgente del secondo reattivo al secondo (4) e/o al terzo condotto (5) dell'ugello,
    g) mezzi per trascinare in moto relativo il substrato (V) e l'ugello in una direzione praticamente perpendicolare a detta linea immaginaria,
    h) mezzi per mantenere costante, durante il suddetto moto relativo, la distanza che separa dette aperture dei condotti del^ l?ugello e dette superfici deflettrici dalla suddetta superfieie del substrato e
    1) almeno un dispositivo (l6,17) per evacuare i gas di reazione che si producono nello spazio compreso fra dette superfici deflettrici (51?52) e la superficie del substrato, partendo dal la estremit? di questo spazio pi? distanti dalle aperture di det ti ugelli,
    caratterizzata dal fatto che quella (5l) delle due superfici deflettrici che si estende dal lato opposto al senso di spostamen to (F) del substrato rispetto all'ugello (2) ? perpendicolare a questo e che lo spigolo ad angolo acuto eh'essa forma (53) con la parete esterna (5b) prolungata del terzo condotto ? spostato .trasversalmente nel senso del detto spostamento rispetto al piano mediano dell'ugello, la seconda superficie deflettrice (52) formando invece uno spigolo con angolo tronco od arrotondato (54) col bordo longitudinale corrispondente (4b) del secondo condotto, tutto ci? in modo tale che l'apertura effettiva dell'ugello situata fra detti spigoli (53?54) sia piegata a gomito e che i gas uscenti da questa vengano deviati nella direzione di spostamento del substrato e in pratica parallelamente a questo.
  2. 2) Installazione secondo la rivendicazione 1 nella quale sol tanto uno dei condotti (3) o (4) ? collegato alla seconda rete di distribuzione (30)? caratterizzata dal fatto eh'essa implica una terza rete di distribuzione (123-126) per mettere in comunicazione l'altro condotto con la sor?ente del gas portante.
  3. 3) Installazione secondo le rivendicazioni 1 o 2, caratterizzata dal fatto che la seconda superficie deflettrice (52) ? inclinata rispetto al substrato e in direzione dello spostamento relativo di questo, ci? in modo da accelerare regolarmente i gas che procedono in direzione a valle
  4. 4) Installazione secondo le rivendicazioni 1 o 2, caratterizzata dal fatto che la larghezza delle fessure che formano le aperture d'eiezione dei condotti (3,4,5) dell'ugello ? pari almeno a 1/10 di mm e al massimo a 8/lO di mm.
  5. 5) Installazione secondo le rivendicazioni 1 o 2, caratteriz zata dal fatto che la prima (51) e la seconda superficie (52) deflettrice si estendono, da una parte e dall'altra dei condotti (4,5) dell'ugello, per una distanza compresa fra 10 e 20 voi te le dimensioni trasversali delle fessure che costituiscono le aperture di eiezione dei condotti.
IT24840/82A 1981-12-22 1982-12-17 Installazione per applicare in continuo,sulla superficie di un substrato portato ad alta temperatura,uno strato di una sostanza solida IT1155007B (it)

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ZA (1) ZA829305B (it)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE75167T1 (de) * 1984-02-13 1992-05-15 Jerome J Schmitt Iii Verfahren und vorrichtung fuer gasstrahlniederschlag von leitfaehigen und dielektrischen duennen festfilmen und so hergestellte erzeugnisse.
JPS6169961A (ja) * 1984-09-13 1986-04-10 Agency Of Ind Science & Technol 霧化薄膜作製装置用ノズル
AT386762B (de) * 1985-05-08 1988-10-10 Zimmer Johannes Verfahren und vorrichtung zum impraegnierenden und/oder beschichtenden auftragen auf eine warenbahn
US5160543A (en) * 1985-12-20 1992-11-03 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
US4928627A (en) * 1985-12-23 1990-05-29 Atochem North America, Inc. Apparatus for coating a substrate
US5391232A (en) * 1985-12-26 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
AT396340B (de) * 1986-11-17 1993-08-25 Zimmer Johannes Verfahren und vorrichtung zum impraegnierenden und/oder beschichtenden auftragen fluessiger, gegebenenfalls verschaeumter substanzen
US4793282A (en) * 1987-05-18 1988-12-27 Libbey-Owens-Ford Co. Distributor beam for chemical vapor deposition on glass
US5591267A (en) * 1988-01-11 1997-01-07 Ohmi; Tadahiro Reduced pressure device
US5906688A (en) * 1989-01-11 1999-05-25 Ohmi; Tadahiro Method of forming a passivation film
US5313982A (en) * 1988-07-08 1994-05-24 Tadahiro Ohmi Gas supply piping device for a process apparatus
JPH0647073B2 (ja) * 1988-07-08 1994-06-22 忠弘 大見 プロセス装置用ガス供給配管装置
GB8824102D0 (en) * 1988-10-14 1988-11-23 Pilkington Plc Apparatus for coating glass
US5789086A (en) * 1990-03-05 1998-08-04 Ohmi; Tadahiro Stainless steel surface having passivation film
US5136975A (en) * 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US6379466B1 (en) * 1992-01-17 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas distribution plate
GB9300400D0 (en) * 1993-01-11 1993-03-03 Glaverbel A device and method for forming a coating by pyrolysis
US5356718A (en) * 1993-02-16 1994-10-18 Ppg Industries, Inc. Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US5863337A (en) * 1993-02-16 1999-01-26 Ppg Industries, Inc. Apparatus for coating a moving glass substrate
DE4325011A1 (de) * 1993-07-28 1995-03-02 Herlitz Michael Erweiterung von Entspiegelung wie bei Brillengläsern üblich auf Autoglasscheiben sowie weitere Kraftfahrzeuge und Verkehrsmittel, sowie alle anderen Silikat- und Kunststoffscheiben
US5425810A (en) * 1994-05-11 1995-06-20 Internation Business Machines Corporation Removable gas injectors for use in chemical vapor deposition of aluminium oxide
US6200389B1 (en) 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
TW359943B (en) * 1994-07-18 1999-06-01 Silicon Valley Group Thermal Single body injector and method for delivering gases to a surface
FR2724923B1 (fr) * 1994-09-27 1996-12-20 Saint Gobain Vitrage Technique de depot de revetements par pyrolyse de composition de gaz precurseur(s)
TW356554B (en) * 1995-10-23 1999-04-21 Watkins Johnson Co Gas injection system for semiconductor processing
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
US6055927A (en) 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US5938851A (en) * 1997-04-14 1999-08-17 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Exhaust vent assembly for chemical vapor deposition systems
US6103015A (en) * 1998-01-19 2000-08-15 Libbey-Owens-Ford Co. Symmetrical CVD coater with lower upstream exhaust toe
US20010040230A1 (en) * 1999-11-30 2001-11-15 Woo Sik Yoo Compact gate valve
US6302965B1 (en) * 2000-08-15 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces
US6698718B2 (en) 2001-08-29 2004-03-02 Wafermasters, Inc. Rotary valve
JP4124046B2 (ja) * 2003-07-10 2008-07-23 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 金属酸化物被膜の成膜方法および蒸着装置
DE102006043542B4 (de) * 2006-09-12 2012-05-16 Innovent E.V. Verfahren zum Beschichten von Oberflächen
DE102006043543B4 (de) * 2006-09-12 2012-05-10 Innovent E.V. Homogenisator für der Beschichtung von Oberflächen dienende Gasströme
JP2008169437A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 製膜装置
KR20110014653A (ko) * 2008-05-19 2011-02-11 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 소자에서 증기 코팅 장치 및 방법
US20100212591A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-26 Alta Devices, Inc. Reactor lid assembly for vapor deposition
EP3471130A1 (en) * 2008-12-04 2019-04-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition flow inlet elements and methods
US8931431B2 (en) 2009-03-25 2015-01-13 The Regents Of The University Of Michigan Nozzle geometry for organic vapor jet printing
JP2014520201A (ja) * 2011-03-23 2014-08-21 ピルキントン グループ リミテッド 薄膜コーティングを被覆するための装置およびこのような装置を用いた被覆方法
TW201309838A (zh) * 2011-07-12 2013-03-01 Asahi Glass Co Ltd 附積層膜之玻璃基板之製造方法
WO2013008895A1 (ja) 2011-07-12 2013-01-17 旭硝子株式会社 積層膜付きガラス基板の製造方法
CN104310796A (zh) * 2014-09-26 2015-01-28 蓝思科技(长沙)有限公司 一种玻璃材料表面as膜方法及其装置
DE102014117492A1 (de) * 2014-11-28 2016-06-02 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat
US11588140B2 (en) * 2018-01-12 2023-02-21 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity
DE102021133627A1 (de) 2021-12-17 2023-06-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung zum Beschichten eines bandförmigen Substrates mit einer Parylene-Schicht

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH544156A (de) * 1971-04-16 1973-11-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur Herstellung von oxydischen Halbleiterschichten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US3888649A (en) * 1972-12-15 1975-06-10 Ppg Industries Inc Nozzle for chemical vapor deposition of coatings
US3850679A (en) * 1972-12-15 1974-11-26 Ppg Industries Inc Chemical vapor deposition of coatings
US4088471A (en) * 1974-06-14 1978-05-09 Pilkington Brothers Limited Apparatus for coating glass
FR2288068A1 (fr) * 1974-10-15 1976-05-14 Boussois Sa Procede et dispositif pour deposer par pulverisation d'un liquide une couche mince a la surface d'un materiau en feuille, notamment pour le traitement a chaud d'une feuille de verre
GB1507996A (en) * 1975-06-11 1978-04-19 Pilkington Brothers Ltd Coating glass
GB1524326A (en) * 1976-04-13 1978-09-13 Bfg Glassgroup Coating of glass
GB1516032A (en) * 1976-04-13 1978-06-28 Bfg Glassgroup Coating of glass
CH628600A5 (fr) * 1979-02-14 1982-03-15 Siv Soc Italiana Vetro Procede pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede.
MX152941A (es) * 1979-07-31 1986-07-04 Siv Soc Italiana Vetro Mejoras en procedimiento para depositar sobre un substrato de vidrio ceramico u otra substancia mineral un revestimiento adherente de oxido de estano
IT1134153B (it) * 1979-11-21 1986-07-31 Siv Soc Italiana Vetro Ugello per depositare in continuo su un substrato uno strato di una materia solida
GB2068937B (en) * 1980-01-31 1984-02-29 Bfg Glassgroup Coating hot glass with metals or metal compounds especially oxides

Also Published As

Publication number Publication date
ZA829305B (en) 1983-09-28
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DE3247345C2 (it) 1992-01-23
DK161808C (da) 1992-01-20

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