DE716987C - Verfahren zur Kennlinienausrichtung der Filmemulsion bei Tonaufnahmeverfahren mit Halbwellen-Intensitaetsschrift - Google Patents

Description

• Verfahren zur Kennlinienausrichtung der Filmemulsion bei Tonaufnahmeverfahren mit Halbwellen-Intensitätsschrift Zusatz zum, Patent 700 zig In dem Hauptpatent wird ein Verfahren zur Ausrichtung der photographischen Kennlinie der Filmemulsion bei Tonaufnahmen in Halbwellen-Intensitätsschrift beschrieben, bei dem eine geteilte Kerrzelle mit zwei Plattenpaaren zur Aufzeichnung verwendet wird und jedem Plattenpaar außer der Ruhespannung und der entsprechenden Halbwellenspannung eine amplitudenabhängige Zusatzspannung zugeführt wird, die mit zunehmender Amplitude der Halbwellenspannung im Verhältnis zu dieser kleiner wird.
• In vielen Fällen ist es erwünscht, die Steueranspannungen der Kerrzelle in Form von modulierter Hochfrequenzspannung zuzuführen. Dieses an sich bekannte Verfahren bietet bei der Anwendung' in dein in dem Hauptpatent beschriebenen Tonaufnahinev erfahren Schwierigkeiten, da hier jedem Plattenpaar der Kerrzelle drei Steuerspannungen, nämlich die Ruhespannung, die Halbwellenspannung und die amplitudenabhängige Zusatzspannung, zugeführt werden müssen.
• Erfindungsgemäß wird diese Schwierigkeit dadurch überwunden, daß sowohl die Halbwellenspannung als auch die amplitttdenabhängige Zusatzspannung eine einzige dem Plattenpaar der Kerrzelle zugeführte Hochfrequenzspannung moduliert, deren unmodulierter Anteil als Ruhespannung der Kerrzelle dient. Dieses Verfahren kann man beispielsweise so durchführen, daß die Halbwellenspannung an einem Steuergitter, dem zugleich die zu modulierende Hochfrequenzspannung zugeführt wird, und die amplitudenabhängige Zusatzspannung -an dein Bremsgitter, oder umgekehrt, eines als Modulator arbeitenden ßremsgitterrohres angreift. Eine andere Möglichkeit, das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen, besteht darin, daß die aus der Summe der Halbwellenspannung und der amplitudenabhängigen Zusatzspannung gebildete Spannung in° an sich bekannter Weise eine Hochfrequenz-" spannung moduliert. Die aus Halbwellenspannung bestehende Spannungssumme kann man durch eine Schaltanordnung herstellen, in der eine die Halbwellenspannung verstärkende Röhre mit linearer Kennlinie und die die amplitudenabhängige Zusatzspannung erzeugende Röhre mit exponentieller Kennlinie in ihren Anodenkreisen parallel geschaltet sind und der beiden Röhren gemeinsame Anodenwiderstand die Modulationsspannung liefert.
• Selbstverständlich ist das erfindungsgemäße Verfahren nicht auf diese beiden Möglichkeiten beschränkt. Die Modulation der Hochfrequenzspannung kann vielmehr nach einem der vielbekannten Modulationsverfahren, z. B. auch Anodenspannungsmodulation, durchgeführt werden. Diese Verfahren sind dem Fachmann geläufig und brauchen hier nicht näher erklärt zu werden.
• Bei der Durchführung des Erfindungsgedankens ist die Schaltanordnung zweckmäßigerweise so zu wählen, daß das Plattenpaar der Kerrzelle eine Kapazität in einem Paralleischwingungskreis bildet. .Da die Halbwellenspannungen ungefähr einen Frequenzbereich umfassen, der dreimal so groß wie der zu übertragende Bereich der Tonfrequenzen ist, ist es noch zweckmäßiger, daß das Plattenpaar der Kerrzelle eine Kapazität in einem Parallelschwingungskreis eines Bandfilters bildet.
• In den Abbildungen sind zwei Ausführungsbeispiele des Erfindungsgedankens in schematischer Form dargestellt, auf die aber der Erfindungsgegenstand keineswegs beschränkt ist. In den Schaltbildern sind sämtliche Gleichspannungsquellen der Übersichtlichkeit halber nicht eingezeichnet worden.
• In Abb. i sind 6 und 7 Widerstände, an denen die Halbwellenspannungen liegen. Von den Widerständen 6 und 7 werden einstellbare Teilbeträge den Gittern der Röhren 8 und 9 zugeführt, die eine exponentielle Kennlinie haben und die amplitudenabhängige Zusatzspannung erzeugen. Die Anoden' der Röhren q. und 8 bzw. 5 und 9 sind parallel geschaltet und erhalten die Anodenspannung über die ihnen gemeinsamen Widerstände -a bzw. 3. An diesen Widerständen 2 und 3 entstehen Spannungen, die sich aus den Halbwellenspannungen und den amplitudenabhängigen Zusatzspannungen zusammensetzen. Die Anoden der Röhren q. und 8 bzw. 9 und 5 sind an die Gitter der Röhren 12 bzw. 13 geführt. In diesen Zuführungsleitungen liegen die Hochfrequenztransformatoren io bzw. i i, über die den Gittern der Röhren 12 bzw. 13 eine Hochfrequenzspannung zugeführt wird.
• x Durch die Röhren q., 5 und 8, 9 wird verhindert, daß diese Hochfrequenzspannung auf die Eingangskreise der Schaltung zurückwirken kann. In den Anodenkreisen. der Röhren 1 2 bzw. i3 liegt je ein Plattenpaar der Kerrzelle 17. Jedem Plattenpaar ist eine Hochfrequenzspule 14 bzw. 15 parallel geschaltet. Diese Hochfrequenzspulen sind derartig abgestimmt, daß sie zusammen mit den parallel zu ihnen liegenden Plattenpaaren der Kerrzelle einen Sperrkreis bilden, der auf die Hochfrequenz abgestimmt ist.
• In Abb.2 ist die Modulierung durch Bremsgitterröhren dargestellt. An den Widerständen 2 und 3 liegen die Halbwellenspannungen, während an den Widerständen i9 und 2o die amplitudenabhängigen Zusatzspannungen liegen. Die an den Widerständen 2 und 3 liegenden Halb-#v,llenspannungen sind an die Steuergitter der im Gegentakt geschalteten Bremsgitterröhren 12 und 13 geführt. In den Zuführungsleitungen befinden sich, genau wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel, die Hochfrequenztransformatoren io bzw. i1, über die den Gittern die Hochfrequenzspannung zugeführt wird. Die an den Widerständen i9 bzw. 2o liegenden amplitudenabhängigen Zusatzspannungen sind an die Bremsgitter der Röhren 12 bzw. 13 gelegt (Bremsgittermodulation). In den Anodenkreisen der Bremsgitterröhren 12 bzw. 13 liegen wieder die Plattenpaare der Kerrzelle 17. In dem dargestellten Falle bilden die Plattenpaare der Kerrzelle 17 zusammen mit den parallel zu ihnen liegenden Hochfrequertzspulen 1.4 und 15 auf die Hochfrequenz abgestimmte Schwingungskreise. Diese Schwingungskreise wiederum bilden einen Teil der Bandfilter 16 und 18. Durch die Verwendung dieser Bandfilter wird eine größere Bandbreite erreicht, die für eine verzerrungsfreie Modulierung der Halbwellen mit ihrem großen Frequenzbereich erforderlich ist.

Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Ausrichtung der photographischen Kennlinie der Filmemulsion bei Tonaufnahmen in Halbwellen-Intensitätsschrift nach Patent 7oo i 19, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Halbwellenspannung als auch die amplitudenabhängige Zusatzspannung eine einzige dem Plattenpaar der Kerrzelle zugeführte Hochfrequenzspannung moduliert; deren unmodulierter Anteil als Ruhespannung der Kerrzelle dient. a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbwellenspannung an dem Steuergitter, dem zugleich die zu modulierende Hochfrequenzspannung zugeführt wird, und die amplitudenabhängigeZusatzspannung an demBremsgitter, oder umgekehrt, einer als Modulation arbeitenden Bremsgitterröhre angreift. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die aus der Summe der Halbwellenspannung und der amplitudenabhängigen Zusatzspannung gebildete Spannung in an sich bekannter Weise eine Hochfrequenzspannung moduliert. q.. Schaltanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine. die Halbwellenspannung verstärkende Röhre mit linearer Kennlinie und die die amplitudenabhängige Zusatzspannung erzeugende Röhre mit exponentieller Kennlinie in ihren Anodenkreisen parallel geschaltet sind und der beiden Röhren gemeinsame Anodenwiderstand die Modulationsspannung liefert. 5. Schaltanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Plattenpaar der Kerrzelle eine Kapazität in einem ParalleIschwingungskreis bildet. 6. Schaltanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Plattenpaar der Kerrzelle eine Kapazität m einem Parallelschwingungskreis eines Bandfilters bildet.