JPH07245336A - 静電チャックおよびその表面処理方法 - Google Patents
静電チャックおよびその表面処理方法Info
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- JPH07245336A JPH07245336A JP3365394A JP3365394A JPH07245336A JP H07245336 A JPH07245336 A JP H07245336A JP 3365394 A JP3365394 A JP 3365394A JP 3365394 A JP3365394 A JP 3365394A JP H07245336 A JPH07245336 A JP H07245336A
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- chuck
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電チャックおよびその表面処理方法に関
し，密着性を低下させずにウェハ吸着時のキズを減らす
と共にゴミの発生を低減させる。 【構成】 半導体ウェハが載置される載置体の内部に電
極が設けられ，該電極に直流電圧を印加することにより
分極した静電気によって半導体ウェハを載置体に吸着す
る静電チャックであって，表面にプラズマ照射が施され
ている。
し，密着性を低下させずにウェハ吸着時のキズを減らす
と共にゴミの発生を低減させる。 【構成】 半導体ウェハが載置される載置体の内部に電
極が設けられ，該電極に直流電圧を印加することにより
分極した静電気によって半導体ウェハを載置体に吸着す
る静電チャックであって，表面にプラズマ照射が施され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，静電チャックおよびそ
の表面処理方法に関する。現在，エッチング，ＣＶＤ，
ＰＶＤ，イオン注入などの各工程において用いられる半
導体製造装置には，チャンバー（処理室）内にウェハを
吸着するための静電チャックが設けられている。
の表面処理方法に関する。現在，エッチング，ＣＶＤ，
ＰＶＤ，イオン注入などの各工程において用いられる半
導体製造装置には，チャンバー（処理室）内にウェハを
吸着するための静電チャックが設けられている。
【０００２】静電チャックを用いることにより，ウェハ
との密着性が向上するために，ウェハの温度制御が容易
となり，結果的に上記の各工程時におけるウェハ上の処
理の均一性が向上する。
との密着性が向上するために，ウェハの温度制御が容易
となり，結果的に上記の各工程時におけるウェハ上の処
理の均一性が向上する。
【０００３】しかし，ウェハとの密着性を向上させる
と，それだけウェハが静電チャックに押し付けられるこ
ととなるため，ウェハの裏面にはキズが増えゴミの発生
原因となる。発生するゴミは，製品の歩留まりを低下さ
せる原因となるので，ゴミの発生を低減させるための対
策が必要である。
と，それだけウェハが静電チャックに押し付けられるこ
ととなるため，ウェハの裏面にはキズが増えゴミの発生
原因となる。発生するゴミは，製品の歩留まりを低下さ
せる原因となるので，ゴミの発生を低減させるための対
策が必要である。
【０００４】しかしながら，上述したゴミの発生原因か
ら考えると，現状では，キズを減らすには密着性を下げ
るしかない。そこで，密着性を低下させることなく，ゴ
ミの発生を低減できる静電チャックが求められている。
ら考えると，現状では，キズを減らすには密着性を下げ
るしかない。そこで，密着性を低下させることなく，ゴ
ミの発生を低減できる静電チャックが求められている。
【０００５】
【従来の技術】従来，ウェハ裏面から発生するゴミを低
減させるための技術として，ウェハと静電チャックとの
接触面積を減らすことにより，ウェハ裏面から発生する
ゴミの低減を図ったものがあった。
減させるための技術として，ウェハと静電チャックとの
接触面積を減らすことにより，ウェハ裏面から発生する
ゴミの低減を図ったものがあった。
【０００６】しかし，ウェハと静電チャックとの接触面
積を減らすと，エッチング工程時にウェハ面内でエッチ
ングされる量が異なる現象や，ＣＶＤ工程時にウェハ面
内で堆積膜の膜厚の相違が発生する現象など，半導体装
置の製造に不都合な現象が起こる。
積を減らすと，エッチング工程時にウェハ面内でエッチ
ングされる量が異なる現象や，ＣＶＤ工程時にウェハ面
内で堆積膜の膜厚の相違が発生する現象など，半導体装
置の製造に不都合な現象が起こる。
【０００７】そこで，静電チャックの表面を研磨してラ
フネス（Ｒｍａｘ）を小さくしたり，低摩擦材料を使用
してウェハと静電チャックとの密着性を向上させる方法
が採られていた。例えば，特開昭５７−１９４５４５号
公報には，ウェハとの接触部に低摩擦材料の異物付着防
止層をコーティングすることにより，ウェハへの異物付
着を防止することができるようにしたウェハ吸着板が記
載されている（但し，この公報に記載された「ウェハ吸
着板」は，真空チャックであり，静電チャックではな
い）。
フネス（Ｒｍａｘ）を小さくしたり，低摩擦材料を使用
してウェハと静電チャックとの密着性を向上させる方法
が採られていた。例えば，特開昭５７−１９４５４５号
公報には，ウェハとの接触部に低摩擦材料の異物付着防
止層をコーティングすることにより，ウェハへの異物付
着を防止することができるようにしたウェハ吸着板が記
載されている（但し，この公報に記載された「ウェハ吸
着板」は，真空チャックであり，静電チャックではな
い）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
たウェハ裏面から発生するゴミに対する従来の対策にお
いて問題となるのが静電チャック表面の研磨方法であ
る。静電チャックの表面を従来使用されているラップ研
磨（ウェハの表面研磨と同じの鏡面研磨）で行うと，静
電チャックの表面には，１０〜１００μｍの間隔で０．
８μｍ程度の高さの突起物が残り，これがウェハ吸着時
にウェハの裏面にキズを付ける原因となる。
たウェハ裏面から発生するゴミに対する従来の対策にお
いて問題となるのが静電チャック表面の研磨方法であ
る。静電チャックの表面を従来使用されているラップ研
磨（ウェハの表面研磨と同じの鏡面研磨）で行うと，静
電チャックの表面には，１０〜１００μｍの間隔で０．
８μｍ程度の高さの突起物が残り，これがウェハ吸着時
にウェハの裏面にキズを付ける原因となる。
【０００９】しかも，上述したように，静電チャック表
面の密着性を向上させているために，ウェハとの吸着力
が増大するので，結果的にウェハ裏面に発生するキズの
密度は大きくなる。
面の密着性を向上させているために，ウェハとの吸着力
が増大するので，結果的にウェハ裏面に発生するキズの
密度は大きくなる。
【００１０】特に，静電チャックの表面を形成する材料
の体積抵抗率が１０9 〜１０14Ω・ｃｍの，一般に低抵
抗チャックと呼ばれる静電チャックに対しては，ウェハ
裏面に発生するキズの密度が増大するという上述の現象
が顕著に現れるために，ゴミ低減の効果は見られない。
の体積抵抗率が１０9 〜１０14Ω・ｃｍの，一般に低抵
抗チャックと呼ばれる静電チャックに対しては，ウェハ
裏面に発生するキズの密度が増大するという上述の現象
が顕著に現れるために，ゴミ低減の効果は見られない。
【００１１】さらに，接触面積を減らしたり，密着性を
向上させたりする静電チャックは，従来の製品に加工を
施したり，新たに作り直したりしなければならず，コス
トの面から見ても良好とはいえない。
向上させたりする静電チャックは，従来の製品に加工を
施したり，新たに作り直したりしなければならず，コス
トの面から見ても良好とはいえない。
【００１２】本発明は，上記の問題点を解決して，密着
性を低下させずにウェハ吸着時のキズを減らすと共にゴ
ミの発生を低減させることのできる，静電チャックおよ
びその表面処理方法を提供することを目的とする。
性を低下させずにウェハ吸着時のキズを減らすと共にゴ
ミの発生を低減させることのできる，静電チャックおよ
びその表面処理方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明に係る静電チャックおよびその表面処理方
法は，次のように構成する。
めに，本発明に係る静電チャックおよびその表面処理方
法は，次のように構成する。
【００１４】（１）半導体ウェハが載置される載置体の
内部に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加するこ
とにより分極した静電気によって半導体ウェハを載置体
に吸着する静電チャックであって，表面にプラズマ照射
が施されているように構成する。
内部に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加するこ
とにより分極した静電気によって半導体ウェハを載置体
に吸着する静電チャックであって，表面にプラズマ照射
が施されているように構成する。
【００１５】（２）前記（１）において，表面が，体積
抵抗率１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを基とする
材料で形成されているように構成する。
抵抗率１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを基とする
材料で形成されているように構成する。
【００１６】（３）半導体ウェハが載置される載置体の
内部に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加するこ
とにより分極した静電気によって半導体ウェハを載置体
に吸着する静電チャックの表面処理方法であって。
内部に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加するこ
とにより分極した静電気によって半導体ウェハを載置体
に吸着する静電チャックの表面処理方法であって。
【００１７】静電チャックの表面をプラズマ照射するよ
うに構成する。 （４）前記（３）において，静電チャックの表面が，体
積抵抗率１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを基とす
る材料で形成されているように構成する。
うに構成する。 （４）前記（３）において，静電チャックの表面が，体
積抵抗率１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを基とす
る材料で形成されているように構成する。
【００１８】（５）前記（３）または（４）において，
静電チャックの表面を照射するプラズマとして，不活性
ガスを基とするプラズマを用いるように構成する。
静電チャックの表面を照射するプラズマとして，不活性
ガスを基とするプラズマを用いるように構成する。
【００１９】（６）前記（５）において，不活性ガスに
Ｏ2 もしくはＮ2 を添加するように構成する。
Ｏ2 もしくはＮ2 を添加するように構成する。
【００２０】
【作用】初めに認識しなければならないのは，従来使用
されていた静電チャックの研磨方法では静電チャックの
表面に微細な突起物が残り，これがウェハの裏面にキズ
を付け，ゴミの発生原因となっていた，ということであ
る。
されていた静電チャックの研磨方法では静電チャックの
表面に微細な突起物が残り，これがウェハの裏面にキズ
を付け，ゴミの発生原因となっていた，ということであ
る。
【００２１】このことをウェハ吸着時の現象を示す図４
を用いて説明する。図４において，１はウェハ，２は静
電チャックであり，両者とも局部的に拡大したものであ
る。
を用いて説明する。図４において，１はウェハ，２は静
電チャックであり，両者とも局部的に拡大したものであ
る。
【００２２】まず，静電チャック２上にウェハ１が載置
される。次いで，静電チャック２の内部に設けられた電
極に直流電圧が印加され静電チャック２の表面に電荷が
溜まると，ウェハ１と静電チャック２との間に吸着力が
働き，ウェハ１が静電チャック２に吸着される。この
時，微細的に見ると，ウェハ１は，静電チャック２に押
し付けられ，静電チャック２上の突起物により，ウェハ
１の裏面にキズが付く（ウェハ１が多少位置ずれを起こ
す可能性もあり，その場合にはウェハ１の裏面には大き
なキズが付く）。
される。次いで，静電チャック２の内部に設けられた電
極に直流電圧が印加され静電チャック２の表面に電荷が
溜まると，ウェハ１と静電チャック２との間に吸着力が
働き，ウェハ１が静電チャック２に吸着される。この
時，微細的に見ると，ウェハ１は，静電チャック２に押
し付けられ，静電チャック２上の突起物により，ウェハ
１の裏面にキズが付く（ウェハ１が多少位置ずれを起こ
す可能性もあり，その場合にはウェハ１の裏面には大き
なキズが付く）。
【００２３】その結果，ウェハ１の裏面から削られた半
導体片がゴミとなって静電チャック２の表面に残り処理
装置のチャンバー内を汚染する原因となる。また，ゴミ
がウェハ１の裏面に付着した状態で洗浄などのウェット
処理を行うと，処理槽内を汚染する原因となる。
導体片がゴミとなって静電チャック２の表面に残り処理
装置のチャンバー内を汚染する原因となる。また，ゴミ
がウェハ１の裏面に付着した状態で洗浄などのウェット
処理を行うと，処理槽内を汚染する原因となる。
【００２４】本発明では，静電チャック表面の微細な突
起物の先端をプラズマ処理することにより丸めているの
で，静電チャックにウェハを吸着する時にウェハの裏面
にキズが付き難くなる。その結果，ゴミの発生を低減す
ることが可能になる。
起物の先端をプラズマ処理することにより丸めているの
で，静電チャックにウェハを吸着する時にウェハの裏面
にキズが付き難くなる。その結果，ゴミの発生を低減す
ることが可能になる。
【００２５】図１は，本発明の原理を示す図である。以
下，図１を用いて，本発明の原理を説明する。まず，静
電チャックを半導体製造装置のチャンバー内に取り付
け，ウェハが載置されていない状態でチャンバー内に不
活性ガスを導入する。
下，図１を用いて，本発明の原理を説明する。まず，静
電チャックを半導体製造装置のチャンバー内に取り付
け，ウェハが載置されていない状態でチャンバー内に不
活性ガスを導入する。
【００２６】次いで，チャンバー内に不活性ガスを基と
するプラズマを生成し，このプラズマを静電チャックの
表面に照射する。ここで，静電チャック表面の状態変化
をモデル化すると，図１（ａ）（ｂ）（ｃ）のようにな
る。
するプラズマを生成し，このプラズマを静電チャックの
表面に照射する。ここで，静電チャック表面の状態変化
をモデル化すると，図１（ａ）（ｂ）（ｃ）のようにな
る。
【００２７】図１（ａ）は，プラズマ照射前の静電チャ
ックの表面状態を示している。同図に示されている多数
の突起物がウェハの裏面にキズを付ける原因である。静
電チャックの表面にプラズマ（例えば，Ａｒを基とする
プラズマ）を照射すると，図１（ｂ）に示すように，突
起物の先端部分が不活性ガスプラズマ（Ａｒプラズマ）
のスパッタ効果により叩かれる。その結果，静電チャッ
ク表面の突起物の先端部分は，最終的には丸みを帯び，
図１（ｃ）に示す状態になる。これで，本発明に係るプ
ラズマ処理が終了する。
ックの表面状態を示している。同図に示されている多数
の突起物がウェハの裏面にキズを付ける原因である。静
電チャックの表面にプラズマ（例えば，Ａｒを基とする
プラズマ）を照射すると，図１（ｂ）に示すように，突
起物の先端部分が不活性ガスプラズマ（Ａｒプラズマ）
のスパッタ効果により叩かれる。その結果，静電チャッ
ク表面の突起物の先端部分は，最終的には丸みを帯び，
図１（ｃ）に示す状態になる。これで，本発明に係るプ
ラズマ処理が終了する。
【００２８】表面が図１（ｃ）に示す状態になると，ウ
ェハと静電チャックとの接触部分は滑らかなため，ウェ
ハ裏面に付くキズの密度が著しく減少するので，ゴミの
発生も著しく抑えられる。しかも，静電チャック表面の
突起物の先端部分が無くなったとしても，ウェハと静電
チャックとの間の距離が０．８μｍ程度短くなるだけな
ので，プロセス上何ら問題を生じない。
ェハと静電チャックとの接触部分は滑らかなため，ウェ
ハ裏面に付くキズの密度が著しく減少するので，ゴミの
発生も著しく抑えられる。しかも，静電チャック表面の
突起物の先端部分が無くなったとしても，ウェハと静電
チャックとの間の距離が０．８μｍ程度短くなるだけな
ので，プロセス上何ら問題を生じない。
【００２９】
【実施例】図２は，本発明の一実施例を示す図であり，
本発明の実施に用いたドライエッチング装置の概要を示
している。
本発明の実施に用いたドライエッチング装置の概要を示
している。
【００３０】図中，２は静電チャック，３は直流電源，
４は高周波電源，５は接地電極，６は高周波印加電極，
７はガス導入口，８は排気口である。静電チャック２
は，本発明の対象物である。
４は高周波電源，５は接地電極，６は高周波印加電極，
７はガス導入口，８は排気口である。静電チャック２
は，本発明の対象物である。
【００３１】直流電源３は，静電チャック２の内部に設
けられた電極に直流電圧を印加するためのものである。
高周波電源４は，チャンバー内に不活性ガスプラズマを
発生させるためのものであり，高周波印加電極６に接続
されている。
けられた電極に直流電圧を印加するためのものである。
高周波電源４は，チャンバー内に不活性ガスプラズマを
発生させるためのものであり，高周波印加電極６に接続
されている。
【００３２】接地電極５および高周波印加電極６は，静
電チャック２と平行に設置されている。図中には示され
ていないが，装置の外部にはプラズマ生成のために使用
されるガス（例えば，Ａｒなどの不活性ガス）を封入し
たガス供給源があり，接地電極５の中心部に開口して形
成されたガス導入口よりチャンバー内にガスが導入され
る。
電チャック２と平行に設置されている。図中には示され
ていないが，装置の外部にはプラズマ生成のために使用
されるガス（例えば，Ａｒなどの不活性ガス）を封入し
たガス供給源があり，接地電極５の中心部に開口して形
成されたガス導入口よりチャンバー内にガスが導入され
る。
【００３３】上記ガス供給源とガス導入口７とを接続す
る配管の間には，マスフローコントローラ（ＭＦＣ，ガ
ス流量制御装置）が設けられており，ガス供給源からの
ガスは，独立して制御できるようにされている。
る配管の間には，マスフローコントローラ（ＭＦＣ，ガ
ス流量制御装置）が設けられており，ガス供給源からの
ガスは，独立して制御できるようにされている。
【００３４】チャンバーの右側には，真空ポンプに連結
された排気口８が開口形成されており，チャンバー内に
導入さたガスを排気すると共にチャンバー内部が所定の
圧力になるように調整される。
された排気口８が開口形成されており，チャンバー内に
導入さたガスを排気すると共にチャンバー内部が所定の
圧力になるように調整される。
【００３５】以下，上述したドライエッチング装置を用
いて行った本発明の一実施例を説明する。静電チャック
２としては，表面が体積抵抗率１０10Ω・ｃｍのセラミ
ックを基とする材料で形成された低抵抗チャックを用い
た。
いて行った本発明の一実施例を説明する。静電チャック
２としては，表面が体積抵抗率１０10Ω・ｃｍのセラミ
ックを基とする材料で形成された低抵抗チャックを用い
た。
【００３６】静電チャック２表面のプラズマ照射の処理
条件は，次の通りである。 使用ガス ：Ａｒ １００ｓｃｃｍ チャンバー内圧力：０．１Ｔｏｒｒ ｒｆパワー ：５００Ｗ プラズマ照射時間：６０ｓｅｃ 次に，プラズマ照射された静電チャック２に，実際にウ
ェハを吸着させて，ウェハ裏面のキズおよびゴミが，従
来のプラズマ照射を行わない静電チャックの場合と比べ
て，どれだけ減少したかを確かめた。
条件は，次の通りである。 使用ガス ：Ａｒ １００ｓｃｃｍ チャンバー内圧力：０．１Ｔｏｒｒ ｒｆパワー ：５００Ｗ プラズマ照射時間：６０ｓｅｃ 次に，プラズマ照射された静電チャック２に，実際にウ
ェハを吸着させて，ウェハ裏面のキズおよびゴミが，従
来のプラズマ照射を行わない静電チャックの場合と比べ
て，どれだけ減少したかを確かめた。
【００３７】ゴミの測定には，光散乱パーティクルカウ
ンタを用いた。光散乱パーティクルカウンタは，ウェハ
の鏡面側を測定するものであるため，ウェハを装置内に
搬入する時に，ウェハの表面側（鏡面側）が静電チャッ
ク２に吸着するようにした。すなわち，実際の製造工程
の場合とはウェハの表裏を逆にして，ウェハを装置内に
搬入した。
ンタを用いた。光散乱パーティクルカウンタは，ウェハ
の鏡面側を測定するものであるため，ウェハを装置内に
搬入する時に，ウェハの表面側（鏡面側）が静電チャッ
ク２に吸着するようにした。すなわち，実際の製造工程
の場合とはウェハの表裏を逆にして，ウェハを装置内に
搬入した。
【００３８】図３に，光散乱パーティクルカウンタによ
るゴミ測定結果の例を示す。図３（ａ）は本発明に係る
静電チャックを用いた場合の結果であり，図３（ｂ）は
従来の静電チャックを用いた場合の結果である。
るゴミ測定結果の例を示す。図３（ａ）は本発明に係る
静電チャックを用いた場合の結果であり，図３（ｂ）は
従来の静電チャックを用いた場合の結果である。
【００３９】図３（ａ）および（ｂ）において，黒く示
されている部分がゴミの付着している部分であり，白い
部分がゴミの付着していない部分である。図３（ａ）と
図３（ｂ）とを比較すると，本発明に係る静電チャック
を用いると，従来の静電チャックを用いた場合と比べ
て，ゴミの数が大幅に低減されていることが分かる。
されている部分がゴミの付着している部分であり，白い
部分がゴミの付着していない部分である。図３（ａ）と
図３（ｂ）とを比較すると，本発明に係る静電チャック
を用いると，従来の静電チャックを用いた場合と比べ
て，ゴミの数が大幅に低減されていることが分かる。
【００４０】なお，上記したプラズマ処理条件は単なる
一例であり，この処理条件に限ることなく，本発明を適
用する半導体製造装置の種類に応じて，また静電チャッ
クの表面を形成する材料の種類に応じて，最適の処理条
件を設定する。
一例であり，この処理条件に限ることなく，本発明を適
用する半導体製造装置の種類に応じて，また静電チャッ
クの表面を形成する材料の種類に応じて，最適の処理条
件を設定する。
【００４１】また，上述した実施例では，静電チャック
として，表面が体積抵抗率１０10Ω・ｃｍのセラミック
を基とする材料で形成された低抵抗チャックを用いた例
を示したが，これに限らず，本発明は，表面がセラミッ
ク以外の絶縁材料で形成された静電チャックにも適用す
ることができる。そして，表面が体積抵抗率１０9 〜１
０14Ω・ｃｍのセラミックを基とする材料で形成された
静電チャックに適用した場合に最も効果がある。
として，表面が体積抵抗率１０10Ω・ｃｍのセラミック
を基とする材料で形成された低抵抗チャックを用いた例
を示したが，これに限らず，本発明は，表面がセラミッ
ク以外の絶縁材料で形成された静電チャックにも適用す
ることができる。そして，表面が体積抵抗率１０9 〜１
０14Ω・ｃｍのセラミックを基とする材料で形成された
静電チャックに適用した場合に最も効果がある。
【００４２】上述した実施例では，用いた装置の性質
上，プラズマ照射の方式がＲＩＥであったが，これに限
らず，ＥＣＲ，ダウンフローなど他のプラズマ照射方式
を採ることができる。
上，プラズマ照射の方式がＲＩＥであったが，これに限
らず，ＥＣＲ，ダウンフローなど他のプラズマ照射方式
を採ることができる。
【００４３】また，上述した実施例では，静電チャック
の表面を照射するプラズマとして，不活性ガスのみを使
用したプラズマを用いた例を示したが，不活性ガスにＯ
2 もしくはＮ2 を添加すると，プラズマ照射時の均一性
を良好にする効果がある。
の表面を照射するプラズマとして，不活性ガスのみを使
用したプラズマを用いた例を示したが，不活性ガスにＯ
2 もしくはＮ2 を添加すると，プラズマ照射時の均一性
を良好にする効果がある。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば，エッチング装置，ＣＶ
Ｄ装置，ＰＶＤ装置，イオン注入装置などの半導体製造
装置のチャンバー内に設置された静電チャックにおい
て，ウェハと静電チャックとの密着性を劣化させること
なく，ウェハ吸着時にウェハ裏面に発生するキズの数を
減少させると共にゴミの発生を低減することが可能にな
る。
Ｄ装置，ＰＶＤ装置，イオン注入装置などの半導体製造
装置のチャンバー内に設置された静電チャックにおい
て，ウェハと静電チャックとの密着性を劣化させること
なく，ウェハ吸着時にウェハ裏面に発生するキズの数を
減少させると共にゴミの発生を低減することが可能にな
る。
【００４５】また，本発明は，従来の静電チャックにプ
ラズマ処理を加えるだけで済むので，早急に現状を改善
する対策を講じることができる。以上のように，本発明
は，半導体製造装置の性能向上に寄与するところが大き
い。
ラズマ処理を加えるだけで済むので，早急に現状を改善
する対策を講じることができる。以上のように，本発明
は，半導体製造装置の性能向上に寄与するところが大き
い。
【図１】本発明の原理を示す図である。
【図２】本発明の一実施例を示す図である。
【図３】ゴミ測定結果の例を示す図である。
【図４】ウェハ吸着時の現象を示す図である。
２ 静電チャック ３ 直流電源 ４ 高周波電源 ５ 接地電極 ６ 高周波印加電極 ７ ガス導入口 ８ 排気口
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｚ 8719−4Ｍ 21/265 21/3065 Ｈ０２Ｎ 13/00 Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェハが載置される載置体の内部
に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加することに
より分極した静電気によって半導体ウェハを載置体に吸
着する静電チャックであって，表面にプラズマ照射が施
されていることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 請求項１において，表面が，体積抵抗率
１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを基とする材料で
形成されていることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項３】 半導体ウェハが載置される載置体の内部
に電極が設けられ，該電極に直流電圧を印加することに
より分極した静電気によって半導体ウェハを載置体に吸
着する静電チャックの表面処理方法であって，静電チャ
ックの表面をプラズマ照射することを特徴とする静電チ
ャックの表面処理方法。 - 【請求項４】 請求項３において，静電チャックの表面
が，体積抵抗率１０9 〜１０14Ω・ｃｍのセラミックを
基とする材料で形成されていることを特徴とする静電チ
ャックの表面処理方法。 - 【請求項５】 請求項３または４において，静電チャッ
クの表面を照射するプラズマとして，不活性ガスを基と
するプラズマを用いることを特徴とする静電チャックの
表面処理方法。 - 【請求項６】 請求項５において，不活性ガスにＯ2 も
しくはＮ2 を添加することを特徴とする静電チャックの
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3365394A JPH07245336A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 静電チャックおよびその表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3365394A JPH07245336A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 静電チャックおよびその表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245336A true JPH07245336A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12392415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3365394A Withdrawn JPH07245336A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 静電チャックおよびその表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252758B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-06-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6549392B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-04-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6636413B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-10-21 | Ngk Insulators, Inc. | Electrostatic chucks and process for producing the same |
| JP2007229025A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi Ltd | 粒子線治療装置 |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3365394A patent/JPH07245336A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549392B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-04-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6252758B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-06-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6975497B2 (en) | 1998-07-06 | 2005-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6636413B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-10-21 | Ngk Insulators, Inc. | Electrostatic chucks and process for producing the same |
| JP2007229025A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi Ltd | 粒子線治療装置 |
| JP4650299B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-03-16 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療装置 |
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