DE69514788D1 - Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen - Google Patents

Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen

Info

Publication number
DE69514788D1
DE69514788D1 DE69514788T DE69514788T DE69514788D1 DE 69514788 D1 DE69514788 D1 DE 69514788D1 DE 69514788 T DE69514788 T DE 69514788T DE 69514788 T DE69514788 T DE 69514788T DE 69514788 D1 DE69514788 D1 DE 69514788D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control circuit
word line
semiconductor memory
memory devices
voltage control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69514788T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69514788T2 (de
Inventor
Mauro Sali
Corrado Villa
Marcello Carrera
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69514788D1 publication Critical patent/DE69514788D1/de
Publication of DE69514788T2 publication Critical patent/DE69514788T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
DE69514788T 1995-06-19 1995-06-19 Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen Expired - Fee Related DE69514788T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP95830253A EP0750314B1 (de) 1995-06-19 1995-06-19 Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69514788D1 true DE69514788D1 (de) 2000-03-02
DE69514788T2 DE69514788T2 (de) 2000-06-15

Family

ID=8221947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69514788T Expired - Fee Related DE69514788T2 (de) 1995-06-19 1995-06-19 Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5659502A (de)
EP (1) EP0750314B1 (de)
JP (1) JPH09115293A (de)
DE (1) DE69514788T2 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0800176B1 (de) * 1996-04-05 2003-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger Speicherzellen
US5844840A (en) * 1997-08-19 1998-12-01 Advanced Micro Devices, Inc. High voltage NMOS pass gate having supply range, area, and speed advantages
IT1298816B1 (it) * 1998-03-27 2000-02-02 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di commutazione con tensione di uscita variabile fra una tensione di riferimento ed una tensione negativa
KR100327566B1 (ko) * 1998-06-30 2002-08-08 주식회사 하이닉스반도체 데이터소거를위한음전압발생장치를구비하는플래시메모리
US6229732B1 (en) * 1998-09-03 2001-05-08 Macronix International Co., Ltd. Regulated voltage supply circuit for inducing tunneling current in floating gate memory devices
US6055186A (en) * 1998-10-23 2000-04-25 Macronix International Co., Ltd. Regulated negative voltage supply circuit for floating gate memory devices
JP3718106B2 (ja) 2000-05-22 2005-11-16 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
US6545923B2 (en) * 2001-05-04 2003-04-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Negatively biased word line scheme for a semiconductor memory device
US6396743B1 (en) * 2001-05-18 2002-05-28 Silicon Storage Technology, Inc. Control circuit for a non-volatile memory array for controlling the ramp rate of high voltage applied to the memory cells and to limit the current drawn therefrom
US6861829B2 (en) * 2002-08-12 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for regulated voltage
US20060181255A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Schreck John F Apparatus and methods for regulated voltage
US8228175B1 (en) 2008-04-07 2012-07-24 Impinj, Inc. RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods
US8115597B1 (en) * 2007-03-07 2012-02-14 Impinj, Inc. RFID tags with synchronous power rectifier
US20090067246A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-12 Walker Andrew J Methods to Prevent Program Disturb in Nonvolatile Memory
US8326256B1 (en) 2008-07-15 2012-12-04 Impinj, Inc. RFID tag with MOS bipolar hybrid rectifier
CN102270507B (zh) * 2011-06-28 2016-08-10 上海华虹宏力半导体制造有限公司 可自调节字线电压的闪存

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5077691A (en) 1989-10-23 1991-12-31 Advanced Micro Devices, Inc. Flash EEPROM array with negative gate voltage erase operation
JP2835215B2 (ja) * 1991-07-25 1998-12-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5282170A (en) 1992-10-22 1994-01-25 Advanced Micro Devices, Inc. Negative power supply
KR960000837B1 (ko) * 1992-12-02 1996-01-13 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치
JP2839819B2 (ja) * 1993-05-28 1998-12-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5406517A (en) * 1993-08-23 1995-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Distributed negative gate power supply
JP2581430B2 (ja) * 1993-12-22 1997-02-12 日本電気株式会社 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09115293A (ja) 1997-05-02
DE69514788T2 (de) 2000-06-15
US5659502A (en) 1997-08-19
EP0750314A1 (de) 1996-12-27
EP0750314B1 (de) 2000-01-26
US5920505A (en) 1999-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69515669D1 (de) Negative Ladungspumpenschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeichervorrichtung
DE69513658D1 (de) Spannungsregler für nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnungen
DE69514788T2 (de) Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen
DE69524572D1 (de) Leseverstärkerschaltung für Halbleiterspeicheranordnungen
DE69626769T2 (de) Spannungspumpenschaltung für Halbleiterspeicheranordnung
DE69427214T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit Spannung-Erhöhungsschaltung
DE69529494D1 (de) Steuerschaltung für Halbleitervorrichtung
DE69626991D1 (de) Leistungstransistorsteuerschaltung für Spannungsregler
DE69511791D1 (de) Redundanzschema für Speicherschaltungen
DE69521393D1 (de) Integrierte Speicherschaltungsanordnung mit Spannungserhöher
DE69517060T2 (de) Spannungsreduzierung für nichtflüchtige Speicherzelle
DE69325714D1 (de) Spannungsregler für nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnungen
DE69423077D1 (de) Steuerungsvorrichtungen für nichtflüchtige Speicheranordnungen
DE69627152D1 (de) Leseschaltung für Halbleiter-Speicherzellen
DE69526336D1 (de) Leseschaltung für Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung
DE69626607T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit Spannungsgeneratorschaltung
DE69230159T2 (de) Steuerschaltung für Zwei-Torspeicher
GB2306719B (en) High voltage generation circuit for semiconductor memory device
DE69125876D1 (de) Kennzeichenschaltung für nichtflüchtige Speicheranordnung
DE69629925D1 (de) Spannungsschaltkreis für negative spannungen
DE69730306D1 (de) Dateneinschreibschaltung für nichtflüchtigen Halbleiterspeicher
DE69832007D1 (de) Steuerschaltung für Computerspeicher
DE69627059D1 (de) Ausgangsschaltung mit niedriger Spannung für Halbleiterschaltung
GB2296593B (en) Boosting voltage circuit for semiconductor memory device
DE69739864D1 (de) Verbesserte Spannungserhöhungsschaltung für Speicheranordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee