DE706500C - Verfahren zur Nachbehandlung kristalliner Leuchtstoffe - Google Patents

Verfahren zur Nachbehandlung kristalliner Leuchtstoffe

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DE706500C
DE706500C DER98348D DER0098348D DE706500C DE 706500 C DE706500 C DE 706500C DE R98348 D DER98348 D DE R98348D DE R0098348 D DER0098348 D DE R0098348D DE 706500 C DE706500 C DE 706500C
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crystalline phosphors
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phosphors
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DER98348D
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Humboldt Leverenz
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RCA Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon

Description

  • Verfahren zur Nachbehandlung kristalliner Leuchtstoffe Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur' Nachbehandlunig.kristalliner Leuchtstoffe, z.B. vorn Zinksilicat.
  • . Es -ist bekannt, daß die Abkühlungsgeschwindigkeit kristalliner Leuchtstoffe auf: die Intensität, Dauer und Farbe des Leuchtens einen wesentlichen Einfluß hat. Es war aber -schwierig, diese Abkühlung so vorzu:-nehmen; daß .einwandfreie günstige Ergebnisse. erhalten wunden. Zu jeder Abkühlung gehört :ein, vorhergehendes Erhitzen,. und beim Erhitzen besteht stets- die Gefahr, :daß das körnige Pulver des Leuchtstoffes zusgnmensintert. Beim Mahlren des Pulvers ,geht dann die Leuchtfähigkeit teilweise wieder verloren: Verzichtet- man aber auf. -ein nachträgliches Mahlen, so, wird .eine andere Korngröße erhalten, die unter 'Umständen für die weitere. Verwendung ungeeignet sein kainn. Die Erfindung gibt nun-,ein Verfahren an, bei dem sich die, plötzliche Abkühlung zunächst über einen sehr weiten Temperaturbereich-,erstreckt und außerdem keinerlei -Gefahr eines Zusamm@ensinterns. .einzelner Körner besteht. Gemäß der Erfindung werden kristalline Leuchtstoffe, z. B: Zinksilicat; in ;gepulvertem Zustande aus einem Sieb, durch einen rohrförmigen-Schmelzofen n hindurch in eine Kühlflüssigkeit gegeben, wobei. sie beim Durchfallen .des Ofens zum Schmelzen gebracht werden. Die Leüchtstof tkörnchen wer-.den .also: zunächst ,geschmolzen und dajn*i vorn der. Schmelztemperatur plötzlich durch Erintauchen in ;die- Kü lflüssi;gkeit abgekühlt. -Das Temperaturintervall der plötzlichen Ab- kühlung ist also; sehr groß,. Da außerdem' beim Durchfallren des Rohrres gemäß der Erfmnduqg die Körner im Augenblick des Geschmolzenseins nicht miteinander in Berührung stehen, können sie inicht und die Größe der ursprünglichen Körner bleibt unverändert erhalten.
  • Ein Ausführungsbeispiel für eine Anordnung zur Ausübung des Verfahrens gemäß der Erfindung ist in der Abbildung dargestellt.
  • Ein Behälter i hat einen siebförmigen Boden z und enthält den Leuchtstoff 3. Unter diesem Behälter ist .ein :elektrischer Schmelzofen q. aufgestellt. Dieser wird vermöge der _ Windi-mgen 5 und des Ho@chfriequenzgenerators 6 ,induktiv ,geheizt. Der Behälter i wird so- geschüttelt, daß sehr feine Teilchen des Ausgangswerkstoffes, deren Größe durch dne Maschengröße des Siebes z bestimmt wird, in den .elektrischen Schmelzofen gesiebt werden. .
  • Wenn idie Teilchen durch den Schmelzofen fallen., dessen Temperatur bei Zinksilicat zweckmäßig zwischen 1500 uhd i 6oo° C liegt, werden sie geschmolzen. Unterhalb des Sch@mielzoiens befindet sich ein Behälter 7, der z. B. :als Kühlflüssigkeit 8 Wasser vorn der Temperatur o° enthält. Die geschmolzenen Teilchen, die in. das kalte Wasser fallen, werden praktisch augenblicklich abgekühlt. Nachdem sieb. eine genügende Menge des verbesserten Leuchtstafes in dem- Blehälier 7 angesammelt hat, wird das Wasser abgegos# sen und der Stoff 9 ,getrocknet: Nach dem Trocknen ist er zum Gebrauch fertig. Aus einer langen Reihe von Verglechsversuchein hat sichergehen, daß die besten Bedingungen d=m erfüllt sind, wenn die Abkühlung gleich anschließend an dem Bunteren Teil des Schmelzofens beginnt .und innerhalb i Sekunde stattfindet. Manchmal ist es vorteilhaft, die Behandlung, also das Schmelzen mit anschließendem Abkühlen, zweimal vorzunehmen, um eine besonders ,gute Wirkung zu erhalten. Es kommt nämlich vor, daß einzelne Kristalle beim erstenmal dem Prozeß teilweise entgehen .und .erst das zweite Mal vollständig :geschmolzen werden.
  • Die gemäß .der Erfindung nachbehandelte Leuchtstoffmasse leuchtet unter dem Einfluß von Kathodenstrahlen mit einer längeren Wellenlänge ,als der nicht behandelte Lexwhtstoff. Im Falle von Zinkorthosilicat liegt das Intensitätsmaximum in der Gegend von 56oo Ä, also bei Hellgelb. Der erfindungsgemäß behandelte Leuchtstoff ist besonders e widerstandsfähig gegenüber unter dem Einfluß des auftreffenden Kathodenstrahls stattfindenden Verbrennungen, und die spektrale Lage .des ausgesandten Lichtes ist unabhängig von der Intensität und Dauer der Bestrahlung. Ferner ist ,der Wirkungsgrad bezüglich der Umwandlung der Kathodenstrahlenergie in Lichtenergie durch die Behandlung gemäß der Erfindung verbessert worden, wodurch die Kontraste auf dem Leuchtschirm größer werden. Das Verfahren gemäß der Erfindung ist besonders geeignet für die Behandlung von manganaktiviertem Znkorthosilicat, jedoch kann es auch: bei anderen Leuchtstoffen benutzt werden, die hei der Abkühlung aus dem geschmolzenen Zustande eine kristalline Form annehmen.

Claims (1)

  1. PATGN,rANSPRUCII: Verfahren zur Nachbehandlung kristallirner Leuchtstoffe, , z. B, von Zinksilicat, dadurch ,gekennzeichnet, daß die pullverisierte Leuchtsubstanz aus einem Sieb durch einen rohrförmigen Schmelzofen hindurch in eine Kühlflüssigkeit fällt, wobei sie beim Durchfallen des Ofens zum Schmelzen gebracht wird. '
DER98348D 1936-01-20 1937-01-20 Verfahren zur Nachbehandlung kristalliner Leuchtstoffe Expired DE706500C (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5196234A (en) * 1986-08-29 1993-03-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor particle
US5188763A (en) * 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor

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