DE69329708T2

DE69329708T2 - Infrarot-Strahlungsdetektor und Infrarot-Detektorelement zur Anwendung in dem Detektor

Info

Publication number: DE69329708T2
Application number: DE69329708T
Authority: DE
Inventors: Kouichi Aizawa; Takayoshi Awai; Tsutomu Ichihara; Takuro Ishida; Keizi Kakite; Takuro Nakamura; Jun Sakai; Sadayuki Sumi; Shigenari Takami; Shigeaki Tomonari; Hitoshi Yoshida
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1992-10-27
Filing date: 1993-10-27
Publication date: 2001-05-23
Anticipated expiration: 2013-10-28
Also published as: DE69331345T2; EP0862190B1; DE69331345D1; EP0599364B1; EP0599364A3; EP0862190A2; DE69329708D1; US5426412A; EP0862190A3; EP0599364A2

Description

Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Herstellen eines Infrarot- Strahlungsdetektors.
Bei einer üblichen Infrarot-Strahlungsdetektoranordnung, bei der ein Infrarot- Strahlungsdetektor der wärmeerkennenden Bauart eingesetzt wird, welcher eine Membranstruktur hat, wurde vorgeschlagen, die Empfindlichkeit des Infrarot-Strahlungsdetektionselements dadurch zu verbessern, daß man ein Vakuum im Innenraum des hermetisch dicht abgeschlossenen Gehäuses aufrecht erhält oder ein thermisch nur geringfügig leitendes Gas in das Gehäuse einbringt. Ferner wird das Infrarot-Detektionselement dieser Bauart dadurch gebildet, daß ein Infrarot-Detektionselement auf einem Substrat vorgesehen wird, welches einen Hohlraum hat, und daß ein Infrarotdetektor auf diesem Infrarot-Strahlungsdetektorsegment angeordnet wird, um die Empfindlichkeit gegenüber Infrarotstrahlung zu verbessern. Beim Infrarotdetektor, welcher bei einem solchen Element zum Einsatz kommt, kann es sich beispielsweise um einen Thermistor handeln, welcher den elektrischen Widerstand in Abhängigkeit von Temperaturänderungen variiert, und als ein praktisches Beispiel läßt sich ein amorpher Halbleiter(Silizium)Film anführen.
Als Stand der Technik für eine Infrarot-Strahlungsdetektionsanordnung kann beispielsweise das offengelegte japanische Gebrauchsmuster Nr. 3-78222 angeführt werden, und praktisch im Einsatz befindliche Detektionselemente sind beispielweise in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 58-170001, 61-30730 und 4-215022 beschrieben.
Die DE 38 39 482 A1 gibt eine Infrarot-Strahlungsdetektionsanordnung mit einer Schutzgasfüllung an, bei der ein Hohlraum unterhalb des Films vorgesehen ist, welcher den Infrarot-Strahlungsdetektorchip trägt. Überströmkanäle (overflow channels) verbinden den Hohlraum mit dem Raum über dem Detektorchip, und der Hohlraum ist auch mit einem Schutzgas gefüllt.
Um eine wesentlich bessere Detektionsempfindlichkeit bei einer Infrarot- Strahlungsdetektionsanordnung zu erzielen, ist es erwünscht, ein Vakuum aufrecht zu erhalten, oder ein thermisch geringfügig leitfähiges Gas in den Hohlraum oder einen Hohlraum in dem Substrat auf ähnliche Weise wie bei dem Innenraum des hermetisch dicht abgeschlossenen Gehäuses einzubringen. Durch Ausleiten des sich im Innern des hermetisch dicht abgeschlossenen Gehäuses befindlichen Gases ist es auch erwünscht zu verhindern, daß das Infrarot-Strahlungsdetektionselement und eventuell die Infrarot-Strahlungsdetektionseinrichtung auf dem Film durch eine zu große Druckdifferenz zwischen dem Innenraum und dem Gehäuse und dem Hohlraum beschädigt wird, welcher in dem Infrarot-Strahlungsdetektionselement eingeschlossen ist, da der Film und der Detektor unmittelbar zwischen diesem Raum und dem Hohlraum angeordnet sind. Auch ist es erwünscht, die internen Belastungen in der Vorrichtung zu reduzieren.
Die Erfindung zielt hauptsächlich darauf ab, einen Infrarot-Strahlungsdetektor mit einer Gestalt und aus Materialien bereitzustellen, welche den vorstehend genannten Erfordernissen genügen.
Nach der Erfindung wird hierzu ein Verfahren zum Herstellen eines Infrarot- Strahlungsdetektors nach dem Anspruch 1 bereitgestellt.
Bei der zuvor angegebenen Infrarot-Strahlungsdetektoranordnung läßt sich die Empfindlichkeit gegenüber der Infrarotstrahlung, welche bei den üblichen Auslegungsformen zum Detektieren der Infrarotstrahlung ungünstig waren, in extrem ausgezeichneter Weise verbessern, wie sich dies aus der nachstehenden Beschreibung ergibt.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung. Darin zeigt:

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine schematische Ansicht eines Infrarot-Strahlungsdetektors zur Verdeutlichung der Erfindung,
Fig. 2 ist eine schematische Seitenansicht eines Infrarot- Strahlungsdetektors bei der Anordnung nach Fig. 1,
Fig. 3 ist eine schematische Draufsicht des Elements nach Fig. 2,
Fig. 4 bis 7 sind graphische Darstellungen von sich verändernden Zusammenhängen zwischen der Gasausstoßzeit und der Druckdifferenz gegenüber dem Leitvermögen der kommunizierenden Verbindungseinrichtung, welche sich bei dem Detektor nach Fig. 1 ändern kann.
Fig. 8 bis 10 sind schematische Seitenansichten zur Verdeutlichung von weiteren bevorzugten Ausführungsformen des Detektors nach der Erfindung,
Fig. 11 und 12 sind schematische Ansichten zur Verdeutlichung von Einzelheiten bei der Herstellung des Infrarot-Strahlungsdetektionselements bei dem Detektor nach Fig. 1,
Fig. 13 und 14 sind schematische Ansichten zur Verdeutlichung von weiteren Einzelheiten bei der Herstellung des Infrarot- Strahlungsdetektionselements bei dem Detektor nach Fig. 1,
Fig. 15 und 16 sind schematische Ansichten zur Verdeutlichung von weiteren Einzelheiten bezüglich der Herstellung des Infrarot-Strahlungsdetektionselements bei dem Detektor nach Fig. 1,
Fig. 17 ist eine Ansicht zur Verdeutlichung der Erfindung, wobei eine Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines Infrarot-Strahlungsdetektionselements gezeigt ist, welches bei dem Detektor nach Fig. 1 in der erfindungsgemäßen Weise eingesetzt wird, und
Fig. 18 ist eine Draufsicht auf das Infrarot-Strahlungsdetektionselement nach Fig. 17.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN

Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform eines Infrarot-Strahlungsdetektors gezeigt, bei dem die Vorrichtung ein Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10 umfaßt, welches ein Substrat 12 aufweist, welches einen darin gebildeten Hohlraum 11 hat, welches ferner einen Isolationsfilm 13 umfaßt, welcher auf dem Substrat 12 vorgesehen ist, um den Hohlraum 11 abzudecken, und einen Infrarot-Strahlungsdetektor 14 aufweist, welcher auf dem Isolierfilm 13 angeordnet ist. Das Substrat 12 ist vorzugsweise auf einer Basisplatte 15 angeordnet, welche derart ausgebildet ist, daß sie in Umfangsrichtung stufenförmig abgesetzte Teile hat. Ferner ist eine Kappe 16 auf der Basisplatte 15 passend angeordnet. In Fig. 1 sind diese Teile in auseinander gezogener Darstellung gezeigt. Die Kappe 16 ist mit dem in Umfangsrichtung abgestuft ausgebildeten Teil der Basisplatte 15 mittels Elektroschweißen oder dergleichen verbunden, um ein hermetisch dicht abgeschlossenes Gehäuse zu bilden. Der Infrarot-Strahlungsdetektor wird auf die folgende Weise gebildet. Das Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10 ist in einer hermetisch dicht abgeschlossenen Kammer 18 aufgenommen, welche darin in einem Innenraum 17 gebildet wird, in welchem ein Vakuum aufrecht erhalten wird oder ein Gas mit einer niedrigeren thermischen Leitfähigkeit als Luft eingefüllt ist. Hierbei ist der Infrarot- Strahlungsdetektor 14 auf dem Isolierfilm 13 derart angeordnet, daß er zwischen dem Hohlraum 11, welcher in dem Substrat 12 ausgebildet ist, und dem Innenraum 17 angeordnet ist, welcher in der Kammer 18 gebildet wird. Ferner ist die Basisplatte 15 derart ausgebildet, daß sie eine Entlüftungseinrichtung 19 in Form einer Öffnung oder Ausnehmung hat, welche in der Basisplatte 15 vorgesehen ist, so daß der Hohlraum 11 in dem Substrat 12 in kommunizierender Verbindung mit dem Innenraum 17 der Kammer 18 über die Entlüftungseinrichtung 19 sein kann. In diesem Fall kann die Entlüftungseinrichtung 19 als kommunizierende Verbindungseinrichtung alternativ in einem Distanzstück angeordnet werden, welches zwischen dem Substrat 12 und der Basisplatte 15 angeordnet ist. Die Kappe 16 wird dann mit der Basisplatte 15 verbunden, um das Gehäuse in der hermetisch dicht abgeschlossenen Kammer 18 zu bilden, so daß das Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10 dicht abgeschlossen in dem hermetisch dicht abgeschlossenen Gehäuse angeordnet ist, welches die gleiche Atmosphäre wie der Innenraum der Kammer 18 hat.
Wenn man annimmt, daß Gas im Innern der Kammer 18 mit einer Strömungsgeschwindigkeit Q0 und einer Ausstoßgeschwindigkeit S0 in einer Vakuum-Serienschaltung ausgestoßen wird, hat der Hohlraum 11 des Substrats 12 ein Volumen V1 und einen Druck P1, während der Innenraum 17 der dicht abgeschlossenen Kammer 18 ein Volumen V2 und einen Druck P2 hat. Die Entlüftungseinrichtung 19 zwischen dem Hohlraum 11 und dem Innenraum 17 hat eine Leitfähigkeit C, eine Gasströmungsrate Q1 und eine Ausstoßgeschwindigkeit S. Hieraus ergibt sich dann der folgende Zusammenhang:
S.P1 = Q1,C(P2-P1) = Q1
Die Veränderung des Drucks P2 im Innern der Kammer 18 erfolgt zu den nachfolgenden Bedingungen:
V2(dP2/dt) = S0.P2 + Q1
Vorausgesetzt, daß normalerweise V2 > > V1 und Q1 vernachlässigbar klein gegenüber S0 und P2 ist, so ergibt sich folgendes:
V2(dP2/dt) = -S0.P2
wobei bei einem Anfangsdruck im Innenraum 17 von P0 folgendes gilt P2 = P0 exp (-S0.t/V2)
Andererseits ergeben sich Änderungen bei einem Druck P1 in dem Hohlraum 11 wie folgt:
V1(dp1/dt) = -S.P1
Da, wie zuvor angegeben, S.P1 = Q1 und C(P2-P1) = Q1 ist, ergibt sich hieraus
V1(dP1/dt) = C(P2-P1)
und somit gilt
P1 = P2 + (P0-P2) exp (-Ct/V1)
wobei der Exponentialkoeffizient (P0-P2) ein fester Wert ist, wenn der Anfangsdruck im Hohlraum 11 gleich P0 ist. Folglich ist die Leitfähigkeit C der Entlüftungseinrichtung 19 derart vorgegeben, daß P1 und P2 gleich sind. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Toleranzgrenze für die Druckdifferenz aufgrund der Druckwiderstands-Bruchfestigkeit des Isolierfilm 13 bestimmt.
Unter Berücksichtigung der vorstehenden Ausführungen und in Verbindung mit einem praktischen Beispiel wird angenommen, daß das Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10 und ein Vakuumausstoßsystem die folgenden Bedingungen erfüllt, nämlich S0 = 10 cm³/S, V1 = 10&supmin;³ cm³ und V2 = 10 cm³. Ferner wird angenommen, daß der Isolierfilm 13 des Elements 10 aus einem Siliziumoxidfilm oder aus einem mehrlagigen Film aus einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm mit einer Dicke von 1 um gebildet wird. Dieser Film bricht bei einer Druckdifferenz von etwa 300 Torr. Bei einem solchen System wird ein Zusammenhang für die Gasausstoßzeit zu der Druckdifferenz zwischen P1 des Hohlraums 11 und P2 des Innenraums 17 eingestellt, wenn das Leitvermögen C der Entlüftungseinrichtung 106 cm³/S, 10&supmin;&sup5; cm³/S, 10&supmin;&sup4; cm³/S, und 10&supmin;³ cm³/S jeweils ist, wie dies in den Fig. 4 bis 7 verdeutlicht ist. Hierbei kann ein Gasausstoß unter einer Druckdifferenz von P1 und P2 kleiner als 300 Torr ermöglicht werden, wenn C 10&supmin;³ cm³/S ist. Zum anderen werden die erforderlichen Abmessungen der Entlüftungseinrichtung 19 zur Erzielung der optimalen Leitfähigkeit C gemäß der nachstehenden Ausführungen bestimmt. Hierbei wird angenommen, daß der plastische Zähigkeitswert einer Kreisleitung sich im allgemeinen wie folgt bestimmen läßt:
D4 = L.C/182p
Hierbei ist D ein Durchmesser der Ringleitung, L die Länge der Leitung, p ein mittlerer Druck der Drücke an den Einlaß- und Auslaßöffnungen der Leitung, und die Leitung hat eine Querschittsfläche von etwa 100 um², wenn C = 103 cm³/S. L = 0,05 cm und p = 380 Torr. Bei der Auslegung der Entlüftungseinrichtung 19 ist es daher erwünscht, daß die Entlüftungseinrichtung eine Querschnittsfläche hat, welche größer als die Querschnittsfläche der Leitung ist.
Die Entlüftungseinrichtung 19 als kommunizierende Verbindungseinrichtungen zwischen dem Hohlraum 11 und dem Innenraum 17 kann auch auf eine der Art und Weisen gebildet werden, die in den Fig. 8 und 9 gezeigt sind. In der erstgenannten Figur wird die Entlüftungseinrichtung 19A von einer Ausnehmung der Bodenfläche des Substrats 12A gebildet, welche auf der Basisplatte 15A aufliegt, und in Fig. 9 wird die Entlüftungseinrichtung 19B von Öffnungen gebildet, welche durch den Isolierfilm 13B gehen. Ferner stellt es eine zweckmäßige Maßnahme dar, zwischen dem Substrat 12C und der Basisplatte 15C ein Distanzstück 20C vorzusehen, welches eine Ausnehmung oder eine Öffnung hat, wie dies bei der Entlüftungseinrichtung nach Fig. 10 gezeigt ist. In diesem Fall sollte das Distanzelement 20C zweckmäßigerweise an der Bodenfläche des Substrats 12C vorgesehen sein.
Bei diesen bevorzugten Ausführungsformen nach den Fig. 8 bis 10 stimmen alle weiteren Bauteile mit denen überein, die vorher im Zusammenhang mit der bevorzugten Ausführungsform nach den Fig. 1 bis 3 erläutert worden ist. Diese Bauteile sind mit denselben Bezugszeichen wie in den Fig. 1 bis 3, aber mit einem Zusatz "A", "B" oder "C" versehen. Alle diese Bauteile und Komponenten sind im wesentlichen auf dieselbe Weise abgesehen von den vorstehend beschriebenen Einzelheiten angeordnet und ausgelegt, um dieselbe Funktion zu erreichen.
In den Fig. 11 und 12 sind Einzelheiten bezüglich der Herstellung des Infrarot-Strahlungsdetektors verdeutlicht. In bevorzugter Weise sollten die dort verdeutlichten Schritte durchgeführt werden. Ein Klebstoff wird auf einer Oberfläche der Basisplatte 15D aufgebracht, das Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10D wird auf der Oberfläche der Basisplatte 15D angebracht, und es sind keine Wärmebehandlungen vorgesehen. Das Infrarot-Strahlungsdetektionselement 10D weist das Substrat 12Da auf, welches den Hohlraum D hat, und es weist den wärmeisolierenden Film 12Db auf, welcher vorgesehen ist, um den Hohlraum 11 D abzudecken. Der Isolierfilm 12Db ist auf ähnliche Weise wie bei der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform ausgebildet. Dann wird dieser Infrarot- Strahlungsdetektor 14D als Thermistor oberhalb des Isolierfilms 12Db vorgesehen, um die Infrarotstrahler zu detektieren, indem eine Erscheinung benutzt wird, bei der sich der Widerstandswert durch die Umgebungstemperaturveränderungen verändern kann. Wie vorzugsweise in Fig. 11 gezeigt ist, ist der Infrarot-Strahlungsdetektor 14D in vier Abschnitte unterteilt, welche jeweils auf den inneren Teilen 12Db des Siliziumsubstrats angeordnet sind, und welche wechselseitig Brückenverbindungen für die Infrarot- Strahlungsdetektion haben.
Die Ausnehmungen 19D sind als eine Entlüftungseinrichtung teilweise in dem Substrat 12Da vorgesehen, welches den Hohlraum 11 D hat. Die Ausnehmungen 19D können auf einfache Weise dadurch vorgesehen werden, daß man ein anisotropisches Ätzen mit einer wäßrigen Lösung aus Kaliumhydroxid durchführt, eine Schneidbearbeitung mit einer Innenlochsäge oder dergleichen vornimmt, eine Elektrobodenbearbeitung oder dergleichen vornimmt. Es ist von Vorteil, die Ausnehmung dadurch auszubilden, daß man wie zuvor angegeben, einen entsprechenden Materialabtrag vornimmt, oder daß man einen Wafer zur Ausbildung von Chips nimmt.
Die kommunizierende Verbindungseinrichtung kann nach den Fig. 13 und 14 in Form einer Entlüftungsöffnung 19E ausgebildet sein, welche das Substrat 11 Ea durchdringt, welches den Hohlraum 11 E und den wärmeisolierenden Film 12Eb hat, wobei der Bodenrandabschnitt dieser Öffnung 19E sich erweitert und an die Hohlräume 11E angrenzend, welche unterhalb im zugeordnete Infrarot-Strahlungsdetektionsabschnitt 14e bei dem dargestellten Beispiel angeordnet sind. Die Entlüftungsöffnung 19E läßt sich dadurch ausbilden, daß man an anisotropes Ätzen, eine Schneidbearbeitung oder eine Elektrobogenbearbeitung oder dergleichen gleichzeitig mit der Ausbildung des Hohlraums 11E vornimmt. Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform nach den Fig. 15 und 16 kann ein Entlüftungsspalt 19F zwischen der Basisplatte 15F und dem Substrat 12F gebildet werden, welches den Hohlraum 11F hat, und zwar dadurch, daß ein Zwischenteil 19F zwischen dem Substrat 12F und der Basisplatte 15F angeordnet wird.
Bei den dargestellten bevorzugten Ausführungsformen nach den Fig. 11 und 12, den Fig. 13 und 14 und den Fig. 15 und 16 sind die gleichen Komponente wie bei den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 3 mit denselben Bezugszeichen versehen, aber zusätzlich ist ein Zusatz mit "D", "E" und "F" bezeichnet.
Diese Komponenten sind im wesentlichen auf die gleiche Weise abgesehen von den vorstehend beschriebenen Auslegungseinzelheiten wie bei den Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 3 ausgelegt.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 17 und 18 ist eine bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung gezeigt, bei der sich insbesondere jeglicher Verzug oder jegliche Beschädigung des Isolierfilm auf zuverlässige Weise verhindern läßt. Bei diesem Beispiel ist der Hohlraum 11G mit einer im wesentlichen rechteckförmigen Gestalt in dem Mittelteil des Substrats 12G ausgebildet, und der Isolierfilm 13G deckt den Hohlraum 11G ab, welcher von einem Siliziumoxidfilm oder einem mehrschichtigen Film aus einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm gebildet wird. Bei dieser Auslegung werden große innere Belastungen bzw. Spannungen vermieden. Der Infrarot- Strahlungsdetektor 14G ist als ein Thermistor aus amorphem Silizium ausgebildet. In diesem Fall sind die Elektroden 140a aus Chrom Cr auf den oberen und unteren Flächen des Infrarot-Strahlungsdetektors 14 G vorgesehen. Die Elektroden verlaufen diagonal nach außen und sind an ihren verlängerten Enden jeweils mit Verbindungseinsätzen 14Gb versehen. Ferner ist die Oberseite des Infrarot-Strahlungsdetektors 14G, das heißt die obere Seite der Elektrode 14Ga an dem Detektor 14 G, mit einem infrarotabsorbierenden Film 140c abgedeckt. Der infrarotabsorbierende Film 14Gc wird von einem Siliziumoxinitrid gebildet, welcher derart ausgelegt ist, daß sich keine großen inneren Spannungen ergeben und welcher einer so hohe Infrarotabsorbtionsfähigkeit hat, daß die auf den Detektor 15G gerichtete Infrarotstrahlung mit einer hohen Effizienz absorbiert werden kann.
Bei der Bereitstellung des amorphen Siliziumthermistors bei der Ausbildung des Infrarot-Strahlungsdetektors 14G zwischen den Elektroden 140a läßt sich der Infrarot-Strahlungsdektors 14G auf einfache Weise hinsichtlich des Widerstandswert steuern, jegliche Schwankung hinsichtlich den Eigenschaften unter den Thermistoren lassen sich vermeiden und die Rauscherscheinung läst sich reduzieren.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Infrarot-Strahlungsdetektors, welches die folgenden Schritte aufweist:

- Vorsehen eines Infrarot-Strahlungsdetektionselements (10), welches ein Substrat (12Ga) aufweist, welches einen darin ausgebildeten Hohlraum (11G) hat,

- der Hohlraum (11G) eine etwa viereckige Gestalt hat und im Mittelteil des Substrats (12Ga) ausgebildet wird;

- Vorsehen eines Isolierfilms (13G) auf dem Substrat (12Ga), um den Hohlraum (11G) abzudecken, wobei der Isolierfilm (13G) von einem Siliziumoxidfilm oder einem mehrschichtigen Film aus einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm gebildet wird;

- Anordnen eines Infrarotdetektors (14G) aus amorphem Silizium auf dem Isolierfilm (13G);

- Anordnen des Substrats (12Ga) auf einer Basisplatte (15), welche einen in Umfangsrichtung abgestuften Teil hat;

- Ausbilden einer Entlüfungseinrichtung (19) in Form einer Öffnung oder einer Ausnehmung in dem Substrat, dem Isolierfilm, der Basisplatte (15) oder Anordnen eines Distanzelements zwischen dem Substrat (12Ga) und der Basisplatte (15) oder durch Anordnen eines Zwischenelements dazwischen, so daß der Hohlraum (11 G) in dem Substrat (12Ga) durch die Entlüftungseinrichtung (19) in kommunizierender Verbindung mit dem Umgebungsraum (17) sein kann;

- Vorsehen von Elektroden aus Chrom (Cr) an beiden oberen und unteren Flächen des Infrarotdetektors (14G), wobei die Elektroden (14Ga) diagonal bezüglich der rechteckförmigen Gestalt nach außen verlaufen;

- Vorsehen von Verbindungseinsätzen (14Gb) an den verlängerten Enden der Elektroden (14Ga);

- Abdecken der oberen Seitenelektroden (14Ga) an dem Detektor (14G) mit einem infrarotstrahlungsabsorbierenden Film (14Gc) aus Siliziumnitrid;

- Unterbringen der Anordnung erhalten nach den vorstehenden Schritten zusammen mit einer gesonderten Kappe (16) in einer hermetisch dicht abgeschlossenen Kammer (18), in welcher ein Innenraum (17) gebildet wird, wobei der Infrarotdetektor (14G) auf dem Isolierfilm (13G) derart angeordnet ist, daß er zwischen dem im Substrat (12Ga) ausgebildeten Hohlraum (11G) und dem in der Kammer (18) gebildeten Innenraum (17) angeordnet ist;

- Ausstoßen des Gases im Innern der Kammer (18) mit einer Strömungsgeschwindigkeit (Q0) und einerAustrittsgeschwindigkeit(S0) derart, daß eine Toleranzgrenze der Druckdifferenz zwischen dem Druck (P1) und dem Hohlraum (11) und dem Druck (P2) in der Kammer (18) durch die Druckwiderstands-Bruchfestigkeit des Isolierfilms (13G) bestimmt wird,

- wenn das Infrarot-Detektionselement mit einem Gas mit einem kleineren Wärmeleitungskoeffizienten als Luft beschickt wird, dieses Gas in die Kammer eingeleitet wird; und

- Verbinden der Kappe (16) mit der Basisplatte (15) um ein Gehäuse in der hermetisch dicht geschlossenen Kammer (18) auszubilden, so daß das Infrarot-Detektionselement in dem Gehäuse hermetisch dicht abgeschlossen angeordnet ist, und die gleiche Atmosphäre wie der Innenraum der Kammer (18) hat.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entlüftungseinrichtung (19A) in Form einer Ausnehmung in der Bodenfläche des Substrats (12A) ausgebildet ist, die auf der Basisplatte (15A) aufliegt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entlüftungseinrichtung (19B) von Öffnungen gebildet wird, welche durch den Isolierfilm gehen.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Distanzelement (20C) zwischen dem Substrat (12C) und der Basisplatte (15C) vorgesehen wird, welches eine Ausnehmung oder eine Öffnung als Entlüftungseinrichtung hat, wobei das Distanzelement (20C) auf der Bodenfläche des Substrats (12C) vorgesehen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfaßt:

- Vorsehen eines Entlüftungsspalts (19F) zwischen der Basisplatte (15F) und dem Substrat (12F), welche den Hohlraum (11F) hat, mit Hilfe eines Zwischenelements (19Fa), welches zwischen dem Substrat (12F) und der Basisplatte (15F) angeordnet ist.