DE827348C - Verfahren zum Zuechten von synthetischen Quarz-Kristallen - Google Patents

Verfahren zum Zuechten von synthetischen Quarz-Kristallen

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DE827348C
DE827348C DEP45487A DEP0045487A DE827348C DE 827348 C DE827348 C DE 827348C DE P45487 A DEP45487 A DE P45487A DE P0045487 A DEP0045487 A DE P0045487A DE 827348 C DE827348 C DE 827348C
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DE
Germany
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temperature
quartz
sodium
crystal
growth
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Expired
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DEP45487A
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English (en)
Inventor
Ernest Buehler
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AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Verfahren zum Züchten von synthetischen Quarz-Kristallen 1)le Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum Züchten von synthetischen Quarz-Kristallen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf Verfahren zum 7ücliteii von Quarz-Kristalltn in einer für piezoelektrische Verwendung geeigneten Größe aus Quarz-Kristall-Keimen in wäßrigen Medien unter hohen Temperaturen und hohen Drucken.
  • Die Literatur gibt Aufschluß über die B(iiiiihungen zahlreicher Forscher aus dem letzten Jahrhundurt, Quarz-Kristalle aus Kieselsäureschnielzen und wäßrigen Silicatlösungen zu züchten. H'inci- der am ineistün erfolgreichen f rühtren Forschvi- war S 1) e c i a . der die von der Temperatur \-cr'Iiiclcriiii" der LöSlichkeit von Quarz in einer wäßrigen alkalischen Flüssigkeit ausnutzte (Accad. Sci. Torino, Atti., Bd. 33, S. 289 bis 308, Bd. 40, S. 254 biS 262, Bd. 41, S. 158 bis 165, Bd. 4,4, S. 95 bis 107) - S P e c i a lang die wesentliche Vergrößerung von Quarz-Kristall-Keimen, die unter eincr Nährmasse aus Quarzstücken in Schwel--)e gehalten wurden, die man auf einer höheren Temperatur als den Keim hielt; sowohl der Keim als auch die Nährmasse wurden in eine alkalische, wäßrige Flüssigkeit Oletaucht, die in einem druckfesten Behälter enthalt-en war und auf erlhöhtem Druck und erhöhter Temperatur gehalten wurde. Man hat angenommen, daß S p e c i a bei besten Bedingungen in der Lage war, ein durchschnittliches Wachstum des Quarzes von nur etwa o,i mm je Tag längs der Kristallachse zu erreichen.
  • In Jüngerer Zeit v"urden größere Anfangs-J t, geschwindigkeitcri des Wachstums bei Quarz-Kristall-Keimen erreicht, wobei geschmolzene Kieselsäure als Nährinasse in einem wäßrigen alkalischen -Medium benutzt wurde, und, zwar oberhalb der kritischen Temperatur und des kritischen Drucks von Wasser. Bei diesen späteren Versuchen bestand nicht das Ikemühen, eine Temperaturditierciiz zwischen dem Quarzkeim und der Schmelzflüssigen Kieselsäure - Nährmasse aufrüchtzuerhalten: das Wachstum war von der Tatsache abhängig, daß die amorphe schrrielzflüssige Kieselsa»' ure unter den aufrechterhaltenen Bedingungen stärker löslich ist als kristalliner Quarz. Die Wirksamkeit dieser Verfahren ist durch den Umstand begrenzt, daß die unbeständige, übersättigte Lösung aus Kieselsäure nicht nur Kieselsäure auf dem Ouarzkeim absetzt, sondern auch eine große Anzahl unechter Keime bildet, so daß die Versorgung Mit schmelzflüssiger Kieselsäure-Nährmasse rasch erschöpft warb, und zwar größtenteils durch Verlust bei der Bildung und dem Wachstum der urtechten Keime, während nur ein kleiner Teil zum Wachstum des gewünschten Kristalls beiträgt. Es ist deshalb unmöglich, eine ständige große Wachstumsgeschwindigkeit in Verbindung mit dieser Verfahrensart aufrecht7uerhalten und, obgleich das Wachstum einige Stunden lang lebhaft sein mag, fällt es im wesentlichen auf -"Zull ab, wenn die amorphe Nährmasse ganz in die kristalline Form umgewandelt ist, was gewöhnlich nach etwa einem Tag eintritt.
  • l')eiAnwendung desVerfahrens nach vorliegenJer Erfindung wurde demgegenüber -efunduii, (laß es mö-lich ist, Wachsturnsgeschwindigkeiten in der Große von etwa 2,54 MM je Tag unter wiederherstellbaren Bedingungen auirechtzuerhalten und dieses Wachstum für lange Zeitspannen fortzus,utzeii, die lediglich durch die Versorgung mit Nährmasse in dein Zuchtgefäß und Jurch die Fähigkeit des Gefäßes, dem größer werdenden Kristall (len erforderlichen Raum zu bieten, 1),e"reii7t 11-Iiiid. Bei dem Verfahren nach der vorliegenden 1-,-rfiiiclting wird kristallmer Quarz als Nährmasse in einem N%-äßrigen 'Medium verwendet, und das Wachstum Ies Keinikristalls ist abhängig von dein geringen Temperaturunterschied, welcher z#vischen dem wäßrigen Medium in der-Nähe des Kristallkeims und dem wäßrigen Medium in der Nähe der Nährmasse aufrechterhalten wird. Das Verfahren wird unter solchen Temperatur- und Druckbedingungen durchgeführt, daß das wäßrige Lösungsmittel in nur einer Phase und bei einem spezifischen Voluinen besteht, das kleiner ist als das kritische Volumen. I'iiter betriebsmäßigen Bedingungen wird die Ouarz-Nährmasse langsam in dem wäßrigen f--Ösungsinittel bei der höheren Temperatur gelöst, und Llie gelöste Kieselsäure wird dann bei der iiicdriger«en Temperatur auf dem Quarzkeim ab-.gela"ert.
  • Da das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung bei erhöhten Temperaturen und Drucken ausgeführt wird, ist es notwendig, hierfür eine Apparatur zu \-erNN-er,den, die zuverlässig diesen Beiin,-ungen standhält, ohne undicht zu werden. Ans wirtschaftlichen Gründen ist es erwünscht, daß der verhältnis-
    mäßig teure druckfeste Teil der Apparatur durch
    den Prozeß praktisch nicht in Mideldenschaft ge-
    zogen wird, so daß er wiederholt benutzt werden
    kann.
    Das X-erfahren nach der Erfindung und die
    Apparatur, die sich für (lessen Durclif ührung als
    ,geeignet erwiesen hat, ki#unen einfacher unter
    Bezugnahme auf die Zciciiiiiiii,# erläutert werden;
    in der Zeichnung zeigt
    Fig. i eine Vorderansicht eines
    Bombeneinsatzes im Schnitt, welcher einen Keim-
    kristall, wäßriges LösungIsmittel und Nährinasse
    enthält,
    Fig. 2 eilte Ciller #Irt1C1,fCStell
    Bombe, die den Einsatz Flg. i enthält,
    Fil--3 (-itie Vor(lei-#II'Sicht in Schnitt-
    darstellung cin#,s Ofen-z# in eine '\lolirzalil
    von Fi
    1 gr. (-i,Iiltzt
    Die Züchtung der Kristalle wird in einem
    Einsatz i, wie ei- in Fig. i gezeigt
    ist. ausgeführt, welcher für sich allein nicht f'ihig
    ist, den bei dem Prozeß erzeugten Drucken stand-
    zuhalt#en, der ab-er dazu dient, das #v'ißrige# -Medium
    einzuschließen, urn Verluste züi verinei(Icii, und
    auch lic Verwen(jun- ein"#rArt (Ii-ticl#f"-ztur B(-hälter
    ermöglicht.welche,explosion,#,icher sind undwieder-
    holt benutzt werden 1,i#iiiicii. Der Einsatz i ist aus
    einem Zylinderrohr 2 litr"e"tUllt, WelCheS Zweck-
    mäßig aus einem kohlenstoffarinen Stahl bestellt
    und in dessen Enden zwei Bechet- 3 alld 4 eingepreßt
    sind, welche eine vollständig dichte Kammer 5 bilden.
    Die Becher 3 und 4 slii(1 an (lüm zylindrischen
    Rohr 2 fCSt'#esch#\-eil,#t. nivl zwar rund. entlan- dein
    Umfan- der Kanten (1 111l(1 7, die Karmlier,3
    dicht abgeschlossen \\ 1 rd.
    In dem Einsatz i NN ird. iiLcli(1(2iii einer der Becli##2r
    -in einein Ende des Z\-liiid(-r, und mit
    dieseni Ende ist. aber bevor der anden2
    Becher eingesetzt wird, der Quarz-Kristall-Keim,
    die Nährmasse und das wäßrige Mittel aufgegeben.
    Dabei handelt es sich uni das Ein.setzen les Bechers 3
    und seine an der Kante 6. Danach
    wird bei senkrechter Lalge des Zylinders die aus
    Quarz bestehende Nälirniziss,(# 8 im Bodenteil des
    Rohres eingefüllt, aiisclil;v[3#:ii(1 werden ein oder
    mehrere Quarz-Kristall-Keime 9 eingesetzt, die in
    geeigneter Weise, z. B. mittels Drahtrahmen io,
    gehalten werlen. so dall sie sich in geeigneter Lage
    oberhalb der Nährniasse befinden. Der Kri#-ztalllz#,iiii
    kann zu s-2iner Befei#t11-ung a11 #euu,11 Löcher i i
    aufweisen, in welche die Enden (It#> Drahtrahinens
    eingreifen; es kann auch irgendein anderes Befesti-
    ,gungsmittel AnN\-eiiduii"" t#n(len. Die 1,j-aiiinici-j3 wird
    dann bis zur erforderlichen Höhe mit wäßrigern
    Medium 12 gefüllt. Anschließend wird die obere
    Kappe 4 in ihre Lage gebracht und an der Kante 7
    festgeschweißt.
    Der mit der Charge versehene Einsatz i wir,-l.
    wie Fig. 2 zeigt, in eine druckfeste Bombe 13 ge-
    schoben. Diese Bombe besteht aus einem kräftigen,
    zvlindrischen Rohr 14, auf dessen beide Enden
    Kappen 15 und 16 atifgezclirati#)t sind. Die innere
    Bohrung des zylindrischen Rohres 14 ist so be-
    z# -
    messen, daL9 das zylindrische Rohr 2 des Einsatzes passend umschlossen wird, aber trotzdem leicht eingesetzt werden kann.
  • Der in dem dicht abgeschlossenen Einsatz während des Vorgangs erzeugte Druck hat das Bestreben, das Rohr 2 an den Berührungsflächen von den Bechern wegzudehnen und auf diese Weise die Schweißnähte an den Kanten aufzubrechen und undicht zu machen. Das wird durch Verstärkung an und in der Nihe der Schweißkanten vermieden, und zwar vertnittels der Haltekappen 17 und 18.. Diese Kappen sind mit einer ringförnligen Nut versehen, in welche die Schweißkanten 6, 7 des Einsatzes hineingedrückt Nverden. Der Teil jeder Haltekappe, welcher in die Vertiefung des entsprechenden Bechers hineinpaßt, füllt diese Vertiefung vollständig aus und verstärkt somit den Becher gegenüber dem inneren Druck. Wenn die Haltekappen 17 und 18 mittels der Schraubkappen 15 und 16 der Bombe in ihrer Lage festgehalten werden, verhindern sie in wirkungsvoller Weise ein Undichewerden der Schweißstellen.
  • Die obere Haltekappe 18 ist mit einer mittleren Bohrung ig von solcher Größe versehen, daß bei einem vorbestimniten, ungefährlichen Druck, der höher ist als der normale Betriebsdruck, der Teil des Bechers -t, der der öff nung in der Haltekappe gegenüberliegt, aufbricht tin,1 eine Druckentlastung ermöglicht. Auf diese Weise ist eine wirksame Sicherheitsentlastung für den Fall vorgesehen, daß der Druck- innerhalb der Bombe zufällig zu hoch werden sollte. Die obere Schraubkappe 16 ist mit einem mittleren Kanal 20 und radialen Kanälen 21 versehen, welche dazu dienen, den abgelassenen Dampf itis der Hombe nach außen zu leiten. Irgendwelche geeignete Maße und Materialien mögen bei der Konstruktion der Homhe und des Einsatzes Anwendung finden unter Beobachtung der Erfordernisse, die die während des Prozesses entwickelten Drucke bedingen. Es hat sich als zweckmäßig erwiesen, die Kammer 5 in einer Höhe, die etwa dem acht- bis zwölffachen Durchmesser entspricht, auszuführen, aber diese Verhältnisse können innerhalb weiter praktischer Grenzen verändert werden. Es empfiehlt sich, den Einsatz aus nahtlosem Rohr aus niedrig gekohltem Stahl zu fertigen, wie z. B. handelsüblich-en Stählen mit nicht mehr als 0,3 0/0 Kohlenstoff, z#"-eclmäßi(, mit nicht mehr als 0,2 0/0 Kohlenstoff. Aber irgendwelche Metalle geeigneter Festigkeit und Widerstandsfähigkeit gegen Korrosion unter dem Einfluß des Einsatzinhalts bei den angewandten Temperaturen und den sich dabei inetellenden Drucken können verwendet "%-erden. Wenn maximale Drucke bis zu etwa i-4ookg je Quadratzentimeter auftreten, hat es sich als zweckmäßig erwiesen, das Rohr 14 der Bombe aus nichtrostendem Stahl zu fertigen, wobei der äußere Durchmesser doppelt so groß ist wie die innere Bolirung.
  • Um das Züchten des Kristalls durchzuführen, werden eine oder mehrere der gefüllten Boml>en 13 in einen geeigneten Ofen 22 gemäß Fig. 3 gebracht. In dem Ofen nach Fig. 3 stehen die Bomben 13 senkrecht auf einer heißen Platte 23, die in irgendeiner geeigneten Weise, z. B. mittels elektrischer Heizwiderstände 24, von unten erhitzt wird. Die heiße Platte, die Heizwiderstände und die Bomben sind von einem Mantel 25 aus feuerfestem Mauerwerk umgehen, der oben offen ist und eine Kammer 26 begrenzt.
  • Um das erforderlicheTemperaturgefälle zwischen den Böden und den oberen Teilen der Bomben aufrechtzuerhalten, ist der Raum 26 zwischen den Bomben und dem Mantel 25 bis zur erforderlichen Höhe mit irgendeinem geeigneten hitzebeständigen, wärmeisolierenden Material gefüllt, z. B. mit einem bekannten Kies-elsäurematerial. Wenn der Raum 26 vollständig mit wärmeisolierendcm Material gefüllt ist, ist der geringe Temperaturunterschied zwischen den Kopf- und Bodenteilen der Bomben gewährleistet. Dieser Temperaturunterschied wird vergrößert, wenn die Füllhöhe ödes Isoliermaterials herabgesetzt wird, wobei der obere Teil der Bomben mehr und mehr freigelegt wird.
  • Ein geeigneter Deckel 27 ist für die Kammer 26 vorgesehen; der Deckel kann aus einem Block aus porösem Glasschaum bestehen. Eine zusätzliche Wärmeisolation 28 aus irgendeinem geeigneten Material, z. B. aus Asbestwolle, umschließt den Mantel 25 aus feuerfestem Mauerwürk und wird seinerseits von einer Außenhülle 29 UMschlossen, die aus Metallblech gefertigt sein kann und einen Blechdeckel 3o aufweist, der mit einer Abzugsöffnung versehen ist, um die Gase abströmen zu lassen, wenn die Sicherheitsvorrichtung einer Bombe ausgelöst wird. Der Ofen ist vorzugsweise mit automatischen Steuerungsmitteln verbunden, welche die heiße Platte 23 auf einer konstanten Temperatur halten.
  • Die heiße Platte des Ofens wird für eine Zeitspanne auf der erforderlichen Temperatur gehalten, die ausreicht, uni das gewünschte Wachstum des Kristallkeims auf Kosten der Quarz-Nährmasse zu ermöglichen. Man läßt dann den Of-en abkühlen, um anschließend die Bomben zu entnehmen und zu öffnen und die Kristalle aus den Bomben herauszunehmen.
  • Damit eine praktische Wachstumsgeschwindigkeit erzielt wird, ist es erforderlich, bestimmte Bedingungen aufrechtzuerhalten. Da unechte Keime zwecks Erhaltung einer ständigen hohen Wachsturnsgeschwindigkeit ausgeschieden oder auf ein ,Minimum reduziert werden müssen, ist es erforderlich, solche Formen von Kieselsäure zu vermeiden, die im wesentlichen leichter löslich sind als Quarz, und welche daher zu unbeständigen, übersättigten Lösungen führen würden. Die verwendete Nährmasse sollte daher im wesentlichen frei sein von anderen Kieselsäureformen als Quarz.
  • Der als Nährmasse verwendete Quarz sollte eine Korngröße aufweisen, die dem Lösungsmittel eine ausreichende Oberfläche bietet, um eine genügend rasche Auflösung des Quarzes zu gewährleisten, zwecks Aufrechterhaltung der gewünschten Wachstumsgeschwindigkeit des Keimkristalls. Es wurde gefunden, daß bei geeigneter Steuerung der anderen Bedingungen ein ständiges rasches Wachstum mit Hilfe einer Nährmasse erzielt wird, die aus Quarzteilchen solcher Größe besteht, daß der durchschnittliche Korndurchrnesser etwa l,/,3 bis 11/4 des Durchmessers der Zuchtkammer 5 ausmacht. Wenn Quarz geringerer Korngröße verwendet wird, so nimmt die Lösungsgeschwindigkeit zu.
  • Wenn Quarz von besonders geringer Korngröße, z. B. von der Größe, die durch ein Sieb, dessen Öffnungen kleiner als 0,025 mm sind, hindurchg als --\lasse in den Bodente«1 der Reakt'oiis-"elit, ' 1 1 kammer gCfüllt wird, so bewirkt der Temperaturunterschied zwischen dem Boden und dein oberen Teil der Masse die Ablagerung von Quarz am oberen Teil der -Masse, deren Ausmaß ausreicht, uni die obere Seite der Masse mit einer Glasschicht zu überziehen, so daß sie für das wäßrige Überführungsmedium im wesentlichen undurchdringlich \\ircl. Wenn das eintritt, steht nicht mehr die gesamte Oberfläche der Teilchen, sondern nur noch die obere Fläche der Masse als wirksame Lösungsfläche zur Verfügung, wodurch der Prozeß verzögert wird. Dieser Einfluß kann natürlich beseitigt werden durch Anbringung mechanischer Mittel zur Aufrechterhaltung einer ausreichenden Anzahl von Kanälen innerhalb Jer Masse, damit die benötigte Oherflächengröße verfügbar bleibt.
  • Eine zweckmäßige Größe des Quarzes, der als Nährmasse verwendet werden soll, besteht, wenn die Quarzteilchen so groß sind, daß sie durch ein Sieb Nr. 4 (Öffnungen von 4,75 mm), aber nicht durch ein Siel)Nr.6(Öffnungen von 3,35mm) hindurchgehen.
  • Der Keimkristall 9 kann aus irgendeinem ganzen Kristall oder einem gchrochenen oder abgeschnittenen Stück von natürlichein oder synthetischem Quarz bestehen. Der Keimkristall sollte frei von N'erx-%-achsting-en (Zwillinge) sein, wenn es erwünscht ist, einen nichtverwachsenen Kristall züi erzeugen. Da das Wachstum des Kristalls im v,-esentlichen ganz in der Richtung der primären kristallographischen Achse vor sich geht, während praktisch kein Wachstum in senkrechter Richtung stattfindet, ist es zweckmäßig, eine Platte zu verwenden, die so geschnitten ist, daß ihre Flächen senkrecht zur kristallographischen Achse verlaufen. Es ist auch zweckmäßig, den Keimkristall so anzubrim,en, daß die Kristallachse senkrecht verläuft, l# damit das Wachstum in der Längsrichtung der zylindrischen Kammer 5 erfolgt, wie es in Fig. i und 2 durch die gestrichelten Linien 31 veranschaulicht ist. Ein anderer Schnitt, ler den \'orteil sofortigen deutlichen Wachstumsbeginns bietet, besteht aus einer Platte" deren Flächen parallel zur größeren rhomboedrischen Fläche des Kristalls verlaufen. Wenn diese Platte mit ihren Flächen parallel zur Achse der Bombe angebracht wird, so erfolgt das Kristallwachstum in einer Richtung, die mit der Achse der Bombe einen Winkel von etwa 380 bildet. Gewünschtenfalls kann die Platte unter einem Winkel eingestellt werden, so daß das Wachstum läng, der Bombenachst vor sich geht.
  • Ein Wachsen des Keimkristalls ist unter An-\vendung des Verfahrens nach vorliegender Erfin-
    clung nur erzielt weiin (1a4; für die Bef#ir-
    derung der Kieselsäur,2 #-on der Nährmasse zum
    Keim benutzte wäßrige Meditim Natriuntionen
    enthielt. Kein wesentliches Wach-stum wurde er-
    zielt mit Ionen anderer Alkalimetalle. Als am
    besten -eei-nete Verhindtiii-,un für div Liefcruti#,
    &i- Natriumionen wurde Na-
    triumcarbonat und N#-iti-Iiiin#,ilicat festgestellt. Da
    Natriumsilicat Jas lZeaktionsprodukt von Kiesel-
    säure und Natriumhydroxyd darstellt, ist es klar,
    daß. unabhängig davon, ob zuerst Natriumhydroxyd
    oc12r Natritimsilicat zii"c"ützt -,vird. da# Lösungs-
    mittel während des l'rozellahlaufs aus Natrium-
    silicat besteht. Ein Wachstum kann mit anderen
    anorganisclicii Natriumsalzen, insbesondere Salzen
    schwacher Säuren erreicht #x-urdcn. Es können auch
    Natriumsalze von or,-anischen S:iiireii. die 4i den
    angewandten Umperal ' iii-i##n und Konzentratiolleil
    gegen wesentliche Z(!r,#,etztin" widerstandsfähig
    sind, benutzt werden. Als besonders wirksaiii haben
    sich Nlischtingen von Nitritiiiili#-,Iroxy(1 und Na-
    triumcarbonat oder von Natriumsilicat und Na-
    triunicarbonat oder aus allen drei
    Verbindun-en erwie#vii. Die Zu-abe kleiner Kon-
    zentrationen in der Griit.Iu.tiordiiuii" von etwa o.ooi
    bis etwa o.oo_# normal von Natriumsalzen der Fett-
    säuren langer Kettciiforiii, wic z. 13. Natriunioleat,
    zu Lösungen anorganischer Natritiniverhindungen
    Scheint die 01)ei-fl:icliuiil)escliaffviiiiuit der #2rzetlgten
    Kristalle züi vcrl)es";ern.
    Zur Verwirklichung eimc-, WachStums von ge-
    eigneter Gesch#N-in(li##l"cit sollte die Konzentration
    der Natriumionen in der \\#ißrigen Usung wenig-
    stens etwa l/., normal, zweckmäßig ##,-eiiicxsteils
    i normal sein. Weim (ligu Konzentration erhöht wird,
    nimmt die Wachstumsgeschwindigkeit im allge-
    meinen et\#,-,is züi, 'bis Konzentrationcii \-on e2tx\-a
    4 normal oder 3 normal erreicht sind. Eine weitere
    S S teilgerung der Konzentration scheint nur eine ge-
    ringe Steigerung der \\'2clistums
    Z, geschwindigkeit
    zu bewirken; aber liijlier"> Konzviitrationen können
    "ewünsclitetifalls ohne \\-,ulteres benutzt werden.
    Die Züchtung der Quarz-Kristalle nach dem Pro-
    zeß der vorliegenden 1--Irfiii(iiiii" wird mit der wiß-
    rigen Lösung bei Tenil)(!i-.ittircn durchgeführt. die
    zweckmäßig oberhalb der kritischen Temperatur
    der wäßrigen Lösung liegen un1 im Nvesentlichen
    der kritischen Temperatur von Wasser entsprechen.
    Alle Teile der Kammer. in welcher die Züchtung
    vor sich geht, werden auf Temperaturen gehalten,
    die zweckmäßig oberhalb (lez kritiSchen Punktes
    liegen, und in jedem Fall auf einer Temperatur.
    die hoch -enu- ist, um di<2 Bildung einer zusAtz-
    liehen Phase der Lösun- 1)ci den bei solchen Tein-
    peraturen herrschenden Drucken zu verhindern,
    weil dadurch der Prozeß gestört würde.
    Die Temperatur in ckni kühlsten Teil der Kam-
    mer sollte oberhalb et\\-a 36o-- C, vorzugsv,-eise
    oberhalb etwa 37,5- C und noch besser auf wenig-
    stens 380-- C gellaltel, werdend Die Wachstums-
    geschwindigkeit des Kristalls scheint etwas zuzu-
    nehmen, wenn die Durchschnittstemperatur in der
    Kammererhöhtwird;dieTemperaturdeswachsenden
    Kristalls sollte aber zuverlässig unter 5#3' C, der Lm#\-aticl.Ititigstemperatur von, Quarz, gehalten werden und auch zuverlässig innerhalb der mechanischen Festigkeitsgrenzen der Bombe, in welcher (las Wachsen vor sich geht. Es ist empfehlenswert, daß die Temperatur in der Nähe des Kristalls und noch besser in dem heißesten Teil der Kammer 55o' C nicht überschreitet. Für den praktischen Betrieb günstigere Temperaturen liegen unter 5oo' C und zweckmäßig unter 450' C, und zwar an der oberen Fläche der Nährmasse oder selbst in dein heißesten Teil ler Bombe. Sehr befriedigende Resultate sind bei solchen Betriebsbedingungen erzielt worden, daß die außen an dem Teil der Bombe, der der oberen Fläche der Quarz-Nährmasse entspricht, gemessene Temperatur zwischen etwa 395' C und etwa 415' C vorzugsweise bei etwa 400' C liegt. Die außen gemessene Temperatur an dieser S,elle entspricht im wesentlichen der Inliente1111).eratur. Im allgemeinen kann eine praktische Wachsturnsgeschwindigkeit nicht erreicht #verden, die äußere Temperatur an dieser Stelle unter etwa 380' C beträgt.
  • Die Dichte des wäßrigen Müdlums, in weichem der Quiarz-Kristall wächst, und demgemäß der Druck, der in der Bombe während des Wuchsvorgangs herrscht, üben üinen beträchtlichen Einfluß auf die Geschwindigkeit aus, mit welcher der Quarz-Kristall wächst. Die Dichte oder umgekehrt das spezifische Volumen des wäßrigen Mediums wird durch die Höhe eingestellt, bis zu welcher der Hohlraurn der Zuchtkammer vor der Abdichtung der Kammer mit der wäßrigen Lösung gefüllt wird. Das kritische Volumen, d. h. das minimale Flüssigkeitsvolumen, welches die Beibehaltung einer flüssigen Phase in der Kammer bis zur Erreichung der kritischen Temperatur gewährleistet, besteht, wenn der Karnmerholilraum bei Raumtemperatur bis zu etwa 33 0/0 gefüllt wird.
  • Praktische Wachstumsgeschwindigkeiten können nach dem vorliegenden Verfahren nur erreicht werden, wenn die Füllung das kritische Volumen beträchtlich überschreitet. Um eine praktische Wachstumsgeschwindigkeit zu erreichen, ist es notwendig, den freien Raum der Kammer, ausgenomin#en derTeil, der von der Nährmasse, dem Kristallkeim und den Stützmitteln eingenommen wird, bei [Zatinitemperatur bis zu wenigstens 6o % mit dem flüssigen, wäßrilgen Wuchsmedium zu füllen. Wenn der Füllungsgrad erhöht wird, nimmt die Wachstunisgesch#vindigkeit merklich zu. Die obere Grenze des amvendbaren Füllungsgrades ist lediglich durch die Widerstandsfähigkeit der Bombe gegenüber dem erzeugten Druck gegeben. Eine Füllung von etwa 8o 11/o hat sich als sehr befriedigend erwiesen, aber eine Füllung von go % liefert bessere Resultate #in einer Bombe, die dem erhöhten Druck standhalten kann.
  • Mit einer Flüssigkeitsfüllung des Hohlraumes bei Rauintemperatur von 6o % ist das spezifische Volumen der wäßrigen Lösung oberhalb des kritischen Punktes etwa des i,67fache des spezinsciien Volumens der Flüssigkeit bei Raumtemperatur. Bei Füllungen von So und go% betragen die spezifischen Volumina- oberhalb des kritischen Punktes das 1,25- bzw. ijifache derjenig#en bei Raumtemperatur.
  • Für die #,#7achstumsgeschwindigkeit des Kristalls ist es wichtig, daß der geeignete Temperaturunters.chied während des ganzen Prozesses aufrechterhalten wird, und zwar zwischen dem flüssigenLösungsmittel beim Verlassen der Quarz-Nährrnasse und (lern wäßrigen Lösungsmittel in der Nähe des Quarz-Kristall-Keims. Bei einern, sehr kleinen Temperaturunterschiüd ist die Wachsturnsgeschwinddgkeit langsam. Wenn der Temperaturunterschied zunimmt, so wird auch die Wachstumsgeschwindigkeit gesteigert; wenn diese aber zu groß wird, so tritt unechte Kaimbildung an den Wänden der Bombe auf. Um die Möglichkeit unechter Keimbildung zu verhindern, ist es notwendig, eine zu ,große Tcmp-eraturdifferenz zu vermeiden, und zwar nicht nur zwischen der Nährmasse und dem Keimkristall, sondern auch zwischen der Nährmasse und irgendeinem Teil der Bombe. Wie bereits oben angegeben, kann der Temperaturunterschied bei der in der Zeichnung dargestellten Apparatur dadurch gesteuert werden, daß man die Isolation rund um die Bomben innerhalb des Ofens verändert.
  • Bei der in der Zeichnung dargestellten Apparatur ist es zweckmäßig, den Temperaturunterschied der äußeren Fläche der Bombe an den durch gestrichelte Linien A und B gemäß Fig. 2 gekennzeichnet-en Stellen zu messen. Die Außenmessung an der Stelle A ergibt eine Anzeige der Innentemperatur in gleicher Höhe, und diese Innentemperatur ist im wesentlichen die gleiche wie die Temperatur in dem kühlsten Teil der Zuchtkammer. Die Außenmessung an der Stelle B ergibt eine Anzeige der innentemperatur an der oberen Fläche oder an dem kühlsten Teil der Nährmasse. Im allgemeinen sollte der außen gemessene Temperaturunterschied zwischen 5 und 25' C gehalten werden. In den meisten Fällen wird der Unterschied zwischen io und 20' C liegerl. Der wirklicheTemperaturunterschied innerhalb der Bombe ist etwas kleiner. Man kann schätzungsweise annehmen, daß der äußere Temperaturunterschied zwischen derOberfläche der Nährmasse und dem kühlsten Teil der Zuchtkammer 5' C nicht üherschreitet und in den meisten Fällen nicht größ-er ist als 2 oder selbst i' C.
  • Eine praktische Wachstumsgeschwindigkeit kann erreicht werden, wenn der Kristallkeim nahe am Kopfende der Kammer in Schwebe gehalten wird, wo der Einfluß des vollen Temperaturunterschiedes ausnutzbar ;st. Man kann auch eine#n tieferen Punkt wählen, der nur wenig oberhalb der Nährmasse liegt, an welchem ab-er das Wachstum wegen des geringerenTemperatur-unterschiedes etwas langsamer vor sich geht. Man,,kann annehmen, daß für ein schnelles Wachstum der Temperaturunterschied zwischen dem Kristallkeim und der Oberfläche der Nährmasse wenigstens etwa Ij C betragen sollte, obgleich ein merkliches Wachstum auch selbst bei kleineren Temperaturdifferenzen bis herunter zu 0,1' C oder sogar noch weniger erzielt wird. Der optimale Temperaturunterschied innerhalb der oben angegebenen Bereiche hängt von den Z, übrigen Betriebsl)edingungcn ab, von denen die Korngröße der Quarz-Nährmasse die bedeutungsvollste ist. Bei größerer Korngröße ergeben sich die besten Resultate bei Einhaltung größerer Temperaturdifferenzen. Bei kleiner Korngröße liefern kleinere Temperaturdiffer-enzen die besten Ergebnisse.
  • Im allgemeinen werden die saubersten Kristalle nur bei den langsameren Wachstums- schwindigkeiten erzeugt. Bei höhererWaclisturnsgeschwindign keit haben die erzeugten Kristalleeine nach Ätzung aussehende Oberfläche. Der Unterschied ist jedoch nur oberflächl;cher Art, und die Kristalle, die nach Ätzung aussehen, sind genau so geeignet für piezoelektrische Zwecke, wie es die klaren Kristalle sind. Wenn, wie oben angegeben, das Wachstum zu rasch erzwungen wird, kann unter gewissen Bedingungen eine unechte Keimbildun- eintreten. Man kann je_ doch eine gewisse unechte Keimbildung -' zulassen, sofern sie nicht so ausgesprochenen Charakter be- kommt, daß sie das normale Wachstum der Flächen des Kristalls verändert.
  • Die folgenden speziellenBeispiele sollen erläutern, in welcher Art und Weise die vorliegende Erfindung praktisch durchgeführt wird.
  • B e i s p i e 1 1 Ein zylindriscber Einsatz aus nahtlosem Rohr, das ans niedrig gekohltern Stahl besteht, eine Wandstärke von 1, ,59 mm aufweist un#d mittels Bechern zugeschweißt ist, die aus niedrig gekohltem Stahl bestehen, eine Wandstärke von o,8o mm aufweisen und entsprechend Fig. i eine Zuchtkammer begrenzen, deren Durchmesser 2,54 CM und deren Länge --8,6 cm betragen, erhielt eine Füllung" die aus 5o g Nährmasse, bestehend aus Quarzteilchen solcher Größe, daß sie durch ein Sieb Nr. 4, nicht aber durch ein Sieb Nr. 6 hindurchgehen, einer wäßrigen Lösung aus Natriumcarbonat, Natriumhydroxyd und Natriumoleat und sechs Quarz-Kristall-Keimen bestand. Die Konzentrationen der Natriumverbindungen in der Lösung waren i normal für Natriumcarbonat, m normal für das Natriumhydroxyd und 0,003 normal für das Natriumoleat. Die Lösung reichte aus, um So% des freien Raumes der Kammer bei Raumtemperatur zu füllen, nach Abrechnung des Volumens der Nährmasse, der Kristallkeime und der Stützmittel. Die Keimkristalle hatten die Form von etwa 1,27 MM dicken Platten, die so geschnitten waren, daß ihre Flächen; parallel zu der größeren rhomboedrischen Fläche des Kristalls verliefen. Die Kristallkeime waren unter senkrechter Anordnung ihr-er Flächen an einem Drahtgestell aufor-chäncit. Sie waren mit ihrer Mitte in einem Ab- stand von etwa ig mm befestigt, wobei der oberste Keiml,ri,-tall etwa 25 mm vom Kopf der Kammer entfernt war und der unterste Keimkristall etwa 63,5 mm oberhalb der Oberfläche der Nährmasse lag Der Einsatz wurde in eine Bombe aus nichtrostendem Stahl geeigneter Größe gesteckt. Die Bombe hatte d#ie all'; Fig. 2 ersichtliche Ausbildung und wurde entsprechend Fig. 3 in einen Ofen ge- stellt. Die Ternperatur der heißen Platte und der Urrifang der Isolation waren so abgestimmt, daß die Außentemperatur der Borribe an der Stelle I; in Figl. 2 bei 4o5-- C und die .\tif.ieiiternperattir der Bombe aii der Stelle --1 um etwa i K' C niedriger als an der Stelle B ausfielen. Diese Bedingungen wurden neun Tage lang aufrechterhaltcri. Anschließend wurde die Bombe gekühlt, und die Kristalle wurden entrionini#en. Es hat sich gezeigt. daß die drei obersten Kristalle, welchen infolg,## ihrer Lag ge eine höhere I'ciiii)#ra,Lirdifierenz gegenüber der Nährmasse zugut## kam, ein Durchschnittswachstum Von täglich 2,20 nim 12in.gs der kristallographischen Hauptaclist# aufwiesen. Die drei unteren Kristalle, jie auf einem niedrigeren Temperaturunt,ersclii,cd gegenüber der Nährinasse gehalten wurden, zeigten ein Durchschnittswachstum von etwa 1,78 mm je Tag. Die Kristalle hatten ein nach Ätzung aussehendes Äußere. aber innen waren sie vollkommen klar, wenn man sie in einer Flüssigkeit beobachtete, deren Brechungsindex mit demjeni"-en von Quarz übereinstimmt. B ei S p i C 1 2 Eine gefüllte Bombe wurde in der gleichen Weise behandelt wie im Beispiel i, mit der Ausnahrne, daß die Zuchtkammer einen Durchmesser Von 2,5,4 cm und eine Länge voll 20.32 cm aufwies, daß 30 - Quarz-Nährtnasse angeNvendet wurde, daß die wäßrige Lösung nur Natriumcarbonat in einer Konzentration von 4 normal enthielt und vier Quarz-Keim-Kristalle übereinander in dem oberen Teil der Bombe aufgehängt -wurden. Die Bombe wurde in den Ofen gestellt, und die Temperatur an der Stelle B wurde auf 4oo' C gehalten, während die Außentemperatur an der Stelle A etwa io' C niedriger lag als an der Stelle B. Nachdem diese Bedingungen füretwa zwei Wochen aufrechterhalten waren, ließ man die Bombe abkühlen, und die Kristalle wurden entnommen. Es wurde festgestellt_ daß die Kristalle mit einer durchschnittlichen Geschwindigkeit von 0,92 mm je Tag gewachsen waren, wobei die oberen Kristalle ein etwas schnelleres Wachstum als die unteren Kristalle zeigten. Die Kristalle sahen außen nach Ätzung aus, innen aber Nx-aren sie klar.
  • Die vorstehende Erläuterung der Erfindung wurde im Zusammenhang mit ihren speziellen Ausführungsformtn gegeb-en; da aber Änderungen und Äquivalente für den Fachmann ohne weiteres erkennbar sind, so sollen die Ausführungsformen nur der Erläuterung dienen Lind nicht irgendwelche Grenzen für die Erfindung darstellen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPR(CHE: 1. \'erfahren zum Züchten von synthetischen Quarz-Kristallen ans Quarz-Kristall-Keimeri, die in einem druckfeSten Beli#*ilter aus wärm"-leitendern Nfaterial in SchNN-et>,-, gehalten werden, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Behälter bei Raumtemperatur und -druck eine aus kristallinen Quarzstückchen bestehende und von anderen Kieselsäureformen im wesentlichen frei,- Nährinasse, über der Nährmasse ein wäßriges, Natriumionen elithaltendes 1#ledium in solcher Nitenge, daß es 6o bis go% des freien Raumes in dem Behälter ausfüllt, eingebracht und wenigstens ein Kristallkeini in dem Meditim aufgehängt wird, daß der lkhältcr riel),st Inhalt hermetisch abgedichtet und in senkrechter Lage derart erhitzt wird. laß dic Oberseite der Nährmasse eine, Temperatur von wenigstens 380' C aufweist, während die Temperatur des wäßrigen Mediums in der Nähe des Kristallkeims unter der L7rnwandltingsteml),eratur des Quarzes und unter der Tciiil),cratur der Oberseite der Nährmasse liegt. und daß die Erhitzung fortgesetzt wird, 1)is eine wesentliche Zunahme der Größe des Kristallkeinis eingetreten ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nährmasse Kanäle frei gehalten werden, welche eine freie Zirkulation des #.%-äßrigen -Mediums über einen großen Flächenbereich der Nährmasse zulassen. 3. V erfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Oberseite der Nährmassc und dem wäßrigen Nledium in der Nähe des Kristallkeims bei Messung außerhalb des Behälters während der Erhitzung ein Temperaturunterschied von 5 bis 25' C aufrechterhalten wird. 4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Quarzteilchen der Nährrnasse eine maximale Länge in der Größenordnung zwischen 3,35 und 4,75 mm aufweisen. 5. \erfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das wäßrige Nledium eine Natriumionenkonzentration von wentigstens 1/, normal aufweist. 6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Natritimionen in dem wäßrigen Medium wenigstens zurn Teil aus Natriumhydroxyd, Natriumcarbonat oder Natriumsilicat oder aus einem beliebigen Gemisch dieser Verbindungen gewonnen werden. 7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das wäßrige Medium Natriumcarbonat und Natriumhvdroxvd enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Natriumcarbonats etwa i normal und die Konzentration des -Natriumhydroxyds etwa o,i normal sind. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das wäßrige Medium zusätzlich Natriumoleat in einer Konventration von etwa 0,003 normal enthält. g. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung durch Wärmezufuhr zum Boden des aufrecht stehenden Behälters erfolgt und daß das erforderliche Temperaturgefälle gegenüber dem oberen Bereich des Behälters durch Umhüllung der oberen Zonen mit wärmeisolierend-em Material erhalten wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1051823B (de) * 1953-10-02 1959-03-05 Gen Electric Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Quarzkristallen
DE1719014B1 (de) * 1963-01-18 1969-09-04 Max Adelmann Verfahren zum hydrothermalen Zuechten von Kristallen
AT382900B (de) * 1982-03-30 1987-04-27 Knischka Rubine Gmbh Gradientenverfahren zum zuechten von kristallen aus fluessigen medien

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1051823B (de) * 1953-10-02 1959-03-05 Gen Electric Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Quarzkristallen
DE1719014B1 (de) * 1963-01-18 1969-09-04 Max Adelmann Verfahren zum hydrothermalen Zuechten von Kristallen
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