DE1056396B - Ferritmatrixspeicher - Google Patents

Ferritmatrixspeicher

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DE1056396B
DE1056396B DEST12839A DEST012839A DE1056396B DE 1056396 B DE1056396 B DE 1056396B DE ST12839 A DEST12839 A DE ST12839A DE ST012839 A DEST012839 A DE ST012839A DE 1056396 B DE1056396 B DE 1056396B
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Ferritmatrixspeicher mit Serienablesutnig, der so aufgebaut ist, daß die Lesesignale am Ausgang gleiches von der Lage des jeweils abgelesenen Speicherelementes im Speicher unabhängiges Vorzeichen haben. Von besonderer Bedeutung für den Entwurf derartiger Speicher ist die Frage der Störimpulse, die auf dem durch die abzulesenden Speicherelemente geführten Lesedraht auftreten. Das gesamte Störsignal setzt sich zusammen aus einer Vielzahl einzelner Störimpulse, die im wesentlichen infolge Restpermeabilität im Remanenzpunkt der halbmarkierten Kerne und aus direkter induktiver Beeinflussung zwischen dem Lesekreis und den Aufrufkreisen zur Auswahl der Speicherelemente auftreten.
Eine induktive Beeinflussung zwischen Lesekreis und Aufrufkreisen kann bekanntlich bewußt zur Kompensation der Störimpulse dadurch ausgenutzt werden, daß über eine besondere transformatorische Kopplung ein von den Leseimpulsen in den Aufrufkreisen abhängiger Kompensationsimpuls im Lesekreis erzeugt wird.
In anderen bekannten Anordnungen ist der Lesedraht so geführt, daß sich die Störimpulse infolge Restpernjieabilität gegenseitig weitgehend aufheben. Fig. 1 zeigt eine entsprechend verdrahtete Speichermatrix mit einzelnen Ferritkernen, die über Zeilen- und Spaltendrähte zugänglich sind. Der Lesedraht ist so geführt, daß sich auch die induktive Beeinflussung zum Teil kompensiert. Von Nachteil ist jedoch, daß das Lesesignal je nach Lage des aufgerufenen Speicherkernes in der Matrix positives oder negatives Vorzeichen hat. Dies führt in verschiedenen Fällen zu Schwierigkeiten, vor allem, wenn Einschreib- und Ablesevorgang zeitlich unabhängig voneinander durchgeführt werden.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Speichermatrix zu schaffen, die Lesesignale gleichen Vorzeichens liefert und trotzdem nur geringen zusätzlichen Aufwand für die Kompensation der Störimpulse erfordert.
Gegenstand der Erfindung ist ein Ferritmatrixspeicher mit über Zeilen- und Spaltendrähte zugänglichen, mittels Halbschreib- und Leseimpulsen betätigten Speicherelementen und einem allen Speicherelementen gemeinsamen Lesedraht zur Entnahme von Lesesignalen gleichen, von der Lage des jeweils gelesenen Speicherelementes innerhalb des Ferritmatrixspeichers unabhängigen Vorzeichens. Erfindungsgemäß sind zur Kompensation der Spalten- oder Zeilenstörimpulse die Leseimpulse gleichzeitig je zwei Spalten- oder Zeilendrähten mit entgegengesetztem Durchlaufsinn zuführbar.
Die Wirkungsweise derartiger Schaltungen sowie Ferritmatrixspeiclier
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz
Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen,
Hellrmith-Hirth-Str. 42
Gerhard Merz, Rommeishausen,
und Hans Reiner, Stuttgart,
sind als Erfinder genannt worden
weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung werden im folgenden an Hand eines Ausführungsbeispiels beschrieben.
Fig. 2 zeigt eine quadratische Speichermatrix mit vier Zeilendrähten 1 ... 4, vier Spaltendrähten a . . . d und dem Lesedraht 5. Die Spaltendrähte α und b bzw. c und d sind paarweise miteinander verbunden und an die Ausgangs wicklung je eines Übertragers Tl bzw. T2 gelegt. Es bilden also je zwei Spaltendrähte mit der Ausgangswicklung des ihnen zugeordneten Übertragers einen geschlossenen Stromkreis, so daß über den Übertrager eingekoppelte Halbschreib- und Leseimpulse die beiden Spaltendrähte in entgegengesetzten Richtungen durchfließen. Führt beispielsweise der Spaltendraht α einen positiven Halbschreibimpuls, so führt gleichziaitig Üer Spaltendraht b einen gleich großen negativen Impuls. Umgekehrt führt α einen negativen Impuls, wenn h in positiver Richtung von einem Halbschreibimpuls durchflossen wird.
Um die Wirkungsweise der Schaltung zu beschreiben, seien den binären Informationen »1« und »0« die Zustände positiver bzw. negativer Remanenz der Speicherelemente zugeordnet und als Ausgangszustand der Zustand negativer Remanenz, also der Zustand »0«, für alle Speicherelemente angenommen. In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 sind als Speicherelemente einzelne Ferritkerne vorgesehen. Selbstverständlich kann auch jeder andere Hysteresespeicher als Matrixspeicher nach der Erfindung ausgelegt werden, z. B. Ferritplatten mit entsprechenden Bohrungen oder auch ferroelektrische Speicher.
90S· EOS/212
Soll nun in der Speichermatrix nach Fig. 2 beispielsweise in den Kern C2 die. Information »1« eingeschrieben werden, so wird gleichzeitig dem Zeilendraht 2 und dem Spaltendraht c ein positiver Halbschreibimpuls zugeführt. Durch Koinzidenz beider Impulse wird der Kern c in -positiver Richtung ummagnetisiert und verbleibt nach dem Abklängen der Impulse im Zustand positiver Remanenz. Da gleichzeitig mit dem positiven Halbschreibimpuls im Spaltendraht c ein gleich großer negativer Impuls im Spaltendraht d fließt, wird für den Kern d2 die Wirkung des positiven Halbschreibimpulses im Zeilendraht 2 praktisch völlig kompensiert, dieser verbleibt also in dem schon zuvor angenommenen Remanenzzustand. Auch die übrigen Kerne der Speichermatrix werden durch die Halbschreibimpulse nicht ummagnetisiert.
Beim Ablesen der gespeicherten Informationen werden Halbleseimpulse verwendet. Diese sind negativ. War ein Kern im Zustand »1«, so wird er beim Lesen wieder in den Zustand »0« zurückgeführt, wobei ein Lesesignal am Ausgang des Lesedrahtes auftritt. War jedoch ein Kern (z. B. C9) im Zustand »0«, so ergibt sich im allgemeinen am Ausgang des Lesedrahtes ein Störsignal.
Es sei nun wieder der Kern C2 betrachtet, der sich im Zustand »0« befinden möge. Dieser wird durch negative Halbleseimpulse auf Zeilendraht 2 und Spaltendraht c aufgerufen. Durch die Koinzidenz dieser Impulse wird der Zustand des Kernes C2 aus dem negativen Remanenzpunkt weiter in das Gebiet negativer Sättigung verschoben. Gleichzeitig mit dem negativen Halbleseimpuls im Spaltendraht c fließt im Spaltendraht d ein entsprechender positiver Impuls, so daß auch in diesem Falle sich die Impulswirkungen auf den Kern d2 gegenseitig aufheben, also zu dem Signal auf dem Lesedraht keinen Beitrag liefern. Dagegen verursachen die halbmarkierten Kerne a2 und b2 der Zeile 2 und der vollmarkierte Kern c2 einen Störimpuls. Ebenso verursachen die halbmarkierten Kerne C1, C3, C4 und dv ds, dA der Spalten c und d Störimpulse, die sich jedoch kompensieren, da die Spaltendrähte c und d von dem Halbleseimpuls in entgegengesetzten Richtungen durchflossen werden. Es können also nur die Kerne ao, bO und c, einen Beitrag zum Störsignal liefern.
Das von den Zeilenkernen verursachte Störsignal kann durch bekannte Mittel kompensiert werden. So ist in dem Ausführungsbeispiel Fig. 2 eine zusätzliche Zeile mit Kompensationskernen Ka ... Kd sowie eine Übertrager-Gegeninduktivität T vorgesehen. Es ist die Verwendung des einen oder des anderen Verfahrens möglich oder aber auch eine Kombination beider Verfahren. Neben dem Lesedraht 5 sind durch die Kompensationskerne zwei Leitungen 6 und 7 geführt, über die einerseits alle Zeilendrähte mit gerader Zeilennummer und andererseits alle Zeilendrähte mit ungerader Nummer an Masse gelegt sind. In diesen Leitungen und in den entsprechenden Zeilendrähten fließen die Halbschreib- und Leseimpulse in entgegengesetzten Richtungen. In dem betrachteten Beispiel haben beim Lesen des Kernes C2 die Störimpulse aus den Kernen a2, b2 und c2 und die Kompensationsimpulse aus den vier Kernen Ka . . . Kd entgegengesetzte Vorzeichen.
An dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wurde die Kompensation der Spaltenstörimpulse beschrieben. Selbstverständlich kann das gleiche Prinzip auf die Zeilenstörimpulse an Stelle der Spaltenstörimpulse angewandt werden, insbesondere dann, wenn die Anzahl der Kerne- in den Zeilen größer ist als in den Spalten.
Allgemein ist also ein Matrixspeicher nach der Erfindung vorteilhaft so aufgebaut, daß je zwei Spalten-5 oder Zeilendrähte miteinander verbunden und an einen gemeinsamen Übertrager angeschlossen sind. Zweckmäßig wird jeder der Übertrager über einen (in Fig. 2 nicht dargestellten) Durchschalter gespeist, der beim Lesen über die eine dem Übertrager zugeordnete Spalte oder Zeile einen Impuls der einen Polarität und beim Lesen über die andere Spalte oder Zeile einen Impuls entgegengesetzter Polarität liefert. Die Kompensation der Störimpulse nach der Erfindung hat den besonderen Vorteil, daß 50% der für Einspeisung der Spalten oder Zeilen zur Stromwandlung notwendigen Übertrager und Durchschalter eingespart werden, da nur zwei Spalten oder Zeilen zusammen jeweils einen Übertrager benötigen. Weiterhin wird dadurch die Verdrahtung der Schaltung ver-
ao einfacht, in der sonst zur Kompensation der Lesedraht
-. diagonal durch die einzelnen Speicherkerne durchgefädelt werden muß.
Da am Ausgang des Lesedrahtes immer Lesesignale gleichen Vorzeichens auftreten, ergibt sich auch ein wesentlich einfacherer Aufbau des Leseverstärkers.
Wie das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 zeigt, ist es günstig, den Matrixspeicher so auszubilden, daß der Lesedraht richtungsgleich mit den Zeilen- oder Spaltendrähten geführt ist. Zweckmäßig ist ein soleher Matrixspeicher noch so ausgelegt, daß bei zeilen- oder spaltenweise abwechselndem Richtungssinn des Lesedrahtes aufeinanderfolgenden Zeilen- oder Spaltendrähten Leseimpulse mit entgegengesetztem Vorzeichen zuführbar sind.
Eine vorteilhafte Anwendung findet der beschriebene Ferritmatrixspeicher als Serienspeicher mit Fremdeinschreibung, z. B als Speicher zur elektronischen Gebührenerfassung. Es ergeben sich bei dieser Anwendung weitere Einsparungen dadurch, daß für Zeilen*- und Spaltendrähte nur Impulse eines Vorzeichens benötigt werden. Für jede Zeile ist zwar noch ein Übertrager, aber nur für je zwei Zeilen ein Durchschalter erforderlich. Insgesamt ergibt sich also eine wesentliche Einsparung an Gesamtaufwand bei gleichzeitiger Verbesserung der Eigenschaften des Speichers.

Claims (5)

Patentanspruch e·.
1. Ferritmatrixspeicher mit über Zeilen- und Spaltendrähte zugänglichen, mittels Halbschreibund Leseimpulsen betätigten Speicherelementen und einem allen Speicherelementen gemeinsamen Lesedraht zur Entnahme von Lesesignalen gleichen, von der Lage des jeweils gelesenen Speicherelementes innerhalb des Ferritmatrixspeichers unabhängigen Vorzeichens, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation der Spalten- oder Zeilenstörimpulse die Leseimpulse gleichzeitig je zwei Spalten- oder Zeilendrähten mit entgegengesetz- - tem Durchlaufsinn zuführbar sind.
2. Matrixspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei Spalten- oder Zeilendrähte miteinander verbunden und an einen gemeinsamen Übertrager angeschlossen sind.
3. Matrixspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Übertrager über einen Durchschalter gespeist wird, der beim Lesen über die eine dem Übertrager zugeordnete Spalte oder
Zeile einen Impuls der einen Polarität und beim Lesen über die andere Spalte oder Zeile einen Impuls entgegengesetzter Polarität liefert.
4. Matrixspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lesedraht richtungsgleich mit den Zeilen- oder Spaltendrähten geführt ist.
5. Matrixspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei zeilen- oder spaltenweise abwechselndem Richtungssinn des Lesedrahtes aufeinanderfolgenden Zeilen- oder Spaltendrähten Leseimpulse mit entgegengesetztem Vorzeichen zuführbar sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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