DE837732C - Verbesserung an Halbleiter-Verstaerkern und Gleichrichtern - Google Patents

Verbesserung an Halbleiter-Verstaerkern und Gleichrichtern

Info

Publication number
DE837732C
DE837732C DER2003A DER0002003A DE837732C DE 837732 C DE837732 C DE 837732C DE R2003 A DER2003 A DE R2003A DE R0002003 A DER0002003 A DE R0002003A DE 837732 C DE837732 C DE 837732C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
electrodes
semiconductor
rectifier
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DER2003A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1620057U (de
Inventor
Jacques Isaac Pantchechnikoff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE837732C publication Critical patent/DE837732C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/14—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with amplifying devices having more than three electrodes or more than two PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
DER2003A 1949-03-31 1950-06-08 Verbesserung an Halbleiter-Verstaerkern und Gleichrichtern Expired DE837732C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8467249A 1949-03-31 1949-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE837732C true DE837732C (de) 1952-05-02

Family

ID=22186482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DER2003A Expired DE837732C (de) 1949-03-31 1950-06-08 Verbesserung an Halbleiter-Verstaerkern und Gleichrichtern

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2734102A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
BE (1) BE494845A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
DE (1) DE837732C (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
FR (1) FR1013352A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
GB (1) GB679674A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
NL (1) NL152375C (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE966474C (de) * 1949-05-10 1957-08-08 Siemens Ag Steuerbare Halbleitergleichrichter-Anordnung
DE1035778B (de) * 1955-05-20 1958-08-07 Ibm Deutschland Transistor mit einem Halbleitergrundkoerper von einem Leitungstypus und mit drei oder mehr pn-UEbergaengen und einer oder mehreren Spitzenelektroden
DE1067471B (de) * 1953-12-31 1959-10-22 Ibm Deutschland Bistabile Verstaerkerschaltung mit einem Spitzentransistor, der eine gleichrichtende und eine nichtgleichrichtende Basiselektrode hat
DE1284521B (de) * 1963-06-18 1968-12-05 The Plessey Company U.K. Ltd., IIford, Essex (Großbritannien) Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2859286A (en) * 1953-11-12 1958-11-04 Raytheon Mfg Co Variable gain devices
NL183243C (nl) * 1953-11-30 Metallgesellschaft Ag Werkwijze voor het op metaaloppervlakken aanbrengen van fosfaatbekledingen.
NL211758A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html) * 1955-10-29
US2990501A (en) * 1958-07-10 1961-06-27 Texas Instruments Inc Novel header of semiconductor devices
US3161810A (en) * 1959-12-11 1964-12-15 Texas Instruments Inc Temperature compensated transistor
US3423638A (en) * 1964-09-02 1969-01-21 Gti Corp Micromodular package with compression means holding contacts engaged
US3458776A (en) * 1966-02-28 1969-07-29 Westinghouse Electric Corp Cushioning thrust washer for application of uniform pressure to semiconductor irregular structures

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB233782A (en) * 1924-02-14 1925-05-14 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in crystal detectors
US1900018A (en) * 1928-03-28 1933-03-07 Lilienfeld Julius Edgar Device for controlling electric current
CH241766A (de) * 1942-12-07 1946-03-31 Philips Nv Sperrschichtgleichrichter, insbesondere für Messzwecke.
US2441590A (en) * 1944-03-24 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Translating device
US2524035A (en) * 1948-02-26 1950-10-03 Bell Telphone Lab Inc Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials
NL75792C (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html) * 1948-05-19

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE966474C (de) * 1949-05-10 1957-08-08 Siemens Ag Steuerbare Halbleitergleichrichter-Anordnung
DE1067471B (de) * 1953-12-31 1959-10-22 Ibm Deutschland Bistabile Verstaerkerschaltung mit einem Spitzentransistor, der eine gleichrichtende und eine nichtgleichrichtende Basiselektrode hat
DE1035778B (de) * 1955-05-20 1958-08-07 Ibm Deutschland Transistor mit einem Halbleitergrundkoerper von einem Leitungstypus und mit drei oder mehr pn-UEbergaengen und einer oder mehreren Spitzenelektroden
DE1284521B (de) * 1963-06-18 1968-12-05 The Plessey Company U.K. Ltd., IIford, Essex (Großbritannien) Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor

Also Published As

Publication number Publication date
US2734102A (en) 1956-02-07
NL152375C (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
FR1013352A (fr) 1952-07-28
BE494845A (c_deeref_Disk_and_Scratch_Disk_Pools_and_Their_Defaults.html)
GB679674A (en) 1952-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE927932C (de) Schaltung fuer einen sehr kleinen Transistor-Verstaerker
DE932435C (de) Verstaerkerschaltung mit Transistoren
DE837732C (de) Verbesserung an Halbleiter-Verstaerkern und Gleichrichtern
DE887558C (de) Kippschwingungsoszillator
DE1812292C3 (de) Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung
DE2223244B2 (de) Verstärkerschaltung mit Stromverteilungssteuerung
DE949422C (de) Transistorelement und Schaltung mit demselben zum Verstaerken eines elektrischen Signals
DE2041459B2 (de) Doppler-Relativgeschwindigkeitsmeßanordnung mit einem einzigen Sende-Empfangs-Wandler
DE1130015B (de) Kettenverstaerker
EP3418776A1 (de) Strahlendetektor sowie verfahren zum betrieb eines strahlendetektors
DE2402721A1 (de) Naeherungsdetektor
DE966849C (de) Transistorelement und Transistorschaltung
DE951216C (de) Kaskadenverstaerker mit wenigstens zwei Transistorstufen
DE3015806C2 (de) Schaltungsanordnung zur Abnahme von Signalen von Halbleiter-Bild- oder -Zeilensensoren
DE3602551C2 (de) Operationsverstärker
DE3326958C2 (de) Integrierte Schaltung zum Verstärken
DE1051916B (de) Zweiseitiger Amplitudenbegrenzer
DE1067476B (de) Lineare Transistorverstaerker in Emitterschaltung
DE966276C (de) Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen
DE1200881C2 (de) Regelbarer gleichstromgekoppelter Verstaerker
DE3485910T2 (de) Halbleiteranordnung mit variabler impedanz.
DE691718C (de) Abstimmanzeigevorrichtung fuer Empfaenger
DE904326C (de) Multivibrator-Schaltung mit Tetroden
DE1774527A1 (de) Schaltungsanordnung zur Bildung des Betrages einer elektrischen Zeitfunktion
DE2108550C3 (de) Transistorverstärker