DE706048C - Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit - Google Patents

Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit

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Publication number
DE706048C
DE706048C DEN38211D DEN0038211D DE706048C DE 706048 C DE706048 C DE 706048C DE N38211 D DEN38211 D DE N38211D DE N0038211 D DEN0038211 D DE N0038211D DE 706048 C DE706048 C DE 706048C
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DE
Germany
Prior art keywords
electrode system
electrode
barrier
barrier material
barrier layer
Prior art date
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Expired
Application number
DEN38211D
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Jan Hendrik De Boer
Dr Willem Christiaan Van Geel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DEN38211D priority Critical patent/DE706048C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE706048C publication Critical patent/DE706048C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers

Description

  • Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit Die Erfindung bezieht sich auf ein Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit und insbesondere ,auf einen Trockengleichrichter oder eine Photozelle, in denen sich zwischen den Elektroden eine besondere, unabhängig vom Elektrodenmaterial angeordnete oder gebildete Sperrschicht-befindet, die aus einem Stoff besteht, der im flüssigen oder gelösten Zustand auf eine der Elektroden aufgebracht ist oder der bei erhöhter Temperatur (ioo bis 200° C) erweicht.
  • Man hat bereits Stoffe mit den vorerwähnten Eigenschaften verwendet, die sich vorzüglich als Sperrschichtmaterial eignen. Diese Gruppe von Stoffen umfaßt z. B. die Kunstharze wie die Kondensationsprodukte von Ureum und Formaldehyd oder von Phenolen und Formaldehyden, Polyvinylacetat, Polystyrol und polymerisierte Acrylderivate. Sie besitzen als Sperrschichtmaterial die nachfolgenden Vorzüge: geringe dielektrische Verluste, hohe D.urchschlagfebtigkeit infolge der Eigenschaft, daß der Isolationswert sehr hoch liegt, und ferner haften sie sehr fest an den angrenzenden Oberflächen der anliegenden Elektroden. Besonders das Polystyrol besitzt günstige Eigenschaften zur Verwendung als Sperrschichtmaterial. Eine weniger günstige Eigenschaft dieser Stoffe ist, daß sie bei einer erhöhten Temperatur erweichen. Solche.Temperaturen können z. B. vorkommen, falls für die halb leitende Elektrode des Systems Selen verwendet wird, da dieser Stoff, nachdem die Sperrschicht .aufgebracht worden ist, bis auf eine Temperatur von annähernd 2oo° C erhitzt wird, damit er in die leitende kristallinische Modifikation übergeht. Die Sperrschicht wird dann erweichen, wodurch nicht nur Stärkeunterschiede, sondern sogar die Gefahr des Durchdrückens der Sperrschicht und Kurzschluß der Elektroden eintreten können.
  • Diese Gefahr kann im allgemeinen auch beim Anbringen der Sperrschicht aus einer Lösung entstehen, z. B. wenn das System zusammengesetzt wird, bevor das Lösungsmittel vollständig entfernt worden ist.
  • Lichtempfindliche Zellen sind schon mit einer Sperrschicht versehen worden, die aus mit Kunstharz getränktem Papier bestanden. Diese Zellen weisen aber den gleichen, oben schon beschriebenen Übelstand auf; das Kunstharz erweicht leicht, erhält aber bei einer hohen, oberhalb ioo° C liegenden Temperatur keine mechanische Festigkeit von der Papierschicht, weil die mechanischen Eigenschaften des Papiers bei dieser hohen Temperatur selbst sehr ungünstig werden; das Papier geht nämlich allmählich in Kohle über, welch letzterer Stoff fast überhaupt keine mechanische Festigkeit aufweist. überdies hat Kohle die für diesen Fall ungünstige Eigenschaft, daß sie leitend ist, so daß in der Sperrschicht ganz kleine Zellen mit mehr oder weniger Leitvermögen vorhanden sind. Dies bedeutet aber ein bedeutendes Herabsetzen des Isolierwertes des Kunstharzes.
  • Zur Behebung der oben angeführten Nachteile wird nach der Erfindung dem Sperrschichtstoff zur größeren mechanischen Festigkeit ein pulverförmiger Isolierstoff zugesetzt, so daß in der Sperrschicht ein Gerippe entsteht, das den erwähnten Cbelstand verhindert.
  • Mit einem die mechanische Festigkeit fördernden Stoff ist in vorliegendem Fall also ein Stoff gemeint, der im verwendeten Lösungsmittel nicht in Lösung geht bzw. einen höheren Erweichungspunkt als das eigentliche Sperrschichtmaterial hat.
  • Es hat sich gezeigt, daß Glimmerpulver ein besonders geeigneter Stoff ist, um dem Sperrschichtmaterial zugesetzt zu werden.
  • Statt Glimmerpulver kann auch z. B. Quarz-oder Aluminiumoxy dpulver benutzt werden. Diese Stoffe beeinträchtigen die dielektrischen Eigenschaften des Kunstharzes nicht, da sie die Eigenschaft besitzen, selbst ein Dielektrikum bilden zu können.
  • Es hat sich herausgestellt, daß man eine vorzügliche Sperrschicht dadurch erhält, daß als Sperrschichtmaterial Polystyrol verwendet wird, in welches feines Glimmerpulver eingeführt ist. Ausführungsbeispiel Auf einen z. B. aus Messing bestehenden metallenen Träger wird eine amorphe Seienschicht von einigen Hundertsteln bis einigen Zehnteln eines Millimeters im flüssigen Zustand aufgebracht und flach ausgewalzt oder mit einem heißen Bolzen ausgestrichen. Auf dieser Selenoberfläche wird dann die Sperrschicht angeordnet. Dies vollzieht sich wie folgt: Die Selenelektrode wird in eine Lösung von Polystyrol in einem schnell verdampfenden Lösungsmittel, z. B. Benzin, in dem fein verteiltes Glimmerpulver vorhanden ist, eingetaucht und mehr oder weniger schnell, je nach der gewünschten Sperrschichtstärke, die von der zu sperrenden Spannung abhängig ist und zwischen o, i und i o ,cc variiert, aus dem Bade herausgezogen. Das Lösungsmittel verdampft sofort, während die aus Polystyrol mit Glimmerpulver als Gerippe zur größeren mechanischen Festigkeit bestehende Sperrhaut auf der Elektrode zurückbleibt und an ihr festhaftet.
  • Dann wird die Selenelektrode in einen Öfen eingeführt und während längerer Zeit (2' bis 2,. Stunden) auf eine Temperatur von ungefähr 200° C jedenfalls auf einer unterhalb des Schmelzpunktes von Selen liegenden Temperatur gehalten. Diese Behandlung hat in diesem Fall einen dreifachen Zweck: i. das Selen wird von der amorphen in die leitende kristallinische Modifikation übergeführt; 2. die gegebenenfalls auf der Elektrode zurückgebliebenen Benzinteilchen, welche die mechanischen Eigenschaften des Sperrschichtmaterials beeinträchtigen, werden vollständig weggedampft, und 3. das Polystyrol wird weiter durchpolymerisiert, wodurch seine bereits vorhandenen günstigen Eigenschaften als Sperrschichtmaterial noch verbessert werden.
  • Im allgemeinen ist es auch möglich, die Sperrschicht nach der Erhitzung des Selens zum Überführen in die leitende kristallinische Modifikation aufzubringen. In diesem Fall ist es erwünscht, das Heizverfahren bei annähernd 2oo° C zu wiederholen.
  • Auf dieser Sperrschicht wird dann die aus einem gut leitenden hochemittierenden Metall bzw. Legierung bestehende Gegenelektrode angebracht, was mit Hilfe des bekannten Spritzverfahrens des z. B. flüssigen Woodschen Metalls erfolgen kann.
  • Der Aufbau des Elektrodensystems kann sich auch in umgekehrter Reihenfolge vollziehen, d. h. daß die Sperrschicht auf die Gegenelektrode aufgebracht wird. Dies läßt sich bei der Herstellung von Photozellen wie folgt durchführen. Für die Gegenelektrode wird ein gut leitender Stoff verwendet, der aber durchsichtig sein muß. Zu diesem Zweck soll seine Stärke ganz gering sein, weshalb die Gegenelektrode einen zweckmäßig aus Glas bestehenden Träger benötigt. Auf die Gegenelektrode, die z. B. aus Silber besteht, das aus der Dampfphase auf dem Glas niedergeschlagen ist, wird dann die Sperrschicht von Polystyrol mit Glimmer aufgebracht, wonach auf diese Schicht die halb leitende (elektronegative) Elektrode, gegebenenfalls samt Träger, festgeheftet wird. Das Festheften der Polystyrolschicht sowohl an die elektropositive als auch an die elektronegative Elektrode wird dadurch gefördert, daß die Sperrschicht auf eine höhere Temperatur erhitzt wird, wodurch sie etwas weicher wird.
  • In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt.
  • Mit i ist der aus Messing bestehende Träger bezeichnet, der gleichzeitig zur Herstellung der elektrischen Verbindung an der Selenelektrode 2 dient. Auf dem Selen befindet sich die Polystyrolsperrschicht 3 mit dem durch Glimmerteilchen gebildeten punktiert angegebenen Gerippe. Die aus Woodschem Metall bestehende Gegenelektrode-,ist mit 4 bezeichnet.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitungsfähigkeit, insbesondere eine Photozelle oder ein Trockengleichrichter, mit einer zwischen den Elektroden befindlichen besonderen, unabhängig von dem Elektrodenmaterial angeordneten Sperrschicht, die aus einem Material, zweckmäßig aus Kunstharz, besteht, das im flüssigen oder gelösten Zustand aufgebracht wird oder bei erhöhterTemperatur, z. B. 2oo° C, erweicht, dadurch gekennzeichnet, daß dem Sperrschichtmaterial zur größeren mechanischen Festigkeit solche pulverförmigen Isolierstoffe zugesetzt sind, die weder in der Sperrschicht bzw. in seinem Lösungsmittel in Lösung gehen, noch bei hohen Temperaturen von etwa 2oo° C ihre Form und Eigenschaften verlieren.
  2. 2. Elektrodensystem nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß dem Sperrschichtmaterial Glimmer in Pulverform zugesetzt ist.
  3. 3. Elektrodensystem nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß dem Sperrschichtmaterial Quarzpulver zugesetzt ist.
  4. 4. Elektrodensystem nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß dem Sperrschichtmaterial Aluminiumoxydpulver zugesetzt ist.
  5. 5. Elektrodensystem nach einem der Ansprüche i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ,als Sperrschichtmaterial Polystyrol verwendet ist.
DEN38211D 1935-06-01 1935-06-02 Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit Expired DE706048C (de)

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DEN0038211 1935-06-01
DEN38211D DE706048C (de) 1935-06-01 1935-06-02 Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit

Publications (1)

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DEN38211D Expired DE706048C (de) 1935-06-01 1935-06-02 Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit

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DE (1) DE706048C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE934423C (de) * 1942-07-02 1955-10-20 Int Standard Electric Corp Selentrockengleichrichter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE934423C (de) * 1942-07-02 1955-10-20 Int Standard Electric Corp Selentrockengleichrichter

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