DE760089C - Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern

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DE760089C
DE760089C DES140839D DES0140839D DE760089C DE 760089 C DE760089 C DE 760089C DE S140839 D DES140839 D DE S140839D DE S0140839 D DES0140839 D DE S0140839D DE 760089 C DE760089 C DE 760089C
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DE
Germany
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sulfur
selenium
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selenium layer
procedure
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Expired
Application number
DES140839D
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English (en)
Inventor
Georg Hoppe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
    • H10D48/04Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/043Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination
    • H10D48/045Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive

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  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

  • Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern, bei denen zwischen Selenschicht und Gegenelektrode eine dünne Schwefelschicht eingebracht ist. Es ist be= kannt, die natürliche Sperrschicht, die sich auf der Oberfläche einer auf eine Metallelektrode aufgebrachten Selenschicht bei deren Umwandlung in die leitende kristalline Form bildet, dadurch zu verstärken, daß man während oder nach der Umwandlung der Selenschicht auf diese eine dünne Schwefelschicht dadurch aufbringt, daß man sie Schwefeldämpfen aussetzt. Demgegenüber besteht das Verfahren nach der Erfindung darin, daß die dünne Schwefelschicht auf die Selenschichtoberfläche schon vor der Umwandlung der Selenschicht in die leitende kristalline Form aufgebracht wird. Diese Behandlung kann beispielsweise darin bestehen, daß man die Selenschicht mit feinverteiltem Schwefel in fester Form, z. B. Schwefelblüte, einreibt oder auch den Schwefel in die Selenschicht einwalzt. Ein anderer Weg besteht darin, den Schwefel in Dampfform auf die Selenoberfläche aufzubringen, beispielsweise mittels eines Druckluftstromes oder auch im Vakuum. Schließlich kann man auch zum Aufbringen des Schwefels eine Schwefellösung, z. B. in Schwefelkohlenstoff, Benzol oder Toluol, verwenden und diese auf die Selenschicht aufpinseln, aufsprühen oder aufspritzen; statt dessen kann man auch die Selenschicht mit der Schwefellösung übergießen oder die ganze Selenelektrode in die Lösung eintauchen.
  • Ein besonderer Vorteil des beschriebenen Verfahrens ist neben der dadurch erzielten Verbesserung der Sperrwirkung die Beseitigung der Unebenheiten der Selenoberfläche (Runzeln. Rillen u. dgl.), die beim Aufschmelzen des Selens auf die Metallelektrode entstehen. Dadurch wird die Gefahr von Durchschlägen (Kurzschlüssen) vermieden.
  • Die Wirkung der Schwefelbehandlung der Selenschicht vor ihrer Umwandlung kann noch dadurch unterstützt werden, daß man die Selenschicht außerdem nach ihrer Umwandlung beschwefelt. beispielsweise durch Aufdampfen von Schwefel.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern durch Einbringen einer dünnen Schwefelschicht zwischen Selenschicht und Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die Schwefelschicht vor der Umwandlung der Selenschicht in die leitende kristalline Form aufgebracht wird. :
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i. dadurch gekennzeichnet. dall Schwefel in fester Form, z. B. als Schwefelblüte, in die noch nicht umgewandelte Selenschicht eingerieben oder eingewalzt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwefel in Dampfform, z. B. mittels Druckluftstromes oder im Vakuum, auf die noch nicht umgewandelte Selenschicht aufgebracht wird. d..
  4. Verfahren nach Anspruch i. dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung von Schwefel in einem flüchtigen Lösungsmittel auf die Selenschicht aufgepinselt. aufgespritzt oder aufgesprüht wird oder daß die Selenschicht mit der Schwefellösung übergossen oder in sie eingetaucht wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, z, 3 oder 4. dadurch gekennzeichnet, daß auch nach der Umwandlung der Selenschicht in die leitende Form eine Behandlung der Selenoberfläche mit Schwefel in fester, flüssiger oder Dampfform stattfindet. Zur Abgrenzung des Erfindungsgegenstands vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: Schweizerische Patentschritt 1r. 15; 167-USA.-Patentschrift Nr. 1 99-1632.
DES140839D 1940-04-24 1940-04-25 Verfahren zur Verbesserung der Sperrwirkung von Selengleichrichtern Expired DE760089C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE884847C (de) * 1943-12-15 1953-07-30 Westinghouse Electric Corp Trockenkontakt-Gleichrichter bzw. lichtempfindliches Element

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH157167A (de) * 1930-08-07 1932-09-15 Falkenthal Erwin Lichtelektrische Zelle und Verfahren zur Herstellung derselben.
US1994632A (en) * 1933-05-11 1935-03-19 Bell Telephone Labor Inc Asymmetric conductor

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