DE892538C - Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen - Google Patents

Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen

Info

Publication number
DE892538C
DE892538C DEL10656A DEL0010656A DE892538C DE 892538 C DE892538 C DE 892538C DE L10656 A DEL10656 A DE L10656A DE L0010656 A DEL0010656 A DE L0010656A DE 892538 C DE892538 C DE 892538C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
roughening
electron beams
electron
guided
roughened
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEL10656A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Dr Phil Koch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL10656A priority Critical patent/DE892538C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE892538C publication Critical patent/DE892538C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

  • Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flächen Bei vielen, Herstellungsverfähren, bei denen es erforderlich ist, einen Gegenstand mit einer dünnen Schicht eines anderen Materials zu versehen, ist es erf orderlich,diesen Gegenstand vorher auf zurauhen, um beispielsweise die Haftfähigkeit des aufzubringenden Materials zu, erhöhen oder etwa Oxydschichten, die sich auf dem Gegenstand gebildet haben, vor der Aufbringung des anderen Materials zu entfernen. Bislang waren zu diesem Zweck Verfahren üblich, bei denen der Gegenstand auf chemischem oder mechanischem Wegge aufgerauht wurde. Die chemischen Verfahren haben u. a. den Nachteil, daß die zum Absätzen benutzten, Mittel den Körper als solchen angreifen und teilweise mit ihm Verbindungen eingehen. Darüber hinaus erreicht die erzielte Rauhigkeit keineswegs immer den erforderlichen Grad., Ein!,-andere Art der Beranhung ist die mit dem Sandstrahl, wobei zwar die erzielte Rauhigkeit wesentlich größer ist als bei dem chemischen Verfahren, andererseits aber häufig der Sand in der bearbeiteten, Fläche hängenbleibt und, so zu Störungen Anlaß gibt. Daräber hinaus ist das- Verfahren außerordentlich kostspielig. Es ist ersichtlich, daß das chemische Verfahren, beispielsweise für die Herstellung von Trockengleichrichtern, für das Aufrauhe.,nder Trägerelektrode äußerst ungeeignet ist. Auch das Anir auhen mit dem Sandstrahl ist, abgesehen von. der Kostenfrage, nicht immer be- friedigend, da, die Rauhigkeiten, selbst wenn der Sand restlos -entfernt ist, schr ungleichmäßi" sind, und, deswegen an, den Spitzen häufig sehr hohe Feldstärken auftreten,die zu Störungen, im Betrieb des Gleichrichters Anlaß geben.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft nun, ein, Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen, Flächen, das sich von den, bekannten dadurch unterscheidet, daß das Aufrauhen mittels eines oder mehrerer Elektronenstrahlen erfolgt, die durch in ihren optischen Daten veränderbare, elektronenoptische Abbildungsmittel über die aufzurauhende Fläche geführt werden.
  • Mit Vorteil wird man dabei mehrere Elektronenstrahlen einzeln oder in Gruppen parallel zueinander über die Fläche führen und sodann die Bewegungsrichtung in dem Sinn ändern, daß. sie mit der ursprünglichen. Be#Wegungsrichtung vorzugsweise einen, rechten Winkel einschließt, derart, daß eine netzförmige. Aufrauhung erfolgt.
  • Darüber hinaus ist es äußerst günstig, die Elektronenstrahlen Bewegungen senkrecht zu ihrer Hauptbewe.gtingsrichtung ausführen zu lassen, so daß ,die Aufrauhungen etwa. sinusförmi-gen Charakter annehmen.
  • Schließlich wird man. mit Vorteil den Eindallswinkel der Elektronenstrahlen derart wählen, daß er ungleich einem rechten ist und auch die-, Intenr sität der Elektronenstrahlen während der Bewegung einer periodischen, Veränderung unterwerfen-.
  • Man erzielt mit diesem Verfahren. eine aufgerauhte Oberfläche, die erstens keinerlei# Verhindungen mit dein Aufrauhungsmaterial und des weiteren, keinerlei sonstigeVerunreinigungendurch dasselbe aufweist und darüber hinaus noch den Vorteil hat, daß der Rauhi"-keitsgrad nur in äußerst -geringen Grenzen schwankt. Dadurch wird die Haftfähigleeit der aufzubringenden Materialien, insbesondere, etwa des Selen, auf die Trägerelektrode der Trockengleichrichter wesentlich erhöht, ohne daß sich extrem hohe Feldstrecken an irgendelner Stelle einstellen können, die zu Störungen Anlaß geben und den Bau großflächigger Gleichrichterelemente erschweren.

Claims (1)

  1. PATENTAINSPRÜCHE: i. Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen. Flächen, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufrauhen mittels, eines oider mehrerer Elektronenstrahlen. erfolgt, die durch in ihren optischen, Daten veränderbare elektronenoptische Abbildungsmittel über die aufzurauhende Fläche geführt werden. 2,. Verfahren nach Anspruch i, dadurch ge-.kennzeichnet, daß mehrere Elektronenstrahlen parallel zueinander über die aufzurauhende Fläche geführt werden. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehrere' Elektronenstrahlen unter einem Winkel, vorzugsweise einem rechten Winkel, zueinander über die Fläche geführt werden. 4. Verfahren nach Anspruchi mit einem Elektronenstrahl, -dadurch gekennzeichnet, daß ,der Elektronenstrahl derart geführt wird, daß er zunächst in einer Richtung parallel laufende Aufrauhungen erzeugt und sodann in einer anderen, vorzugsweise im rechten Winkel zur ersten verlaufenden, Richtung parallel laufend Aufrauhungen, erzeugt. 5. Verfahren nach Anspruch i oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Elektronenstrahlen während der Führung über die aufzurauhende Fläche Sc.hwingungen. senkrecht zu ihrer Hauptbewegungs-ZD richtung ausführen. 6. Veriahren. nach Anspruch i oder einemder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahlen während des Bearbeitu,ngsprozesses, einem periodischen Wechsel ihrer Intensität unterliegen. 7. Verfahren nach Anspruch i oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahlen parallel zur Normalen der bearbeitenden Fläche laufen, oder mit der Normalen einen oder mehrere vorgegebene und/oder veränderbare Winkel einschließen.
DEL10656A 1951-11-13 1951-11-13 Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen Expired DE892538C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL10656A DE892538C (de) 1951-11-13 1951-11-13 Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL10656A DE892538C (de) 1951-11-13 1951-11-13 Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE892538C true DE892538C (de) 1953-10-08

Family

ID=7258541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL10656A Expired DE892538C (de) 1951-11-13 1951-11-13 Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE892538C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1193335B (de) * 1954-08-25 1965-05-20 Siemens Ag Verfahren zum formgebenden und/oder trennenden Bearbeiten von fotoelektrisch wirksamen Halbleiterkristallen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1193335B (de) * 1954-08-25 1965-05-20 Siemens Ag Verfahren zum formgebenden und/oder trennenden Bearbeiten von fotoelektrisch wirksamen Halbleiterkristallen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE966947C (de) Verfahren zur Erzeugung von Phosphatschichten auf Metallen, insbesondere auf Eisen und Stahl
DE892538C (de) Verfahren zum Aufrauhen von insbesondere metallischen Flaechen
DE4305626B4 (de) OE-Spinnrotor
DE3424530A1 (de) Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2115590A1 (en) Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE2013936A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum überziehen von Fasern eines Faservlieses mit Metall
DE728618C (de) Verfahren zur Behandlung von durch Verspinnen von Eiweissloesungen erhaltenen Gebilden
CH661059A5 (de) Rotor-feinspinnverfahren und einrichtung zu seiner durchfuehrung.
DE1515056A1 (de) Verfahren zum Entfernen duenner Metallschichten
DE1281899B (de) Verfahren zum Erzeugen von vertieften Verzierungen durch Sandstrahlen
DE887847C (de) Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern
DE493857C (de) Verfahren zur Herstellung von Glaesern mit grosser Durchlaessigkeit fuer ultraviolette Strahlen
DE921324C (de) Verfahren zur Herstellung sehr feiner Loecher in duennen Folien
DE1752103C3 (de) Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern
DE972433C (de) Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Gleichrichterscheiben
DE951798C (de) Saegen von Kristallplatten durch Loesung
DE1197791B (de) Verfahren zur Beeinflussung von elektrostatischen Feldern bei Einrichtungen zur Beflockung
DE971357C (de) Verfahren zur Oxydation der Oberflaeche kristalliner Selenschichten von Selengleichrichterplatten
DE838677C (de) Gasfilter
DE879419C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockenplattengleichrichter
DE477111C (de) Verfahren zur Verhinderung des Austritts' von Netzfluessigkeit aus viskos benetzten Luftfiltern
DE861307C (de) Lichtstreuende Glaeser und Verfahren zu deren Herstellung
DE467297C (de) Verfahren zum Herstellen von Klebverbaenden
DE940130C (de) Verfahren zur uebermikroskopischen Abbildung nach dem Abdruckverfahren
DE514569C (de) Verfahren zur Herstellung eines Gewebes fuer Bremsbelaege