DE69828879T2 - Merkmalen zur erhöhung der wärmeübertragung für halbleiterträger und halbleiteranordnungen - Google Patents

Merkmalen zur erhöhung der wärmeübertragung für halbleiterträger und halbleiteranordnungen Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft allgemein Träger, die zur Aufnahme, Handhabung oder zum Versand von Halbleiterbauelementen, wie z.B. integrierten Schaltkreisen (ICs), verwendet werden, und insbesondere Merkmale der Träger, welche die Wärmeübertragung zu den Bauelementen und den Trägem erhöhen.
  • Auch nach der Kapselung von Halbleiterchips durchlaufen diese weiterhin eine Vielzahl verschiedener Fertigungsprozesse und Tests, von denen viele bei höheren oder niedrigeren Temperaturen als der typischen Raumtemperatur von 20 bis 30°C ausgeführt werden. Beispiele derartiger nachgeschalteter Prozesse schließen ein, sind aber nicht beschränkt auf Temperaturtests, wobei Testhandhabungsvorrichtungen Schalen mit thermisch konditionierten Bauelementen (d.h. Bauelementen mit der gewünschten höheren oder niedrigeren Temperatur) an ein Prüfgerät übergeben, und Voralterungstests, wobei Schalen mit Bauelementen in Wärmekammern gestapelt und Langzeittests bei ähnlichen extremen Temperaturen ausgesetzt werden. Für diese Prozesse fordern die Hersteller eine höhere Durchsatzleistung und kleinere Maschinengrößen, um die Kosten für Halbleiterbauelemente zu senken.
  • Der Durchsatz einer derartigen nachgeschalteten Verarbeitungsanlage wird oft durch die manchmal als "Wärmekonditionierungszeit" bezeichnete Zeit bestimmt, die benötigt wird, um die Bauelemente auf die gewünschte Sollwerttemperatur zu bringen. Der Durchsatz kann durch Vergrößern der Wärmekonditionierungskammern verbessert werden, in denen die Bauelemente auf die Sollwerttemperatur gebracht werden, so daß die Kammern mehr Bauelemente gleichzeitig aufnehmen können. Jedoch wird die Größe der bei dieser Verarbeitung eingesetzten Maschinen durch die Größe der Wärmekonditionierungskammern stark beeinflußt. Wegen der hohen Investitionskosten von Halbleiterverarbeitungsanlagen ist ein niedriger Durchsatz sehr unerwünscht. Wegen der hohen Unterhaltungskosten von Stellfläche in einer Halbleiterverarbeitungsanlage ist jedoch die Vergrößerung von Verarbeitungsmaschinen gleichfalls unerwünscht. Folglich besteht ein großer ökonomischer Anreiz für eine billige und effiziente Verkürzung der Wärmekonditionierungszeit ohne wesentliche Vergrößerung der Verarbeitungsmaschinen.
  • Eine Möglichkeit, Halbleiterbauelemente auf eine gewünschte Sollwerttemperatur zu bringen, ist die Wärmeübertragung durch Zwangskonvektion. Ein Fluid (gewöhnlich Luft) wird quer über die Bauelemente geblasen, die in einer Reihe von beabstandeten Schalen sitzen. Wir haben erkannt, daß die Wärmekonditionierungszeit hauptsächlich dadurch bestimmt wird, ob die Strömung laminar oder turbulent ist. Bei turbulenten Strömungen haben die Oberflächeneigenschaften des Durchlasses, in diesem Fall der Schalen und der Bauelemente, einen wesentlichen Einfluß auf die Wärmeübertragung zu den Bauelementen und Schalen. Wie hierin diskutiert, berücksichtigt keine ältere Technik Merkmale von Schalen oder Bauelementgehäusen, welche die Oberflächeneigenschaften nutzen, um die konvektive Wärmeübertragung zu den Schalen oder den Bauelementen in diesen Schalen zu erhöhen, zu optimieren oder zu maximieren.
  • Anforderungen an ICs zur Erhöhung der Wärmeübertragung existieren bei anderen Anwendungen, nämlich bei dem Produkt oder der Anwendung, in dem bzw. der das Bauelement installiert wird. In diesen Fällen ist es oft notwendig, die ICs mit Komponenten zu konstruieren, welche die Wärmeübertragung erhöhen, oder sie in einer tatsächlichen Anwendung mit zusätzlichen wärmeübertragungserhöhenden Komponenten zu installieren. Der Zweck besteht darin, ein Mittel zur Kühlung derjenigen ICs bereitzustellen, die im Gebrauch unter bestimmten Umgebungsbedingungen große Wärmemengen entwickeln. In dieser Hinsicht konzentriert sich der Stand der Technik zum großen Teil auf Wärmeübertragungslamellen, die direkt an den ICs angebracht sind. Diese Lamellen oder Wärmesenken erhöhen die Wärmeübertragung durch Wärmeleitung vom Bauelement, indem sie die spezifische Wärmeübertragungsfläche erheblich vergrößern. Ein anderer Teil des Standes der Technik umfaßt die Wärmeübertragungsuntersuchungen von Sparrow et al., "Heat Transfer and Pressure Drop Characteristics of Arrays of Rectangular Modules Encountered in Electronic Equipment" (Wärmeübertragungs- und Druckabfalleigenschaften von Anordnungen rechteckiger Bausteine, die in elektronischen Anlagen auftreten), Int. J. Heat Mass Transfer, Bd. 25, Nr. 7, S. 961–973, 1982. Diese Arbeit dokumentiert die Verwendung einer Rippe auf einer Computerleiterplatte mit ICs für Oberflächenmontage, um die Wärmeübertragung von hinter der Rippe angeordneten Bauelementen zu erhöhen.
  • Bauelementträger existieren nach dem Stand der Technik in vielen verschiedenen Ausführungsformen. Die gebräuchlichsten Ausführungsformen sind diejenigen, die durch den JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) definiert werden. Es ist genügend Spielraum vorgesehen, um den Herstellern zu ermöglichen, andere oder zusätzliche Merkmale zum Anordnen und Fixieren der Bauelemente zu spezifizieren. Der Stand der Technik umfaßt Patentschriften für Schalenkonstruktionen und Merkmalkonstruktionen, die in JEDEC- oder universelle Träger einbezogen werden können. Beispiele dieses Standes der Technik sind in den folgenden Patentschriften zu finden:
    US-A-5103976 (1992) von Murphy – Murphy offenbart eine Schalenkonstruktion mit Querverrippung, die Taschen bildet, wo Halbleiterchips eingesetzt werden können. Zusätzliche Rippen innerhalb der Taschenbereiche unterstützen und lokalisieren Halbleiter-ICs mit Anschlußstiftmatrix (PGA);
    US-A-5203452 (1993) von Small et al. – Small et al. offenbaren eine Schalenkonstruktion mit Taschen, die durch von dem äußeren Rahmen ausgehende vertikale Wände definiert sind;
    US-A-5263583 (1993) von Ohashi – Ohashi offenbart eine Schalenkonstruktion zum Transport von ICs auf Plastchipträgern mit Anschlüssen (PLCC). Vertikale Strukturwände ragen ein Stück über die Oberseite des Bauelements in der Schale hinaus oder schließen damit ab;
    US-A-5335771 (1994) von Murphy – Murphy offenbart einen Schalenabstandhalter bezüglich einer Schale zur Aufnahme von Komponenten mit Anschlußstiftmatrix (PGA). Die Schale weist Rippen oder Wände auf welche die Taschen definieren und die PGA-ICs von unterhalb der Rippen unterstützen;
    US-A-5400904 (1995) von Maston et al. – Maston offenbart eine Schalenkonstruktion, die ICs mit Chipgehäusen mit Lötpunkten (BGA-ICs) aufnimmt. Es werden Stützstrukturen beschrieben, welche die Chips in definierten Positionen halten;
    US-A-5418692 (1995) von Nemoto – Nemoto offenbart eine Schale für Halbleiterbauelemente. Taschen sind durch vertikale Rippen definiert, die außerdem dazu dienen, darauf gestapelte Schalen zu unterstützen. Rippen, die sich über eine kurze Distanz unterhalb der Taschen erstrecken, dienen zur Lokalisierung und zum Zurückhalten der Bauelemente in der darunter gestapelten Schale. Die Rippen werden als höher als die Oberseite des getragenen Bauelements beschrieben;
    US-A-5481438 (1996) von Nemoto – Ähnlich der oben zitierten US-A-5418692;
    US-A-5551572 (1996) von Nemoto – Nemoto offenbart eine Schale für BGA-ICs. Er baut Rippen ein, die an den vier Ecken mit zusätzlichen abwärts laufenden Rippen so ausgebildet sind, daß sie in die Rippenöffnungszwischenräume an der Oberseite der darunterliegenden Schale passen.
  • Andere Träger oder Schalen nach dem Stand der Technik sind unter anderem universelle Ausführungsformen, die ein Mittel zur Verarbeitung von Bauelementen durch verschiedene Maschinen bereitstellen. Beispiele mit spezieller Bezugnahme auf die Erfordernisse von Trägern für thermische Verarbeitung sind unter anderem die folgenden Patentschriften;
    US-A-4695707 (1987) von Young – Young offenbart einen Erhitzungsofen, der hauptsächlich zur Voralterung oder Alterung von Halbleiter-ICs dient. Details und Konstruktionen der Schalen für diese Anlage werden offenbart, aber mit Bezug auf Merkmale zum Anordnen und Positionieren der Bauelemente in der Schale;
    US-A-4926118 (1990) von O'Connor et al. – O'Connor et al. offenbaren einen Prüfstand mit Verwendung einer ähnlichen Schale wie in der nachstehend zitierten US-A-5131535, der in allen nachgeschalteten Prozessen eingesetzt werden kann;
    US-A-5131535 (1992) von O'Connor et al. – O'Connor et al. offenbaren eine Schalenkonstruktion für einen beliebigen nachgeschalteten Prozeß. Offenbart werden Details und Konstruktionen von Merkmalen zum Anordnen und Positionieren der Bauelemente in der Schale;
    US-A-5180974 (1993) von Mitchell et al. – Mitchell et al. offenbaren eine Schalenkonstruktion, die zum Testen, Markieren, zur Inspektion und zum Versand von Halbleiter-ICs verwendet wird. Offenbart werden Details und Konstruktionen von Merkmalen zum Anordnen und Positionieren der Bauelemente in der Schale;
    US-A-5184068 (1993) von Twigg et al. – Twitgg et al. offenbaren eine Handhabevorrichtung, in der Bauelemente aus einer kundenspezifischen Schale in die Schale der Handhabevorrichtung umgesetzt und dann durch die Wärmekonditionierungs- und -dekonditionierungskammern transportiert werden. Es werden keine Details dieser Schale offenbart, außer daß sie die Bauelemente durch die Wärmekonditionierungs- und -dekonditionierungskammern transportiert;
    US-A-5290134 (1994) von Baba – Baba offenbart ein Bestückungssystem, das eine spezielle Schale zum Verarbeiten der Bauelemente in der Handhabevorrichtung nutzt. Die einzigen offenbarten Details dieser Schale beziehen sich auf die Positionierungs- und Rückhaltemerkmale; und
    US-A-5313156 (1994) von Klug et al. – Klug et al. offenbaren eine Vorrichtung zur automatischen Handhabung von Halbleiter-ICs, in der Bauelemente aus einer kundenspezifischen Schale in die Schale der Handhabevorrichtung umgesetzt und dann durch Wärmekonditionierungs- und -dekonditionierungskammern transportiert werden. Es werden keine Details dieser Schale offenbart, außer daß sie die Bauelemente durch die Wärmekonditionierungs- und -dekonditionierungskammern transportiert.
  • In der Tat haben wir festgestellt, daß bei Schalenkonstruktionen für thermische Konditionierungsvorrichtungen die Physik der turbulenten Wärmeübertragung, die ein modernes Thema ist, grundsätzlich nicht richtig eingeschätzt wird, und daß daher bei diesen Konstruktionen eine Gelegenheit zur Gestaltung von Details versäumt wird, welche die Leistung von Halbleiterfertigungsanlagen stark verbessern kann.
  • Verfahren nach dem Stand der Technik, die sich auf wärmeübertragungserhöhende Merkmale von Halbleitergehäusen beziehen, umfassen Lamellenkonstruktionen oder Wärmeübertragungsplatten, die außen auf das Halbleitergehäuse montiert oder in einem Stück damit geformt werden. Ihr Zweck besteht darin, ein Mittel zur Kühlung von Bauelementen im Betriebszustand bereitzustellen, indem die Wärmeleitung durch eine vergrößerte Oberfläche erhöht wird. Andererseits existiert eine große Mehrheit von Bauelementen, die zum Betrieb keine Lamellen oder wärmeübertragungserhöhenden Merkmale erfordern, für die aber dennoch Lamellen zur Unterstützung der Fertigung der Bauelemente selbst wünschenswert wären. Wenn es sich allein um Fertigungsgründe handeln würde, ist die Integration einer Rippe in das Bauelement schwer realisierbar, da die typischerweise erforderlichen großen Lamellengrößen die Verarbeitung des Chips durch viele Fertigungsmaschinen verhindern. Außerdem ist die erhebliche Vergrößerung wegen der angebrachten oder vorstehenden Lamellen ein wesentlicher Nachteil für ihren Einsatz in vielen Anwendungen mit Raumbeschränkung. Nichtsdestoweniger wären wärmeübertragungserhöhende Merkmale wünschenswert, um die Fertigung von ICs, in jedem Fall, wo diese thermisch konditioniert werden müssen, zu beschleunigen und die Fertigungskosten zu senken. Außerdem wären auch andere kostengünstige, kompakte und effektive wärmeübertragungserhöhende Merkmale als Lamellen für ICs wünschenswert, die im betriebsfähigen Zustand Kühlung erfordern.
  • Als typisches Beispiel betrachten wir den Stand der Technik in US-A-5155579, in der Au Yeung wärmeübertragungserhöhende Lamellen offenbart, die in einem Stück mit dem Halbleitergehäuse geformt sind. Eine offenbarte Aufgabe besteht darin, ein wirksameres Mittel zur Wärmeableitung von dem Chip durch das Gehäuse bereitzustellen, wenn sich das Bauelement in der vorgesehenen Anwendung oder dem vorgesehenen Produkt im Betriebszustand befindet. Die Lamellen werden als geometrische Einheiten offenbart, die von der Gehäuseoberfläche ausgehen. Diese Erfindung hat keinen Bezug zur vorliegenden Erfindung, da sie die Verwendung von Lamellen behandelt. Die Physik und die Vorteile der Oberflächenmerkmale unterscheiden sich stark von den Vorteilen der hierin diskutierten Oberflächenmerkmale, die wärmeübertragungserhöhende oder -auslösende Merkmale mit turbulenter Strömung sind.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Unter Berücksichtigung des Vorstehenden besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, den Durchsatz von Halbleiterverarbeitungsanlagen mit einer Wärmekonditionierungskammer zu erhöhen, ohne die Anlage wesentlich zu vergrößern.
  • Eine weitere Aufgabe ist die Verkürzung der Wärmekonditionierungszeit von Bauelementen, die in Fertigungsprozessen thermisch konditioniert werden müssen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Verringerung der insgesamt erforderlichen Größe der Wärmekonditionierungskammer durch Verkürzung der Zeit, die benötigt wird, um die Halbleiter-ICs auf die Sollwerttemperatur zu bringen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Erhöhung der Wärmeübertragung durch Nutzung von Schalenmerkmalen unter Beibehaltung der Fähigkeit, ähnliche Schalen für allgemeine Versand- oder Handhabungszwecke übereinander zu stapeln.
  • Die vorstehenden und weitere Aufgaben werden durch eine Schale gemäß der Definition in Anspruch 1 gelöst. Die Wärmeübertragung zu oder von ICs, die in den beabstandeten Schalen untergebracht sind, wird erhöht, so daß ein Wärmeübertragungsfluid, wie z.B. Luft, zwischen den Schalen fließen kann. Die offenbarte Erfindung bietet diese Wärmeübertragungserhöhung durch Hinzufügen geometrischer Oberflächenmerkmale zu der Schale, die der umgebenden Strömung ausgesetzt ist. Diese Oberflächenmerkmale erhöhen die Wärmeübertragung in turbulenten Strömungen durch Auslösen einer stärkeren Vermischung zwischen dem Fluid im Kern (d.h. im zentralen Bereich eines Strömungskanals) und dem oberflächennahen Fluid und durch Zerstören von wärmeübertragungsmindernden Strömungsbereichen, die sich zwischen dem Kern und der Oberfläche entwickeln könnten.
  • Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert. Zum Beispiel kann an der Unterseite der Schale eine ähnliche Verrippung hinzugefügt werden.
  • Weitere Aufgaben und Vorteile werden aus einer Betrachtung der folgenden Beschreibung und der Zeichnungen ersichtlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Erfindung wird durch Bezugnahme auf die nachstehende ausführlichere Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen besser verständlich. Dabei zeigen:
  • 1 eine perspektivische Ansicht einer Schale nach dem Stand der Technik gemäß JEDEC-Standard, die fünf universelle Halbleiterbauelemente trägt;
  • 2 eine perspektivische Ansicht der vorliegenden Erfindung, die die in Form Rippen an zwei beabstandeten Schalen angebracht ist, wobei ein Pfeil die Richtung des Luftstroms zwischen den Schalen anzeigt;
  • 3 eine perspektivische Ansicht der vorliegenden Erfindung, die in Form von Rippen unterhalb sowie auf der Oberseite einer Schale angebracht ist;
  • 4 eine perspektivische Ansicht der vorliegenden Erfindung an einer Schale in Form Querrippen;
  • 5 eine perspektivische Ansicht der Erfindung an einer Schale in Form von Längsrippen;
  • 6 eine Schnittansicht von zwei beabstandeten Schalen, wobei die vorliegende Erfindung in Form von Rippen mit markierten Schlüsselabmessungen angebracht ist;
  • 7 Diagramme von vorausgesagten und experimentellen Temperaturcharakteristiken eines 1 mm dicken Plast-ICs, der einer turbulenten Strömung ausgesetzt ist;
  • 8 Diagramme von Druckabfallkurven für eine Luftströmung durch zwei verrippte, beabstandete Schalen;
  • 9 eine Schnittansicht von zwei gestapelten Schalen, wobei die Erfindung in Form von Querrippen an jeder Schale angebracht ist;
  • 10 eine perspektivische Ansicht von Rippen, die in Querrichtung an einem Leitenahmen angebracht sind und nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten sind;
  • 11 eine Schnittansicht der Erfindung, die in Form von dreieckförmigen Rippen in Querrichtung an einer Schale angebracht ist;
  • 12 eine Schnittansicht der Erfindung, die in Form von abgerundeten Rippen in Querrichtung an einer Schale angebracht ist;
  • 13 eine perspektivische Ansicht eines Leitenahmens mit segmentierten und versetzten Rippen, der nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten ist;
  • 14 eine perspektivische Ansicht der Unterseite einer Schale mit aufgerauhter Oberfläche;
  • 15 eine perspektivische Ansicht eines ICs mit Rippen an der Oberseite;
  • 16 eine perspektivische Ansicht eines ICs, der Oberflächenrauhigkeit an der Oberseite mit einem kreisförmigen glatten Bereich aufweist;
  • 17 eine perspektivische Ansicht eines ICs, der Oberflächenrauhigkeit an der Oberfläche mit einem ringförmigen glatten Bereich aufweist; und
  • 18 eine Skizze einer Handhabevorrichtung, die in Verbindung mit Schalen für Halbleiterbauelemente eingesetzt wird, in Form eines vereinfachten Blockschaltbilds.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Unter Bezugnahme auf einen herkömmlichen Träger/eine Schale nach JEDEC-Standard in 1 ist eine Bauelementschale 8 durch einen Rahmen 1 und ein Netzwerk von Rippen 2 gekennzeichnet, die Taschen 3 definieren, in denen irgendein Bauelementtyp 4 untergebracht ist. Vier in den Rahmen 1 formgepreßte Schlitze 5 und Leisten 6 an den Längsenden der Schale charakterisieren diese Schalen nach JEDEC-Standard. Der Rahmen 1 weist außerdem ein Stufenmerkmal 7 auf, um das Stapeln ähnlicher Schalen zu ermöglichen. Universelle Rippen 2 und die Unterteile, die den Boden der Taschen 3 definieren, bieten das zum Schutz und zur Unterstützung der Bauelemente notwendige Mindestmaß an Struktursteifigkeit.
  • Die vorliegende Erfindung wird in den nachstehenden Ausführungsformen veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 1 wird die vorliegende Erfindung durch Darstellung konkreter Konstruktionen und Anwendungen von Schalenrippen 2 veranschaulicht, die außerdem dem herkömmlichen Zweck der Definition von Taschen 3 dienen, die Bauelemente 4 tragen. Die konkreten Konstruktionen und Anwendungen von Rippen 2, wie in der vorliegenden Erfindung, können zu einer wesentlichen Erhöhung der Wärmeübertragung zur Schale und zu den Bauelementen führen.
  • Die thermische Konditionierung von Bauelementen in Schalen mit Zwangskonvektion kann bewerkstelligt werden, indem ein bestimmtes Fluid, zum Beispiel Luft, über oder gegen die Schalen geblasen wird. Die bevorzugte Einrichtung ist in 2 dargestellt, die zwei halbbestückte Schalen 8 darstellt, die potentiell eine Reihe von mehrfach beabstandeten Schalen bilden, die einem Luftstrom 9 ausgesetzt sind. Diese beiden Schalen sind voneinander beabstandet, so daß der Zwischenraum 10 zwischen den Schalen einen Durchlaß bildet. Hier weist die vorliegende Erfindung spezielle Rippen 11 auf, die sich in eine vorgegebene Höhe über den Oberseiten 12 der ICs 4 erstrecken.
  • Die optimale Höhe der Rippen 11 über den Oberseiten der ICs 14 ist von vielen Faktoren abhängig. Durch eine höhere Ausführung der Rippen wird die Wärmeübertragung zum IC erhöht. Folglich werden für dickere Teile höhere Rippen benötigt. Wenn jedoch die Rippen zu hoch werden, wird der Luftstrom über das Teil eingeschränkt, und die Wärmeübertragung nimmt ab. Der Punkt, an dem die Rippen zu hoch werden, ist in hohem Maße von dem Luftstrom abhängig, der durch ein Gebläse zugeführt wird, das Luft über das Teil bläst. In einer bevorzugten Ausführungsform ragen die Rippen 11 mehr als 1 mm und weniger als 10 mm über die Oberseite des Teils hinaus. Ein stärker bevorzugter Bereich ist mehr als 2 mm bis weniger als 5 mm. Um einen Maßstab anzugeben: diese Abmessungen eignen sich für eine Schale von ähnlicher Größe wie derjenigen einer Schale nach JEDEC-Standard, mit Gesamtabmessungen von 315 mm × 135,9 mm und einer Dicke von etwa 7,62 mm. Schalen von größerer Dicke sind jedoch auch möglich.
  • 3 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung an einer Schale 8 vom JEDEC-Typ. wobei eine Reihe von Rippen 13, die in ihrer Geometrie und Funktion den Rippen 11 an der Oberseite ähnlich sind, unterhalb der Schale strukturiert angeordnet sind. Die bevorzugte Orientierung der Rippen 11 und 13 für die gerade beschriebenen vorgesehenen Zwecke ist senkrecht zur Richtung der Fluidströmung. In den meisten Anwendungen ist die Fluidströmung in Längsrichtung oder Querrichtung der Schale ausgerichtet.
  • 4 zeigt die Erfindung in Form von Rippen 14 in Querrichtung der Schale B. Der Pfeil 9 veranschaulicht die Strömungsrichtung, die senkrecht zu den Rippen 14 verläuft.
  • In 5 ist die Erfindung in Form von Rippen 15 angebracht, die in Längsrichtung der Schale 8 ausgerichtet sind. Diese Orientierung kann vorteilhafter als die in 4 sein, das die von der Strömung zu durchlaufende Distanz kürzer ist, was sich im wesentlichen so auswirkt, daß die Gesamttemperaturänderung der Strömung durch die Schale gering gehalten wird. Die genaue Anordnung und geometrische Größe jeder Ausführungsform der Erfindung in Form von Rippen auf einem Träger beeinflußt die Erhöhung der Wärmeübertragung zum Träger und zu den Bauelementen.
  • In 6 ist eine Schnittansicht der Schale 8 abgebildet, die zum Verständnis der Diskussion notwendig ist, wie die Rippen die Wärmeübertragung erhöhen. Eine turbulente Strömung ist durch einen Mischvorgang gekennzeichnet, und der Wirkungsgrad der Wärmeübertragung ist eine Funktion dieses Turbulenz- oder Mischungsgrades. Wegen der physikalischen Natur einer Strömung innerhalb von Begrenzungen ist der Mischungsgrad typischerweise in der Mitte am größten und am Umfang kleiner. Daher konzentriert sich das Vorhaben bei den Rippen 11 an der Oberseite auf die Erhöhung der Vermischung zwischen dem Fluid in der Nähe der exponierten Oberfläche 16 der Bauelemente 4 und dem Fluid in der Mitte des Strömungsdurchlasses zwischen benachbarten Schalen 8. Eine Folge dieser stärkeren Vermischung ist eine Zunahme der konvektiven Wärmeübertragung. Die relative Distanz 17 von einer oberen oder exponierten Fläche 16 eines Bauelements 4 zur Oberseite der Rippe 11 und ein Rastermaß oder Abstand 18 zwischen den Rippen sind Konstruktionsvariable, die den Grad der Mischungsverstärkung direkt beeinflussen, der sich wiederum auf den Erhöhungsgrad der Wärmeübertragung auswirkt.
  • In 6 bewirken Rippen 13 an der Unterseite auf ähnliche Weise gleichfalls eine Erhöhung der Wärmeübertragung. Gemäß der Abbildung erfolgt jedoch die Erhöhung der Wärmeübertragung zur Schale, da die exponierte Oberfläche die Unterseite 19 der Schalentaschen 3 ist. Mittels Wärmeleitung durch die Schale kann dann folglich eine zusätzliche Wärmeübertragung zum Bauelement erfolgen, da sich die Schale in direktem Kontakt mit dem Bauelement befindet. Es versteht sich, daß die dargestellte Ausführungsform so variiert werden kann, daß Rippen 13 an der Unterseite die Wärmeübertragung durch Konvektion zum Bauelement direkt erhöhen, indem im Boden der Tasche ein Ausschnitt freigelassen wird.
  • Experimentell wurde durch die Erfinder festgestellt, daß die thermischen Reaktionszeiten der auf diese Weise thermisch konditionierten Bauelemente mit Verfahren analytisch abgeschätzt werden können, die aus einer von Han, J. C., veröffentlichten Arbeit "Heat Transfer and Friction in Channels With Two Opposite Rib-Roughened Walls" (Wärmeübertragung und Reibung in Kanälen mit zwei gegenüberliegenden, durch Rippen aufgerauhten Wänden), Transactions of ASME, Bd. 106, Nov. 1984, S. 774–781, abgeleitet sind. Als Beispiel betrachte man zwei um 2,4 cm beabstandete Schalen, jede mit 5 mm-Rippen an der Oberseite und der Unterseite und in Abständen von 2,5 cm. Die resultierende vorausgesagte und experimentelle thermische Reaktion eines typischen ICs mit dünnem Gehäuse ist in 7 dargestellt. Die Berechnungen basieren auf der experimentellen Durchflußgeschwindigkeit zwischen den Schalen von 0,714 m3/min (25,5 Kubikfuß/min) und einer Reynolds-Zahl von 9510. Die Reynolds-Zahl ist ein Verhältnis der inneren Kräfte zu den Reibungskräften einer Strömung und liefert einen Hinweis auf die Strömungsart; z.B. können laminare, Übergangs- oder turbulente Kanalströmungen mit Reynolds-Zahlen von mehr als 2300 im allgemeinen eine Turbulenz aufrechterhalten. Daher wären in bevorzugten Ausführungsformen die Reynolds-Zahlen vorzugsweise größer als 2300. In bestimmten Ausführungsformen liegt die Reynolds-Zahl über 5000 und könnte für einige Ausführungsformen über 10000 liegen.
  • Als Folge der wärmeübertragungserhöhenden Oberflächenmerkmale entsteht als Nachteil ein Druckabfall, der allerdings klein genug ist, um die Anwendung einer solchen Verrippung noch zu rechtfertigen. 8 zeigt die entsprechenden Druckverhaltenskurven, die den Druckabfall als Funktion der Durchflußgeschwindigkeit über die Länge des von den zwei betrachteten Schalen gebildeten Durchlasses darstellen. Die dem aufgezeichneten Bereich entsprechenden Reynolds-Zahlen betragen 2500 bis 10000, was auf eine ausreichend turbulente Strömung schließen läßt. Bei der Konstruktion würde man diesen Kurven eine Gebläseleistungskurve überlagern, um Arbeitspunkte zu bestimmen, die Schnittpunkte der Gebläsekurve mit der Systemkurve sind. In praktischen Fällen müssen weitere Druckverluste, wie z.B. von Röhren und Filtern, berücksichtigt und in die Berechnung der Systemleistungskurve einbezogen werden.
  • Die in den vorstehenden Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen veranschaulichen die Erfindung in Form von Rippen, die über die oberen und unteren Begrenzungen des Schalenrahmens hinausragen. Diese übermäßige Ausdehnung braucht nicht in jeder Ausführungsform der Erfindung aufzutreten, da die Ausdehnung von der Gesamthöhe des Rahmens abhängig ist. Nichtsdestoweniger veranschaulichen diese beiden Ausführungsformen mögliche Beschränkungen der Rippenhöhen, wenn die Schalen übereinander gestapelt werden müssen.
  • In 9 werden derartige Rippen, die nach oben oder unten über den definierten äußeren Rahmen oder die Kontur der Schale hinausragen, durch versetzte Anordnung vom oberen bzw. unteren Rippen 11 bzw. 13 und Ausbildung eines Hohlraums 20 unterhalb der oberen Rippen 11 angepaßt. Dieser Hohlraum ermöglicht das Einpassen der oberen Rippen 11 der unteren Schale. Für eine feste Schalenrahmenhöhe 21 existiert eine Höchstgrenze für die Höhe 17 der oberen Rippen und die Höhe 22 der unteren Rippen, um ein Stapeln zu ermöglichen. Dieser Grenzwert ist außerdem eine Funktion der Taschentiefe 23 und der Stützstruktur oder des Bodens 19 in der Tasche.
  • Bei vielen Fertigungsverfahren werden Halbleiterschalen nur in einer Maschine verwendet, wobei es unter Umständen nicht notwendig ist, derartige Stapelmerkmale bereitzustellen. Außerdem besteht die Option, sich nicht an JEDEC-Standards zu halten und zuzulassen, daß der Schalenrahmen und die Verippung gemäß der vorliegenden Erfindung mit beliebigen vorgegebenen Abmessungen konstruiert werden.
  • Es versteht sich daher, daß die dargestellten Ausführungsformen der Erfindung auf eine beliebige Größe oder ein beliebiges Material eines IC-Trägers angewandt werden können. 10 zeigt ein nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthaltenes Beispiel, wobei die Verrippung 24 auf einen herkömmlichen Leitenahmen 25 angewandt wird, auf den Chips aufgebracht werden können. Indem die ICs 26 in dem Leitenahmen belassen werden, können sie weiterhin zusätzliche Fertigungsprozesse durchlaufen, wie z.B. Testverfahren, ohne in spezielle Schalenträger umgesetzt werden zu müssen. Es versteht sich, daß zahlreiche Methoden existieren, um den IC in dem Leiterrahmen zu halten und dabei die Leiter bzw. Zuleitungen 27 abzutrennen, um die einzelnen ICs elektrisch zu isolieren. In diesem Beispiel sind die Vorder- und Seitenkanten 28 des Leitenahmens nach unten gebogen, um ihm zusätzliche Steifigkeit und Starrheit zu verleihen. Diese Eigenschaften des Leitenahmens werden nur dargestellt, um ein Beispiel eines Leitenahmens zu veranschaulichen.
  • Es versteht sich, daß die dargestellten Ausführungsformen der Erfindung so variiert werden können, daß die Rippenform jede praktisch anwendbare Form annehmen kann. 11 veranschaulicht eine derartige Ausführungsform, wo die oberen und unteren Rippen 29 bzw. 30 an einer Schale 8 vom JEDEC-Typ dreieckig sind. 12 zeigt eine derartige Ausführungsform, wo die oberen und unteren Rippen 31 bzw. 32 an der Schale 8 vom JEDEC-Typ abgerundet sind.
  • 13 zeigt einen nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthaltenen Leitenahmen 25 mit Rippen 33, die vor dem Anordnen jedes ungeformten Bauelements 35 montiert werden, und mit Rippen 34, die in einer anderen, gegen die Rippen 33 versetzten Position montiert werden. Der Pfeil 9 zeigt die Strömungsrichtung an, die senkrecht zu den Rippen 33 und 34 ist.
  • Es versteht sich ferner, daß die dargestellten Ausführungsformen der Erfindung so variiert werden können, daß alle praktisch einsetzbaren Materialien verwendet werden können. Für Schalen ist das bevorzugte Material ein statisch verlustbehafteter Hochtemperaturkunststoff, der niedrige Herstellungskosten ermöglicht und seine strukturelle Integrität bei hohen Temperaturen beibehält. Ein Beispiel ist das gebräuchliche kohlenstoffgefüllte Polyethersulfon, PES.
  • Das nächste, nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthaltene Beispiel veranschaulicht, wie die Wärmekonditionierungszeit mit einer eingebauten Rauhigkeit an Oberflächen eines Trägers oder einer Schale verkürzt werden kann. In 14 ist ein Beispiel dargestellt, wobei Oberflächenrauhigkeit auf die Unterseite 36 einer Schale 8 vom JEDEC-Typ aufgebracht wird. Es versteht sich, daß dieses Beispiel so variiert werden kann, daß die Rauhigkeit als echte geometrische Struktur eingebaut werden kann, wie dargestellt, oder beispielsweise einfach durch eine Preßform mit rauher Oberfläche eine statistisch rauhe Oberfläche erzeugt werden kann. Oftmals wird eine rauhe Oberfläche mit der Textur eines Sandpapiers verglichen, obwohl die Rauhigkeit bei der vorliegenden Anwendung um Größenordnungen größer sein kann. Ein Schätzwert des Einflusses der Rauhigkeitsgröße läßt sich mit Verfahren, die in Mills, A. F., Heat Transfer, Irwin, Boston, MA, 1992, beschrieben werden, für turbulente Strömungen in Rohren mit rauher Oberfläche berechnen.
  • Das nächste Beispiel betrachtet, wie die Wärmekonditionierungszeit durch Verwendung von Rippen an einem Bauelementgehäuse verkürzt werden kann. 15 zeigt zwei vorstehende Rippen 37 und 38, die von der Oberfläche 16 des früher betrachteten IC 4 abstehen. Die Funktion, Konstruktion und Ausführungsformen solcher Rippen 37 und 38 sind ähnlich den an einem IC-Träger angebrachten Rippen. Die Rippen 37 und 38 können zum Beispiel entweder an der Oberseite oder an der Unterseite angebracht werden und sind senkrecht zur Strömung 9 ausgerichtet. Das Anbringen an der Unterseite ist jedoch wegen des ungenügenden Abstands zwischen dem IC und der Montagefläche seiner Anwendung unwahrscheinlich. Gewöhnlich, aber nicht immer, sind die ICs Bauelemente mit Oberflächenmontage. Andererseits können Rippen auf der Oberseite eines Bauelements leichter untergebracht werden. Außerdem kann durch Anordnen der Rippen in der Nähe der Kanten des Bauelementgehäuses reichlich ebene Fläche für Bestückungsautomaten verbleiben, um die Bauelemente individuell mit Saugnäpfen oder ähnlichen Greifverfahren zu handhaben.
  • Weitere nicht im Umfang der vorliegenden Erfindung enthaltene Beispiele veranschaulichen besser, wie sich die Wärmekonditionierungszeit mit einer eingebauten Rauhigkeit an einer Oberfläche eines Bauelements verkürzen läßt, die einer Strömung ausgesetzt ist. 16 zeigt eine stark aufgerauhte Oberfläche 39 eines Halbleiter-IC-Gehäuses 4. Der Bereich 40 wird eben belassen, so daß ein Sauggreifer den IC aufnehmen kann. In einer hergestellten turbulenten Strömung ist die richtige Rauhtiefe hoch genug, um die Durchmischung des Fluids zu verbessern und/oder wärmeübertragungsmindernde Strömungsschichten zu zerstören, die sich in Oberflächennähe entwickeln. Bei den betrachteten Anwendungen liegt dies Rauhtiefe typischerweise im Bereich von Bruchteilen eines Millimeters bis zu vielen Millimetern, kann aber größer oder kleiner sein. In einem besonderen Beispiel liegen die Merkmale über 0,5 mm und unter 10 mm. Stärker bevorzugt liegen die Merkmale über 1 mm Rauhtiefe, und am stärksten bevorzugt über 2 mm. Die Merkmale liegen am stärksten bevorzugt unter 5 mm.
  • Die aufgerauhten Oberflächen wären diejenigen, die der Strömung ausgesetzt sind. In Fällen, wo das Bauelement am Umfang oder an den Ecken des Gehäuses aufliegen könnte, können sowohl die Oberseite als auch die Unterseite aufgerauht werden. Es versteht sich, daß der glatte Bereich 40 eine beliebige Form annehmen oder, wenn dies gewünscht wird, gar nicht existieren kann. Zum Beispiel zeigt 17 einen IC 4 mit der Oberflächenrauhigkeit 39, der einen ringförmigen glatten Bereich 41 aufweist, um die Aufnahme des Chips mit einem Sauggreifer zu ermöglichen und dabei die nicht aufgerauhte Fläche zu minimieren.
  • Es versteht sich außerdem, daß die vorliegende Erfindung, wie sie in allen vorstehenden Ausführungsformen und den möglichen Varianten offenbart wird, nicht in einem Stück mit dem Bauelement oder der Schale hergestellt werden muß. Die vorliegende Erfindung kann in jeder Ausführungsform als separate Einheit existieren und an dem Bauelement oder der Schale befestigt, gebondet oder montiert werden.
  • Um es nochmals zu wiederholen: das Aufbringen einer Oberflächenrauhigkeit oder Verrippung, um die Wärmekonditionierungszeit durch Fördern einer nichtlaminaren Strömung zu verkürzen, unterscheidet sich grundsätzlich von der Integration oder dem Anbringen von Lamellen an einer Oberfläche – die Oberflächenrauhigkeit wird aufgebracht, um die Wärmeübertragung durch Konvektion zu erhöhen oder auszulösen. Lamellen werden angebracht, um die Wärmeübertragung durch Vergrößern der spezifischen Oberfläche eines Gegenstands, von dem Konvektion ausgeht, zu erhöhen. Das ist der Grund, weshalb diese Lamellen oder Wärmesenken oft als erweiterte Oberflächen bezeichnet werden. Die Grundlagen der Wärmeübertragung, welche die technischen Details dieses Unterschieds erläutern, sind in vielen Lehrbüchern über Wärmeübertragung zu finden, wie z.B. dem oben erwähnten Lehrbuch von Mills.
  • 18 zeigt eine "Handhabevorrichtung", die so konstruiert ist, daß sie mit Halbleiterchip-Schalen arbeitet, die Merkmale zur Erhöhung des Wirkungsgrads der Wärmeübertragung einschließen. Im Betrieb wird ein Stapel von Schalen 8 an eine Wärmekonditionierungskammer 114 übergeben. Diese Schalen 8 können gestapelt werden, wie in 9 dargestellt. Die Handhabevorrichtung enthält mechanische Vorrichtungen zum Transport der Schalen zwischen Stufen, wie nach dem Stand der Technik, und derartige mechanische Vorrichtungen sind nicht explizit dargestellt.
  • Innerhalb der Wärmekonditionierungskammer 114 sind die Schalen 8 voneinander beabstandet, wie in 6 dargestellt. Der Luftstrom 9 (6) wird durch ein Gebläse 112 erzeugt. Bei Verwendung von Rippen ist der Luftstrom senkrecht zu den Rippen ausgerichtet. Das Gebläse 112 bläst in bevorzugten Ausführungsformen erhitzte Luft aus, aber ebenso gut könnte gekühlte Luft ausgeblasen werden. Die mechanischen Vorrichtungen, welche die Schalen 8 durch die Konditionierungskammer 114 transportieren, sind nicht ausdrücklich dargestellt, sind aber mit denen nach dem Stand der Technik identisch. Diese mechanischen Vorrichtungen werden so gesteuert, daß sie jede Schale 8 innerhalb der Wärmekonditionierungskammer 114 zurückhalten, bis alle Halbleiterbauelemente in der Schale die gewünschte Temperatur erreichen.
  • Sobald die Bauelemente auf einer Schale die gewünschte Temperatur erreichen, wird diese Schale 8 aus der Wärmekonditionierungskammer 114 entnommen und einem Prüfstand 116 zugeführt. Der Prüfstand befindet sich an einer Schnittstelle zu einer automatischen Testeinrichtung, wie z.B. der von Teradyne, Inc., Agoura Hills, CA, vertriebenen Prüfanlage J973. Sobald die Bauelemente geprüft sind, wird die Schale 8 wahlweise zu einer Wärmedekonditionierungskammer 118 transportiert. Die Wärmedekonditionierungskammer 118 ist ein Ort, wo die darin enthaltenen Schalen und Bauelemente auf Umgebungstemperatur zurückkehren können. Die Wärmedekonditionierung ist wahlfrei, und ihre Anwendung ist in hohem Maße von der Temperatur abhängig, auf welche die Bauelemente vor dem Test erwärmt werden. Die Schalen 8 werden aus der Wärmedekonditionierungskammer 118 entnommen und wieder wie in 9 gestapelt.
  • In einem besonderen Beispiel nimmt die Wärmekonditionierungskammer mehrere Schalen 8 gleichzeitig auf. Während eine Schale zur Prüfung entnommen wird, wird eine andere Schale hinzugefügt. Die Schalen bilden eine Warteschlange bis in ins Innere der Wärmekonditionierungskammer 114, so daß mehrere Schalen gleichzeitig erwärmt werden können, wodurch der Durchsatz erhöht wird. Die Anzahl der Schalen, die sich gleichzeitig in der Wärmekonditionierungskammer 114 befinden müssen, um einen bestimmten Durchsatz zu erreichen, nimmt jedoch im Verhältnis zu der Geschwindigkeit ab, mit der sich die Bauelemente in den Schalen erwärmen. Da die Erwärmungsgeschwindigkeit der Halbleiterbauelemente durch die Erfindung erhöht wird, brauchen sich daher weniger Schalen gleichzeitig innerhalb der Wärmekonditionierungskammer 114 zu befinden. Die Größe der Wärmekonditionierungskammer 114 und damit die Gesamtgröße der Handhabevorrichtung kann auf diese Weise verringert werden.
  • Natürlich könnte die Erfindung auch angewandt werden, um andere Typen von Halbleiterverarbeitungsanlagen kleiner oder schneller zu machen.
  • Die Erfindung wird ausschließlich durch die beigefügten Patentansprüche definiert.

Claims (11)

  1. Schale (3) zum Tragen und thermischen Konditionieren einer Vielzahl von Halbleitereinrichtungen (4), umfassend: einen Rahmen (1), der einen Raum definiert, ein Netz von Rippen, die in dem Raum gebildet sind, zum Definieren von einer Vielzahl von im wesentlichen rechteckförmigen Taschen (3), wobei jede Tasche einen zentralen Abschnitt und eine planare Basis, die in dem zentralen Abschnitt jeder Tasche gebildet ist, aufweist, zum Haltern von einem der Vielzahl von Halbleitereinrichtungen, wobei das Netz von Rippen eine erste Vielzahl von Rippen (11, 14, 15, 29, 31) und eine zweite Vielzahl von Rippen einschließt, wobei jede Rippe in der ersten Vielzahl im wesentlichen orthogonal zu den Rippen in der zweiten Vielzahl ist, dadurch gekennzeichnet, dass: jede Rippe (11, 14, 15, 29, 31) in der ersten Vielzahl sich auf eine spezifizierte Höhe über den Rippen in der zweiten Vielzahl erstreckt, wodurch ein Konvexionswärmetransfer zu oder von der Schale und den Halbleitereinrichtungen, wenn sie darauf gehaltert werden, verbessert wird, wenn ein Fluid (9) über die Schale senkrecht zu der ersten Vielzahl von Rippen (11, 14, 15, 29, 31) fließt.
  2. Schale nach Anspruch 1, wobei der Rahmen eine obere Kante einschließt, und wobei die spezifizierte Höhe über der oberen Kante des Rahmens ist.
  3. Schale nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine dritte Vielzahl von Rippen (13, 30, 32), wobei jede Rippe (13, 30, 32) in der dritten Vielzahl sich senkrecht nach unten zu der Ebene der Basen erstreckt und sich parallel zu den Rippen in der ersten Vielzahl erstreckt.
  4. Schale nach Anspruch 3, wobei der Rahmen ferner eine untere Kante umfasst, und wobei jede sich nach unten erstreckende Rippe sich über die untere Kante des Rahmens hinaus erstreckt.
  5. Schale nach Anspruch 4, wobei die erste Vielzahl von Rippen und die dritte Vielzahl abgestuft sind, wodurch ein Hohlraum (20) unterhalb jeder Rippe der ersten Vielzahl gebildet wird.
  6. Schale nach Anspruch 5, wobei jeder Hohlraum dafür ausgelegt ist, um eine der Rippen in der ersten Vielzahl einer anderen Schale aufzunehmen, wodurch eine Stapelung von Schalen erlaubt wird.
  7. Schale nach Anspruch 3, wobei jede Basis einen Ausschnitt zum Freilegen einer Bodenfläche einer jeweiligen gehalternden Einrichtung, die sich unter einem Test befindet, einschließt.
  8. Schale nach Anspruch 3, wobei jede Rippe (29) in der ersten Vielzahl und jede Rippe (30) in der dritten Vielzahl eine dreieckförmige Form aufweist.
  9. Schale nach Anspruch 3, wobei jede Rippe (31) in der ersten Vielzahl und jede Rippe (32) in der dritten Vielzahl eine gerundete Form aufweist.
  10. Schale nach Anspruch 1, wobei jede Rippe (11, 14, 15, 29, 31) in der ersten Vielzahl konfiguriert ist, um sich über die obere Oberfläche der Halbleitereinrichtung, wenn in den rechteckförmigen Taschen angeordnet, um mehr als 1 mm und weniger als 10 mm zu erstrecken.
  11. Schale nach Anspruch 10, wobei jede Rippe (11, 14, 15, 29, 31) in der ersten Vielzahl konfiguriert ist, um sich über die obere Oberfläche von einer Halbleitereinrichtung, wenn in den rechteckförmigen Taschen angeordnet, um mehr als 2 mm und weniger als 5 mm zu erstrecken.
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