DE69927760T2

DE69927760T2 - Akustischer Oberflächenwellenresonator und akustisches Transversal-Oberflächenwellenfilter

Info

Publication number: DE69927760T2
Application number: DE69927760T
Authority: DE
Inventors: Michio Nagaokakyo-shi Kadota
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-08-21
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2006-04-27
Anticipated expiration: 2019-08-21
Also published as: US6317014B1; DE69927760D1; EP0982856A2; SG80058A1; JP3269466B2; EP0982856A3; EP0982856B1; JP2000068782A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Oberflächenwellenresonator und ein Oberflächenwellenfilter, einen Duplexer und eine Kommunikationsvorrichtung unter Verwendung desselben, insbesondere bezieht sie sich auf einen Oberflächenwellenresonator, der eine akustische Oberflächenwelle verwendet, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst.
Beschreibung der verwandten Technik
Üblicherweise werden Oberflächenwellenresonatoren bisher weit verbreitet in Bandpassfiltern oder dergleichen einer mobilen Kommunikationsausrüstung eingesetzt. Als ein Beispiel eines derartigen Oberflächenwellenresonators kennt man einen Oberflächenwellenresonator oder ein Oberflächenwellenfilter, der/das eine Konfiguration aufweist, bei der ein Interdigitalwandler (im Folgenden als IDT bezeichnet), der eine kammförmige Elektrode aufweist, auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist. Da eine akustische Oberflächenwelle, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst, wie z. B. eine Love-Welle, eine Leck-Welle, eine BGS-Welle oder dergleichen, die Kantenreflexion in einem derartigen Oberflächenwellenresonator oder Oberflächenwellenfilter nutzen kann, wird diese praktischerweise in einem Resonator oder Oberflächenwellenfilter mit kleiner Größe verwendet, wo kein Reflektor benötigt wird. Ferner wird ein piezoelektrischer Einkristall, wie z. B. Lithium-Niobat, Lithium-Tantalat oder dergleichen, als das Material für das piezoelektrische Substrat eines Oberflächenwellenresonators oder eines Oberflächenwellenfilters verwendet. Zu dieser Zeit muss, damit eine akustische Oberflächenwelle, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst, angeregt wird, ein 41°-Y-Schnitt-X-Ausbreitungssubstrat oder ein 64°-Y-Schnitt-X-Ausbreitungssubstrat in dem Fall von Lithium- Niobat ausgewählt werden und ein 36°-Y-Schnitt-X-Ausbreitungssubstrat muss in dem Fall von Lithium-Tantalat ausgewählt werden. Hier entspricht die 41°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung einer Anzeige des Eulerschen Winkels von (0°, 131°, 0°), die 64°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung entspricht einer Anzeige des Eulerschen Winkels von (0°, 154°, 0°) und die 36°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung entspricht einer Anzeige des Eulerschen Winkels von (0°, 126°, 0°).
Der Temperaturkoeffizient der Gruppenlaufzeit-Temperatur-Charakteristik (im Folgenden als TCD bezeichnet) dieser piezoelektrischen Einkristalle jedoch ist relativ schlecht. Insbesondere beträgt die TCD eines 41°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Litium-Niobat-Substrats 80 ppm/°C, die TCD eines 64°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Lithium-Niobat-Substrats beträgt 81 ppm/°C und die TCD eines 36°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Lithium-Tantalat-Substrats beträgt 32 ppm/°C.
Im Allgemeinen wird, um gute Charakteristika stabil in einem Oberflächenwellenresonator zu erhalten, ein Material mit einer guten TCD benötigt. Dies bedeutet, dass ein Material mit einer kleinen Frequenzcharakteristikveränderung mit einer Temperaturveränderung benötigt wird. Deshalb entsteht, wenn ein Oberflächenwellenresonator zum Anregen einer akustischen Oberflächenwelle, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst, mit Lithium-Niobat oder Lithium-Tantalat versehen ist, das als das Substratmaterial verwendet wird, wie oben erwähnt wurde, dahingehend ein Problem, dass sich die Frequenzcharakteristik drastisch verschiebt. Ferner beinhaltet, obwohl Lithium-Tantalat eine bessere TCD als diejenige von Lithium-Niobat aufweist, dies ebenso das gleiche Problem bei der Frequenzcharakteristikverschiebung.
In einem Oberflächenwellenresonator z. B., der eine Mittenfrequenz von 100 MHz aufweist, wird für eine 50°C-Temperaturveränderung eine 400-KHz-Frequenzcharakteristikverschiebung in dem Fall eines 41°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung- Lithium-Niobat-Substrats erzeugt, eine 405-KHz-Frequenzcharakteristikverschiebung wird in dem Fall eines 64°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Lithium-Niobat-Subtstrats erzeugt und eine 161-KHz-Frequenzcharakteristikverschiebung wird in dem Fall eines 36°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Lithium-Tantalat-Substrats erzeugt.
Um eine derartige Frequenzcharakteristikverschiebung einzuschränken, kommt es in Betracht, eine Temperaturkompensationsschaltung oder dergleichen mit einem Oberflächenwellenresonator zu verbinden. Es entsteht jedoch dahingehend ein Problem, dass die Vorrichtung als ganzes, die den Oberflächenwellenresonator umfasst, aufgrund der hinzugefügten Temperaturkompensationsschaltung voluminös wird, so dass es schwierig ist, eine kleine Größe zu erzielen.
Ein Oberflächen-Transversalwellen-Resonator, der Langasit-Einkristall-Substrat verwendet und ein niedrige TCD aufweist, ist aus „Surface Transverse Waves on Langasite", von J. Koskela u. a., Applied Physics Letters, Bd. 72, Nr. 21, 25. Mai 1998, Seiten 2.665 – 2.667, American Institute of Physics, New York, U.S.A., bekannt.
Zusammenfassung der Erfindung
Angesichts dieser Probleme richtet sich die vorliegende Erfindung auf eine Oberflächenwellenresonator, der unter Verwendung einer SH-Welle als Hauptkomponente arbeitet und eine exzellente TCD aufweist. Die Erfindung ist in den beigefügten unabhängigen Ansprüchen definiert.
Der Oberflächenwellenresonator weist ein piezoelektrisches Substrat und zumindest einen Interdigitalwandler auf, der zumindest ein Paar kammförmiger Elektroden aufweist, die so gebildet sind, um in Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat zu stehen, und verwendet eine akustische Oberflächenwelle, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente um fasst, wobei ein Langasit-Einkristall als das piezoelektrische Substrat verwendet wird.
Da der Langasit-Einkristall als das piezoelektrische Substrat verwendet wird und die SH-Welle wie oben erwähnt verwendet wird, kann ein Oberflächenwellenresonator mit großem Kopplungsgrad erhalten werden.
Der Langasit-Einkristall weist vorzugsweise den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) von 0° ≤ Φ ≤ 30°, 0° ≤ θ ≤ 25° und φ = –1,07 Φ + 90° ± 5° auf und weist noch bevorzugter den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) von 11° ≤ Φ ≤ 24° und 17° ≤ θ < 24° auf.
Alternativ weist vorzugsweise der Langasit-Einkristall den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) von 0° ≤ Φ ≤ 30°, 153° ≤ θ ≤ 180° und φ = 1.05 Φ + 28° ± 5° auf und weist noch bevorzugter den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) von 5° ≤ Φ ≤ 30° und 153° ≤ θ ≤ 158,5° auf.
Gemäß dem bevorzugen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Oberflächenwellenresonator eine bessere TCD auf als diejenige, die ein Lithium-Niobat-Substrat oder ein Lithium-Tantalat-Substrat aufweist. Es ist möglich, einen TCD-Wert von |10| ppm/°C oder weniger und |5| ppm/°C oder weniger zu erhalten.
Ferner kann, da die Schallgeschwindigkeit verglichen mit anderen Materialien gering ist, eine kleine Größe erzielt werden, und da die Kantenreflexion einer SH-Welle genutzt werden kann, wird kein Reflektor benötigt, so dass eine weitere kleine Größe erzielt werden kann.
Zu Zwecken einer Darstellung der Erfindung sind in den Zeichnungen mehrere Formen gezeigt, die gegenwärtig bevorzugt werden, wobei jedoch darauf verwiesen wird, dass die Erfindung nicht auf die genauen gezeigten Anordnungen und Instrumentalitäten eingeschränkt ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Oberflächenwellenresonators zur Erklärung des ersten Ausführungsbeispiels.
2 ist eine perspektivische Ansicht eines Vertikalkopplungstyp-Oberflächenwellenfilters zur Erklärung des zweiten Ausführungsbeispiels.
3 ist eine perspektivische Ansicht eines Lateralkopplungstyp-Oberflächenwellenfilters zur Erklärung des dritten Ausführungsbeispiels.
4 ist ein Blockdiagramm zur Erklärung eines Duplexers des vierten Ausführungsbeispiels und einer Kommunikationsvorrichtung des fünften Ausführungsbeispiels.
Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
Im Folgenden sind die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die Zeichnungen detailliert erläutert.
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Oberflächenwellenfilters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie in 1 gezeigt ist, wird ein Oberflächenwellenresonator 1 durch Bilden eines Interdigitalwandlers 3 auf einem piezoelektrischen Substrat 2, das aus einem Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) hergestellt ist, bereitgestellt.
Der Interdigitalwandler 3 ist mit einem Elektrodenmaterial, wie z. B. Al, Au oder dergleichen, derart gebildet, dass ein Paar kammförmiger Elektroden 3a, 3b so angeordnet ist, um ineinanderzugreifen.
Als nächstes wird ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erläutert. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines longitudinal gekoppelten Oberflächenwellenfilters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie in 2 gezeigt ist, wird das longitudinal gekoppelte Oberflächenwellenfilter 11 durch Bilden zweier Interdigitalwandler 13 auf einem piezoelektrischen Substrat 12, das aus einem Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) hergestellt ist, bereitgestellt.
Die Interdigitalwandler 13 sind mit einem Elektrodenmaterial, wie z. B. Al, Au oder dergleichen, derart gebildet, dass ein Paar kammförmiger Elektroden 13a, 13b so angeordnet ist, um ineinanderzugreifen. Ferner sind die Interdigitalwandler 13, 13 parallel in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle mit einer bestimmte Entfernung angeordnet.
Weiter wird ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erläutert. 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Lateralkopplungstyp-Oberflächenwellenfilters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie in 3 gezeigt ist, wird das transversal gekoppelte Oberflächenwellenfilter 21 durch Bilden eines Interdigitalwandlers 23 auf einem piezoelektrischen Substrat 22, das aus einem Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) hergestellt ist, bereitgestellt.
Der Interdigitalwandler 23 ist mit einem Elektrodenmaterial, wie z. B. Al, Au oder dergleichen, derart gebildet, dass kammförmige Elektroden 23a, 23b und 23c so angeordnet sind, um ineinanderzugreifen.
Dann werden ein viertes und fünftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erläutert. 4 ist ein Blockdiagramm eines Duplexers gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie in 4 gezeigt ist, wird die Kommunikationsvorrichtung 31 durch ein Verbinden eines Antennenanschluss eines Duplexers 34, der ein Oberflächenwellenfilter 32 für einen Empfänger und ein Oberflächenwellenfilter für einen Sender 33 aufweist, mit einer Antenne 35, ein Verbinden eines Ausgangsanschluss mit einer Empfangschaltung 36 und ein Verbinden eines Eingangsanschluss mit einer Sendeschaltung 37 bereitgestellt. Für das Empfangs-Oberflächenwellenfilter 32 und das Sende-Oberflächenwellenfilter 33 des Duplexers 34 werden die Oberflächenwellenfilter 11, 21 gemäß dem zweiten und dritten Ausführungsbeispiel verwendet.
Charakteristika, die von einem Schnittwinkel des Materials hergeleitet werden, das für das Substrat des Oberflächenwellenresonators verwendet wird, der für die oben erwähnten Anwendungen verwendet wird, sind in Tabelle 1 gezeigt. Diejenigen, die mit * vor der Probennummer markiert sind, liegen außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung.
P in der Verschiebungsverteilung bezieht sich auf eine Longitudinalwelle, SH auf eine Transversalwelle, die eine Verschiebung in der Horizontalrichtung aufweist, d. h. eine SH-Welle, und SV auf eine Transversalwelle, die eine Verschiebung in der Vertikalrichtung aufweist. Ferner ist die Verschiebungsverteilung mit der größten Welle als 1 und den anderen Wellen in dem Verhältnis in Bezug auf die größte Welle angezeigt. Tabelle 1
Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, wird in dem Fall, bei dem ein Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) verwendet wird, die TCD verglichen mit einem herkömmlichen Lithium-Niobat-Kristall dramatisch verbessert und wird ebenso verglichen mit Lithium-Tantalat verbessert.
Ferner ist, wie in Tabelle 1 zu sehen ist, in den Oberflächenwellenresonatoren, die einen Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) verwenden, eine Verschiebungsverteilung SH 1 zu finden, d. h. die SH-Welle kann die größte dort sein, und so erkennt man, dass die SH-Welle effektiv genutzt werden kann.
Insbesondere erkennt man aus Tabelle 1, dass die Verschiebungsverteilung SH innerhalb des Bereichs 1 sei kann, bei dem der Eulersche Winkel (Φ, θ, φ) (0° ≤ Φ ≤ 30°, 0° ≤ θ ≤ 25° und φ = –1,07 Φ + 90° ± 5°) beträgt, d. h. innerhalb des Bereichs der Probennummern 4, 5, 7 bis 13, 15 bis 23, 25 bis 30, 32, 33 und 35 bis 39. φ = –1.07 Φ + 90° ± 5° ist die Formel, die aus den Experimentwerten der in Tabelle 1 gezeigten Proben herausgefunden wurde.
Ferner erkennt man, wie in Tabelle 1 gezeigt ist, dass die TCD in einem Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄), da der TCD-Wert innerhalb des Bereichs |10| ppm/°C oder weniger ist, bei dem der Eulersche Winkel desselben (11° ≤ Φ ≤ 24° und 17° ≤ θ ≤ 24°) ist, d. h. innerhalb des Bereichs der Probennummern 15 bis 23, 25 bis 30, 32 und 33, verglichen mit den anderen Teilen in Tabelle 1 besonders gut ist.
Deshalb wird durch ein Verwenden eines Langasit-Einkristalls (La₃Ga₅SiO₁₄) mit dem oben erwähnten Eulerschen Winkel in den piezoelektrischen Substraten 2, 12, 22 des Oberflächenwellenresonators aus 1 und der Oberflächenwellenfilter der 2, 3, da die TCD z. B. in dem Fall eines Oberflächenwellenresonators mit einer Mittenfrequenz von 100 MHz |10| ppm/°C oder weniger ist, nur eine Frequenzcharakteristikverschiebung von etwa 50 KHz durch eine 50°C-Temperaturveränderung erzeugt und so kann dies ausreichend mit der Verwendung in einer Umgebung mit einer großen Temperaturveränderung zurecht kommen.
Charakteristika, die von einem Schnittwinkel hergeleitet sind, der sich von denjenigen aus Tabelle 1 unterscheidet, des Materials, das für das Substrat des Oberflächenwellenresonators verwendet wird, sind in Tabelle 2 gezeigt. Diejenigen, die mit * vor der Probennummer markiert sind, liegen außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung. Wie in Tabelle 1 bezieht sich P in der Verschiebungsverteilung auf eine Longitudinalwelle, SH auf eine Transversalwelle, die eine Verschiebung in der Horizontalrichtung aufweist, d. h. eine SH-Welle, und SV auf eine Transversalwelle, die eine Verschiebung in der Vertikalrichtung aufweist. Ferner ist die Verschiebungsverteilung mit der größten Welle als 1 und den anderen Wellen im Verhältnis in Bezug auf die größte Welle angezeigt. Tabelle 2
Wie in Tabelle 2 gezeigt ist, wird in dem Fall, bei dem ein Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) verwendet wird, die TCD verglichen mit einem herkömmlichen Lithium-Niobat-Kristall dramatisch verbessert und wird auch verglichen mit Lithium-Tantalat verbessert.
Ferner ist, wie in Tabelle 2 zu sehen ist, in den Oberflächenwellenresonatoren, die einen Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄) verwenden, eine Verschiebungsverteilung SH 1 zu finden, d. h. die SH-Welle kann die größte dort sein, und so ist zu erkennen, dass die SH-Welle effektiv genutzt werden kann.
Ferner ist aus Tabelle 2 zu erkennen, dass die Verschiebungsverteilung SH innerhalb des Bereichs 1 sein kann, bei dem der Eulersche Winkel (Φ, θ, φ) (0° ≤ φ ≤ 30°, 153° ≤ θ ≤ 180° und φ = 1.05 Φ + 28° ± 5°) beträgt, d. h. innerhalb des Bereichs der Probennummern 43 bis 47, 49, 50, 53 bis 56, 59 und 61 bis 67. φ = 1,05 Φ + 28° ± 5° ist die Formel, die aus den Experimentwerten der in Tabelle 2 gezeigten Proben gefunden wird.
Ferner ist zu erkennen, dass in einem Langasit-Einkristall (La₃Ga₅SiO₁₄), da der TCD-Wert innerhalb des Bereichs |5| ppm/°C oder weniger ist, bei dem der Eulersche Winkel desselben (5° ≤ Φ ≤ 30° und 153° ≤ θ ≤ 158,5°) beträgt, d. h. innerhalb des Bereichs der Probennummern 49, 50, 53 bis 55 und 61 bis 64, die TCD verglichen mit den anderen Teilen in den Tabellen 1 und 2 besonders gut ist.
Deshalb wird durch ein Verwenden eines Langasit-Einkristalls (La₃Ga₅SiO₁₄) mit dem oben erwähnten Eulerschen Winkel in den piezoelektrischen Substraten 2, 12, 22 des in 1 gezeigten Oberflächenwellenresonators und der in den 2, 3 gezeigten Oberflächenwellenfilter, da die TCD z. B. in dem Fall eines Oberflächenwellenresonators mit einer Mittenfrequenz von 100 MHz |5| ppm/°C oder weniger ist, nur eine Frequenzcharakteristikverschiebung von 25 KHz durch eine 50°C-Temperaturverschiebung erzeugt, und so kann dies ausreichend mit der Verwendung in einer Umgebung mit einer großen Temperaturveränderung zurecht kommen.
Obwohl Beispiele eines Oberflächenwellenresonators, eines longitudinal gekoppelten Oberflächenwellenfilters und eines transversal gekoppelten Oberflächenwellenfilters in dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt wurden, ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt. Ein Transversaltyp-Oberflächenweilenfilter mit mehreren Sätzen von Interdigitalwandlern oder ein Oberflächenwellenresonator, der in einem Leitertyp-Filter mit Oberflächenwellenresonatoren, die wie eine Leiter angeordnet sind, verwendet werden soll, oder dergleichen können z. B. übernommen werden und die gleiche Wirkung kann in einem Oberflächenwellenresonator mit einer beliebigen Art von Struktur erhalten werden.
Ferner ist, obwohl Oberflächenwellenresonatoren ohne einen Reflektor in dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erläutert wurden, die Erfindung nicht darauf eingeschränkt, sondern kann in einem Oberflächenwellenresonator mit einem Reflektor übernommen werden.
Während bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart wurden, werden verschiedene Modi zum Ausführen der hierin offenbarten Prinzipien als innerhalb des Schutzbereichs der folgenden Ansprüche erachtet. Deshalb wird darauf verwiesen, dass der Schutzbereich der Erfindung nicht eingeschränkt sein soll, mit Ausnahme davon, wie anderweitig in den Ansprüchen dargelegt ist.

Claims

Ein Oberflächenwellenresonator (1) mit folgenden Merkmalen: einem piezoelektrischen Substrat (2), das einen Langasit-Einkristall aufweist, der den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 0° ≤ Φ ≤ 30°, 0° ≤ θ ≤ 25°, und φ = –1,07 Φ + 90° + 5°; und zumindest einem Interdigitalwandler (3), der zumindest ein Paar kammförmiger Elektroden aufweist, die so gebildet sind, um in Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat zu stehen, wobei der Oberflächenwellenresonator unter Verwendung einer akustischen Oberflächenwelle arbeitet, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst.
Der Oberflächenwellenresonator (1) gemäß Anspruch 1, bei dem der Langasit-Einkristall den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 11° ≤ Φ ≤ 24°, und 17° ≤ θ ≤ 24°.
Ein Oberflächenwellenresonator (1) mit folgenden Merkmalen: einem piezoelektrischen Substrat (2), das einen Langasit-Einkristall aufweist, der den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 0° ≤ Φ ≤ 30°, 153° ≤ θ ≤ 180°, und φ = 1,05 Φ + 28° + 5°; und zumindest einem Interdigitalwandler (3), der zumindest ein Paar kammförmiger Elektroden aufweist, die so gebildet sind, um in Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat zu stehen, wobei der Oberflächenwelienresonator unter Verwendung einer akustischen Oberflächenwelle arbeitet, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst.
Der Oberflächenwellenresonator (1) gemäß Anspruch 3, bei dem der Langasit-Einkristall den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 5° ≤ φ ≤ 30°, und 153° ≤ θ ≤ 158,5°.
Ein Oberflächenwellenfilter (11), das zumindest einen Oberflächenwellenresonator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 aufweist.
Ein Duplexer (34), der zumindest einen Oberflächenwellenresonator (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 oder das Oberflächenwellenfilter (11) aus Anspruch 5 aufweist.
Eine Kommunikationsvorrichtung (35), die zumindest einen Oberflächenwellenresonator (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das Oberflächenwellenfilter (11) aus Anspruch 5 oder den Duplexer (34) aus Anspruch 6 aufweist.
Ein Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter (21) mit folgenden Merkmalen: einem piezoelektrischen Substrat (22), das einen Langasit-Einkristall aufweist, der den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 0° ≤ Φ ≤ 30°, 0° ≤ θ ≤ 25°, und φ = –1,07 Φ + 90° + 5°; und zwei Interdigitalwandlern (23), die jeweils ein Paar kammförmiger Elektroden aufweisen, die so gebildet sind, um in Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat zu stehen, wobei das Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter unter Verwendung einer akustischen Oberflächenwelle arbeitet, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst.
Das Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter (21) gemäß Anspruch 8, bei dem der Langasit-Einkristall den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 11° ≤ Φ ≤ 24°, und 17° ≤ θ ≤ 24°.
Ein Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter (21) mit folgenden Merkmalen: einem piezoelektrischen Substrat (22), das einen Langasit-Einkristall aufweist, der den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 0° ≤ Φ ≤ 30°. 153° ≤ θ ≤ 180°, und φ = –1,05 Φ + 28° + 5°; und zwei Interdigitalwandlern (23), die jeweils ein Paar kammförmiger Elektroden aufweisen, die so gebildet sind, um in Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat zu stehen, wobei das Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter unter Verwendung einer akustischen Oberflächenwelle arbeitet, die eine SH-Welle als die Hauptkomponente umfasst.
Das Transversaltyp-Oberflächenwellenfilter (21) gemäß Anspruch 10, bei dem der Langasit-Einkristall den Eulerschen Winkel (Φ, θ, φ) in dem folgenden Bereich aufweist: 5° ≤ Φ ≤ 30°, und 153° ≤ θ ≤ 158,5°.