DE69714958T2

DE69714958T2 - Oszillatorschaltung, elektronische Schaltung damit, diese benutzende Halbleitervorrichtung, elektronisches Gerät und Uhrwerk

Info

Publication number: DE69714958T2
Application number: DE69714958T
Authority: DE
Inventors: Tadao Kadowaki; Yoshiki Makiuchi; Shinji Nakamiya; Hiroshi Yabe
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1996-12-27
Filing date: 1997-12-19
Publication date: 2003-04-10
Anticipated expiration: 2017-12-20
Also published as: HK1016362A1; US6046648A; CN1222105C; DE69714958D1; EP0851323A1; EP0851323B1; CN1197326A

Description

Bereich der Erfindung

Diese Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung, eine diese Oszillatorschaltung verwendende elektronische Schaltung sowie ein Halbleiterbauelement, ein elektronisches Gerät und eine Uhr, die jene Osziliatorschaltung oder elektronische Schaltung verwenden.

Beschreibung des Stands der Technik

Oszillatorschaltungen, die Kristalloszillatoren verwenden, werden im Stand der Technik in Vorrichtungen wie beispielsweise tragbaren Uhren, tragbaren Telefonen und Computer-Terminals in großem Umfang eingesetzt. Es ist erforderlich, solche tragbaren elektronischen Geräte so auszulegen, daß deren Stromverbrauch ökonomisch ist und daß sie längere Batterielebensdauern aufweisen.
Diese Kristalloszillatorschaltung umfaßt einen Umkehrverstärker und eine Rückkopplungsschaltung, die mit einem Kristalloszillator versehen ist. Der Umkehrverstärker umfaßt ein Paar Transistoren, wobei beispielsweise das Gate jedes dieser Transistoren als Eingangsseite verwendet wird und deren Drain als Ausgangsseite verwendet wird. In diesem Fall sind die Drain-Seiten dieser zwei Transistoren zusammengeschlossen, und deren Source-Seiten sind mit Masse bzw. einer Speisespannungsseite verbunden.
Wenn die Speisespannung an den Umkehrverstärker in der Kristalloszillatorschaltung dieser Konfiguration angelegt wird, wird die Phase des Ausgangssignals des Umkehrverstärkers um 180º umgekehrt, und das so umgekehrte Signal wird an das Gate jedes Transistors als Eingangssignal zurückgekoppelt. Die den Umkehrverstärker bildenden Transistoren werden durch die Betriebsweise dieser Rückkopplung alternierend ein- und ausgeschaltet, das Oszillationsausgangssignal der Kristalloszillatorschaltung wird allmählich größer, und somit beginnt der Oszillator, stabil zu oszillieren.
Der Absolutwert einer an den Umkehrverstärker bei dieser Kristalloszillatorschaltung gemäß dem im Stand der Technik angelegten Spannung Vreg wird jedoch so gewählt, daß er größer als die Summe der Absolutwerte der Schwellenspannungen VTP und VTN der Transistoren in dieser Schaltung ist, wie folgt:
Vreg > VTP + VTN (1)
Dies ist der Grund für einen Kurzschlußstrom IS, der von der Seite hohen Potentials zur Seite niedrigen Potentials innerhalb des Umkehrverstärkers fließt, was ein Problem bereitet, wenn versucht wird, den Stromverbrauch der gesamten Schaltung zu reduzieren.
US-A-4,459,565 offenbart einen elektronischen Oszillator mit niedrigem Strom und versucht, diesen Kurzschlußstrom dadurch zu vermeiden, daß spezielle Vorspannschaltungen hinzugefügt werden, die so ausgelegt sind, daß die Transistoren des Umkehrverstärkers so vorgespannt werden, daß vermieden wird, das sie beide gleichzeitig eingeschaltet sind. Diese Lösung erfordert jedoch zusätzliche Schaltungen.
US-A-3,887,881 offenbart eine Oszillatorschaltung, die einen CMOS-Verstärker mit niedriger Spannung einsetzt, der so ausgelegt ist, daß die zum Betreiben des Verstärkers erforderliche Spannung nur größer zu sein braucht als die Schwellenspannung jedes Verstärkungstransistors, anstatt daß sie größer sein müßte als die kombinierten Schwellenspannungen beider Verstärkungstransistoren. Die Speisespannung für diesen Niederspannungsverstärker ist im Vergleich zur Speisespannung von Verstärkern gemäß dem Stand der Technik reduziert, indem spezielle Vorspannschaltungen zum Vorspannen der zwei Transistoren des Verstärkers hinzugefügt werden.
In ähnlicher Weise offenbaren US-A-4,352,073, US-A-4,405,906 und US-A-4,095,195 Verstärker zur Verwendung in Oszillatorschaltungen, wobei unterschiedliche Vorspannungen an die zwischen Speisespannungsanschlüsse in Serie geschalteten Verstärkungstransistoren angelegt werden, um den Leistungsverbrauch zu reduzieren. Während alle diese Schaltungen den Leistungsverbrauch reduzieren können, erfordern sie zusätzliche Schaltungselemente, welche diese Verstärker verteuern und größer machen, wenn sie als integrierte Schaltung gebildet werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe dieser Erfindung besteht darin, den vorgenannten Kurzschlußstrom, der durch den Umkehrverstärker fließt, zu reduzieren und somit eine Oszillatorschaltung, die mit niedrigerem Leistungsverbrauch oszillieren kann, eine elektronische Schaltung, die eine solche Oszillatorschaltung verwendet, sowie ein Halbleiterbauelement, ein elektronisches Gerät und eine Uhr zu schaffen, die diese Oszillatorschaltung oder elektronische Schaltung verwenden.
Diese Aufgabe wird mit einer Oszillatorschaltung gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Mit der Oszillatorschaltung von Anspruch 1 ist es möglich, den durch den Umkehrverstärker fließenden Kurzschlußstrom zu beschränken, wodurch es möglich wird, eine Oszillatorschaltung zu schaffen, die mit geringerem Leistungsverbrauch oszillieren kann.
Bei der Ausführungsform gemäß Anspruch 2 startet, wenn eine Spannung an den Umkehrverstärker in der Kristalloszillatorschaltung angelegt wird, die Erregung des Kristalloszillators. Die Phase des Ausgangssignals des Umkehrverstärkers wird durch die Rückkoppelungsschaltung umgekehrt, und es wird als Eingangssignal zurückgekoppelt. Die Betriebsabläufe des Invertierens bzw. Umkehrens, Verstärkens und Ausgebens dieses Rückkopplungseingangssignals durch den Umkehrverstärker werden wiederholt.
Während dieser Zeit werden das erste und das zweite Halbleiterschaltelement, die den Umkehrverstärker bilden, so gesteuert, daß sie durch dieses Rückkopplungseingangssignal zu jeweils unterschiedlichen Zeitpunkten ein- und ausgeschaltet werden, um den Kristalloszillator zu erregen.
Wie oben ausgeführt, wird die Summe aus den Absolutwerten der Schwellenspannungen des ersten und des zweiten Halbleiterschaltelements so gewählt, daß sie größer oder gleich dem Absolutwert der Speisespannung des Umkehrverstärkers ist. Dies verhindert, daß das erste und das zweite Halbleiterschaltelement so gesteuert werden, daß sie gleichzeitig einschalten, wenn die Schaltung in Betrieb ist, und als Folge kann der durch den Umkehrverstärker fließende Kurzschlußstrom stark reduziert werden, wodurch es möglich ist, den Leistungsverbrauch zu reduzieren.
Insbesondere durch Ausgestaltung des ersten und des zweiten Transistors in einer solchen Weise, daß die Schwellenspannungsbedingungen erfüllt sind, besteht kein weiterer Bedarf an Mitteln zum Umgang mit diesem Kurzschlußstrom, wodurch es überflüssig wird, spezielle Schaltungskomponenten zu verwenden, um diesem Kurzschlußstrom entgegenzuwirken. Dies ermöglicht es, den Leistungsverbrauch der Kristalloszillatorschaltung ohne Beeinträchtigung des Integrationsgrads der gesamten Schaltung zu reduzieren.
Es ist festzuhalten, daß es erforderlich ist, jeden der Absolutwerte der Schwellenspannungen dieses ersten und dieses zweiten Halbleiterschaltelements so zu wählen, daß sie kleiner als der Absolutwert der Speisespannung des Umkehrverstärkers sind.
Gemäß einem zweiten Aspekt dieser Erfindung wird eine elektronische Schaltung geschaffen, welche die obige Oszillatorschaltung dieser Erfindung umfaßt.
In ähnlicher Weise wird gemäß einem dritten Aspekt dieser Erfindung ein Halbleiterbauelement geschaffen, das eine der obigen Oszillatorschaltungen oder die elektronische Schaltung dieser Erfindung umfaßt.
Des weiteren wird gemäß einem vierten Aspekt dieser Erfindung ein elektronisches Gerät geschaffen, das eine der obigen Oszillatorschaltungen oder die elektronische Schaltung dieser Erfindung umfaßt.
Dies kann den Leistungsverbrauch eines tragbaren elektronischen Geräts wie beispielsweise eines tragbaren Telefons oder eines Computer-Terminals reduzieren und ermöglicht es somit, dessen Leistungsverbrauch aus einer internen Batterie oder einer Hilfsbatterie zu reduzieren.
Schließlich wird gemäß einem fünften Aspekt dieser Erfindung eine Uhr geschaffen, die eine der obigen Oszillatorschaltungen oder die elektronische Schaltung dieser Erfindung umfaßt.
Dies ermöglicht es, eine tragbare Uhr zu implementieren, die einen geringen Leistungsverbrauch aufweist, was das Design einer Uhr ermöglicht, die kleiner ist und eine noch kleinere Batterie verwendet. Alternativ könnte deren Batterielebensdauer selbst dann verlängert werden, wenn eine Batterie der gleichen Kapazität verwendet wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform der Kristalloszillatorschaltung gemäß dieser Erfindung;
Fig. 2 ist ein Zeitlagediagramm einer Schaltung gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 3 ist ein Zeitlagediagramm der Schaltung von Fig. 1;
Fig. 4 ist eine Zeichnung zur Erläuterung der Beziehung zwischen den Schwellenspannungen, dem Stromquellenpotential und dem Massepotential der Schaltung gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 5 ist eine Zeichnung zur Erläuterung der Beziehung zwischen den Schwellenspannungen, dem Stromquellenpotential und dem Massepotential der ersten Ausführungsform; und
Fig. 6 ist ein Graph der VGS-ID-Charakteristik eines Anreicherungs-Isolierschicht-Transistors.

BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN

Bevorzugte Ausführungsformen dieser Erfindung werden nachstehend unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Eine Kristalloszillatorschaltung, die sich auf eine Ausführungsform dieser Erfindung bezieht, ist in Fig. 1 gezeigt. Die Kristalloszillatorschaltung dieser Ausführungsform ist eine, wie sie in einer Quarzarmbanduhr verwendet wird.
Diese Kristalloszillatorschaltung umfaßt einen Umkehrverstärker 30 und eine Rückkopplungsschaltung. Diese Rückkopplungsschaltung umfaßt einen Kristalloszillator 10, einen Widerstand 14 und Phasenausgleichskondensatoren 16 und 18. Sie kehrt die Phase eines Ausgangssignals VD(t) des Umkehrverstärkers 30 um 180º um und gibt das umgekehrte Signal als ein Gate-Signal VG(t) am Gate des Umkehrverstärkers 30 als Rückkoppelung ein.
Die Konfiguration des Umkehrverstärkers 30 ist so, daß er zwischen die Seite eines ersten Poten tials und die Seite eines zweiten Potentials, welches ein niedrigeres Potential darstellt, geschaltet ist, und er wird durch die Potentialdifferenz zwischen diesen zwei Potentialen betrieben. In diesem speziellen Fall wird das erste Potential auf das Massepotential VDD gesetzt, und das zweite Potential wird auf ein negatives Stromquellenpotential Vreg gesetzt, das von einem Speisestromschaltungsteil 60 geliefert wird.
Der Umkehrverstärker 30 umfaßt eine erste Schaltung 40 und eine zweite Schaltung 50.
Die erste Schaltung 40 umfaßt einen p-leitenden Feldeffekttransistor 42, der als erstes Halbleiterschaltelement dient. Die Source dieses Transistors 42 ist mit Masse verbunden, dessen Drain ist mit der Seite eines Ausgangsanschlusses 79 verbunden, und das Rückkopplungssignal VG(t) wird an dessen Gate angelegt.
Die zweite Schaltung 50 umfaßt einen n-leitenden Feldeffekttransistor 52, der als zweites Halbleiterschaltelement dient. Die Source dieses Transistors 52 ist mit der Seite des Stromquellenanschlusses des Speisestromschaltungsteils 60 verbunden, dessen Drain ist mit der Seite des Ausgangsanschlusses 79 verbunden (in diesem Fall ist sie tatsächlich mit dem Drain des Transistors 42 verbunden), und das Rückkopplungssignal VG(t) wird an dessen Gate angelegt.
Ein Transistor, der sowohl ein p-leitender als auch ein Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor ist, wird als Transistor 42 verwendet, und ein Transistor, der sowohl ein n-leitender als auch ein Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistor ist, wird als Transistor 52 verwendet. Die Werte der Schwellenspannung VTP des Transistors 42 und der Schwellenspannung VTN des Transistors 52 sind so gewählt, daß deren Gesamtabsolutwert größer oder gleich dem Absolutwert der an den Umkehrverstärker 30 angelegten Speisespannung ist (in dieser Ausführungsform ist die Speisespannung Vreg, welche die Potentialdifferenz zwischen dem Massepotential und dem Stromquellenpotential ist, da das Massepotential VDD auf Null gesetzt ist), wie durch die folgende Gleichung gegeben:
Vreg ≤ VTP + VTN (2)
Außerdem sind die Absolutwerte der Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 jeweils so gewählt, daß sie kleiner als der Absolutwert der Speisespannung sind, wie folgt:
Vreg > VTP
Vreg > VTN (3)
Dies stellt sicher, daß der Kurzschlußstrom, der durch den Umkehrverstärker 30 der Kristalloszillatorschaltung dieser Ausführungsform fließt, stark reduziert wird, wodurch es ermöglicht wird, deren Stromverbrauch zu reduzieren.
Die Gründe hierfür werden nachstehend diskutiert.
Ein Zeitlagediagramm einer Kristalloszillatorschaltung gemäß dem Stand der Technik ist in Fig. 2 gezeigt, und ein Zeitlagediagramm der Kristalloszillatorschaltung dieser Erfindung ist in Fig. 3 gezeigt. In jeder dieser Figuren ist die ab dem Anlegen der Speisespannung Vreg von dem Speisestromschaltungsteil 60 verstrichene Zeit auf der horizontalen Achse aufgetragen, wobei das Rückkopplungseingangssignal VG(t) für den Umkehrverstärker 30 und der Ein/Aus-Zustand der Transistoren 42 und 52 auf der vertikalen Achse aufgetragen sind.
Wie zuvor erwähnt, sind die Schwellenspannungen der zwei Transistoren, die den Umkehrverstärker der Kristalloszillatorschaltung gemäß dem Stand der Technik bilden, so gewählt, daß die obige Gleichung (1) erfüllt ist. Die Beziehungen zwischen den Schwellenspannungen dieser Transistoren, dem Massepotential VDD und dem Stromquellenpotential Vreg in diesem Fall sind graphisch in Fig. 4 dargestellt. Wenn in anderen Worten der Wert des Rückkopplungseingangssignals VG(t) für den Umkehrverstärker bezüglich der Potentiale der Schwellenspannungen VTP und VTN so gewählt wird, daß er in den folgenden Bereich fällt:
VTP > VG(t) > VTN,
werden beide Transistoren eingeschaltet, und dadurch findet eine Periode mit Kurzschluß statt.
Daher tritt, während diese Transistoren durch das Rückkopplungssignal VG(t) alternierend ein- und ausgeschaltet werden, periodisch eine Zeit auf, wahrend der beide der Transistoren eingeschaltet sind, wie in Fig. 2 gezeigt, so daß ein Kurzschlußstrom von der Seite hohen Potentials (VDD) zur Seite niedrigen Potentials (Vreg) fließt, was eine Verhinderung jeglicher Reduzierung des Stromverbrauchs darstellt.
Im Gegensatz dazu sind die Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 bei dieser Ausführungsform so gewählt, daß die obigen Gleichungen (2) und (3) erfüllt sind. Die Beziehungen zwischen den Schwellenspannungen, dem Massepotential VDD und dem Stromquellenpotential Vreg in diesem Fall sind in Fig. 5 gezeigt. Das heißt, wenn der Wert des Rückkopplungseingangssignals VG(t) für den Umkehrverstärker 30 so gewählt wird, daß er bezüglich der Potentiale der Schwellenspannungen VTP und VTN in den folgenden Bereich fällt:
VTN > VG(t) > VTP,
werden die zwei Transistoren 42 und 52 zuverlässig ausgeschaltet, so daß keine gemeinsame Einschaltzeitspanne vorhanden ist, während der beide Transistoren 42 und 52 eingeschaltet sind, wie dies beim Stand der Technik der Fall ist.
In anderen Worten ist, wie in Fig. 3 gezeigt, während die Transistoren 42 und 52 durch das Rückkopplungssignal VG(t) alternierend ein- und ausgeschaltet werden, keine Zeitspanne vorhanden, wahrend der beide der Transistoren 42 und 52 eingeschaltet sind, so daß der Kurzschlußstrom, der im Stand der Technik Probleme bereitet, stark reduziert wird, und daher kann der Stromverbrauch der Kristalloszillatorschaltung reduziert werden.
Dieses Verfahren, wie dem Kurzschlußstrom des Umkehrverstärkers 30 dieser Ausführungsform begegnet wird, kann insbesondere implementiert werden, ohne die Anzahl an Schaltungskomponenten zu erhöhen.
Des weiteren werden die Absolutwerte der Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 dieser Ausführungsform jeweils so gewählt, daß sie niedriger als der Absolutwert der Speisespannung Vreg sind, wie durch die Gleichung (3) gezeigt. Dies ermöglicht es, einen reduzierten Stromverbrauch unter Beibehaltung einer stabilen Oszillation der Kristalloszillatorschaltung zu implementieren.
In anderen Worten übersteigt der Absolutwert der Amplitude des Rückkopplungssignals VG(t) des Umkehrverstärkers 30 in der Kristalloszillatorschaltung den Absolutwert der Speisespannung Vreg des Umkehrverstärkers nicht. Dies bedeutet, daß die Transistoren 42 und 52 so gesteuert werden können, daß sie in stabiler Weise alternierend ein- und ausschalten, indem die Absolutwerte der Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 so gewählt werden, daß sie die Gleichungen (3) erfüllen.
Experimente, die von den vorliegenden Erfindern durchgeführt wurden, haben verifiziert, daß ein zufriedenstellender Oszillationszustand beibehalten und der Stromverbrauch reduziert werden kann, wenn eine Oszillatorschaltung durch eine Speisespannung Vreg mit einem Absolutwert von 0,9 Volt betrieben wird, selbst wenn die Summe der Absolutwerte der Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 innerhalb des folgenden Bereichs variiert:
1,4 Volt > VTP + VTN > 0,9 Volt
Außerdem werden bei dieser Ausführungsform die Sperrleckströme der Transistoren 42 und 52 aus nachstehend beschriebenen Gründen reduziert, wodurch es möglich ist, den Stromverbrauch der gesamten Schaltung weiter zu reduzieren.
Ein Graph der Charakteristik der Beziehung zwischen dem Drain-Strom ID eines Anreicherungsisolierschicht-Transistors und der Spannung VGS zwischen dessen Gate und Source ist in Fig. 6 gezeigt. Aus diesem Graph ist ersichtlich, daß die ID-VGS-Charakteristikkurve eines Anreicherungsisolierschicht-Transistors nach links verschoben wird und dessen Sperrleckstrom zunimmt, wie durch die gestrichelten Linien in der Figur gezeigt, wenn die Schwellenspannung kleiner gemacht wird (in diesem Graph schaltet der Transistor aus, wenn VGS kleiner oder gleich der Schwellenspannung VTH ist, aber in diesem Bereich fließt der Strom ID immer noch als Sperrleckstrom durch den Transistor, wie durch die gestrichelten Linien in der Figur gezeigt).
Daher ist, wenn die Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 niedrig gewählt werden, wie bei der Oszillatorschaltung gemäß dem Stand der Technik, der Sperrleckstrom bei und unterhalb der Schwellenspannung größer, und der Stromverbrauch ist um dieses Maß erhöht.
Im Gegensatz dazu werden, da die Schwellenspannungen der Transistoren 42 und 52 bei dieser Ausführungsform auf große Werte eingestellt sind, wie durch Gleichung (2) gezeigt, die Werte der Sperrleckströme, die durch die Transistoren 42 und 52 fließen, stark reduziert, weshalb der Stromverbrauch der gesamten Schaltung reduziert werden kann.
Es ist festzuhalten, daß diese Erfindung nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist, und sie kann innerhalb des Bereichs der Erfindung in verschiedenen Weisen modifiziert werden.
Die Beschreibung der obigen Ausführungsform basiert beispielsweise auf einer Konfiguration, bei der jede der ersten und der zweiten Schaltungen 40 und 50 als Beispiel einen einzigen Transistor aufweisen, es könnten jedoch auch andere Konfigurationen vorgesehen sein, bei denen erforderlichenfalls andere Schaltelemente in die Schaltungen integriert sein könnten, ohne irgendeinen Funktionsverlust bei der ersten und der zweiten Schaltung 40 bzw. 50 zu verursachen.
Außerdem ist es bevorzugt, daß ein Halbleiterbauelement so hergestellt wird, daß es die Kristalloszillatorschaltung der obigen Ausführungsformen umfaßt, oder eine elektronische Schaltung, die eine derartige Kristalloszillatorschaltung umfaßt, und dieses Halbleiterbauelement könnte in tragbare elektronische Geräte eingebaut werden, die eine beschränkte Stromversorgung aufweisen, wie beispielsweise ein tragbares Telefon, ein tragbares Computer-Terminal oder irgendeine andere Art von tragbarem Gerät.

Claims

1. Oszillatorschaltung, umfassend:

einen Umkehrverstärker (30), der ein erstes Halbleiterschaltelement (42) und ein zweites Halbleiterschaltelement (52) enthält;

dadurch gekennzeichnet, daß die Summe aus dem Absolutwert der Schwellenspannung (VTP) des ersten Halbleiterschaltelements (42) und dem Absolutwert der Schwellenspannung (VTN) des zweiten Halbleiterschaltelements (52) so gewählt ist, daß sie größer oder gleich dem Absolutwert der Speisespannung (Vreg) des Umkehrverstärkers (30) ist,

so daß verhindert wird, daß das erste und das zweite Halbleiterschaltelement (42, 52) gleichzeitig eingeschaltet sind, um einen durch den Umkehrverstärker fließenden Kurzschlußstrom zu begrenzen.

2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1,

umfassend eine Rückkopplungsschaltung mit einem Kristalloszillator (10), der zwischen die Ausgangs- und die Eingangsseite des Umkehrverstärkers (30) geschaltet ist, zum Veranlassen, daß die Phase des Ausgangssignals aus dem Umkehrverstärker (30) umgekehrt wird, und zum Rückkoppeln des so umgekehrten Signals zurück zu dem Umkehrverstärker als ein Eingangssignal;

wobei der Umkehrverstärker eine das erste Halbleiterschaltelement (42) enthaltende erste Schaltung und eine das zweite Halbleiterschaltelement (52) enthaltende zweite Schaltung umfaßt;

wobei das erste Halbleiterschaltelement (42) an die Seite eines ersten Potentials (VDD) angeschlossen ist und so gesteuert ist, daß es durch das Rückkopplungseingangssignal ein- und ausgeschaltet wird, um den Kristalloszillator zu erregen;

wobei das zweite Halbleiterschaltelement (52) an die Seite eines zweiten Potentials (Vreg) angeschlossen ist, das sich von dem ersten Potential unterscheidet, und so gesteuert wird, daß es durch das Rückkopplungseingangssignal mit einer Zeitlage ein- und ausgeschaltet wird, die sich von derjenigen des ersten Halbleiterschaltelements (42) unterscheidet, um den Kristalloszillator zu erregen.

3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das erste und das zweite Halbleiterschaltelement (42, 52) durch Verwendung von Feldeffekttransistorelementen unterschiedlicher Leitfähigkeitstypen konfiguriert sind.

4. Elektronische Schaltung, umfassend die Oszillatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3.

5. Halbleiterbauelement, umfassend die Oszillatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 oder die elektronische Schaltung von Anspruch 4.

6. Elektronisches Gerät, umfassend die Oszillatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 oder die elektronische Schaltung von Anspruch 4.

7. Uhr, umfassend die Oszillatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 oder die elektronische Schaltung von Anspruch 4.