DE69614215D1 - Verfahren zum Belichten der Randbereiche eines Halbleiterwafers zum Entfernen von nicht benötigten Resist, und Gerät zur Ausführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Belichten der Randbereiche eines Halbleiterwafers zum Entfernen von nicht benötigten Resist, und Gerät zur Ausführung des VerfahrensInfo
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JP2002217084A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 |
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JP4019651B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2007-12-12 | ウシオ電機株式会社 | 周辺露光装置 |
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WO2004111089A2 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | WYETH A Corporaton of the State of Delaware | Platelet glycoprotein ib alpha variant fusion polypeptides and methods of use thereof |
US20050248754A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Chun-Sheng Wang | Wafer aligner with WEE (water edge exposure) function |
US7799166B2 (en) * | 2004-09-20 | 2010-09-21 | Lsi Corporation | Wafer edge expose alignment method |
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JP6322840B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト膜除去方法、レジスト膜除去装置及び記憶媒体 |
JP6308958B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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US5168021A (en) * | 1989-09-21 | 1992-12-01 | Ushio Denki | Method for exposing predetermined area of peripheral part of wafer |
JP2534567B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1996-09-18 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
JP2874280B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1999-03-24 | 株式会社ニコン | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
JPH0775220B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1995-08-09 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ上の不要レジスト露光方法 |
US5329354A (en) * | 1991-04-24 | 1994-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Alignment apparatus for use in exposure system for optically transferring pattern onto object |
JPH05129183A (ja) * | 1991-06-20 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | パターン露光装置 |
JPH053153A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Ushio Inc | ウエハ上の不要レジスト露光装置 |
JP3089798B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2000-09-18 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置 |
US5420663A (en) * | 1993-03-19 | 1995-05-30 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing peripheral portion of substrate |
JPH0775220A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 配電盤の扉開閉機構 |
JPH0799399A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 位置合わせ装置 |
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