DE69325714D1 - Spannungsregler für nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnungen - Google Patents

Spannungsregler für nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnungen

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3712083B2 (ja) * 1995-11-28 2005-11-02 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源電位供給回路及び半導体装置
FR2718273B1 (fr) * 1994-03-31 1996-05-24 Sgs Thomson Microelectronics Mémoire intégrée avec circuit de maintien de la tension de colonne.
EP0766255B1 (de) * 1995-09-29 2000-01-26 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung
EP0800176B1 (de) * 1996-04-05 2003-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger Speicherzellen
DE69631752D1 (de) * 1996-04-05 2004-04-08 St Microelectronics Srl Versorgungsspannungsschaltung für Speicheranordnungen
JPH1083689A (ja) * 1996-09-10 1998-03-31 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
US6147908A (en) * 1997-11-03 2000-11-14 Cypress Semiconductor Corp. Stable adjustable programming voltage scheme
IT1296486B1 (it) 1997-11-21 1999-06-25 Ses Thomson Microelectronics S Regolatore di tensione per circuiti di memoria a singola tensione di alimentazione, in particolare per memorie di tipo flash.
EP1324345A1 (de) * 2001-12-27 2003-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einziger Speisespannung mit Kaskode-Spaltendekodiererung
US20040062123A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device able to detect test mode
DE60226987D1 (de) * 2002-12-30 2008-07-17 St Microelectronics Srl Verfahren zur Stabilisierung der Drain-Spannung in einem nichtflüchtigen Speicher mit mehreren Zuständen und zugehörige Speichervorrichtung
DE60323202D1 (de) * 2003-02-21 2008-10-09 St Microelectronics Srl Phasenwechselspeicheranordnung
US7123517B2 (en) * 2004-10-07 2006-10-17 International Business Machines Corporation Reprogrammable integrated circuit (IC) with overwritable nonvolatile storage
US7154794B2 (en) * 2004-10-08 2006-12-26 Lexmark International, Inc. Memory regulator system with test mode
KR100784863B1 (ko) * 2006-11-23 2007-12-14 삼성전자주식회사 향상된 프로그램 성능을 갖는 플래시 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법
US7639067B1 (en) 2006-12-11 2009-12-29 Altera Corporation Integrated circuit voltage regulator
JP5072564B2 (ja) 2007-12-10 2012-11-14 株式会社東芝 半導体記憶装置及びメモリセル電圧印加方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103827A (ja) * 1983-11-11 1985-06-08 Fujitsu Ltd 電圧変換回路
FR2625592B1 (fr) * 1988-01-05 1992-06-19 Commissariat Energie Atomique Memoire a bulles magnetiques en technologie hybride
US4875188A (en) * 1988-01-12 1989-10-17 Intel Corporation Voltage margining circuit for flash eprom
US4858186A (en) * 1988-01-12 1989-08-15 Intle Corporation A circuit for providing a load for the charging of an EPROM cell
JP3247402B2 (ja) * 1991-07-25 2002-01-15 株式会社東芝 半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置
FR2682802B1 (fr) * 1991-10-18 1993-12-03 Sgs Thomson Microelectronics Sa Dispositif pour generer une tension de programmation d'une memoire permanente programmable, notamment de type eprom, procede et memoire s'y rapportant.
JP3306942B2 (ja) * 1993-01-22 2002-07-24 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置

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Publication number Publication date
EP0661716A1 (de) 1995-07-05
EP0661716B1 (de) 1999-07-21
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JP2733030B2 (ja) 1998-03-30
US5576990A (en) 1996-11-19
JPH07220491A (ja) 1995-08-18

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