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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung:
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Diese
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Reduktion von Teilchen
von einem elektrostatischen Halter sowie auf eine Einrichtung zur
Herstellung eines Halbleiters, insbesondere zur Herstellung von
Halbleitervorrichtungen.
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Stand der
Technik
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In
jedem Schritt der Beförderung
eines Halbleiter-Wafers, des Belichtens, der Filmausbildung mittels
CVD, des Sputterns etc., der Mikroverarbeitung, der Reinigung, des Ätzens, der
Zerteilung oder dergleichen wird ein elektrostatischer Halter verwendet,
um den Halbleiter-Wafer anzuziehen und zu halten.
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Insbesondere
in Hinblick auf die Verwendung eines Korrosionsgases wie ClF3 auf Halogenbasis als Ätzgas oder Reinigungsgas ist
für eine
Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters eine hohe Wärmeleitung
erforderlich, um einen Halbleiter-Wafer, während dieser gehalten wird,
rasch zu erhitzen und abzukühlen,
und eine hohe Stoßfestigkeit
ist ebenfalls erforderlich, um aufgrund einer solchen beträchtlichen
Temperaturänderung
nicht zerstört
zu werden. Auf diese Weise wird ein Material aus einem dichten Aluminiumnitrid,
dichten Aluminiumoxid oder dergleichen versprochen.
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Andererseits
muss innerhalb der Einrichtung zur Herstellung des Halbleiters verhindert
werden, dass Teilchen vorhanden sind, was ansonsten zu Schäden am Halbleiter
führt.
Die Teilchen werden vorrangig von einer Rückseite des Halbleiters erzeugt,
wobei ein Teil dieser direkt auf dem Halbleiter-Wafer aufgeschichtet
ist, während
der andere Teil sich ausbreitet und auf einer Wand einer Kammer
befindet. Danach werden die Teilchen von der Wand abgelöst, wodurch
Schäden
am Halbleiter entstehen können.
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Hinsichtlich
der obigen Probleme offenbart JP-A-7-245336 ein Verfahren, in welchem
konvex-konkave Abschnitte in einer Anziehungsfläche eines elektrostatischen
Halters aus einem Keramikmaterial dadurch plangeschliffen werden,
dass mit Plasma bestrahlt wird und die feinen Protuberanzen der
konvex-konkaven Abschnitte entfernt werden, wodurch das Auftreten
von Teilchen reduziert wird. Das Verfahren basiert auf der Entdeckung,
warum es zum Auftreten von Teilchen kommt, nämlich dass ein Silizium-Wafer
mit einer relativ geringen Härte
durch die konvex-konkaven Abschnitte geschliffen wird, wenn der
Silizium-Wafer die konvex-konkaven Abschnitte berührt.
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Darüber hinaus
offenbart JP-A-8-55900 ein Verfahren, in welchem der Stoß durch
die Berührung eines
Silizium-Wafers mit einem elektrostatischen Halter dadurch verringert
wird, dass eine Spannung an dem elektrostatischen Halter langsam
erhöht
wird, wenn der Silizium-Wafer auf dem elektrostatischen Halter befestigt
wird; dadurch wird ein Auftreten von Teilchen aufgrund der konvex-konkaven
Abschnitte der Anziehungsfläche
im elektrostatischen Halter verringert.
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In
einem Filmbildungsverfahren wie CVD oder Sputtern ist es erforderlich,
einen Halbleiterfilm auf einem Wafer epitaxial wachsen zu lassen,
und somit ist es notwendig, den Wafer auf einen höheren Temperaturbereich
von nicht weniger als 100 °C
und insbesondere nicht weniger als 200 °C zu erhitzen. In dieser Zeit
wird eine Anziehungsfläche
des elektrostatischen Halters durch eine im elektrostatischen Halter
eingebaute Heizvorrichtung oder eine auf diese Weise angeordnete
Heizvorrichtung erhitzt, so dass diese mit dem elektrostatischen
Halter in der Unterseite dieser berührt wird.
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Im
elektrostatischen Halter weist der Wafer eine niedrigere Temperatur
auf, wenn der Wafer auf der Anziehungsfläche des elektrostatischen Halters gehalten
ist, und der Wafer weist in der Zeit nach der Anziehung eine zu
einer Sättigungstemperatur
hin erhöhte
Temperatur auf. Die Erfinder haben herausgefunden, dass in einem
solchen elektrostatischen Halter oder einer Einrichtung zur Herstellung
eines Halbleiters, selbst wenn der Stoß durch die Berührung des
Wafers mit dem elektrostatischen Halter unmittelbar nach der Anziehung
relaxiert und reduziert ist, mehr Teilchen auftreten, als dies erwartet
wird. Es ist schwierig, solche Teilchen, die mit dem Temperaturanstieg
des Wafers auftreten, in einem herkömmlichen Verfahren zu entfernen.
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Zusammenfassung der Erfindung:
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Es
ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, solche Teilchen, die mit
einem Temperaturanstieg eines Wafers auftreten, nachdem der Wafer
auf einer Anziehungsfläche
eines elektrostatischen Halters angeordnet wurde, zu entfernen.
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Diese
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Reduktion von Teilchen
von einem elektrostatischen Halter, wie dies in Anspruch 1 dargelegt
ist.
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Die
Erfinder haben Untersuchungen angestellt, um Teilchen, die mit dem
Temperaturanstieg eines Wafers auftreten, nachdem dieser auf eine
Anziehungsfläche
eines elektrostatischen Halters angezogen wurden, zu reduzieren.
Demgemäß verfügen die
Erfinder über
das folgende Wissen: Zuvor war man überzeugt, dass der Wafer kaum
auf der Anziehungsfläche
des elektrostatischen Halters aus Keramikmaterial aufgeschichtet
ist, wenn die Teilchen aufgrund des Stoßes, wenn der Wafer mit der
Anziehungsfläche
kollidiert, auftreten. Daraus ergibt sich, dass es ein Mittel zur
Reduktion der Stöße bei der Kollision
zu geben hat. Die Erfinder haben aber im Gegensatz zu ihren Erwartungen
herausgefunden, dass die Teilchen tatsächlich aber aufgrund des Unterschieds
in der Wärmeausdehnung
zwischen dem Wafer und dem elektrostatischen Halter auftreten, wenn
der Wafer auf dem elektrostatischen Halter aufgesetzt wird.
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Die
Erfinder haben auf Grundlage der obigen Erkenntnisse herausgefunden,
dass ein Mittel, wodurch die Spannungen aufgrund des Unterschieds
in der Wärmeausdehnung
zwischen dem Wafer und dem elektrostatischen Halter durch das Gleitenlassen
des Wafers relativ zur Anziehungsfläche während der Zeitspanne abgebaut
werden, in welcher ausgehend von nur der Anziehung des Wafers auf den elektrostatischen
Halter eine bestimmte Sättigungstemperatur
erreicht wird, angenommen wird, wodurch die Teilchen beträchtlich
reduziert werden.
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Die
Bezeichnung "Sättigungstemperatur" bezeichnet eine
stabile Temperatur des Wafers, wenn ein gegebener Wärmewert
in einem System, das den Wafer und den elektrostatischen Halter
in einem Zustand enthält,
in welchem der Wafer auf dem elektrostatischen Halter mit einer
bestimmten Anziehungskraft aufgesetzt ist, erreicht wird. Somit ändert sich auch
die Sättigungstemperatur,
wenn sich die erwünschte
Anziehungskraft oder der Wärmewert
des Systems ändern.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen:
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Zum
besseren Verständnis
dieser Erfindung wird ein Bezug zu den begleitenden Zeichnungen hergestellt,
worin:
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1 ein
beispielhaftes Diagramm eines Spannungsverlaufs V1 und eines Temperaturverlaufs T1
ist,
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2 ein
beispielhaftes Diagramm eines Spannungsverlaufs V2 und eines Temperaturverlaufs T2
ist,
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3 ein
beispielhaftes Diagramm eines Spannungsverlaufs V3 und eines Temperaturverlaufs T3
ist,
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4 ein
beispielhaftes Diagramm eines Spannungsverlaufs V4 und eines Temperaturverlaufs T4
ist, und
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5 eine
schematische Blockansicht einer bevorzugten Ausführungsform zur Durchführung eines
Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist.
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Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsformen:
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Wenn
bei der Anziehung die Temperatur des Wafers ansteigt, so kommt es
zu einem Unterschied in der Wärmeausdehnung
zwischen dem Wafer und der Anziehungsfläche. Zu diesem Zeitpunkt kann, obwohl
ein Mittel zum Abbau von Spannungen aufgrund des Unterschieds in
der Wärmeausdehnung nicht
beschränkt ist,
ein Mittel verwendet werden, in welchem der Wafer relativ zur Anziehungsfläche gleiten
gelassen wird, indem im Grunde genommen der Schritt der Verringerung
der Anziehungskraft auf den Wafer bereitgestellt wird. Das Gleitenlassen
kann beobachtet werden, indem die Oberfläche des Wafers unter dem Mikroskop
beobachtet wird.
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Ein
Mittel zur Reduktion der Anziehungskraft auf den Wafer, so dass
nach dem Anziehen des Wafers das Gleitenlassen ausgelöst werden
kann, ist nicht eingeschränkt,
wobei das folgende Mittel vorzugsweise verwendet werden kann.
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Das
Mittel besteht darin, eine angelegte Spannung an dem elektrostatischen
Halter zu steuern. Das konkrete Mittel besteht darin, eine gepulste Spannung
an den elektrostatischen Halter anzulegen. Dadurch kann das Ziel
der vorliegenden Erfindung realisiert werden, und die Temperatur
des Wafers kann in einer kürzeren
Zeitspanne erhöht
werden, als wenn der Wafer nur auf dem elektrostatischen Halter
angeordnet wird, so dass die Behandlungszeit des Wafers verkürzt werden
kann.
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1 zeigt
schematisch ein Beispiel eines angelegten Spannungsmusters V1 und
eines Temperaturanstiegverlaufs des Wafers als Funktion der Zeit.
In diesem Verfahren wird eine gepulste Spannung zwischen 0 und VS
als erwünschte
Spannung angelegt. Indem die Spannung VS angelegt wird, kommt es
zu einer Anziehungskraft, die ausreicht, um den Wafer zu erhitzen,
und die Temperatur des Wafers wird erhöht. Wird keine Spannung angelegt, so
bleibt die Temperatur beinahe konstant. Darüber hinaus beginnt der Wafer
damit, relativ zur Anziehungsfläche
zu gleiten, wodurch Spannung abgebaut wird, da die Anziehungskraft
abnimmt, wenn keine Spannung angelegt wird. Wird die Temperatur
des Wafers in jedem der Spannungsabbauschritte als TA1 bis TA4 bezeichnet,
und wenn die Sättigungstemperatur
als TS bezeichnet wird, betragen der Temperaturunterschied des Wafers
zwischen den nachfolgenden Schritten des Spannungsabbaus und der
Temperaturunterschied zwischen TA4 und TS im letzten Spannungsabbauschritt
nicht mehr als 50 °C oder
weniger, insbesondere nicht mehr als 46 °C oder weniger.
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Die
Anzahl der Pulse ist nicht besonders beschränkt, und auch die Spannungswerte
bei hoher angelegter Spannung und bei niedriger angelegter Spannung
sind nicht beschränkt,
aber der Spannungswert bei niedriger angelegter Spannung beträgt vorzugsweise
nicht mehr als die Hälfte
einer erwünschten
Spannung VS oder weniger. Darüber
hinaus kann eine negative Vorspannung angelegt werden.
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Eine
an den elektrostatischen Halter anzulegende Spannung kann ebenfalls
kontinuierlich auf die Sättigungstemperatur
erhöht
werden. In diesem Fall kann die Behandlungszeit verkürzt werden,
da das Ziel der vorliegenden Erfindung erreicht ist und darüber hinaus
die Temperatur des Wafers in einer kurzen Zeitspanne erhöht werden
kann.
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2 veranschaulicht
schematisch als eine Funktion der Zeit ein Beispiel für ein angelegtes Spannungsmuster
V2 und einen Anstiegsverlauf der Temperatur des Wafers im obigen
Fall. In diesem Beispiel wird, nachdem eine niedrige Spannung VA1
angelegt ist, eine Spannung angelegt, die sich zur erwünschten
Spannung VS hin erhöht.
Das Anlegen der niedrigen Spannung VA1, wodurch die Anziehungskraft
gesteigert und dadurch der Wafer relativ zur Anziehungsfläche gleiten
gelassen wird, stellt den Spannungsabbauschritt dar. Wird die erste
Temperatur des Wafers als T0 und die Temperatur des Spannungsabbauschritts
als TA5 bezeichnet, so beträgt
der Unterschied zwischen TA5 und TS nicht mehr als 50 °C, noch bevorzugter
nicht mehr als 46 °C.
Darüber
hinaus beträgt
der Wert der niedrigen Spannung VA1 vorzugsweise nicht mehr als
die Hälfte
der erwünschten
Spannung VS.
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3 veranschaulicht
schematisch als eine Funktion der Zeit ein Beispiel für ein angelegtes Spannungsmuster
V3 und einen Anstiegsverlauf der Temperatur des Wafers. In diesem
Beispiel wird, nachdem eine niedrige Spannung VA2 angelegt ist, die
erwünschte
Spannung VS angelegt. Das Anlegen der niedrigen Spannung VA2, wodurch
die Anziehungskraft verringert und der Wafer relativ zur Anziehungsfläche gleiten
gelassen wird, stellt den Spannungsabbauschritt dar. Wird die erste
Temperatur des Wafers als T0 und die Temperatur des Spannungsabbauschritts
als TA6 bezeichnet, so beträgt der
Temperaturunterschied zwischen TA6 und TS nicht mehr als 50 °C oder weniger,
noch mehr bevorzugt nicht mehr als 46 °C oder weniger.
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Darüber hinaus
kann der Wafer zur Anziehungsfläche
gleiten gelassen werden, indem ein Backside-Gas zwischen der Anziehungsfläche und dem
Wafer strömen
gelassen wird, wenn die Spannung an den elektrostatischen Halter
angelegt wird. 4 veranschaulicht schematisch
als eine Funktion der Zeit ein Beispiel für ein angelegtes Spannungsmuster
V4 und einen Anstiegsverlauf der Temperatur des Wafers. In diesem
Beispiel wird die erwünschte Spannung
VS von Beginn an angelegt, während
das gepulste Backside-Gas intermittierend während einer Zeitperiode G strömen gelassen
wird. Die Temperatur des Wafers wird während der Zeitspanne, in welcher
das Backside-Gas strömen
gelassen wird, gleichförmig
erhöht.
Danach wird die Anziehungskraft durch den Druck des Backside-Gases
verringert, und dadurch wird der Wafer relativ zur Anziehungsfläche gleiten
gelassen, und die Spannung wird abgebaut.
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Wird
jede der Temperaturen der Spannungsabbauschritte als TA1 bis TA10
bezeichnet, und wird die Sättigungstemperatur
als TS bezeichnet, so betragen der Temperaturunterschied zwischen
den nachfolgenden Spannungsabbauschritten und der Temperaturunterschied
zwischen der Temperatur TA10 des letzten Spannungsabbauschritts
und der Sättigungstemperatur
TS nicht mehr als 50 °C
oder weniger, und noch bevorzugter nicht mehr als 46 °C oder weniger.
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Das
obige Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung kann mithilfe der folgenden Einrichtung zur Herstellung
von Halbleitern durchgeführt werden.
Die Einrichtung weist einen elektrostatischen Halter mit einer Anziehungsfläche auf,
um einen Halbleiter-Wafer anzuordnen, eine Energiequelle, um eine
Spannung an den elektrostatischen Halter anzulegen, ein Steuersystem,
um eine Spannung von der Energiequelle zu steuern, bevor die Temperatur
des Halbleiter-Wafers die Sättigungstemperatur erreicht.
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In 5 wird
ein elektrostatischer Halter 14, um einen Wafer 16 anzubringen,
auf einem Trägerpodest 12 durch
eine Heizvorrichtung 13 in einer Vakuumkammer 1 installiert.
Danach werden ein Thermoelement 11 zur Messung der Temperatur
des elektrostatischen Halters 14 und ein Infrarot-Emissionsthermometer 7 als
ein Temperaturmessmittel des Wafers zum Messen der Temperatur des
Wafers 1 angeordnet. Darüber hinaus sind ein Hebestift 15 und eine
Hebestift-Anhebausrüstung 9 zum
Anziehen des Wafers 16 auf den elektrostatischen Halter 14 und
zum Lösen
dieses davon vorgesehen.
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Der
Wafer 16 wird zur Vakuumkammer 1 befördert und
in der obigen Position auf dem Hebestift 15 angebracht.
Danach wird der Hebestift 15 durch die Hebestift-Anhebausrüstung 9 nach
unten bewegt, und dadurch wird der Wafer 16 auf dem elektrostatischen
Halter 14 angeordnet. Die Bezugsziffer "2" bezeichnet eine Vakuumpumpe.
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Die
Heizvorrichtung 13 wird durch eine Heizvorrichtungssteuerung 5 betrieben,
wodurch der elektrostatische Halter 14 auf eine bestimmte
Temperatur erhitzt wird. Der Wafer wird auf einer Anziehungsfläche des
elektrostatischen Halters 14 angeordnet und darauf durch
Betrieb mit den elektrostatischen Energiequellen 6 und 10 angebracht.
In diesem Fall wird die Temperatur des Wafers mit dem Infrarot-Emissionsthermometer 7 überwacht,
die Temperatur des elektrostatischen Halters 14 wird durch das
Thermoelement 11 überwacht,
und danach werden die durch die Überwachung
gewonnenen Daten in Echtzeit zu einem Steuersystem 8 übermittelt.
Die Steuerung der an den elektrostatischen Halter angelegten Spannung
und der Temperatur des Wafers wird, wie bereits zuvor angesprochen,
durch den Betrieb des Steuersystems 8 durchgeführt.
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Nach
der Filmbildung wird die angelegte Spannung an dem elektrostatischen
Halter abgeschaltet, und der Wafer 16 wird vom elektrostatischen
Halter gelöst,
indem der Hebestift 15 nach oben bewegt wird.
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Beispiele:
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Beispiel 1
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Indem
eine solche Einrichtung wie in 5 verwendet
und einem solchen Spannungsverlauf wie in 1 gefolgt
wird, wird ein Wafer aufgesetzt. Danach wurde der Wafer zu einer
Vakuumkammer bei einem Druck von 1,33 × 10–3 Pa
(10–5 Torr)
befördert. Wurde
die Temperatur T0 des Wafers unmittelbar vor der Anziehung durch
ein Infrarot-Emissionsthermometer gemessen, so betrug die Temperatur
246 °C. Die
Temperatur des elektrostatischen Halters wurde stabil mit 320 °C festgelegt,
und der Wafer mit einer Dimension von 203 mm (8 Zoll) wurde auf
seiner Anziehungsfläche
angeordnet. In diesem Fall war eine Spiegelfläche des Wafers nach unten gerichtet.
Eine solche gepulste Spannung, wie sie in 1 dargestellt
ist, wurde an die Elektrode innerhalb des elektrostatischen Halters
angelegt, unter der Bedingung, dass die VS 300 V betrug, wobei die
Anlegungszeit der 300 V gepulsten Spannung 4 Sekunden und das Intervall
der gepulsten Spannung 1 Sekunde betrug. Die gepulste Spannung wurde
durch 12 Pulse angelegt, und danach wurde der Wafer vom elektrostatischen
Halter gelöst.
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Wurde
die Zahl von Teilchen auf dem Wafer durch einen Wafer-Protraktor
(WM-1500, hergestellt von
Topcon Co., Ltd.) gemessen, so wurden 1.500 Teilchen mit nicht weniger
als 0,2 μm
beobachtet. Darüber
hinaus wurde ein Wafer mit einer Dimension des Thermoelements von
203 mm (8 Zoll; 17 Messpunkte) verwendet, und es wurde die Temperaturänderung
des Wafers durch Anlegen einer Spannung gemessen, wobei ein ähnlicher
Vorgang wie der oben beschriebene verfolgt wurde. Wurde 4 Sekunden lang
eine Spannung von 300 V angelegt, so wird die Temperatur des Wafers
im Vergleich zum Zeitpunkt vor der Anziehung um 20 °C erhöht. Wird
die Spannung nicht 1 Sekunde lang angelegt, so wird die Temperatur
des Wafers nicht verringert. Nach dem obigen Vorgang wird die Temperatur
des Wafers beinahe gleichförmig
während
der Spannungsanlegung erhöht,
und sie erreicht eine Sättigungstemperatur
von 307 °C.
Der Temperaturanstieg des Wafers während des Anlegens einer gepulsten
Spannung betrug nicht mehr als 20 °C oder weniger.
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Beispiel 2
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Ein
Wafer wurde auf einer Anziehungsfläche eines elektrostatischen
Halters angeordnet und darauf durch Anlegen einer Spannung in derselben
Art und Weise wie in Beispiel 1 befestigt. Danach betrug die Spannungsperiode
während
des Anlegens der gepulsten Spannung von 300 V 5 Sekunden, und das Intervall
der Spannung betrug 1 Sekunde. Eine solche gepulste Spannung wurde
in 10 Zyklen angelegt, abgeschaltet, und danach wurde der Wafer
gelöst. Wurde
die Zahl von Teilchen auf ähnliche
Weise wie in Beispiel 1 gemessen, so wurden 1.700 Teilchen mit nicht
weniger als 0,2 μm
beobachtet. Darüber
hinaus wurde ein auf einem Thermoelement befestigter Wafer verwendet,
und es wurde die Temperaturänderung
in jedem Punkt des Wafers gemessen, wobei die Temperatur wie im
Beispiel 1 gleichförmig
anstieg. Der Temperaturanstieg des Wafers während der Anlegung einer gepulsten
Spannung betrug nicht mehr als 35 °C oder weniger, und der Unterschied zwischen
der Temperatur des Wafers vor der Anziehung und seiner Sättigungstemperatur
betrug 150 °C.
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Beispiel 3
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Ein
Wafer wurde angebracht, wieder gelöst, und es wurde die Zahl von
Teilchen auf dem Wafer auf ähnliche
Weise wie in Beispiel 1 gemessen. Danach wurden ein solcher angelegter
Spannungsverlauf und ein Temperaturanstiegsverlauf des Wafers wie
in 2 verwendet, unter der Bedingung, dass VA1 100V,
VS 300 V und die Spannungsanstiegsrate von 300 V auf 100 V 20V/min
betrug. Danach wurde die angelegte Spannung 1 Minute lang auf 300
V gehalten. Nachdem die Spannung abgeschaltet und der Wafer gelöst worden
war, wurde die Zahl von Teilchen auf ähnliche Weise wie im Beispiel
1 gemessen. Daraus ergibt sich, dass 1.650 Teilchen mit nicht weniger
als 0,2 μm
beobachtet wurden.
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Wurde
ein auf einem Thermoelement befestigter Wafer verwendet, und wurde
die Temperaturänderung
des Wafers in jeder Position dessen bei Anlegen der Spannung gemessen,
so betrug der Unterschied zwischen der Temperatur des Wafers und seiner
Sättigungstemperatur
60 °C. Nach
dem Anziehen wurde die Temperatur des Wafers gleichförmig 10
Minuten lang auf die Sättigungstemperatur
erhöht.
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Beispiel 4
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Ein
Wafer wurde angebracht, wieder gelöst, und es wurde die Zahl von
Teilchen auf dem Wafer auf ähnliche
Weise wie in Beispiel 1 gemessen. Danach wurden ein solcher angelegter
Spannungsverlauf und ein Temperaturanstiegsverlauf des Wafers wie
in 3 verwendet, unter der Bedingung, dass VA2 110V,
VS 300 V betrug und eine angelegte Spannung 1 Minute lang auf 300
V gehalten wurde. Danach wurden 1.800 Teilchen mit nicht weniger
als 0,2 μm
beobachtet.
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Wurde
ein auf einem Thermoelement befestigter Wafer verwendet, und wurde
die Temperaturänderung
des Wafers in jeder Position dessen bei Anlegen der Spannung gemessen,
so betrug die Temperatur des Wafers 40 Sekunden nach Beginn der Spannungsanlegung
von 110 V um mehr als 58 °C mehr
als vor der Anziehung. Durch die Änderung des Spannungswerts
auf 300 V wurde die Temperatur des Wafers um 32 °C erhöht und erreichte Sättigungstemperatur.
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Beispiel 5
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Ein
Wafer wurde angebracht, wieder gelöst, und es wurde die Zahl von
Teilchen auf dem Wafer auf ähnliche
Weise wie in Beispiel 1 gemessen. Danach wurden ein solcher angelegter
Spannungsverlauf und ein Temperaturanstiegsverlauf des Wafers wie
in 4 verwendet, unter der Bedingung, dass VS 300
V betrug. Darüber
hinaus wurde in diesem Fall ein Backside-Gas 1 Sekunde lang eingeleitet,
so dass der Druck 9330 Pa (70 Torr) betrug, und 1 Sekunde, nachdem
eine Spannung von 300 V angelegt wurde, evakuiert. Danach wurde
dieser Vorgang 20 Mal wiederholt.
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Der
Wafer wurde 1 Minute später
gelöst, nachdem
die obige Spannung angelegt wurde. Es wurden 1.900 Teilchen mit
nicht weniger als 0,2 μm beobachtet.
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Die
Anziehungskraft während
des Einleitens des Backside-Gases von 9330 Pa (70 Torr) entspricht jener
während
des Anlegens einer Spannung von 110 V in Beispiel 4.
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Vergleichsbeispiel 1
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Ein
Wafer wurde angebracht, wieder gelöst, und danach wurde die Zahl
von Teilchen auf dem Wafer auf ähnliche
Weise wie in Beispiel 1 gemessen. Danach wurden ein solcher angelegter
Spannungsverlauf und ein Temperaturanstiegsverlauf des Wafers wie
in 4 verwendet, aber es wurde kein Backside-Gas verwendet.
Der Wafer wurde 1 Minute, nachdem eine Spannung von 300 V angelegt
worden war, gelöst.
Es wurden 4.500 Teilchen mit nicht weniger als 0,2 μm beobachtet.
Der Temperaturunterschied vor und nach der Anziehung betrug 69 °C.
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Wie
oben bereits angesprochen wurde, können gemäß der vorliegenden Erfindung
die Teilchen, die mit dem Temperaturanstieg des Wafers auftreten, nachdem
dieser auf der Anziehungsfläche
des elektrostatischen Halters angeordnet wurde, reduziert werden.