DE69517547D1 - Strahlungsempfindliche Mischung - Google Patents

Strahlungsempfindliche Mischung

Info

Publication number
DE69517547D1
DE69517547D1 DE69517547T DE69517547T DE69517547D1 DE 69517547 D1 DE69517547 D1 DE 69517547D1 DE 69517547 T DE69517547 T DE 69517547T DE 69517547 T DE69517547 T DE 69517547T DE 69517547 D1 DE69517547 D1 DE 69517547D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation sensitive
sensitive mixture
mixture
radiation
sensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69517547T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69517547T2 (de
Inventor
Seiya Masuda
Munirathna Padmanaban
Takanori Kudo
Yoshiaki Kinoshita
Natsumi Suehiro
Yuko Nozaki
Hiroshi Okazaki
Klaus Juergen Przybilla
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EMD Performance Materials Corp
Original Assignee
Clariant Finance BVI Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clariant Finance BVI Ltd filed Critical Clariant Finance BVI Ltd
Publication of DE69517547D1 publication Critical patent/DE69517547D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69517547T2 publication Critical patent/DE69517547T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
DE69517547T 1994-04-13 1995-04-13 Strahlungsempfindliche Mischung Expired - Lifetime DE69517547T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7500094 1994-04-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69517547D1 true DE69517547D1 (de) 2000-07-27
DE69517547T2 DE69517547T2 (de) 2001-03-08

Family

ID=13563514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69517547T Expired - Lifetime DE69517547T2 (de) 1994-04-13 1995-04-13 Strahlungsempfindliche Mischung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5663035A (de)
EP (1) EP0677788B1 (de)
KR (1) KR100387319B1 (de)
DE (1) DE69517547T2 (de)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08262720A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Hoechst Ind Kk 可塑剤を含む放射線感応性組成物
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
JP3679205B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US5866299A (en) * 1997-06-18 1999-02-02 Shipley Company, L.L.C. Negative photoresist composition
KR100551653B1 (ko) * 1997-08-18 2006-05-25 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성수지조성물
JP3228193B2 (ja) * 1997-08-27 2001-11-12 日本電気株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US6174646B1 (en) * 1997-10-21 2001-01-16 Konica Corporation Image forming method
JP3052917B2 (ja) * 1997-10-24 2000-06-19 日本電気株式会社 化学増幅系レジスト
JP3955385B2 (ja) * 1998-04-08 2007-08-08 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 パターン形成方法
KR100275748B1 (ko) * 1998-10-29 2001-03-02 윤종용 베이스 폴리머에 디알킬 말로네이트를 포함하는 레지스트 조성물
US6852466B2 (en) 1998-12-23 2005-02-08 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging
US6200728B1 (en) * 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
KR100538501B1 (ko) 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법
US6365322B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
JP4562240B2 (ja) * 2000-05-10 2010-10-13 富士フイルム株式会社 ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4645789B2 (ja) * 2001-06-18 2011-03-09 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
EP1480079A3 (de) * 2002-06-07 2008-02-13 FUJIFILM Corporation Photoempfindliche Harzzusammensetzung
US20100136477A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-03 Ng Edward W Photosensitive Composition
EP2539316B1 (de) 2010-02-24 2019-10-23 Basf Se Latente säuren und ihre verwendung
KR101841000B1 (ko) * 2010-07-28 2018-03-22 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트 조성물
TWI521302B (zh) 2010-08-30 2016-02-11 住友化學股份有限公司 阻劑組成物及阻劑圖案的產生方法
JP5879834B2 (ja) 2010-11-15 2016-03-08 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829941B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034025B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947053B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034026B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947051B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829940B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898521B2 (ja) * 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898520B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829939B2 (ja) * 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6005964B2 (ja) * 2011-04-07 2016-10-12 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5934536B2 (ja) * 2011-04-07 2016-06-15 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6022788B2 (ja) 2011-04-07 2016-11-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5852490B2 (ja) 2011-04-07 2016-02-03 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977593B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5990041B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013799B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5985898B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6189020B2 (ja) 2011-07-19 2017-08-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013797B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130630B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977594B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013798B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130631B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5996944B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-21 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977595B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5912912B2 (ja) * 2011-07-19 2016-04-27 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US8614047B2 (en) 2011-08-26 2013-12-24 International Business Machines Corporation Photodecomposable bases and photoresist compositions
CN107207456B (zh) 2015-02-02 2021-05-04 巴斯夫欧洲公司 潜酸及其用途

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1174448A (en) * 1967-10-05 1969-12-17 Dow Chemical Co Water Soluble Sulfonium Compounds.
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3541534A1 (de) * 1985-11-25 1987-05-27 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
JPH02120366A (ja) * 1988-10-31 1990-05-08 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5238747A (en) * 1989-12-29 1993-08-24 The Dow Chemical Company Photocurable compositions
DE4112968A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0551105A3 (en) * 1992-01-07 1993-09-15 Fujitsu Limited Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern
JP2654892B2 (ja) * 1992-07-27 1997-09-17 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP0677788A1 (de) 1995-10-18
KR100387319B1 (ko) 2004-05-07
KR950033674A (ko) 1995-12-26
US5663035A (en) 1997-09-02
DE69517547T2 (de) 2001-03-08
EP0677788B1 (de) 2000-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69517547D1 (de) Strahlungsempfindliche Mischung
DE69326184T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen
DE69518196T2 (de) Verbesserungen von Strahlungsthermometern
DE69408761T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE69703902T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE69506999T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE59309790D1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch
DE58909788D1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch
DE69515139D1 (de) Strahlungsdetektor
DE69705283T2 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzung
KR970004998A (ko) 시일드케이스
DE29622825U1 (de) Bestrahlungsgerät
NO944313L (no) Detektor
DE69519781D1 (de) Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
ATA202195A (de) Strahlungsbrenner
DE69601586T2 (de) Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
DE29621804U1 (de) Strahlung absorbierendes Material
NO941180D0 (no) Varmeskjold
DE59508126D1 (de) Strahlungsemfänger
DE9308355U1 (de) Strahlenschutzvorrichtung
DE69328539T2 (de) Entwicklungseinheit
DE9411418U1 (de) Radiometer
DE29605835U1 (de) Bestrahlungsgerät
DE29509660U1 (de) Bestrahlungsgerät
DE9405878U1 (de) Rhenchodepressive Substanz

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP., SOMERVILLE, N.J

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: PATENTANWAELTE ISENBRUCK BOESL HOERSCHLER WICHMANN HU