DE69927364D1 - Einzige Speisespannungsschaltung für nichtflüchtigen Speicher mit hierarchischem Reihendekodierer - Google Patents
Einzige Speisespannungsschaltung für nichtflüchtigen Speicher mit hierarchischem ReihendekodiererInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP99830483A EP1073060B1 (de) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Einzige Speisespannungsschaltung für nichtflüchtigen Speicher mit hierarchischem Reihendekodierer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69927364D1 true DE69927364D1 (de) | 2005-10-27 |
Family
ID=8243523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69927364T Expired - Lifetime DE69927364D1 (de) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Einzige Speisespannungsschaltung für nichtflüchtigen Speicher mit hierarchischem Reihendekodierer |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6373780B1 (de) |
EP (1) | EP1073060B1 (de) |
JP (1) | JP4475762B2 (de) |
DE (1) | DE69927364D1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10038925A1 (de) * | 2000-08-09 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Treiberschaltung für Wortleitungen einer Speichermatrix und Speichervorrichtung |
JP2008103033A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びこれにおける電力供給方法 |
US7936617B2 (en) * | 2007-12-26 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
US8750049B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-06-10 | Stmicroelectronics International N.V. | Word line driver for memory |
CN106935268B (zh) * | 2015-12-31 | 2021-12-17 | 紫光同芯微电子有限公司 | 一种非易失性存储器双电源管理电路 |
JP2018045750A (ja) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US11270746B2 (en) * | 2019-08-22 | 2022-03-08 | Micron Technology, Inc. | Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2869791B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1999-03-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置およびそれを応用した電子装置 |
JP3199882B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2001-08-20 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH07254275A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3204848B2 (ja) * | 1994-08-09 | 2001-09-04 | 株式会社東芝 | レベル変換回路及びこのレベル変換回路を用いてレベル変換されたデータを出力する方法 |
DE19534934A1 (de) * | 1995-09-20 | 1996-11-07 | Siemens Ag | Decodierschaltung |
US5818764A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-06 | Macronix International Co., Ltd. | Block-level wordline enablement to reduce negative wordline stress |
US5886923A (en) * | 1997-10-27 | 1999-03-23 | Integrated Silicon Solution Inc. | Local row decoder for sector-erase fowler-nordheim tunneling based flash memory |
US5991198A (en) * | 1998-04-02 | 1999-11-23 | Nexflash Technologies, Inc. | Local row decoder and associated control logic for fowler-nordheim tunneling based flash memory |
KR100308480B1 (ko) * | 1999-07-13 | 2001-11-01 | 윤종용 | 고집적화에 적합한 행 디코딩 구조를 갖는 플래시 메모리 장치 |
-
1999
- 1999-07-28 EP EP99830483A patent/EP1073060B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-28 DE DE69927364T patent/DE69927364D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227650A patent/JP4475762B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-28 US US09/627,273 patent/US6373780B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1073060A1 (de) | 2001-01-31 |
JP4475762B2 (ja) | 2010-06-09 |
US6373780B1 (en) | 2002-04-16 |
JP2001057097A (ja) | 2001-02-27 |
EP1073060B1 (de) | 2005-09-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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8332 | No legal effect for de |