DE921566C - Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. Arylhalogensilanen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. ArylhalogensilanenInfo
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
Description
Für die technische Gewinnung von Organo silanen nach dem Direktverfahren ist bereits vorgeschlagen
worden, die Umsetzung von Halogenkohlenwasserstoffen statt mit Silicium allein mit
dessen Legierungen mit Kupfer vorzunehmen, wobei die Halogenkohlenwasserstoffe bei erhöhter Temperatur
über solche Legierungen geleitet werden. Wenn auch schon bei diesem Verfahren hochaktive Si-Cu-Legierungen erhalten werden können,
ίο die eine gute Ausbeute an Organosilanen ermöglichen,
so hat dies doch den Nachteil gezeigt, daß es schwierig ist, stets gleich gute hochaktive Si-Cu-Legierungen
zu erhalten. Es bleibt mehr oder weniger dem Zufall überlassen, ob bei der Her-Stellung
der Legierung auch bei Einhaltung genau gleicher Arbeitsbedingungen ein hochaktiver Kontakt
gewonnen wird.
Es wurde gefunden, daß dieses bekannte Herstellungsverfahren für Alkyl- bzw. Arylhalogensilane
dadurch wesentlich verbessert werden kann, ao daß man den bekannten Silicium-Kupfer-Legierungen
als Aktivator ein Element der 5. bis 8. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Kobalt,
Nickel oder Phosphor, sowie einen zusätzlichen Aktivator aus Kupfersalzen, wie Kupferchlorür
oder Gemischen von Kupfersalzen, zugibt und die Umsetzung bei Temperaturen vorzugsweise von
etwa 250 bis 3800 durchführt.
Auf diese Weise werden in überraschender Weise die bisherigen Schwierigkeiten mit Si-Cu-Legierungen
beseitigt, da durch diese neuen Beimengungen stets gleich wirksame, hochaktive Kontakte erhalten werden, die es ermöglichen, die
Silanherstellung infolge der gleichmäßigeren Umsetzung und der stets gleich guten Ausbeuten wirtschaftlicher
zu gestalten.
Die Art der Herstellung der Siliciumlegierung ist von Bedeutung für deren Aktivität. Es wurde
gefunden, daß diese am größten ist, wenn die Legierung unter einer Schlacke oder in einem inerten
Gas, d. h. in einem sich an der Reaktion nicht beteiligenden Gas, wie z. B. Wasserstoff, oder diesen
abgebende Verbindungen, z. B. Amoniakgas, erschmolzen wird, worauf man die fertige Legierung
in Stücke zerkleinert oder zu Pulver vermählt, das zu Tabletten verpreßt werden kann.
Die zusätzliche Aktivierung dieser Legierungen
ίο erreicht man, wenn man die erhaltenen pulverigen
Siliciumlegierungen mit Lösungen oder Pasten von Kupferchlorür oder Chlorokupfersäuren bzw. deren
Salzen verreibt, wodurch man eine gleichmäßige Verteilung dieses zusätzlichen Aktivators erhält,
der beim Trocknen hochaktive Schichten bildet. Man kann als zusätzlichen Aktivator auch Gemische
der Kupferverbindungen in verschiedenen Wertigkeitsstufen verwenden. Diese verschiedenen Oxydationsstufen
können vor oder während der Umsetzung eingestellt werden. Man kann den zusätzlichen
Aktivator auch während der Silanherstellung dauernd oder zeitweise zusammen mit den Aryl-
oder Alkylverbindungen in flüssiger oder fester Form als Lösung, Nebel oder Paste in das Umsetzungsgefäß
einführen.
Wenn die erwähnten Maßnahmen bei der Umsetzung berücksichtigt werden, so erzielt man
unter gleichzeitigem Ablauf der Reaktion eine ausgezeichnete Ausbeute an den den Ausgangsverbindüngen
entsprechenden Aryl- oder Alkylhalogensilanen.
Über 112 g einer Legierung aus 85 bis 80 °/o
Silicium, 5 bis 10% Kupfer und 0,5 bis 2% Nickel,
die mit 40 g Kupferchlorür vermischt ist, wird während 14 Stunden bei 270 bis 3000 ein Strom
von 5 bis 10 1/Std. Chloräthyl geleitet. Es bildet sich ein Gemisch, das in folgende Fraktionen zerlegt
werden kann:
1. 48 g vom Siedepunkt bis 730
2. 21g- - - 73 bis 760
3. 25 g - - - 76 bis 960 4. 32 g - - - 96 bis ioo°
5. 55 g - - über ioo°.
Die Fraktion 1 besteht im wesentlichen aus Siliciumchloroform und Siliciumtetrachlorid, die
Fraktion 2 aus Äthyldichlorsilan, die Fraktion 4 aus Äthyltrichlorsilan, die Fraktion 5 aus Diäthyldichlorsilan.
Die Fraktion 3 stellt ein Gemisch aus Fraktion 2 und 4 dar.
Die gepulverte Legierung gemäß Beispiel 1, die statt des Nickels Kobalt enthält, wird mit einer 50
bis 8o°/oigen Lösung der Säure HCuCl2 oder einem
ihrer Salze behandelt und hierauf getrocknet. Aus den in der Legierung enthaltenen 85 g Silicium
bildet sich beim Überleiten von Chlormethyl mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 5 bis 15 1/Std.
bei 2500' innerhalb 24 Stunden ein Gemisch von 180 bis 200 g Chlorsilan. Dieses Gemisch enthält
über 60% Dimethyldichlorsilan, während der Rest aus Methyltrichlorsilan, Trimethylchlorsilan und
Methyldichlorsilan besteht.
Aus 5 bis log Cu(I)-chlorid, Cu(II)-chlorid
bzw. Cu++und 10 bis 15 g konzentrierter Salzsäure
wird eine Paste bereitet, die mit 28 g einer gepulverten Legierung aus etwa 85%) Silicium, I2o/o
Kupfer und 3% Phosphorkupfer vermischt wird. Nach dem Trocknen und Tablettieren werden bei
3400 110 g Chloräthyl über dieses Gemisch geleitet.
Es bilden sich innerhalb 2 Stunden 84 g Rohchloräthylsilan von folgender Zusammensetzung: etwa
20 bis 40% Diäthyldichlorsilan, 30% Äthyltrichlorsialn, 20 bis 30% Äthyldichlorsilan.
80 Beispiel 4
Es wird eine Legierung erschmolzen, die aus Silicium, 5 bis 10% Kupfer und 0,5 bis 2% Kobalt
besteht. 300 g der gemahlenen Legierung werden mit 50 bis 100 g Kupferchlorür versetzt. Es ist
vorteilhaft, diese Masse so zu oxydieren, daß etwa 5 bis 20 °/d des Kupferchlorürs als Kupferchlorid
und etwa 5% als Kupfer (I)-oxyd vorliegen. Bei 280 bis 3000 wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 10 bis 15 1/Std. Chlormethyl über
den Kontakt geleitet, bis sich 900 bis 1200 g Rohsilane gebildet haben, welche zu etwa 60 °A» aus
Dimethyldichlorsilan und zu etwa 30 °/o aus Methyltrichlorsilan bestehen. Die Reaktionszeit (um diese
Menge zu erhalten) beträgt etwa 25 bis 30 Stunden.
Es wird eine Legierung aus Silicium, Kupfer und Nickel erschmolzen, die etwa 5 bis 15%) Kupfer
und 0,5 bis 3% Nickel enthält. 80 g des beim Mahlen erhaltenen Pulvers werden mit 25 g einer
Kupferchlorürpaste durchgearbeitet, die aus 100 g Kupferchlorür und 50 bis 100 ecm konzentrierter
Salzsäure erhalten wird. Nach dem Trocknen wird über diesen Katalysator bei etwa 2750 mit einer
Strömungsgeschwindigkeit von etwa 5 bis 8 i/Std. 25 Stunden lang Chlormethyl geleitet. Von den 180
bis 200 g des Umsetzungsproduktes bestehen über 6o&/o aus Dimethyldichlorsilan, 30% aus Methyltrichlorsilan
und anderen wertvollen Chlorsilanen.
Bei der Ausführung der Umsetzung gemäß Beispiel 5 kann auch eine Legierung verwendet
werden, die 8% Kupfer und 0,3 g Kupferphosphid enthält. Die Ausbeute entspricht der in Beispiel 5.
Über 200 g einer aus 6 bis io°/o Kupfer und
0,2 bis 3% Nickel bestehenden Siliciumlegierung, die mit 5 g Kupferchlorür vermischt ist, werden in
der Stunde 40 bis 50 m3 flüssiges Chlorbenzol als Dampf geleitet. Um den Gastransport zu fördern,
wird ein Stickstoff strom von 10 1/Std. beigemischt.
Zunächst wird in einem Temperaturbereich von bis 3600 gearbeitet. Es tritt reichlich Nebel-
bildung ein, und man erhält ein Destillat, das fraktioniert bis 1250 3 g, von 125 bis 135° 90 g
und über 1350 5 g ergibt. Dieser Teil enthält Phenylchlorsilane. Anschließend wird der Versuch
fortgesetzt, wobei dem Chlorbenzoldampf zur erneuten Bildung von Kupferchlorür 5 1 Chlorwasserstoff
pro Stunde zugesetzt werden. Die Reaktion wird bei 275° durchgeführt. Man erhält jetzt aus
einem Probedestillat bis 1250 100 g, von 125 bis
135° 300 g und darüber 8 g. Arbeitet man bei
höheren Temperaturen, so nimmt die Ausbeute an Reaktionsprodukten zu, allerdings auch die der
unter 125° siedenden Anteile. Die über 1350
siedenden Anteile enthalten Phenyldichlorsilan und Phenyltrichlorsilan und etwas Diphenyldichlorsilan,
wobei die ersteren Verbindungen überwiegen. Die unter 125° siedenden Anteile bestehen aus
Siliciumchloroform und Siliciumtetrachlorid. Die
Reaktionszeit betrug insgesamt 10 Stunden.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE:ι. Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. Arylhalogensilanen durch Umsetzung von Alkyl- bzw. Arylhalogeniden mit Silicium-Kupfer-Legierungen bei erhöhter Temperatur, dadurch gekennzeichnet, daß die Silicium-Kupfer-Legierungen als Aktivator ein Element der 5. bis 8. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Kobalt, Nickel oder Phosphor, und außerdem noch einen zusätzlichen Aktivator aus Kupfersalzen, wie Kupferchlorür oder Gemischen von Kupfersalzen, enthalten und die Umsetzung bei Temperaturen vorzugsweise von etwa 250 bis 3800 durchgeführt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumlegierung unter einer Schlacke oder in Gegenwart eines inerten Gases erschmolzen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydationsstufen des zusätzlichen Aktivators vor oder während der Umsetzung eingestellt werden.Angezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 464 033.9576 12.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP41780A DE921566C (de) | 1949-05-05 | 1949-05-05 | Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. Arylhalogensilanen |
CH282375D CH282375A (de) | 1949-05-05 | 1950-01-07 | Verfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen. |
GB2005/50A GB681387A (en) | 1949-05-05 | 1950-01-25 | Manufacture of organic silicon compounds with the aid of improved catalysts |
US156947A US2666776A (en) | 1949-05-05 | 1950-04-19 | Production of organic silicon compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP41780A DE921566C (de) | 1949-05-05 | 1949-05-05 | Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. Arylhalogensilanen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE921566C true DE921566C (de) | 1954-12-20 |
Family
ID=27184988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP41780A Expired DE921566C (de) | 1949-05-05 | 1949-05-05 | Verfahren zur Herstellung von Alkyl- bzw. Arylhalogensilanen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2666776A (de) |
CH (1) | CH282375A (de) |
DE (1) | DE921566C (de) |
GB (1) | GB681387A (de) |
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