DE719959C

DE719959C - Kristall-Lichtrelais

Info

Publication number: DE719959C
Application number: DET52299D
Authority: DE
Inventors: Manfred Baron Von Ardenne
Original assignee: Tobis Tonbild Syndikat GmbH
Current assignee: Tobis Tonbild Syndikat GmbH
Priority date: 1939-05-23
Filing date: 1939-05-23
Publication date: 1942-04-21

Description

Kristall-Lichtrelais Zusatz zum Patent 698 o82 Gegenstand des Patents 698 082 ist ein Lichtrelais, das im wesentlichen gekennzeichnet ist durch die Ausnutzung des elektrooptischen Effekts von Kristallen in Richtung eines elektrischen Feldes in Verbindung mit der Ausnutzung des inneren lichtelektrischen Effekts des ,gleichen Kristalls, wobei an der Kristallschicht bei Bestrahlung mit besonders kurzwelligen, insbesondere ultravioletten Strahlen einer steuernden Strahlungsquelle infolge der Änderung des inneren Widerstandes der Schicht eine Spannungsänderung eintritt, die durch Beeinflussung der Doppelbrechung der Kristallschicht den Polarisationszustand des zu steuernden Lichtstrom,es beeinflußt. Die Ursache für die Veränderung des elektrischen Feldes in dein Kristallschirm ist eineÄnderung der Leitfähigkeit des Kristalls. Besonders stark wurde diese Wirkung z. B. bei Zinkblende beobachtet. Es hat sich nun gezeigt, daß die Änderung der Leitfähigkeit im Kristall stark von der Temperatur abhängig ist. Bei Erwärmung des Kristalls nimmt der innere lichtelektrische Effekt stark zu. Praktisch bedeutet das, daß eine geringere Intensität der kurzwelligen Strahlung zum Steuern dies Relaisschirmes und damit der sekundären Lichtquelle erforderlich ist. Eine Er@värmung des Kristalls ergibt demnach einen besseren Wirkungsgrad der gesamten Lichtsteuervorrichtung.
Erfindungsgemäß wird daher bei einem K ristallrelaisschirm nach dem Patent 698 o82 die Kristallschicht durch an sich bekannte Mittel erwärmt, um einen erhöhten Wirkungsgrad der Vorrichtung zu erreichen. Die Erwärmung kann praktisch so weit getrieben werd@en, als dies der betreffende Kristall zuläßt. Praktisch kommen Temperaturerhöhungen von ioo bis 2oo° C, z. B. bei Zinkblende, in Frage. '-- -Die Ehvärmun.g der Kristallschicht kann in verschiedeniör'- Weise --erfolgen. Bei Benutzung von durchfallendem Licht, wenn also die Durchsichtigkeit des Relaisschmmes gewahrt bleiben muß, kann die Erwärmung z. B. durch Bestrahlung oder durch elektrische Erhitzung von äußerst dünn aufgetragenen Metallschichten, die für das Licht durchlässig sind, erfolgen. Wird dagegen mit reflektiertem Licht gearbeitet, so kann die spiegelnde Rückfläche des Kristallschirmes gleichzeitig zur Erwärmung herangezogen «-:erden. Es kann z. B. die spiegelnde Belegung durch :elektrischen Strom erhitzt werden, oder es kann auf die Rückseite der spiegelnden Belegung eine Heizspirale aufgelegt oder auch die geschwärzte Rückseite der spiegelnden Belegung durch intensive Wärmebestrahlung oder durch Wärmeleitung gleichmäßig erhitzt «-erden. Stets ist darauf zu achten, daß die ganze Fläche des Kristallschirmes möglichst gleichmäßig erwärmt wird.
Die Heizstärke und damit die Erwärmung der Kristallschicht kann durch bekannte Mittel geregelt werden, wodurch der Photoeffekt und die Leitfähigkeit des Kristallschirmes auf den gewünschten Temperaturgrad eingestellt werden kann. Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung und die Regelung der Erwärmung wird" erreicht, daß jeweils die günstigsten Arbeitsverhältnisse herbeigeführt werden können.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Kristall-Lichtrelais nach Patent 698 o82, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallschicht, soweit sie zur Lichtsteuerung benutzt wird, eine gleichmäßige künstliche Erwärmung erfährt.
2. Kristall-Lichtrelais nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die künstliche Erwärmung .durch an sich bekannte Vorrichtungen zwecks Einstellung der günstigsten Arbeitsbedingungen regelbar ist.
3. Kristall-Lichtrelais nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die künstliche Erwärmung durch Stromwärme erfolgt. q..
Kristall-Lichtrelais nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die künstliche Erwärmung durch einen mit dem Kristall thermisch . verbundenen Kurzschlußleiter innerhalb eines Hoehfrequenzfeldes erfolgt.
5. Kristall-Lichtrelais nach Anspruch i und 2, dadurch, gekennzeichnet, daß die künstliche Erwärmung durch Wärmestrahlung oder durch Wärmeleitung erfolgt.
6. Kristall-Lichtrelais nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Fläche der Kristallschicht mit einer Metallschicht von hoher Wärmeleitfähigkeit innig verbunden ist, die auf der Seite der einfallenden Wärmestrahlung geschwärzt ist.