DE69702567D1 - Intergrierte Halbleiterschaltung mit einer Unterbrecherschaltung zwischen Substratspannungsdetektorschaltung und einer gemeinsamen Leiterbahn zur Verringerung elektrostatischer Schäden - Google Patents

Intergrierte Halbleiterschaltung mit einer Unterbrecherschaltung zwischen Substratspannungsdetektorschaltung und einer gemeinsamen Leiterbahn zur Verringerung elektrostatischer Schäden

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FR2971366B1 (fr) * 2011-02-09 2013-02-22 Inside Secure Micro plaquette de semi-conducteur comprenant des moyens de protection contre une attaque physique

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0658925B2 (ja) * 1983-10-31 1994-08-03 株式会社東芝 集積回路試験装置
JPS6132464A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Nec Corp Cmos型集積回路装置
JPS634492A (ja) * 1986-06-23 1988-01-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH081760B2 (ja) * 1987-11-17 1996-01-10 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
FR2623652A1 (fr) * 1987-11-20 1989-05-26 Philips Nv Unite de memoire statique a plusieurs modes de test et ordinateur muni de telles unites
JPH02137254A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 基板電位検知回路
JPH0329183A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Matsushita Electron Corp 半導体メモリ
US5120993A (en) * 1990-02-05 1992-06-09 Texas Instruments Incorporated Substrate bias voltage detection circuit
JP2557271B2 (ja) * 1990-04-06 1996-11-27 三菱電機株式会社 内部降圧電源電圧を有する半導体装置における基板電圧発生回路
JPH04307763A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
JPH0590504A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体保護装置
US5428621A (en) * 1992-09-21 1995-06-27 Sundisk Corporation Latent defect handling in EEPROM devices

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