DE1752103C3 - Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern - Google Patents
Poliermittel zum Polieren von HalbleiterkörpernInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N Sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910019093 NaOCl Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft ein Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern auf der Basis von Natriumhypochlorit.
Beim Sägen und Läppen von einkristallinen Halbleiterscheiben entstehen bekanntlich an den Oberflächen
der Scheiben Versetzungen und feine Risse. Da Halbleiterkörper mit derart rauhen Oberflächen für die
Herstellung von Halbleiterbauelementen ungeeignet sind, ist es notwendig, sie an ihren Oberflächen zu
polieren. Zu diesem Zweck sind durch die US-PS 33 42 652 sowie durch die FR-PS 14 41 978 chemische
Polierverfahren bekannt, bei denen als Polierlösung jeweils NaOCI verwendet wird. Solche Verfahren mit
einer rein chemischen Polierlösung haben jedoch nur eine geringe Abtragungsrate, so daß sie einen
erheblichen Zeitaufwand erfordern. Außerdem können vorhandene Unebenheiten auf der Halbleiteroberfläche
nur durch einen Läppprozeß vor dem Polieren ausgeglichen werden, der jedoch zu einer weiteren
mechanischen Zerstörung der Halbleiteroberfläche führen kann. Bei größeren Abtragungen mit NaOCl
ohne Polierkorn besteht die Gefahr, daß auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers reliefartige Unebenheiten
entstehen. Bei Verwendung der bekannten Polierverfahren mit NaOCl können auch unlösliche
Oxydschichten entstehen, deren Beseitigung nur durch mechanische Mittel möglich ist
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Polierlösung anzugeben, die die Nachteile der bekannten
Poliermittel nicht aufweist Zur Lösung dieser Aufgabe wird nach der Erfindung vorgeschlagen, daß
das Poliermittel in Natriumhypochloritlösungen aufgeschlämmte Zirkonerde (ZrO2) enthält
Mit dem Poliermittel nach der Erfindung werden einwandfreie und glatte Halbleiteroberflächen erzielt
so daß Halbleiterkörper, die mit dem Poliermittel nach der Erfindung behandelt werden, in besonderer Weise
für die Herstellung von Halbleiterbauelementen geeignet sind, bei denen es auf einwandfreie Halbleiteroberflächen
bekanntlich besonders ankommt
Durch die FR-PS 14 41 504 ist ein rein mechanisches Polierverfahren bekannt bei dem als Poliermittel SiO2
verwendet wird. SiO2 ist jedoch als Poliermittel zu hart
und verursacht stärkere mechanische Zerstörungen an der Halbleiteroberfläche. Die Ergebnisse mit SiO2 sind
wesentlich schlechter als mit dem mechanisch-chemischen Poliermittel nach der Erfindung.
Es empfiehlt sich, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung die Zirkonerde in Natriumhypochlorit aufzuschlämmen,
bei dem der Chlorionengehalt in wäßriger Lösung etwa 1% beträgt. Die Zirkonerde wird
beispielsweise jeweils zu einem Teil in vier Teilen Flüssigkeiten aufgeschlämmt Die Zirkonerde weist
beispielsweise eine Korngröße von 03 μ auf.
Das Poliermittel nach der Erfindung findet vorzugsweise
bei der Behandlung von Halbleiterkörpern aus Galliumarsenid Anwendung. Das Polieren erfolgt
beispielsweise dadurch, daß eine Polierscheibe mit einem aufgespannten Poliertuch, welches mit in
Natriumhypochloritlösung aufgeschlämmter Zirkonerde getränkt ist, in Drehung versetzt wird, und die zu
polierenden Halbleiterscheiben gegen das Poliertuch gedrückt werden. Dabei werden die zu polierenden
Halbleiterscheiben vorzugsweise ebenfalls in Drehung versetzt wobei jedoch die Drehrichtung der Halbleiterscheiben
der Drehrichtung des Poliertuches entgegengesetzt ist
Claims (4)
1. Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern auf der Basis von Natriumhypochlorit, dadurch
gekennzeichnet, daß es in Natriumhypochloritlösungen aufgeschlämmte Zirkonerde
(ZrO2) enthält
2. Poliermittel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zirkonerde in Natnumhypochlorit
aufgeschlämmt ist, bei dem der Chlorionengehalt in wäßriger Lösung etwa 1 % beträgt
3. Poliermittel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zirkonerde jeweils zu
einem Teil in vier Teilen Flüssigkeiten aufgeschlämmt wird.
4. Poliermittel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zirkonerde eine
Korngröße von 0,3 μ aufweist
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681752103 DE1752103C3 (de) | 1968-04-03 | Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681752103 DE1752103C3 (de) | 1968-04-03 | Poliermittel zum Polieren von Halbleiterkörpern |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1752103A1 DE1752103A1 (de) | 1971-05-13 |
| DE1752103B2 DE1752103B2 (de) | 1976-07-22 |
| DE1752103C3 true DE1752103C3 (de) | 1977-03-10 |
Family
ID=
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