DE865489C - Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von KristallkontaktvorrichtungenInfo
- Publication number
- DE865489C DE865489C DEG7122A DEG0007122A DE865489C DE 865489 C DE865489 C DE 865489C DE G7122 A DEG7122 A DE G7122A DE G0007122 A DEG0007122 A DE G0007122A DE 865489 C DE865489 C DE 865489C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact
- germanium
- bulge
- contact surface
- bead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000015243 ice cream Nutrition 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB24474/50A GB683248A (en) | 1950-10-06 | 1950-10-06 | Improvements in or relating to the manufacture of crystal contact devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE865489C true DE865489C (de) | 1953-02-02 |
Family
ID=10212259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG7122A Expired DE865489C (de) | 1950-10-06 | 1951-10-03 | Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen |
Country Status (5)
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1034271B (de) * | 1954-12-24 | 1958-07-17 | Bendix Aviat Corp | Verfahren zur Herstellung einer evakuierten Halbleiter-Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiter-Vorrichtung |
DE1084840B (de) * | 1957-01-23 | 1960-07-07 | Intermetall | Verfahren zur Herstellung von kugelfoermigen Halbleiterkoerpern aus Silizium von Halbleiteranordnungen, z. B. Spitzen-Gleichrichtern oder Spitzen-Transistoren |
DE1226715B (de) * | 1961-02-15 | 1966-10-13 | Philips Patentverwaltung | Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1230912B (de) * | 1960-06-09 | 1966-12-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL172085B (nl) * | 1952-08-27 | Udylite Corp | Werkwijze ter bereiding van een bad voor het elektrolytisch afzetten van ductiel, glanzend koper, en toepassing van het aldus bereide bad voor het elektrolytisch afzetten van een ductiele, glanzende koperlaag op een substraat. | |
US2866929A (en) * | 1955-12-01 | 1958-12-30 | Hughes Aircraft Co | Junction-type-semiconductor devices and method of making the same |
US2935386A (en) * | 1956-01-03 | 1960-05-03 | Clevite Corp | Method of producing small semiconductor silicon crystals |
US2815474A (en) * | 1957-01-25 | 1957-12-03 | Pacific Semiconductors Inc | Glass sealed semiconductor rectifier |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2419561A (en) * | 1941-08-20 | 1947-04-29 | Gen Electric Co Ltd | Crystal contact of which one element is mainly silicon |
NL70486C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1945-12-29 | |||
NL143116C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1947-11-03 |
-
0
- NL NL85899D patent/NL85899C/xx active
- NL NL7202527.A patent/NL164481B/xx unknown
-
1950
- 1950-10-06 GB GB24474/50A patent/GB683248A/en not_active Expired
-
1951
- 1951-09-26 US US248308A patent/US2723370A/en not_active Expired - Lifetime
- 1951-10-02 FR FR1042521D patent/FR1042521A/fr not_active Expired
- 1951-10-03 DE DEG7122A patent/DE865489C/de not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1034271B (de) * | 1954-12-24 | 1958-07-17 | Bendix Aviat Corp | Verfahren zur Herstellung einer evakuierten Halbleiter-Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiter-Vorrichtung |
DE1084840B (de) * | 1957-01-23 | 1960-07-07 | Intermetall | Verfahren zur Herstellung von kugelfoermigen Halbleiterkoerpern aus Silizium von Halbleiteranordnungen, z. B. Spitzen-Gleichrichtern oder Spitzen-Transistoren |
DE1230912B (de) * | 1960-06-09 | 1966-12-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
DE1226715B (de) * | 1961-02-15 | 1966-10-13 | Philips Patentverwaltung | Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1042521A (fr) | 1953-11-02 |
NL85899C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | |
GB683248A (en) | 1952-11-26 |
NL164481B (nl) | |
US2723370A (en) | 1955-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE966492C (de) | Elektrisch steuerbares Schaltelement aus Halbleitermaterial | |
DE1018557B (de) | Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper | |
DE865489C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen | |
DE1043502B (de) | Elektrische Lampe mit einem Glaskolben und nach aussen vorspringendem flachem Glasquetschfuss | |
DE60001187T2 (de) | Überspannungsableiter ohne Chips | |
DE2435637A1 (de) | Halbleiterbauelement mit druckkontakt | |
DE2129041A1 (de) | Schirm oder Schirmtrager fur eine Kathodenstrahlrohre | |
CH663687A5 (de) | Positive rohrplatte fuer bleibatterien und verfahren zu deren herstellung. | |
DE2226678A1 (de) | Elektrischer schaltkontakt | |
DE1448079B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Glaselektrode· | |
DE2438894B2 (de) | Thyristor mit Kurzschlußemitter | |
DE2447652A1 (de) | Rohrplattenelektrode und verfahren zu deren herstellung | |
DE1050913B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE2925623A1 (de) | Loetbare elektrische verbindungsstelle | |
DE1527515C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundwerkstoffes | |
AT132849B (de) | Vakuumröhre. | |
DE925959C (de) | Alkalische Akkumulatorenzelle, deren Elektroden mitsamt dem Elektrolyten in einem gas- und fluessigkeitsdichten Behaelter ein-geschlossen sind, und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1080695B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems mit einem halbleitenden Koerper und mindestens einer Legierungselektrode | |
EP0093688A2 (de) | Reifenkette | |
DE2509763B2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE904220C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Germaniumkoerpers fuer eine Kristallkontaktvorrichtung | |
DE1596920C3 (de) | V tief 2 O tief 5 - und P tief 2 O tief 5 - sowie ggf. PbO-haltiges Glas mit einem spezifischen Widerstand zwischen 10 hoch 3 und 10 hoch 9 Ohm.cm (50 Grad C) sowie Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung | |
DE1448079C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE888134C (de) | Aus zwei oder mehr zylinderfoermig oder prismatisch ausgebildeten Teilen bestehende Elektrode | |
AT154771B (de) | Elektrische Entladungsvorrichtung. |