DE969779C - Magnetische Speichereinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine magnetische Speichereinrichtung, in welcher die Informationswerte in einer Matrix aus einzelnen magrietisierbaren Elementen oder Kernen gespeichert werden.

Es sind bereits magnetische Speichermatrizes beschrieben worden, welche «ine Vielzahl von magnetischen Kernen mit annähernd rechteckiger Hysteresiskurve enthalten, und es ist auch bereits ein zusammen mit solchen Matrizes zu verwendender magnetischer Schalter beschrieben worden. Die Kerne sind innerhalb der Matrix oder des Schalters in (horizontal verlaufenden) Zeilen und in (vertikal verlaufenden) Reihen angeordnet. Bei dieser Anordnung ist eine Anzahl von Zeilenspulen vorhanden, von denen jede mit allen Kernen der zugehörigen Zeile verkettet ist. Ferner ist eine Anzahl von Reihenspulen vorhanden, die mit allen Kernen der zugehörigen Reihe verkettet ist. Die Informationswerte werden in den Kernen nach dem Dualzahlsystem gespeichert. Dies bedeutet, daß ein Kern zur Darstellung der einen Dualziffer in der einen Richtung, z. B. in der Richtung P gesättigt wird und zur Darstellung der zweiten Dualziffer in der umgekehrten Richtung, also der iV-Richtung gesättigt wird. Wenn die Sättigungsrichtung eines bestimmten Kerns umgesteuert werden soll, so wird der Erregerstrom derjenigen Zeilenspule und derjenigen Reihenspule zugeführt, welche mit diesem Kern verkettet sind. Die Amplitudengröße der beiden erwähnten Spulen zugeführten Ströme beträgt

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wenigstens die Hälfte des zur Umsteuerung des ausgewählten Kernes erforderlichen Betrages. Daher erfährt dieser Kern eine Gesamterregung von einer ganzen Stromeinheit, während Kerne, welche lediglich mit der erregten Zeilenspule oder lediglich mit der erregten Reihenspule verkettet sind, nur die Hälfte der zur Umsteuerung erforderlichen Erregung erfahren und daher nicht umgesteuert werden.

Zur Ablesung der in einem bestimmten Kern gespeicherten Information wurde bisher' eine einzige Ablesespule verwendet. Diese Spule ist mit allen Kernen der gesamten Speichermatrix verkettet. Gewöhnlich werden die Spulen, welche mit iS dem abzulesenden Kern verkettet sind, so erregt, daß sie den Kern in die P-Richtung ummagnetisieren. Wenn der Kern sich bereits in der P-Richtung befindet, so wird sein magnetischer Zustand dabei nicht geändert, und in der Ablesespule wird

so keine Spannung induziert. Wenn der Kern sich aber in der A^x-Richtung befindet, so wird eine erhebliche Spannung in der Ablesespule induziert. Wenn man also einen der Matrixkerne in der P-Richtung magnetisiert und wenn man dabei die

z5 Ausgangsspannung der Ablesespule beobachtet, so läßt sich der vorher bestehende Magnetisierungszustand des Kernes erkennen. In der Praxis treten jedoch bei der Durchführung dieses Ablesevorganges viele Schwierigkeiten auf. Bekanntlich verlaufen nämlich die Hysteresiskurven von magnetischen Materialien im Sättigungsgebiet nicht genau horizontal. Infolgedessen wird bei den sogenannten »halbgesteuerten« Kernen ein Teil der Hysteresiskurvenfläche umfahren. Die dabei in der Ablesespule erzeugte Spannung kann daher die von dem gewünschten Kern induzierte Spannung »abdekken«, d. h. kann an den Klemmen der Ablesespule eine Spannung erzeugen, welche den A'-Zustand eines Kernes vortäuscht, wenn sich dieser Kern in Wirklichkeit im P-Zustand befand. Eine früher benutzte Methode zur Vermeidung dieser Erscheinung besteht darin, die Ablesespule auf den Kernen derart zu wickeln, daß der Wicklungssinn von Kern zu Kern wechselt. Bei einer solchen Wicklungsverteilung sind die Spannungen der »halbgesteuerten« Kerne in der Spule einander entgegen gerichtet und heben sich daher auf, so daß nur noch die Spannung des gewünschten Kernes vorhanden ist.

Auf diese Weise läßt sich die Größe der von einer Matrix erzeugten unerwünschten Spannungen zwar vermindern, aber nicht völlig beseitigen. Die Steilheit der Hysteresiskurve in den beiden Sättigungsgebieten ist nämlich bei ein und demselben Kern keineswegs gleich. Außerdem verhalten sich möglicherweise die magnetischen Kerne bei einer bestimmten MMK nicht gleich, sondern manche Kerne sprechen langsamer an als andere. Die von den »halbgesteuerten« Kernen erzeugten Spannungen haben also möglicherweise nicht dieselbe Amplitude, und es brauchen auch ihre Maxima zeitlich nicht zusammenzufallen. Für Matrizes mit großen Kernzahlen muß man sich daher zur Ausschaltung unerwünschter Signale anderer Mittel bedienen.

Ein Zweck der Erfindung ist es, eine verbesserte magnetische Speichereinrichtung zu schaffen, bei der die bei der Ablesung erzeugten unerwünschten Signale weniger groß sind.

Dies läßt sich zusammen mit anderen Vorteilen dadurch erreichen, daß die magnetische Speichermatrix mit einer Mehrzahl von Ablesespulen ausgerüstet wird. Diese Spulen werden mit bestimmten Gruppen. von magnetischen Kernen verkettet. Die einzelnen Kerne sind dabei so auf die Gruppen verteilt, daß innerhalb einer bestimmten Gruppe jeweils nur ein einziger Kern mit derselben Zeilen- und Reihenspule verkettet ist.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Ausgangsseite jeder Ablesespule an ein magnetisches Register angeschlossen und dieses Register vor jedem Ablesevorgang vollständig gelöscht und nach dem Ablesevorgang wieder gelöscht. Wenn bei der Ablesung des magnetischen Registers also eine Ausgangsspannung entsteht, so zeigt diese an, ob der abgelesene Kern sich im P-Zustand oder im iV-Zustand befand.

Fig. ι zeigt perspektivisch die Ringform der Matrixkerne zusammen mit verschiedenen mit dem Kern verketteten Spulen;

Fig. 2 zeigt in schematischer Darstellung eine Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 3 zeigt ein System zur Kopplung eines magnetischen Registers mit seiner Ablesespule, bei der das Rauschen verkleinert wird; Und

Fig. 4 zeigt ein System zur Ankopplung der Ablesespule an die Speicherkerne zur Verminderung der Induktion durch Streuspannungen und zur Verminderung des Rauschens.

In allen Figuren der Zeichnung sind gleiche Bestandteile oder Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen.

Fig. ι enthält einen magnetischen Ringkern 10, durch den drei verschiedene Drähte hindurchlaufen. Der Kern und die drei Drähte sind ein Teil der in i°5 Fig. 2 dargestellten magnetischen Speichereinrichtung. In Fig. ι gehören die drei Drähte jeweils zu Spulen, welche induktiv durch einen Teil einer Wicklung mit dem Kern verkettet sind. Einer der Drähte gehört zu einer Zeilenspule 12, der andere zu einer Reihenspule 14 und der dritte zu einer Ablesespule 16.

In. Fig. 2 enthält die statische magnetische Matrix eine Vielzahl von einzeln magnetisierbaren Elementen oder Kernen mit annähernd rechteckförmiger Hysteresiskurve. Die magnetischen Kerne sind in Form von (horizontalen) Zeilen und (vertikalen) Reihen angeordnet. Jede Kernreihe ist mit einer getrennten Reihenspule 14 verkettet und jede Kernzeile mit einer getrennten Zeilenspule 12. Die durch Rechtecke 20 und 22 dargestellten magnetischen Schalter dienen zur selektiven Erregung einer Zeilenspule 12 und einer Reihenspule 14, so daß ein gewünschter mit beiden Spulen verketteter Kern, d. h. ein am Schnittpunkt dieser Spulen gelegener Kern zur Speicherung eines Informations-

wertes in dem Kern oder zur Ablesung einer in dem Kern gespeicherten Information magnetisiert werden kann.

Die magnetischen Schalter sind als Rechtecke 20 und 2.2 dargestellt. Derartige an sich bekannte Schalter dienen zur Verminderung der für die selektive Erregung einer Zeilen- und Reihenspule notwendigen Röhrenzahl. Jeder dieser Schalter besteht aus einem Stapel von Kernen, mit denen eine Zahl von Auswahlspulen entsprechend einem gewünschten Kode gekoppelt ist. Eine weitere Spule ist mit allen Kernen des ganzen Schalters gekoppelt und stellt die sogenannte Rückstellspule in die Λ'-Richtung dar. Jeder Spule ist eine Steuerröhre zugeordnet, in deren Anodenzuleitung die Spule liegt. Die Schalterkerne sind gewöhnlich in der Λ'-Richtung gesättigt, wenigstens in ihrer Bereitschaftslage oder Ruhelage. Jeder Schalterkern in dem Zellenschalter ist mit einer anderen Zeilenspule gekoppelt,, während im Reihenschalter jeder Kern mit einer anderen Reihenspule gekoppelt ist. Wenn ein Schalterkern von X nach P oder von P nach Λ^Γ umgelegt wird, so induziert er in der mit ihm verketteten Spule eine Spannung. Ein Schalterkern wird für- die Umsteuerung von Λ* nach P durch die Zuführung von Signalen an die Gitter derjenigen Steuerröhren ausgewählt, deren Anodenstrom über die mit dem Kern verketteten richtigen Auswahlspulen fließt. Zur Rückstellung des Schalterkernes in den Λ'-Zustand wird der mit der Λ'-Rückstellspule gekoppelten Röhre an ihrem Gitter ein Signal zugeführt.

Ein Speicherkern kann dadurch in die P-Richtung umgesteuert werden, daß die beiden Schalterkerne, welche mit der zugehörigen Zeilen- und Reihenspule des Speicherkernes gekoppelt sind, in die -P-Richtung umgesteuert werden. Sodann werden die Schalterkerne der Reihe nach in den ^-Zustand zurückgeführt. Wenn man die Schalterkerne gleichzeitig in den A^r-Zustand umsteuern würde, so würde der Speicherkern ebenfalls in der AT-Richtung magnetisiert werden.

Die Matrix ist mit einer Mehrzahl von Ablesespulen 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46 und 48 ausgerüstet. Jede dieser Spulen ist mit gleich vielen Kernen 10 verkettet. Die Kerne, die mit derselben Ablesespule verkettet sind, bilden eine Kerngruppe. Beispielsweise ist eine Ablesespule 48 mit allen Kernen einer Diagonale der ganzen Kernanordnung gekoppelt. Da die Matrix in Fig. 2 aus 10· 10 Kernen aufgebaut ist, besteht diese Gruppe aus zehn Kernen. Eine zweite Ablesespule 30 ist mit einer zweiten Gruppe von Kernen verkettet, welche aus neun Kernen, nämlich den jeweils unmittelbar von den mit der Spule 48 verketteten Kernen liegenden Kernen besteht plus dem zehnten Kern, der sich in der oberen rechten Ecke der Matrix befindet. Eine dritte Kerngruppe, mit welcher eine dritte Ablesespule 32 verkettet ist, besteht aus acht Kernen, die jeweils unmittelbar links neben den obengenannten neun Kernen liegen, plus den zwei Kernen, welche unmittelbar links und unmittelbar unterhalb des Kerns in der rechten oberen Ecke der Matrix liegen. Nach diesem Schema sind auch die übrigen Kerne mit den übrigen Ablesespulen gekoppelt. Da der Speicher im ganzen hundert Kerne enthält, sind zehn Ablesespulen vorhanden. Die Ablesespulen sind in Fig. 2 der Übersichtlichkeit halber nicht vollständig dargestellt. Der jeweils gezeichnete Teil jeder Spule ist derjenige, der über die zehn Kerne verläuft. Der nicht gezeichnete Teil ist lediglich zur Schließung der Spule erforderlich. Jede der Ablesespulen ist ebenfalls mit einem magnetischen Kern 50 verkettet. Es sind somit zehn Kerne 50 vorhanden, welche zusammen ein magnetisches Register darstellen. Diese Kerne oder Einheiten des magnetischen Registers müssen eine Koerzitivkraft besitzen, die kleiner ist, als die eines Speicherkernes. Die Ausgangsspannung eines Speichers, der gerade abgelesen wird, muß nämlich den mit der Ablesespule verketteten Registerkern umsteuern können.

Die magnetischen Registerkerne sind alle mit einer Abfragespule 52 und mit einer sogenannten Antwortspule oder Abnahmespule 54 verkettet. Eine Abfrageimpulsquelle 56 liegt an der Spule 52, während die Spule 54 an einem Verbraucher liegt. Es dürfte deutlich sein, daß die Ablesespulen 30 bis 48 an die Kerne 10 in jeder Gruppe so angekoppelt sind, daß jeder Kern einer bestimmten Gruppe an verschiedene Zeilen- und Reihenspulen angekoppelt ist. Die Bedeutung dieser Schaltung läßt sich am besten verstehen, wenn man annimmt, daß beispielsweise der Kern 10' des Speichers ausgewählt und umgesteuert werden soll. Dieser Kern ist mit einer Ablesespule 46 verkettet, welche ihrerseits nicht mit irgendeinem anderen Kern der erregten Zeilen- oder Reihenspule, die zum Kern io' gehören, verkettet ist. Dementsprechend ist die Ablesespule 44 gegen alle von den »halbgesteuerten« Kernen stammenden unerwünschten Signale geschützt. Die »halbgesteuerten« Kerne längs einer erregten Zeilenspule 12' und Reihenspule 14' sind an die übrigen Ablesespulen angekoppelt, so daß keine Ablesespule mit mehr als zwei »halbgesteuerten Kernen« verkettet ist. Dies stellt einen charakteristischen Unterschied gegenüber den früher benutzten gemeinsamen Ablesespulen dar, bei denen in diesem Beispiel die Ablesespule mit achtzehn »halbgesteuerten« Kernen und einem ausgewählten Kern verbunden wäre. Das unerwünschte Signal wird also bei der erfmdungsgemäßen Anordnung außerordentlich stark verkleinert.

Die Registerkerne befinden sich ursprünglich im Λ-Zustand. Die Ausgangsspannung eines umgesteuerten Speicherkernes wird, wenn der Kern von N nach P umgesteuert wird, dem Registerkern, welcher mit der betreffenden Ablesespule verkettet ist, zugeführt und steuert diesen Kern von N nach P um. Zur Ablesung des Registers wird ein iao Impuls einer Abfrageimpulsquelle der Abfragespule des magnetischen Registers zugeführt. Wenn der Registerkern sich in seiner P-Lage befindet, wird er durch den Abfrageimpuls in den N-Zustand zurückgeführt, und es wird somit in der Aus? gangsspule eine Spannung induziert. Wenn in der

Ausgangsspule keine Spannung auftritt, so bedeutet dies, daß der abgefragte Speicherkern sich im -P-Zustand befand. Der Registerkern kann während seiner Rückstellung in der Ablesespule seinerseits eine Spannung induzieren. Da jedoch die Koerzitivkraft der Registerkerne kleiner ist, als die der Speicherkerne, so sieht man, daß diese induzierte Spannung auf die Gedächtniskerne nur einen vernachlässigbar kleinen Einfluß ausübt.
ίο Um die von dem magnetischen Register erzeugten unerwünschten Signale, die von der unvollständigen Steuerung der Registerkerne durch die Abfrageimpulse herrühren, können die Registerkerne induktiv mit der Ablesewicklung in einer solchen Weise verkettet werden, daß die unerwünschten Signale sich fast vollständig auslöschen. Dies ist in Fig. 3 dargestellt, in welcher die Matrix schematisch durch das Rechteck"]: 1 angedeutet ist. Bei der Anordnung nach Fig. 3 ist die Hälfte der Kerne 50 im einen Sinne mit der Ablesewicklung 54 und die andere Hälfte der Kerne im umgekehrten Sinne mit der Ablesewicklung verkettet. Die unerwünschten Signale des Registers heben sich daher wegen der verschiedenen Spannungsrichtung in den im verschiedenen Sinne verketteten Kernen gegenseitig auf. Da alle Kerne mit der Abfragespule in demselben Sinne verkettet sind, mit Ausnahme von möglicherweise einem Kern, wird eine bessere gegenseitige Auslöschung der Signale erreicht als in der Speichermatrix.

Fig. 4 zeigt einen Teil einer Speichereinrichtung und soll veranschaulichen, wie eine Ablesespule mit den Kernen in einer Gruppe verkettet ist, um die Signale von den »halbgesteuerten« Kernen zu verkleinern und ferner die in einer Ablesespule von außen induzierten Störspannungen zu verkleinern. Die Ablesespule 60 ist mit den Speicherkernen 10 ihrer Gruppe auf der einen Seite der Matrixdiago^· nalen im einen Sinne und mit den Kernen auf der anderen Seite der Matrixdiagonalen im umgekehrten Sinne verkettet. Die Spule 60 ist in Fig. 4 der Einfachheit halber unten offen dargestellt, aber man erkennt, daß natürlich jede Ablesespule unten mit ihrem eigenen Registrierkern verkettet sein muß. Somit kann eine Spannung, die von den »halbgesteuerten« Kernen auf der einen Seite der Diagonalen herrührt, wenigstens teilweise durch die »halbgesteuerten Kerne« auf der anderen Seite der Diagonalen kompensiert werden. Ferner ist diejenige Seite der Ablesespule, welche nicht mit irgendwelchen Kernen verkettet ist, so nahe zu der mit Kernen verketteten Spulenseite angebracht als es überhaupt räumlich möglich ist, um die Induktion seitens der erregten Auswahlspulen zu vermeiden.

Das magnetische Register stellt nicht nur eine Einrichtung zur vollständigen Vermeidung unerwünschter Ablesesignale dar, sondern erlaubt auch in jedem Zustand des magnetischen Speicherkernes eine Ablesung, kurz nachdem dieser Kern in den betreffenden Magnetisierungszustand übergeführt worden ist. Hierdurch wird der Vorteil erreicht, daß die gespeicherte Information unmittelbar nachgeprüft und etwaige Fehler korrigiert werden können.

Wenn man eine Drei-Schritt-Betriebsweise für ' die Steuerung der Kerne des magnetischen Schalters für die Niederschrift der Information P voraussetzt, so werden zunächst die ausgewählten Kerne in beiden Schaltern gleichzeitig in den P-Zustand gebracht und dann nacheinander in den iV-Zustand zurückgestellt. Hierzu sind drei Schritte erforderlich. Für die Niederschrift der Information N werden zunächst die ausgewählten Kerne in beiden Schaltern nacheinander in der P-Richtung magnetisiert und dann gleichzeitig in den iV-Zustand zurückbefördert. Wenn zum Schluß der ersten Schalterkernsteuerung nach P die Registerkerne alle in den P-Zustand gebracht werden, dann können nach Beendigung des dritten Schrittes die Registerkerne durch Zuführung eines neuen P-Impulses geprüft werden. Wenn sich eine Ausgangsspannung zeigt, so ist die Information P gespeichert. Dies kann mit der Eingangsinformation des Registers verglichen werden. Es sei bemerkt, daß beim ersten Schritt ein ausgewählter Speicherkern in den P-Zustand gesteuert wird, unabhängig davon, ob die Information P oder die Information N niedergeschrieben werden soll. Jede Einwirkung des Speicherkernes (wenn dieser von N nach P umgesteuert wurde) auf den Registerkern wird durch Umsteuerung des Registerkernes nach P gelöscht. Wenn der Speicherkern durch zeitlich aufeinanderfolgende Rückstellung der magnetischen Schalter in einem P-Zustand belassen wird, so bleiben die Registerkerne unbeeinfiußt, und es entsteht keine Ausgangsspannung, wenn eine neue P-Steuerung auftritt. Wenn der Speicherkern im zweiten Schritt nach N umgelegt wird, so steuert er den Registerkern ebenfalls in den iV-Zustand, und dies ist dann an der Ausgangsspannung des Registerkernes bei seiner nächsten Steuerung in den P-Zustand zu erkennen.

Die in Fig. 2 dargestellte Art der Verkettung einer Mehrzahl von Ablesespulen mit den Matrixkernen läßt sich auch auf eine nicht quadratische Matrix anwenden, d. h. auf eine Matrix, die in der Zeilen- und in der Reihenrichtung eine verschiedene Zahl von magnetisierbaren Elementen aufweist. Wenn die in einer Gruppe zusammengefaßte Kernzahl gleich der Kernzahl in der größeren Matrixseite ist, so tritt nicht die Schwierigkeit auf, daß für eine mit derselben Zeilen- und Reihenspule zu verkettende Kerngruppe keine Kerne mehr zur Verfugung stehen.

Statt der Ringkerne können auch andere Kernformen verwendet werden. Die geometrische Lage der Matrixkerne kann ferner nach Wunsch gewählt werden. Die zu einer Zeile gehörigen Kerne brauchen nicht in Form einer geraden Linie angeordnet zu werden, sondern müssen nur als zu einer Zeile gehörige Kerne identifizierbar sein. Dasselbe gilt sinngemäß für die Kerne einer Reihe.

Claims (8)

1. PATENTANSPRÜCHE:

   i. Magnetische Speichereinrichtung mit einer Matrix aus einzelnen, in Zeilen und Reihen an-

   geordneten magnetisierbaren Elementen und je einer Mehrzahl von Zeilen- bzw. Reihenspulen zur Erregung der in einer Zeile bzw. einer Reihe liegenden magnetischen Elemente, wobei jeweils nur ein im Schnittpunkt einer erregten Zeilen- und Reihenspule gelegenes Element in seinen Sättigungszustand gesteuert wird, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Ablesespulen, von denen jede mit je einer Gruppe von ίο Matrixelementen derart verkettet ist, daß jedes Element einer gegebenen Gruppe einer anderen Zeile und einer anderen Reihe zugeordnet ist und somit in der Matrix jeweils nur diejenige Ablesespule erregt wird, welche dem ausgewählig ten Matrixelement zugeordnet ist.
2. 2. Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente aus räumlich getrennten Ringkernen mit annähernd rechteckförmiger Hysteresiskurve bestehen.
3. 3. ,Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Anzahl von Ablesespulen, die im einen Sinn mit gewissen Matrixelementen ihrer Gruppe und im entgegengesetzten Sinn mit einen oder mehreren der übrigen Matrixelemente ihrer Gruppe verkettet sind.
4. 4. Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine dieser Ablesespulen mit Matrixelementen verkettet ist, welche in einer Diagonalen einer rechteckigen Matrix liegen, daß eine zweite Ablesespule mit Matrixelementen verkettet ist, welche unmittelbar neben den Elementen der Diagonalen auf der einen Seite liegen, und ferner mit dem auf der anderen Diagonalseite liegenden und von der Diagonalen am weitest entfernt liegenden Matrixelement, und daß die übrigen Ablesespulen der Reihe nach mit Matrixelementen verkettet sind, welche unmittelbar neben den mit den Matrixelementen der vorhergehenden Ablesespule verketteten Matrixelementen liegen.
5. 5. Magnetische Speichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mit allen Ablesespulen eine Einrichtung verkettet ist, welche die Ausgangsspannung einer Ablesespule aufnimmt, wenn ein gewünschtes mit dieser Ablesespule verkettetes Matrixelement in den Sättigungszustand in einer bestimmten Richtung gesteuert wird.
6. 6. Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch S, dadurch gekennzeichnet, daß diese Einrichtung aus einem magnetischen Register aus einzelnen magnetisierbaren Einheiten besteht, und daß jede dieser Einheiten mit einer anderen Ablesespule verkettet ist.
7. 7. Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine mit allen Einheiten des Registers verkettete Ausgangsspule und durch eine mit allen Einheiten des Registers verkettete Abfrage- und Löschungsspule.
8. 8. Magnetische Speichereinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsspule mit bestimmten Einheiten des Registers im einen Sinne und mit dem' Rest der Einheiten im entgegengesetzten Sinne verkettet ist.

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   »Electronics«, 1953, Heft April, S. 146, 147.

   Hierzu 1 Blat₍t Zeichnungen

   9 609 736/198 12.56 (809 571/16 7.58)