DE69426565D1 - Schaltung zur Verhinderung der Zündung von parasitären Bauelementen in integrierten Schaltungen bestehend aus einer Leistungsstufe und einer Niederspannungssteuerschaltung - Google Patents

Schaltung zur Verhinderung der Zündung von parasitären Bauelementen in integrierten Schaltungen bestehend aus einer Leistungsstufe und einer Niederspannungssteuerschaltung

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036423B2 (ja) * 1996-02-06 2000-04-24 日本電気株式会社 半導体装置
DE69624493T2 (de) 1996-12-09 2003-06-26 St Microelectronics Srl Vorrichtung und Verfahren zur Unterdrückung von parasitären Effekten in einer integrierten Schaltung mit pn-Isolationszonen
JP3698323B2 (ja) * 1997-01-24 2005-09-21 株式会社ルネサステクノロジ パワースイッチ回路
US6225673B1 (en) * 1998-03-03 2001-05-01 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit which minimizes parasitic action in a switching transistor pair
DE69902877D1 (de) * 1999-04-30 2002-10-17 St Microelectronics Srl Integrierter Schaltkreis mit einer Leistungsschaltung und einer Steuerschaltung, ohne parasitäre Ströme
DE19928762C1 (de) * 1999-06-23 2000-11-23 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Verhinderung der Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Substrat
EP1221718A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-10 STMicroelectronics S.r.l. Integriertes Leistungsbauelement mit verbesserter Effizienz und reduzierten Gesamtabmessungen
EP1965425A1 (de) * 2007-03-01 2008-09-03 Infineon Technologies Austria AG Integrierte Schaltungsanordnung mit Gegenspannungsschutz
US8013475B2 (en) 2007-03-15 2011-09-06 Infineon Technologies Ag Reverse voltage protected integrated circuit arrangement for multiple supply lines
CN104347627A (zh) * 2014-09-18 2015-02-11 成都星芯微电子科技有限公司 基于场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990092A (en) * 1974-01-11 1976-11-02 Hitachi, Ltd. Resistance element for semiconductor integrated circuit
JPS5742145A (en) * 1980-08-26 1982-03-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device
FR2636481B1 (fr) * 1988-09-14 1990-11-30 Sgs Thomson Microelectronics Diode active integrable
US5051612A (en) * 1989-02-10 1991-09-24 Texas Instruments Incorporated Prevention of parasitic mechanisms in junction isolated devices
IT1231541B (it) * 1989-07-25 1991-12-17 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo di protezione contro gli effetti parassiti provocati da impulsi negativi di tensione di alimentazione in circuiti integrati monolitici includenti un dispositivo di potenza per il pilotaggio di un carico induttivo ed un dispositivo di controllo per detto dispositivo di potenza.
IT1252623B (it) * 1991-12-05 1995-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo a semiconduttore comprendente almeno un transistor di potenza e almeno un circuito di comando, con circuito di isolamento dinamico,integrati in maniera monolitica nella stessa piastrina

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